「First layer」を含む例文一覧(24476)
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そして、第１袋位置センサが大袋の上面を検出すると、第２袋位置センサが該大袋の後部の上面を検出するように、積層状態の大袋の後部を下方から支持するローラを移動させるローラ移動用電動シリンダを駆動して、前記後部を上昇させることにより、最上層の大袋を水平姿勢に保持する。 - 特許庁 - Further, the method may also have a step of forming a collector region 32 positioned at the offset region 31 of a bipolar transistor by introducing the first-conductivity-type impurities to the semiconductor layer 20 with an element isolation film 25, a gate electrode 44, and a mask film as masks, and for forming a source and a drain 42a, 45 of a MOS transistor.
さらに、素子分離膜２５、ゲート電極４４、及びマスク膜をマスクとして半導体層２０に第１導電型の不純物を導入することにより、バイポーラトランジスタのオフセット領域３１に位置するコレクタ領域３２を形成するとともに、ＭＯＳトランジスタのソース及びドレイン４２ａ，４５を形成する工程とを具備してもよい。 - 特許庁 - In a method of manufacturing a resonator on the substrate (71), a bottom electrode (72) is stacked on the substrate (71), and a piezoelectric(PZ) layer (74) is stacked, and a surface electrode (74) with a first thickness is stacked, and the thickness of the above electrode (76) is reduced to adjust the resonance frequency of the resonator.
基板（７１）上に共振器を製造する方法において、前記基板（７１）上に底部電極（７２）を堆積させ、圧電（ＰＺ）層（７４）を堆積させ、第１の厚さを備えた表面電極（７６）を堆積させ、前記表面電極（７６）の厚さを減少させて前記共振器の共振周波数を調節するようにした共振器の製造方法。 - 特許庁 - To primarily provide a semiconductor package having a structure such that neither a via hole nor a pad is necessary before or behind an intersection portion and then space is saved as a semiconductor package which has a first wiring and a second wiring arranged one over the other with an insulating resin layer interposed therebetween to have an intersection portion locally present when viewed from their overlapping direction.
絶縁樹脂層を介して第一配線と第二配線とが重ねて配され、局所的にそれらの重なり方向から見て交差部が存在する構造とした半導体パッケージにおいて、交差部の前後でビアやパッドを必要とせず、ひいては省スペース化が図れる構造とした半導体パッケージを提供することを第一の目的とする。 - 特許庁 - In the liquid crystal display, the display viewing side first substrate 15 provided with a pixel electrode 3 and the TFT element 5 formed on the inner surface side and a second substrate 14 having a display electrode 18 formed on the inner surface side are disposed opposite to each other and a liquid crystal layer 12 is disposed in a gap between both substrates 14 and 15.
本発明の液晶表示装置は、内面側に画素電極３及びＴＦＴ素子５を形成した表示視認側の第１の基板１５と、内面側に表示電極１８を形成した第２の基板１４とを対向して配置し、前記両基板１４、１５の間隙に液晶層１２を配置して成る液晶表示装置である。 - 特許庁 - The acoustic reflection layers 21 to 26 each comprise an (a) epitaxial conductive material formed alternately on the substrate 12, at least one of first layers 21, 23, 25 whose acoustic impedance is relatively high; and (b) the other epitaxial conductive material, and besides including an at least one of second layer 22, 24, 26 whose acoustic impedance is relatively low.
音響反射層２１〜２６は、基板１２の上に交互に形成された、（ａ）エピタキシャルの導電材料からなり、音響インピーダンスが相対的に高い、少なくとも一つの第１層２１，２３，２５と、（ｂ）エピタキシャルの他の導電材料からなり、音響インピーダンスが相対的に低い、少なくとも一つの第２層２２，２４，２６とを含む。 - 特許庁 - The first outer surface has a hardness of up to about 20 Shore C less than a hardness at the geometric center to define a negative hardness gradient inner core and the second outer surface has a hardness of up to 18 Shore C greater than the geometric center hardness to define a positive gradient outer core layer and a shallow positive hardness gradient core.
第１の外側表面の硬度は、幾何中心の硬度より約２０ショアＣまでの範囲で小さくて負の硬度勾配の内側コア層を形成し、第２の外側表面の硬度は、幾何中心の硬度より約１８ショアＣまでの範囲で大きく正の硬度勾配の外側コア層を形成し、浅い正の硬度勾配のコアを形成する。 - 特許庁 - In the process A, a film-forming material is supplied (202) to allow inorganic starting gas to attach to the substrate being unreacted during the heating of the substrate up to a film-forming temperature, and an oxygen radical is supplied to the substrate for performing (203) RPO (remote plasma oxidation) treatment to form the first film layer thereon.
第１薄膜層形成工程Ａは、基板温度を成膜温度まで昇温させる基板昇温加熱の途中で、有機原料ガスを基板上に未反応のまま付着させる成膜原料供給を行なった後（２０２）、酸素ラジカルを基板上に供給して第１の薄膜層を形成するＲＰＯ（リモートプラズマ酸化）処理を行なう（２０３）。 - 特許庁 - The method for forming the casting mold includes a step of: forming body by kneading ceramic powder containing silicon nitride powder and a first binder solution; a step of: forming slurry by adding a second binder solution to the body; and a step of forming a mold releasing layer by applying the slurry to the surface of a casting mold base body.
窒化珪素粉末を含むセラミック粉末と、第一バインダー溶液と、を混練して、坏土を形成する工程と、前記坏土に第二バインダー溶液を添加して、スラリーを形成する工程と、前記スラリーを鋳型用基体の表面に付着させて、離型層を形成する工程と、を備えることを特徴とする鋳型の形成方法とする。 - 特許庁 - Also, a metal film 20 composed of copper or a copper alloy is formed on the crystallinity enhancement film 18 so as to fill the through hole 13a and wiring formation trench 15a, and an upper-side wiring layer 20 consists of the first protection conductive film 16, second protection conductive film 17, crystallinity enhancement film 18 and metal film 19.
さらに、銅又は銅合金からなる金属膜２０が、結晶性向上膜１８上で且つスルーホール１３ａ及び配線形成溝１５ａを充填するように形成されており、第１の保護導電膜１６、第２の保護導電膜１７、結晶性向上膜１８及び金属膜１９により上部配線層２０が構成されている。 - 特許庁 - Secondly, copper electrolytic plating of copper is performed by using the metal layer 6 as a deposition current path, while the first plating resist film 11 is made to remain as it is, thereby forming a columnar electrode 8 on a connection pad upper surface of the re-wiring 7 in an opening 14 in a second plating resist film 13 composed of negative type dry film resist of acryl resin.
次に、第１のメッキレジスト膜１１をそのまま残存させた状態で、下地金属層６をメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、アクリル系樹脂のネガ型のドライフィルムレジストからなる第２のメッキレジスト膜１３の開口部１４内における再配線７の接続パッド部上面に柱状電極８を形成する。 - 特許庁 - Substantially rhombic similar driving electrodes 20A are formed at positions corresponding to respective ink pressure chambers 19A on the upper surface of the first piezoelectric layer 21, and a land pattern 20B of arrow shape is formed to be led out continuously from the acute angle part of the driving electrode 20A to a position corresponding to the outside of the ink pressure chamber 19A.
また、第１圧電層２１上面部の各インク圧力室１９Ａに対応する位置には、相似形状の略菱形形状の駆動電極２０Ａが形成されると共に、この駆動電極２０Ａの鋭角部からインク圧力室１９Ａの外側に対応する位置まで連続して引き出される矢印形状のランドパターン２０Ｂが形成されている。 - 特許庁 - A plurality of first electrodes 6 are arranged in stripes for reading radiographic images accumulated in an electric charge storage 11 when read light L1 is irradiated to a reading photoconductive layer 5 as a signal charge, and are provided respectively on an erase light shielding film 8, for transmitting the read light L1 and shielding the erase light L2.
読取用光導電層５に読取光Ｌ１が照射されたときに電荷蓄電部１１に蓄積された放射線画像を信号電荷として読取る、ストライプ状に配列された複数の第１線状電極６が、読取光Ｌ１を透過し消去光Ｌ２を遮光する消去光遮光膜８上の領域にそれぞれ設けられている。 - 特許庁 - This method for forming an ohmic layer comprises a first step of forming injecting hydrogen or argon gas with a semiconductor substrate stored in the plasma chamber of a chemical vapor deposition system, a second step of injecting a Ti-containing source gas into the a plasma chamber, and a third step of forming a RF plasma in the plasma chamber to deposit a titanium film.
半導体基板を化学蒸着装置のプラズマチャンバーに入れて水素およびアルゴンガスを注入する第１工程と、前記プラズマチャンバーにＴｉを含んだソースガスを注入する第２工程と、前記プラズマチャンバーにＲＦプラズマを形成してチタン膜を蒸着する第３工程とを備えることを特徴とするＰＣＶＤによるオーミック層形成方法。 - 特許庁 - On the upper surface part of a first piezoelectric layer 21, a substantially rhombic drive electrode 20A slightly smaller than and similar to the projection of an ink pressure chamber 19A is formed at a position corresponding to each ink pressure chamber 19A, and an arrow type land pattern 20B is formed continuously from the acute angle part of the drive electrode 20A.
第１圧電層２１の上面部には、各インク圧力室１９Ａに対応する位置に該インク圧力室１９Ａの投影形状よりも少し小さいほぼ相似形の略菱形の駆動電極２０Ａと、該駆動電極２０Ａの鋭角部から連続して形成される矢印形状のランドパターン２０Ｂが形成されている。 - 特許庁 - In a capacitance element region 1 on a semiconductor substrate constituting a semiconductor device, a wiring layer of the semiconductor device is not formed in an upper region of a forming position of the semiconductor element on a first interlayer dielectric 8 to cover this capacitance element, and dummy patterns 2, 2a to be dummy wiring layers are formed at a peripheral of the upper region.
半導体装置を構成する半導体基板上の容量素子領域１において、この容量素子を被覆する第１層間絶縁膜８上であって上記半導体素子の形成位置の上部領域には半導体装置の配線層が形成されず、上記上部領域の周辺部にダミー配線層となるダミーパターン２，２ａが形成される。 - 特許庁 - The object is solved by a heterostructure of the type, wherein the ungraded layers are strained layers, wherein the strained layers comprise at least one strained smoothing layer of a semiconductor material, having in a lattice relaxed state, a third in-plane lattice parameter which is between the first and the second lattice parameter.
前記の目的は、該組成非傾斜層が歪み層であり、かつ、該歪み層が前記第１および第２の格子定数の中間の第３の面内格子定数を格子緩和状態において有する半導体材料の、歪を有する平坦化層を少なくとも１つ含んで構成されることを特徴とする、前記のタイプのヘテロ構造によって達成される。 - 特許庁 - This protocol establishing method has a tasking stage for tasking respective layers of interfaces regarding infrared communication, a stage for providing the connecting functions for one application layer, and a task actuation stage for actuating a task for the first time when all the connecting functions are tasked and provided and one of all the connecting functions is established.
赤外線通信に関するインタフェイスの各層をタスク化するタスク化段階と、１つのアプリケーション層に対して、複数の接続機能を持つ段階と、全ての接続機能もタスク化して備える場合、上記全ての接続機能のうちの１つの接続機能が確定したときに、タスクを初めて起動するタスク起動段階とを有するプロトコル確立方法である。 - 特許庁 - The sliding device has a first sliding material having a sliding layer 164 obtained by solidifying a solid lubricant containing at least a PTFE with a thermosetting resin and, simultaneously, having a PTFE content of 10-40 vol.% and a second sliding material composed of a body material 146 provided with nickel based platings 150 and 152 which slide with each other.
並びに、少なくともＰＴＦＥを含有する固体潤滑剤が熱硬化樹脂で固められて成り、かつ、ＰＴＦＥの含有率が１０〜４０vol％の範囲にある摺動層１６４を備えた第１摺動材と、ニッケル系メッキ１５０、１５２が施された母材１４６から成る第２摺動材とが互いに摺動する摺動装置。 - 特許庁 - A common rail 56 to reserve working fluid is installed on a cylinder head 101 by a first vibration reducing structure 103 constituted of an installing seat 104 arranged on a cylinder head 101 (cam carrier 102) and a damping member 105 having a damping material layer 106 and a mounting plate 107 formed of heat resistant rubber or resin.
作動流体を貯留するコモンレール５６は、シリンダヘッド１０１（カムキャリヤ１０２）上に配設されている取付け座１０４と、耐熱性のゴム又は樹脂から形成される減衰材層１０６及び取付け板１０７を有する減衰部材１０５とから構成される第１振動低減構造１０３によって、シリンダヘッド１０１に取り付けられる。 - 特許庁 - A prism forming face having prism lines 41a arranged in the Y direction of a first prism member 41 and parallel to one another and a prism forming plane having prism lines 42a arranged in the Y direction of a second prism member 42 and parallel to one another are disposed facing each other with the respective prisms opposing to each other through an intermediate layer 43.
第１プリズム部材４１のＹ方向に互いに平行に配列されたプリズム列４１ａを有するプリズム形成面と、第２プリズム部材４２のＹ方向に互いに平行に配列されたプリズム列４２ａを有するプリズム形成面とが、それらの形状どうし対応するように中間層４３を介して対向配置されている。 - 特許庁 - Because a rotary body 100 with a plurality of symbols is equipped with electronic paper 98 to display a plurality of symbols by moving charged particles in an electronic ink layer interposed between a first substrate and a second substrate to change color, a plurality of symbols displayed on the electronic paper 98 can be renewed into new symbols.
複数の図柄を備えた回転体１００は、第１基材と第２基材との間に挟持された電子インク層中の帯電粒子を移動させて色を変化させることにより複数の図柄を表示する電子ペーパ９８を備えているので、電子ペーパ９８に表示させていた複数の図柄を新たな図柄に書き換えて表示させることができる。 - 特許庁 - In another embodiment, a texturizing underlayer is formed by depositing first and second conductive metal layers and annealing the metal layers to form surface dislocations structured as a periodic network, and a conductive metal is then deposited in gaseous phase and agglomerates onto the surface dislocations of the texturizing layer to form nanostructures in the form of island clusters.
別の態様において、第一及び第二の導電金属層を堆積させ、該金属層をアニーリングして周期的ネットワークとして構造化された表面転位を形成し、前記テクスチャライジング下層を形成し、導電金属を気相堆積させて前記テクスチャライジング層の表面転位の上に凝集して、アイランドクラスタ形態のナノ構造を形成する。 - 特許庁 - A phase adjustment electrode group 50 including a positive bias electrode 53 to which positive bias voltage is applied to change the refractive index of the second branching waveguide, and first and second negative bias electrodes 55 and 57 to which negative bias voltage is applied and which sweeps a carrier from the second branching waveguide to a semiconductor layer is provided to the upper side of the second branching waveguide.
第２分岐導波路の上側に、正バイアス電圧が印加されて、第２分岐導波路の屈折率を変える正バイアス電極５３と、負バイアス電圧が印加されて、キャリアを第２分岐導波路から半導体層に掃きだす、第１及び第２負バイアス電極５５及び５７を含む位相調整電極群５０を備えている。 - 特許庁 - This multilayer ceramic capacitor comprises a multilayer dielectric element body 2 formed by alternately piling up dielectric layers 1, composed of mainly of barium titanate and inner an electrode layer 3 which is composed of mainly of Ni, and has a first heterophase 6 containing Mg-Si-O as constituting elements.
本発明に係る積層型セラミックコンデンサは、チタン酸バリウムを主成分とした誘電体からなる誘電体層１とＮｉを主成分とした内部電極層３とが交互に積層された積層誘電体素子本体２を有する積層型セラミックコンデンサにおいて、構成元素としてＭｇ−Ｓｉ−Ｏを含む第１異相６が存在することを特徴とする。 - 特許庁 - When the electrode layer 30 is applied with a voltage, while the electrode layers 20 and 40 are grounded, a pair of regions 310 are deformed outwardly into parallelogram shapes over the ink chamber, based on a thickness slip deformation effect, and the first region 300 deforms in vertical effect, to expand enhance the deformation of the second region 310.
電極層２０と電極層４０とを接地し、電極層３０に電圧を印加すると、一対の領域３１０は厚みすべり変形効果によりそれぞれインク室の外側へ平行四辺形状に変形し、第１の領域３００は、縦効果変形して、第２の領域３１０の変形を助長するように伸張する。 - 特許庁 - Accordingly, rigid joint can be achieved between the metal wiring film 19 and each terminal regardless of a force applied to peel the metal wiring film 19 to each joint part among the first electrode pad 13, second electrode pad 15, and metal wiring film 19 by pressing down the metal wiring film 19 with the sealing layer 21.
これにより、上記第１電極パッド１３及び上記第２電極パッド１５と金属配線膜１９との各接合部に金属配線膜１９を剥離させるような力が作用しても、金属配線膜１９を封止層２１が押さえ込むことで金属配線膜１９と各端子との接合を強固なものとすることができる。 - 特許庁 - In a first aspect, the method comprises: (a) applying a curable composition on a substrate; (b) applying a hard mask composition above the curable composition; (c) applying a photoresist composition layer above the hard mask composition wherein one or more of the compositions are removed in an ash-free process.
第一の態様においては、（ａ）基体上に硬化性組成物を適用する工程、（ｂ）硬化性組成物上にハードマスク組成物を適用する工程、（ｃ）ハードマスク組成物上にフォトレジスト組成物層を適用する工程を含む方法であって、アッシングを含まないプロセスにおいて一以上の組成物を除去する工程、を含む方法が提供される。 - 特許庁 - The electric component, including a molded structure which determines a first and a second areas located at an interval, having at least two conductive wirings formed on the surface of a component main body, and connected by one or more of connection tabs, are manufactured, and the structure, having a conductive layer, is plated.
１つまたは２つ以上の接続タブによって接続される第１および第２の間隔を置いて配置された部分を定めるモールドされた構造体を含む部品本体の表面に形成された少なくとも２つの導電性配線を有する電気部品を製造し、そして導電層を有する上記構造体をメッキする方法。 - 特許庁 - The multilayer interconnection structure 18 is constituted so as to electrically and interconnect circuits of a board 100 by using a plurality of other solder connecting members 47 and has a heat conduction layer 22 composed of material having a selected thickness and coefficient of thermal expansion with which solder connecting obstruction between a plurality of first conducting members and the semiconductor chip is prevented totally.
多層相互接続構造１８は、回路化基板１００を、別の複数のハンダ接続部材４７で電気的に相互接続するように構成され、第１の複数の導電部材と半導体チップとの間のハンダ接続障害を全体的に防止する選択された厚さおよび熱膨張率を有する材料よりなる熱伝導層２２を有する。 - 特許庁 - First and second semiconductor lasers 10 and 20 comprising buffer layers 11 and 21, clad layers 12 and 22, quantum well active layers 13 and 23 and clad layers 14 and 24 laminated on a substrate 1 while having a stripe structure are integrated on the same substrate, and the quantum well active layer near a resonator end face is disordered by impurity diffusion.
基板１上に積層されたバッファ層１１、２１、クラッド層１２、２２、量子井戸活性層１３、２３、およびクラッド層１４、２４を備え、ストライプ構造を有する第一および第二半導体レーザ１０、２０が同一基板上に集積化され、共振器端面近傍における量子井戸活性層は不純物拡散により無秩序化されている。 - 特許庁 - The manufacturing method of a magnetoresistance effect element 20 is a dry etching method of a magnetoresistance effect element composed of a magnetic multilayer film containing at least two layers, wherein a second mask material to be a conductor with a reaction with the other atom is doubly overlapped on the lower layer of a first mask material comprising a non-organic-based material.
この磁気抵抗効果素子２０の製造方法は、少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜から成る磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、非有機系材料からなる第一のマスク材の下層に他の原子と反応して導電物になり得る第二のマスク材を二重に重ねて積層する方法である。 - 特許庁 - Since second belt layers 6 extending in a tire circumferential direction in which a reinforcement cord 13a is not inclined relative to the tire circumferential direction are provided on both sides in a tire width direction of a first belt layer arranged at a central side in the tire width direction respectively, pushing up of both sides in the tire width direction can be prevented by the respective second layers 6.
タイヤ幅方向中央側に配置される第１のベルト層５のタイヤ幅方向両側に、補強コード１３ａがタイヤ周方向に対して傾斜をなさずにタイヤ周方向の延びる第２のベルト層６をそれぞれ設けたので、各第２のベルト層６によってタイヤ幅方向両側のせり上がりを防止することができる。 - 特許庁 - In covering the surface of a unidirectional silicon steel sheet after the completion of finish annealing with a plurality of ceramic film layers, a very thin TiNO film, as the first layer, is formed by a hollow cathode method (HCD method) using an arc cut bias voltage as the bias voltage and then forming thereon a ceramic film by a magnetron-sputtering method.
仕上げ焼鈍済みの一方向性珪素鋼板の表面に、複数層のセラミック被膜を被覆するに際し、少なくとも第１層については、バイアス電圧としてアークカットバイアス電圧を使用する中空陰極法（ＨＣＤ法）を用いてTiNOの極薄被膜を被成し、ついでその上にマグネトロン・スパッタ法を用いてセラミック被膜を被成する。 - 特許庁 - An input strip line 1 and an output strip line 2 are formed on a first conductor layer of a multilayer substrate, and an input open stab 9 and an output open stab 10 are formed which are disposed proximately while confronting their side surfaces and connected to another end of the input strip line 1 or the output strip line 2 each of which one end corresponds to each other.
多層基板の第１導体層に入力ストリップライン１及び出力ストリップライン２を形成すると共に側面を対向させて近接配置され各々の一端が対応する入力ストリップライン１又は出力ストリップライン２の他端に接続された入力オープンスタブ９及び出力オープンスタブ１０を形成した。 - 特許庁 - When the authentication is successful, the network switch 3 connects the computer with respect to the network switch 3 at the layer 2 level; and a quarantine server 12 and a quarantine client 42 conducts the quarantine for the computer 4 using quarantine information, via the authentication server 13 and the first network 1, under the condition where the network switch 3 is connected to the authentication server 13 at the IP level.
認証に成功した場合、ネットワークスイッチ３が、コンピュータとネットワークスイッチ３との間をレイヤー２レベルで接続し、ネットワークスイッチ３と認証サーバ１３との間をＩＰレベルで接続した状態で、検疫サーバ１２及び検疫クライアント４２が、認証サーバ１３及び第１のネットワーク１を介して、検疫情報を用いてコンピュータ４の検疫を行う。 - 特許庁 - The image sensor includes a semiconductor substrate where a circuit region is formed, an interlayer insulating film containing a plurality of metal wires formed on the semiconductor substrate, a plurality of pixel patterns that are connected to the metal wires and contain a lower electrode and a first conductive transmitting layer, and dummy pixel patterns among the pixel patterns.
本発明によるイメージセンサは、回路領域が形成された半導体基板と、上記半導体基板の上に形成されて複数の金属配線を含む層間絶縁膜と、上記金属配線と連結されて下部電極及び第１導電型伝導層を含む複数のピクセルパターンと、上記ピクセルパターン間に形成されたダミーピクセルパターンとを含む。 - 特許庁 - Furthermore, the film thickness of the transparent insulating film 12 is set thicker than a first specified film thickness which maximizes the reflectance for the multiple reflection of a laminated body comprising the reflective electrode 11 for blue light, the transparent insulating film 12 and the alignment layer 15, and is set thinner than a second specified film thickness which maximizes the reflectance of the laminated body for red light.
更に、透明絶縁膜の膜厚は、青色光に対する反射電極、透明絶縁膜及び配向膜からなる積層体の多重反射による反射率を極大とする第１所定膜厚以上であり且つ赤色光に対する積層体の反射率を極大とする第２所定膜厚以下の膜厚に設定されている。 - 特許庁 - First, a substrate 13 is covered with a protecting film 14 formed of alkali earth metal oxide, alkali earth metal composite oxide, rare earth metal oxide or composite oxide composed of alkali earth metal and rare earth metal, followed by surface treatment with a gaseous fruorinating agent, thereby forming a fluoride layer 15 on the protecting film 14.
先ず基板１３の表面にアルカリ土類金属酸化物，アルカリ土類金属複合酸化物，希土類金属酸化物，又はアルカリ土類金属及び希土類金属の複合酸化物からなる保護膜１４を形成し、この保護膜１４をガス状フッ素化剤にて表面処理することにより保護膜１４の表面にフッ化物層１５を形成する。 - 特許庁 - The semiconductor laser element manufacturing method has a first step in which a striped ridge structure 8, 9 is formed to the upper part of a laminated structure, including an active layer 5 formed on a substrate 1, and a second step for forming a Schottky barrier SB on the upper face of the laminated structure, other than the ridge structure 8, 9 by utilizing ion bombardment.
本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、基板１上に形成された活性層５を含む積層構造の上部に、ストライプ状のリッジ構造８、９を形成する第１工程と、イオン衝撃を利用してリッジ構造８、９以外の積層構造の上面にショットキーバリアＳＢを形成する第２工程とを有する。 - 特許庁 - The method further comprises: a step of forming a resist pattern in the second region by the photolithography process; and a step of processing the insulating layer and the film to be processed using the side wall film in the first region and the resist pattern in the second region as masks and then forming a wiring trench in the film to be processed.
さらに、前記第２領域においてフォトリソグラフィ工程によりレジストパターンを形成する工程と、前記第１領域における前記側壁膜と前記第２領域における前記レジストパターンとをマスクとして前記絶縁膜および前記被加工膜を加工し、前記被加工膜に配線溝を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁 - The electrophoretic display device 20 is provided with an electrode, a pair of opposing substrates and an electrophoretic dispersion liquid layer arranged between the pair of substrates and having an electrophoretic dispersion liquid containing at least a kind of electrophoretic particles and has a first display region 81 and a second display region 82 with mutually different display colors.
本発明の電気泳動表示装置２０は、電極と、対向する１対の基板と、該１対の基板間に設けられ、少なくとも１種の電気泳動粒子を含む電気泳動分散液を有する電気泳動分散液層とを備え、表示色が互いに異なる第１の表示領域８１と、第２の表示領域８２とを有している。 - 特許庁 - Thereafter a second intermediate 42 is obtained by inserting the first intermediate 41 bearing the through-holes 14 to a mold 33 on which a suction hole 34 is formed, and sucking a heated non permeable thermoplastic film 25 toward the entire inner surface of container body 11 and sticking the same to the entire inner surface of container body 11 thereby forming a waterproof layer 15.
次に、貫通孔１４が形成された第１の中間体４１を吸引孔３４が形成された金型３３に挿入し、加熱した非透水性の熱可塑性フィルム２５を容器本体１１の内面全体に向かって吸引し、容器本体１１の内面全体に貼り付けて耐水層１５を形成して第２の中間体４２を得る。 - 特許庁 - The power constituent part is formed in an N-type silicon board defined by a P-type wall surface and has a lower surface including a first P-type region 3 connected to the wall surface, an upper surface including a second P-type region and a conductive layer extending between the second region 4, and a wall surface on a board.
Ｐ型壁面によって画定されたＮ型シリコン基板中に形成されたパワー構成部品であって、この壁面に接続された第１のＰ型領域を含む下側表面、第２のＰ型領域を含む上側表面、および基板の上で第２の領域と壁面の間に延びる導電層を有するパワー構成部品である。 - 特許庁 - In a laser processing method irradiating with laser beam a processed word in which chemical composition of at least adjacent two layers are different and a portion provided for a plurality of hole processing of a surface layer is removed, reflecting light from the processed work is detected regarding first irradiated laser beam, and that laser processing is stopped when detecting value deviated from a required value.
少なくとも隣接する２層の化学組成が異なり、表層の複数の穴加工を行う部分を除去した被加工物へレーザ光を照射するレーザ加工方法であって、初めに照射されたレーザ光について被加工物からの反射光を検出し、所望の検出値から外れる場合にレーザ加工を中止するレーザ加工方法を行う。 - 特許庁 - In a reproducing head part 20, a first part 181 consisting of one kind or two kinds or more out of tungstic oxide, titanium oxide, tin oxide, and strontium oxide and having specific resistance of 10 kΩcm or less is provided between an upper shield layer 19 and a MR element and between a pair of electrode layers 17L, 17R.
再生ヘッド部２０では、酸化タングステン、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫および酸化ストロンチウムのうちのいずれか１種または２種以上からなり１０ｋΩ・ｃｍ以下の比抵抗を有する第１部分１８１が、上部シールド層１９とＭＲ素子１５および一対の電極層１７Ｌ，１７Ｒとの間に設けられている。 - 特許庁 - A core material composed of a stereoscopic network structure with rigid softness M (N.cm) of 1≤M≤14 is placed in the middle layer 9 formed in between the first and second futon layers which are made by filling down 4 and/or feather 5 in surface cloth 3 stereoscopically quilted in sections.
第一布団層と第二布団層との間に中間層を有する多層構造敷き布団において、升目状に立体キルティングされた側地内に羽毛及び／又は羽根を充填した第一布団層と第二布団層との間に形成される中間層に、剛軟度Ｍ（Ｎ・ｃｍ）が、１≦Ｍ≦１４の立体網状構造物からなる芯材を配置する。 - 特許庁 - Concerning the method for producing the honeycomb structure by the minute shells which includes the first, second, and third processes, while the surface formed with the recesses is turned in the gravity action direction, a coating layer by the honeycomb material is formed, the honeycomb material is stretched by expanding the gas in the closed spaces, and the honeycomb material is dried.
上記第１工程と第２工程と第３工程とからなる微細なシェルによるハニカム構造体の製造方法について、上記凹部が形成された面を重力の作用方向に向けた状態で、ハニカム材による塗布層を形成するとともに上記密閉空間内のガスを膨張させてハニカム材を延伸させ、さらに、ハニカム材を乾燥させること。 - 特許庁 - A plurality of contact holes 721 constituting a second shield structure 72 are arranged in an insulation layer 20 to intercept a line passing through a gap between the adjacent contact holes 711 and 711 of the first shield structure 71 in the line connecting the radio transmission block 30 and a radio reception block 40.
また、第２のシールド構造体７２を構成する複数のコンタクトホール７２１は、絶縁層２０の内部において、無線送信ブロック３０と無線受信ブロック４０との間を結ぶ直線の内、上記第１のシールド構造体７１の隣り合うコンタクトホール７１１とコンタクトホール７１１との間隙を通過する直線を遮るような状態で配置されている。 - 特許庁 - The jointing film 7 includes a metal atom, an oxygen atom to bond with the metal atom, and a desorption group, to bond with at least one of the metal atom and oxygen atom and joints the first electrode 3 and the electron transport layer 4 by adhesion demonstrated, by the desorption of the desorption group of the jointing film 7 by applying energy.
接合膜７は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、エネルギー付与により接合膜７の脱離基が脱離することによって発現した接着性によって、第１の電極３と電子輸送層４とを接合している。 - 特許庁
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