The impurity concentration of the third impurity region is set lower than that of the fourth impurity region, and the impurity concentration of the first impurity region is set lower than that of the second impurity region. 第3の不純物領域は、第4の不純物領域よりも不純物濃度を低くし、第1の不純物領域は、第2の不純物領域よりも不純物濃度を低くする。 - 特許庁
This is because the idea of the impurity of death.
死穢の観念からである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
To form an impurity area having a box type impurity profile. ボックス型の不純物プロファイルをもつ不純物領域を形成する。 - 特許庁
IMPURITY ANALYSIS METHOD AND IMPURITY ANALYSIS DEVICE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 半導体基板の不純物分析方法と不純物分析装置 - 特許庁
DUST REMOVING APPARATUS FOR IMPURITY SEPARATION 夾雑物分離用除塵装置 - 特許庁
BOX FOR SAMPLING METALLIC IMPURITY 金属不純物サンプリング用ボックス - 特許庁
SYSTEM AND METHOD FOR IMPURITY DISPOSAL 不純物廃棄システム及び方法 - 特許庁
IMPURITY ANALYSIS METHOD, AND IMPURITY ANALYSIS JIG OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 半導体基板の不純物分析方法および不純物分析用冶具 - 特許庁
IMPURITY REMOVING APPARATUS FOR REMOVING IMPURITY, AND METHOD OF OPERATING THE SAME 不純物を除去する不純物除去装置およびその運転方法 - 特許庁
METHOD FOR DIFFUSING IMPURITY OF SEMICONDUCTOR WAFER AND DEVICE FOR DIFFUSING IMPURITY 半導体ウェーハの不純物拡散方法及び不純物拡散装置 - 特許庁
This implement for removing the impurity is composed of the scooping part for impurity and the handle part fitted to the scooping part. 不純物の掬い部と、掬い部に取付けた柄部とからなる。 - 特許庁
A first impurity region 5, a second impurity region 6, a third impurity region 7, a fourth impurity region 8 and a fifth impurity region 9 are formed in a semiconductor layer. 半導体層には、第1不純物領域5、第2不純物領域6、第3不純物領域7、第4不純物領域8および第5不純物領域9が形成されている。 - 特許庁
SIMULATION METHOD FOR IMPURITY IMPLANTATION 不純物注入シミュレーション方法 - 特許庁
The Kami of mountain does not hate the impurity of blood.
山の神は血穢を忌まない。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
Death (kurofujo, or black impurity), menstrual blood (akafujo, or red impurity), and childbirth (shirofujo, or white impurity) had been considered to be impurities hated by deities and had been avoided.
死(黒不浄)、経血(赤不浄)、出産(白不浄)は神様が嫌う不浄として避けられてきた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
FORMING METHOD OF IMPURITY DIFFUSION LAYER 不純物拡散層の形成方法 - 特許庁
METHOD FOR REMOVING IMPURITY IN LIMESTONE 石灰岩の不純物除去方法 - 特許庁
IMPURITY ANALYZING METHOD FOR SILICON WAFER シリコンウェーハの不純物分析方法 - 特許庁
In a semiconductor layer, a first impurity region 8, a second impurity region 9, a third impurity region 10, a fourth impurity region 11, a fifth impurity region 12 and a sixth impurity region 13 are formed. 半導体層には、第1不純物領域8、第2不純物領域9、第3不純物領域10、第4不純物領域11、第5不純物領域12および第6不純物領域13が形成されている。 - 特許庁
METHOD FOR REMOVING IMPURITY IN PLATINUM 白金中の不純物除去方法 - 特許庁
METHOD FOR MEASURING IMPURITY IN SILICON シリコン中の不純物の測定方法 - 特許庁
METHOD FOR MEASURING IMPURITY IN QUARTZ 石英中の不純物の測定方法 - 特許庁
The third impurity region on the first main surface and the first impurity region sandwich the second impurity region. 第1主面の第3不純物領域は第1不純物領域との間で第2不純物領域を挟んでいる。 - 特許庁
IMPURITY REMOVING APPARATUS OF RICE MILLING EQUIPMENT 精米設備の夾雑物除去装置 - 特許庁
METHOD OF ANALYZING IMPURITY IN SILICON シリコン中の不純物の分析方法 - 特許庁
The gate impurity region 6 and/or the channel forming impurity region 2 has an impurity density difference in the channel direction. ゲート不純物領域6および/またはチャネル形成不純物領域2が、チャネル方向に不純物濃度差を有する。 - 特許庁
That is, the impurity concentration in the purposed gate length becomes impurity concentration of rNA to the impurity concentration NA on the side of the long channel. すなわち、長チャネル側の不純物濃度N_Aに対して、目的とするゲート長での不純物濃度は、rN_Aとなる。 - 特許庁
GAS IMPURITY REMOVING METHOD AND APPARATUS ガス不純物除去方法及び装置 - 特許庁
METHOD FOR DIFFUSING IMPURITY OF SEMICONDUCTOR WAFER 半導体ウエハの不純物拡散法 - 特許庁
The fifth impurity region 12 and the sixth impurity region 13 are connected to the second impurity region 9. 第5不純物領域12および第6不純物領域13は、第2不純物領域9と接続されている。 - 特許庁
JUDGMENT METHOD FOR IMPURITY IN DRINK 飲料中の不純物判定方法 - 特許庁
IMPURITY REMOVING APPARATUS AND INSPECTION METHOD 不純物除去装置及び検査装置 - 特許庁