「In Memory」を含む例文一覧(49990)

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  • The memory control is carried out in a cluster unit and also an access is carried out in a sector unit.
    メモリの管理をクラスタ単位で行うと共に、アクセスをセクタ単位で行う。 - 特許庁
  • In the display device, a pixel part has a built-in memory circuit having high holding properties.
    また、画素部に保持性の高いメモリ回路を内蔵した表示装置である。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device which is high in operation characteristics and is high in reliability.
    動作特性が高く信頼性が高い半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • A plurality of keywords in a text form are stored in a keyword memory 4 beforehand.
    予め、テキスト形式で複数のキーワードをキーワードメモリ４に格納しておく。 - 特許庁
  • The taken in data samples are stored in a memory.
    メモリは、取り込んだ順次デジタル・データ・サンプルを含む取り込みデータ記録を蓄積する。 - 特許庁
  • In this state, image data for one frame is stored in an image memory 103.
    この状態で１フレーム分の画像データが画像メモリ１０３に格納される。 - 特許庁
  • To improve data holding characteristic and data write-in characteristic in a static memory cell.
    スタティックメモリセルのデータ保持特性およびデータ書き込み特性を向上する - 特許庁
  • A plurality of image data are stored in chronological order in a memory section 26.
    記憶部２６上には時系列順で複数の画像データが格納される。 - 特許庁
  • The number of print data is recorded in the memory card 18 in association with the image file.
    枚数データは、画像ファイルに関連付けられてメモリカード１８に記録される。 - 特許庁
  • To rewrite data in a nonvolatile memory in a data storage with more safety.
    データ記憶装置における不揮発性メモリ内のデータをより安全に書き換える。 - 特許庁
  • In this method (400), a pulse train (370) is applied to a write-in line connected to a memory cell (210).
    方法(400)は、メモリセル(210)に接続された書き込み線にパルス列(370)を印加する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device in which high speed in a burst mode is achieved.
    バーストモードでの高速化を実現した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • This member holds the value to which the segments are aligned in memory and in the file.
    このメンバは、セグメントがメモリおよびファイルにおいて配置 (align)される値を保持する。 - JM
  • METHOD FOR INHIBITING DECLINE IN LEARNING AND/OR MEMORY IN ANIMAL
    動物における学習および／または記憶の衰退を抑制するための方法 - 特許庁
  • His splendid performance in the Olympic Games is still fresh in our memory.
    彼のオリンピックにおける華々しい活躍は今なお我々の記憶に新しい. - 研究社 新和英中辞典
  • Note that the shared memory is located in real address space in this mode.
    共有メモリはこのモードでは実アドレス空間に位置付けられることに注意。 - コンピューター用語辞典
  • This device has a first bit line pair BM, /BM reading data from an arbitrary memory cell in a memory cell column, a second bit line pair BS, /BS writing data in the other arbitrary memory cell in the memory cell column, and a readout line OLCD for display reading successively display data from the memory cell column.
    メモリセル列の任意のメモリセルよりデータを読み出す第１のビット線対ＢＭ，／ＢＭと、メモリセル列の他の任意のメモリセルにデータを書き込む第２のビット線対ＢＳ，／ＢＳとは、メモリセル列から順次表示データを読み出す表示用読み出し線ＯＬＣＤとを有する。 - 特許庁
  • A power source cut off circuit is provided corresponding to a memory cell group for each entry, a power source is not supplied to a memory cell of a memory cell group of entry in which stored data is invalid, and an off-leak current is prevented to flow in a memory cell of a memory cell group of entry in which stored data is invalid.
    エントリごとにメモリセル群に対応して電源切断回路を設け、記憶データが無効であるエントリのメモリセル群のメモリセルには電源を供給しないようにし、記憶データが無効であるエントリのメモリセル群のメモリセルにオフリーク電流が流れないようにする。 - 特許庁
  • To provide a cross-point type ferroelectric memory of high quality, wherein a memory cell array constituted of ferroelectric capacitors in the cross-point type ferroelectric memory in which lamination of a plurality of layers is performed, and memory cell array arranged in each layer via an interlayer insulator prevents noise from adjacent memory cell array.
    強誘電体キャパシタからなるメモリセルアレイが、複数層積層されたクロスポイント型強誘電体メモリにおいて、層間絶縁層を介して各層に配置されたメモリセルアレイが、隣接するメモリセルアレイから受けるノイズを防止して、高品質なクロスポイント型強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁
  • The read memory and the write memory of each random access memory device are updated respectively in relation to a spare read memory in common to read memories of all parallel branches and a spare write memory in common to write memories of all parallel branches.
    本発明は、各ランダムアクセスメモリ装置の読取りメモリと書込みメモリが、それぞれ、並列な全てのブランチの読取りメモリに共通である予備読取りメモリおよび並列な全てのブランチの書込みメモリに共通である予備書込みメモリに関連して更新されることを特徴とする。 - 特許庁
  • In writing data in the memory cell of a memory address Addr01 in an EEPROM 7 as a memory, an error inspection circuit 8 generates an error detection code different according to the memory address Addr01 by the arithmetic operation of the data error detection code of the data and the address error code of the memory address Addr01.
    データをメモリとしてのＥＥＰＲＯＭ７における例えばメモリアドレスAddr01のメモリセルに書き込む場合、誤り検査回路８において、そのデータのデータ誤り検出符号と、メモリアドレスAddr01のアドレス誤り符号との演算により、メモリアドレスAddr01に応じて異なる誤り検出符号を生成する。 - 特許庁
  • A memory cell array of the non-volatile semiconductor memory comprises memory cells 1 arranged in two-dimensional matrices, a plurality of memory word lines 2 which are arranged in rows and are connected to the gates of the memory cells 1, main bit lines 6 arranged in columns, and sub-bit lines 3, and source lines 11.
    不揮発性半導体記憶装置のメモリセルアレイは、２次元の行列状に配置されたメモリセル１と、行方向に配置され、メモリセル１のゲートに接続された複数のメモリワード線２と、列方向に配置された主ビット線６，副ビット線３及びソース線１１とを備える。 - 特許庁
  • To easily edit a memory card by a PC when outputting an image recorded in the memory card by a digital camera or the like by inserting the memory card into a memory card reader provided in a device having the memory card reader, reading the image by a control part in a printer and printing the image.
    デジカメ等でメモリカードに記録した画像を出力する場合、メモリカードリーダを具備する装置に備わっているメモリカードリーダにメモリカードを挿入し、プリンタ内の制御部で画像を読み出し、印字する場合、ＰＣからメモリカードの編集を行うことができ、しかも、その操作が容易であるようにする。 - 特許庁
  • When the executed instruction is a substitution instruction for substituting data in the process memory space, the computer updates information in a break memory space corresponding to a process memory space which is a substitution destination of the data to break point information in a break memory space corresponding to a process memory space storing the data.
    また、実行された命令がプロセスメモリ空間内でデータを代入する代入命令である場合に、データの代入先となるプロセスメモリ空間に対応するブレークメモリ空間の情報を、データが記憶されているプロセスメモリ空間に対応するブレークメモリ空間のブレークポイント情報に更新する。 - 特許庁
  • In the case of formatting the memory card, files not to be erased among files recorded on the memory card and/or protected files other than recordable/reproducible files by the digital camera among the files recorded on the memory card are captured in a memory in the digital camera, and written back on the memory card after the completion of formatting.
    メモリカードに記録されているファイルで消去したくないファイル及び／又はメモリカードに記録されているファイルでデジタルカメラで記録再生可能なファイル以外のプロテクトされているファイルを、メモリカードのフォーマット時にデジタルカメラ内のメモリに取り込み、フォーマット終了後にメモリカードに書き戻す。 - 特許庁
  • Thus, the address outputted to the memory controller 200 and the address outputted from the memory controller 200 to the buffer memory 400 are monitored so that it is possible to detect the error of the address in the memory interface bus without incorporating any address in the data stored in the buffer memory 400.
    このように、メモリコントローラ２００に出力されるアドレスと、メモリコントローラ２００からバッファメモリ４００に出力されるアドレスとを監視することにより、バッファメモリ４００に格納されるデータ中にアドレスを組み込まなくても、メモリインタフェースバスでのアドレスのエラーを検出できる。 - 特許庁
  • To perform distortion correction in a buffer memory of small capacity.
    容量が小さなバッファメモリでディストーション補正処理を行う。 - 特許庁
  • To limit peak power consumption during write-in of phase change memory.
    相変化メモリの書込み時のピーク電力消費を制限する。 - 特許庁
  • ELECTRONIC EQUIPMENT AND METHOD FOR MANAGING MEMORY RESOURCE IN ELECTRONIC EQUIPMENT
    電子機器と電子機器においてメモリリソースを管理する方法 - 特許庁
  • METHOD OF MANAGING FILE CONFIGURATION IN MEMORY CARD AND ITS ASSOCIATED TECHNIQUE
    メモリーカード内ファイル構成管理方法およびその関連技術 - 特許庁
  • Print correction information is previously recorded in a memory card 2.
    メモリカード２には予めプリント補正情報が記録されている。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device which is advantageous in high speed operation.
    高速動作に有利な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • All the received images are temporarily stored in a memory (S11).
    受信した画像の全部をメモリーに一旦蓄積する（Ｓ１１）。 - 特許庁
  • The data combined into one piece of data is recorded in a memory card 51.
    一つに合成されたデータは、メモリカード５１に記録される。 - 特許庁
  • Selection image copy software is stored in the USB memory 12.
    ＵＳＢメモリ１２には、選択画像コピーソフトウエアが格納される。 - 特許庁
  • The authentication information is stored in the memory along with the electronic information.
    認証情報は、電子情報とともにメモリに格納される。 - 特許庁
  • To supply an IC card improved in use efficiency of a memory.
    メモリの使用効率を向上されたＩＣカードを供給する。 - 特許庁
  • This device has a memory cell array formed in a pocket P well region.
    ポケットＰウェル領域に形成されたメモリセルアレイを有する。 - 特許庁
  • CIRCUIT AND METHOD FOR DETECTION OF IDLE WORD IN ASSOCIATIVE MEMORY
    連想メモリのアイドルワードの検出回路および検出方法 - 特許庁
  • The image picked up at the high position is stored in a memory S6.
    高位置で撮像された映像は、メモリＳ６に記憶される。 - 特許庁
  • The data of the memory 4 is written in the disk 90 by a cluster unit.
    メモリ４のデータをクラスタ単位でディスク９０に書き込む。 - 特許庁
  • WRITE CURRENT COMPENSATION FOR TEMPERATURE VARIATION IN MEMORY ARRAY
    メモリアレイ内の温度変動に対する書込み電流による補償 - 特許庁
  • NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY IN WHICH MOVEMENT MARGIN OF SENSE AMPLIFIER IS IMPROVED
    センスアンプの動作マージンを改善した不揮発性半導体メモリ - 特許庁
  • The speech information from the memory 11 is expanded in an expansion circuit 20.
    伸張回路20は、メモリ11からの音声情報を伸張する。 - 特許庁
  • NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS DATA WRITE-IN METHOD
    不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ書き込み方法 - 特許庁
  • METHOD AND DEVICE FOR REFRESHING DATA IN DRAM CACHE MEMORY
    ＤＲＡＭキャッシュ・メモリ中のデータをリフレッシュする方法および装置 - 特許庁
  • In the case of ringing the sounder, the electronic volume data are read from the memory 14.
    サウンダ鳴動時には、メモリ14から電子ボリュームデータを読み込む。 - 特許庁
  • Then the charge storage film 15 is parted in the memory string direction.
    その後、電荷蓄積膜１５をメモリストリング方向に分断する。 - 特許庁
  • After outputting, EA(G1) and ID(A) recorded in the memory are erased.
    出力後、メモリーに記録されているＥA(G1)とID（A）を消去する。 - 特許庁
  • To reduce leak current in a cross-point RRAM memory cell.
    クロスポイント型ＲＲＡＭメモリセルのリーク電流を低減する。 - 特許庁
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