「In memory」を含む例文一覧(49990)
＜前へ 1 2 .... 22 23 24 25 26 27 28 29 30 .... 999 1000 次へ＞- To provide a memory access device by which lowering in the performance of a CPU is suppressed to a minimum by shortening data access waiting time caused by the competition of memory access in a shared memory access device in which the CPU and a memory access means share a memory means.
ＣＰＵとメモリアクセス手段とが、メモリ手段を共有する共有メモリアクセス装置において、メモリアクセスの競合によるデータアクセス待ち時間を短縮し、ＣＰＵの性能低下を最小限に抑えるメモリアクセス装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a memory management system, preventing an increase in a hardware scale and efficiently managing the consistency of a cache memory and a shared memory in processing an image in a multi-processor system having a plurality of processors, the cache memory and the shared memory.
複数のプロセッサ、キャッシュメモリ及び共有メモリを有したマルチプロセッサシステムで画像処理を行うときに、ハードウェア規模の増大を防ぎ、効率よくキャッシュメモリおよび共有メモリの整合性を管理できるメモリ管理システムを提供することである。 - 特許庁 - The redundant memory cell selection circuit selects one memory cell block, an in-block memory cell group selection signal for selecting a predetermined memory cell group thereof is generated, and a predetermined redundant memory cell group is selected based on the address signal and the in-block memory cell group selection signal.
冗長メモリセル選択回路はメモリセルブロックを１つ選択し、その内の所定のメモリセルグループを選択するブロック内メモリセルグループ選択信号を生成し、アドレス信号及びブロック内メモリセルグループ選択信号に基づき所定の冗長メモリセルグループを選択する。 - 特許庁 - The memory system has the nonvolatile semiconductor memory device and a memory controller controlling the operation of the nonvolatile semiconductor memory device, and the system is constituted of software in which a sequencer out of the control logic of the nonvolatile semiconductor memory device is developed in the memory controller.
メモリシステムは、不揮発性半導体記憶装置と、この不揮発性半導体記憶装置の動作を制御するメモリコントローラとを有し、不揮発性半導体記憶装置の制御ロジックのうちシーケンサがメモリコントローラに展開されたソフトウェアにより構成されている。 - 特許庁 - When the data are stored in the buffer memory, an output section starts to read out the data from the buffer memory.
バッファメモリにデータが蓄積されると、出力部はバッファメモリからデータの読み出しを開始する。 - 特許庁 - To perform reading and writing of many kinds of flash memory cards in a memory card reader.
メモリカード読取装置において、多種類のフラッシュメモリカードの読み取り及び書き込みを行なう。 - 特許庁 - To efficiently perform memory access control by a system in which plural units share a memory.
複数のユニットによりメモリを共有するシステムにおいてメモリアクセス制御を効率的に行う。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which the electric characteristics of a memory cell are improved.
メモリーセルの電気的特性の向上が図られた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor memory that can shorten the test time in the test of a memory section.
メモリ部の試験において、試験時間を短縮することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁 - An IC memory is mounted on the advertisement medium and the identifier of a merchandise is stored in the IC memory.
広告媒体にＩＣメモリを装着し、ＩＣメモリに商品の識別子を格納しておく。 - 特許庁 - To reduce a circuit scale in a semiconductor memory device, on which a plurality of memory arrays are mounted.
複数のメモリアレイを搭載する半導体記憶装置において回路規模を削減したい。 - 特許庁 - To improve operational speed of a computer system in a memory device created by a dynamic memory.
ダイナミックメモリにより作成されるメモリデバイスであり、コンピュータシステムの演算速度を向上させる。 - 特許庁 - INCREASING MEMORY PERFORMANCE IN FLASH MEMORY DEVICE BY SIMULTANEOUSLY WRITING SECTORS TO MULTIPLE DEVICES
複数のデバイスへ同時書き込み操作を行うことにより高まるフラッシュメモリデバイスにおけるメモリ性能 - 特許庁 - To provide a nonvolatile semiconductor memory device which has a high arrangement efficiency of a transistor in a memory cell.
メモリセルのトランジスタの配置効率が高い不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - A source line SL is formed between a memory cell MC1 and a memory cell MC2, in the manner of self-alignment.
メモリセルＭＣ１とメモリセルＭＣ２の間に自己整合的にソース配線ＳＬを形成する。 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND WRITE-IN AND READ-OUT METHOD FOR NON-VOLATILE MEMORY CELL
不揮発性半導体記憶装置並びに不揮発性メモリセルの書き込み及び読み取り方法 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device in which a refresh flag is generated and to provide a semiconductor memory system.
リフレッシュフラグを発生させる半導体メモリ装置及び半導体メモリシステムを提供する。 - 特許庁 - SYSTEM AND METHOD FOR DETERMINING LOGIC STATE OF MEMORY CELL IN MAGNETIC TUNNEL JUNCTION MEMORY DEVICE
磁気トンネル接合メモリデバイスにおけるメモリセルの論理状態を判定するためのシステム及び方法 - 特許庁 - In some embodiments, the memory may initiate a transaction with a device outside the memory.
実施形態によっては、本メモリは、メモリの外のデバイスとのトランザクションを開始することができる。 - 特許庁 - In the nonvolatile memory, each bit line BL is coupled electrically to each tunnel magnetic resistance element TMR of each memory cell.
ビット線ＢＬは、メモリセルのトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲと電気的に結合される。 - 特許庁 - To provide a memory device which is improved in integration or reliability, and to provide a method for driving the memory device.
集積度、又は信頼性が向上されるメモリ装置と、その駆動方法が提供される。 - 特許庁 - This system is provided with a processor 105, a memory 110, and software codes stored in the memory.
プロセッサ（１０５）とメモリ（１１０）とメモリ内に格納されたソフトウェアコードを備えたシステムに関する。 - 特許庁 - To display an image printed in the last by an attached memory card, when started up or when attaching the memory card.
起動時やメモリカード装着時に、装着したメモリカードで最後に印刷した画像を表示する。 - 特許庁 - A free pointer for each free memory block is stored in a memory block maintained as a linked list.
各フリーメモリブロックに対するフリーポインタが、リンクされたリストとして維持されるメモリブロックに保存される。 - 特許庁 - This method is a method for refreshing a reference memory cell (Cref) in a non-volatile memory.
本発明は、不揮発性メモリ（１０）内の基準メモリセル（Ｃｒｅｆ）をリフレッシュする方法である。 - 特許庁 - The data sample is written in a circulation buffer 18 of the memory, having a memory location of a first number.
第１の個数の記憶場所を有するメモリ内の循環バッファ１８にデータ・サンプルを書き込む。 - 特許庁 - Each memory cell in each memory area 40 can be accessed from one of these ports.
各メモリ領域４０内の各メモリセルは、これらのポートのいずれかからアクセスすることができる。 - 特許庁 - Information in the redial memory MS10 and the telephone book memory MS11 is used for call setting processing.
リダイヤルメモリＭＳ１０及び電話帳メモリＭＳ１１内の情報は呼設定処理に使用される。 - 特許庁 - To enhance use efficiency of a memory capacity in the flash memory of an electronic controller for automobile.
自動車用電子制御装置のフラッシュメモリにおいて、メモリ容量の使用効率を高める。 - 特許庁 - To control circuitry and memory array relative height in a phase change memory FEOL process flow.
相変化メモリのＦＥＯＬプロセスフローにおいて回路及びメモリアレイの相対的高さを制御する。 - 特許庁 - For example, a semiconductor memory is mounted in a system along with a controller for accessing the semiconductor memory.
例えば、半導体メモリは、半導体メモリをアクセスするコントローラとともにシステムに搭載される。 - 特許庁 - Line image data S40 in a frame memory 40 is fetched into a line memory 51 and line image data S51 is outputted.
フレームメモリ40のライン画像データS40 はラインメモリ51に取込まれ、ライン画像データS51 が出力される。 - 特許庁 - MEMORY UNIT HAVING MULTIPLE CHANNELS AND READ COMMAND GROUP GENERATING METHOD FOR COMPACTION IN THE MEMORY UNIT
マルチチャネルを有するメモリ装置及び同装置におけるコンパクションのためのリードコマンド群生成方法 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device, a memory system and an electronic instrument, which are improved in read out characteristic.
読み出し特性が向上した半導体記憶装置、メモリシステムおよび電子機器を提供する。 - 特許庁 - Next a printer provided with a memory is prepared, and then the produced first LUT is recorded in the memory.
次に、メモリを備えた印刷装置を用意し、作成した第１のＬＵＴをメモリに記録する。 - 特許庁 - By this memory dump control method, contents of a memory 12 is dumped and is recorded in a dump storing part 24 when a system crash occurs.
システムクラッシュ発生時にメモリ１２の内容をダンプしてダンプ格納部２４に記録する。 - 特許庁 - Then, the manager loads the memory card MC in a memory card slot with which a printer PRT1 is equipped.
そして、管理者は、このメモリカードＭＣを、プリンタＰＲＴ１が備えるメモリカードスロットに装着する。 - 特許庁 - The encoded data of each small frame are written in the large-scale memory 11 and read out from the large-scale memory 11.
小フレーム毎の符号化データを、大容量メモリ１１に書き込み、読み出しを行う。 - 特許庁 - In the data processing device, a plurality of memory units, a processor core and a memory controller are provided.
本発明のデータ処理装置は複数個のメモリ・ユニットと、プロセッサ・コアと、メモリ・コントローラとを有する。 - 特許庁 - MAGNETIC RESISTANCE EFFECTIVE MEMORY, REPRODUCING METHOD FOR INFORMATION STORED IN THE MEMORY, AND ITS REPRODUCING DEVICE
磁気抵抗効果メモリ、および、それに記録される情報の再生方法とその再生装置 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory that holds and writes data in memory cells.
メモリセルのデータ保持とデータ書込みとを両立させることが可能な半導体メモリを提供すること。 - 特許庁 - To enable screening a memory cell in which data retention is defective without separating a memory cell from an external power source.
メモリセルを外部の電源から切り離さずに、データリテンション不良のスクリーニングを可能にする - 特許庁 - To reduce the area of a redundant memory cell replacement circuit in a semiconductor memory device.
半導体メモリ装置において、冗長メモリセル置換回路の面積を低減することにある。 - 特許庁 - To provide a high integration nonvolatile semiconductor memory in which a memory cell has a trap site.
メモリセルがトラップサイトを有しながらも、高集積な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device for repairing a memory cell in which reset has failed.
リセットフェイルが発生したメモリセルを回復させることのできる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - The integrated circuit apparatus has a memory cell array block 200 in which a plurality of memory cells MC are arranged.
集積回路装置は、複数のメモリセルＭＣが配列されたメモリセルアレイブロック２００を有する。 - 特許庁 - A memory cell array 1, assigns nonvolatile memory cells in a part thereof to an initial data storage area 12.
メモリセルアレイ１は、その一部の不揮発性メモリセルを初期データ記憶領域１２に割り当てる。 - 特許庁 - The memory card 30 is inserted into a memory card slot of a TV 21 in an image display unit 20.
メモリカード３０を画像表示装置２０のテレビ２１のメモリカード挿入口に挿入する。 - 特許庁 - Parallel access of the number of bits in accordance with a bus width of a memory access data bus is secured for the memory modules.
メモリモジュールは、メモリアクセスデータバスのバス幅に応じたビット数の並列アクセスが保証される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device capable of measuring a difference between signals of memory cells in a short time period.
短時間でメモリセルの信号差を測定することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
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