「In memory」を含む例文一覧(49990)
＜前へ 1 2 .... 26 27 28 29 30 31 32 33 34 .... 999 1000 次へ＞- In order to transfer content 55d from a memory card 2 (an OTP memory) to an internal memory 14, the content 55d in a data area 24 are decoded and recorded to the internal memory 14 as content 55.
メモリカード２（ＯＴＰメモリ）から内蔵メモリ１４にコンテンツ５５ｄをムーブするために、データ領域２４内のコンテンツ５５ｄを復号処理して、内蔵メモリ１４内にコンテンツ５５として記録する。 - 特許庁 - In the memory system, the semiconductor memory has a field programmable part FP in which logic for converting into each other an external signal input/output for the memory system and an internal signal input/output for a memory cell array is programmed.
半導体メモリは、メモリシステムに入出力される外部信号とメモリセルアレイに入出力される内部信号とを相互に変換するための論理がプログラムされるフィールドプログラマブル部を有する。 - 特許庁 - To provide DMA (Direct Memory Access) to accelerate a process which rearranges data recorded in a memory in order of bytes matching a transfer destination as compared with performing the process by allowing a CPU to execute rearrangement software on the memory.
メモリに記録されたデータを転送先に適合するバイト順に並び替える処理を、CPUがメモリ上で並び替えソフトウェアを実行して行なう場合に比較して、高速化するDMA（Direct Memory Access）を提供。 - 特許庁 - To reduce a chip area in a semiconductor memory device constituted so that a main memory can be switched to a preliminary memory when an address corresponding to a defective cell included in the main memory is selected.
主メモリの中に含まれている不良セルに対応するアドレスが選択されたときには予備メモリに振り替えるように構成した半導体メモリ装置において、チップ面積を少なくすること。 - 特許庁 - To provide a processor, a memory test method, and a memory test system capable of an operation test of a built-in data memory by a passage similar to a case of making access to the built-in data memory at ordinary operation time (command executing time).
通常の動作時（命令実行時）に内蔵データメモリにアクセスする場合と同様の経路により内蔵データメモリの動作テストが可能なプロセッサ、メモリテスト方法、メモリテストシステムを提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory apparatus in which refresh operation of a second time is performed for a memory cell existing in the same memory sub-array which is different from a memory cell refreshed by refresh operation of a first time.
１回目のリフレッシュ動作でリフレッシュされるメモリセルとは異なるが同一メモリサブアレイ上に存在するメモリセルに２回目のリフレッシュ動作が行われる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - Also, the video signal from the temporary memory can be output to the display device while writing in the video storage memory by arranging the temporary memory in addition to the video storage memory.
また、映像記憶メモリに加えて、一時記憶メモリを設けることにより、映像記憶メモリに書き込みを行いながら、一時記憶メモリからの映像信号を表示装置へ出力することができる。 - 特許庁 - The scan data are transferred to the USB memory and also stored in a memory of a multifunction device main body, and when the transfer processing is restarted after being interrupted owing to the memory-over state, the scan data stored in the main body memory are transferred.
スキャンデータをＵＳＢメモリへ転送すると共に、複合機本体のメモリに格納しておき、メモリオーバによる転送処理中断後の再開時には、本体メモリに記憶したスキャンデータを転送する。 - 特許庁 - A predetermined programs or data are written in a flash memory 12, and security information regarding whether or not to inhibit a memory from reading out to the outside for each block of the flash memory 12 is written in a flash memory 13.
フラッシュメモリ１２には、所定のプログラムやデータが書き込まれ、フラッシュメモリ１３には、このフラッシュメモリ１２のブロック毎に外部への読み出しを禁止するか否かのセキュリティ情報が書き込まれる。 - 特許庁 - A memory allocation management part 54 stores memory management information 56 in a disk medium for management, the memory management information 56 including an area head address representing a position of a write cache area 58 allocated in the nonvolatile memory 42.
メモリ配置管理部５４は不揮発メモリ４２におけるライトキャッシュ領域５８の配置位置を示す領域先頭アドレスを登録したメモリ管理情報５６をディスク媒体に格納して管理する。 - 特許庁 - The memory controller holding the address information of the defective memory cell contributes to an increase in process speed, while there is no need to access the memory cell array in order to obtain the address information of the defective memory cell.
不良メモリセルのアドレス情報を保持するメモリコントローラは、不良メモリセルのアドレス情報を取得するために、わざわざメモリセルアレイまでアクセスしないで済み、処理速度の向上に寄与することになる。 - 特許庁 - The memory controller 22 manages the different kinds of data stored in the memory 21 so as to store the same kind of data as before even after each of the memory blocks and the free blocks in the memory 21 is rewritten.
メモリコントローラ２２は、メモリ部２１の各メモリブロック及びフリーブロックを、書き換え後も書き換え前と同一の種類のデータを記憶するようにメモリ部２１に記憶するデータの種類を管理する。 - 特許庁 - The flash memory system 1 including the flash memory 2 comprises an FRAM 4 of overwritable nonvolatile memory, and management information used in management for access to the flash memory 2 is stored in the FRAM 4.
フラッシュメモリ２を備えるフラッシュメモリシステム１に、重ね書き可能な不揮発性メモリのＦＲＡＭ４を設け、フラッシュメモリ２のアクセスの管理で用いる管理情報をＦＲＡＭ４に保存している。 - 特許庁 - The image data storage memory is a nonvolatile memory in which image data are destructively read so as not to remain in the image data storage memory when the image data are read out of the image data storage memory for image formation.
画像データ記憶メモリは、画像形成を行うため画像データ記憶メモリから画像データが読み出された際、画像データが画像データ記憶メモリに残らない破壊読出しを行う不揮発性メモリである。 - 特許庁 - The nonvolatile semiconductor memory device of this invention has a memory cell array consisting of a plurality of memory blocks in which electrically rewritable memory cells are arranged and performs a pre-program in which thresholds of all the memory cells in a selected memory block are considered as positive before erasing pieces of data about all the memory cells in the selected memory block among the plurality of memory blocks.
本発明の不揮発性半導体記憶装置は、電気的に書き換え可能なメモリセルが配列された複数のメモリブロックでなるメモリセルアレイを有する不揮発性半導体記憶装置であって、前記複数のメモリブロックのうちの選択したメモリブロックにおける全ての前記メモリセルのデータを消去する前に、前記選択したメモリブロックにおける全ての前記メモリセルのしきい値を正とするプリプログラムを行うことを特徴としている。 - 特許庁 - When the detected memory charge level of the selected memory element is smaller than that of the first reference memory element, the detected memory charge level is compared with that of the second reference memory element (step S2), and the selected memory element is in a state 1 or 2.
選択されたメモリ素子の検出されたメモリ電荷レベルが、第１基準メモリ素子のそれより小さいとき、検出されたメモリ電荷レベルが第２基準メモリ素子と比較され（ステップＳ２）、選択されたメモリ素子は、状態１又は２のいずれかである。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile memory that reduces a control memory in a memory controller; a memory controller for controlling reads and writes to the nonvolatile memory; a nonvolatile storage device having the nonvolatile memory; and a nonvolatile storage system.
メモリコントローラ内の制御メモリを削減する不揮発性メモリを提供すると共に、該不揮発性メモリへの読み書き制御を行うメモリコントローラと、該不揮発性メモリを備えた不揮発性記憶装置及び不揮発性記憶システムを提供すること。 - 特許庁 - This memory control method includes a step of starting a duplication function in a processor 125, a step of transmitting vacant data instructions from a new memory(memory B) to a processor 125 and a step of duplicating the application data from a first old memory(memory A) to the new memory.
本方法はプロセッサ１２５におけるデュプリケーション機能を起動するステップと、新メモリ（メモリＢ）からプロセッサ１２５へ空きデータ指示を送信するステップと、第１の旧メモリ（メモリＡ）から新メモリへ、アプリケーション・データを複製するステップと、を含む。 - 特許庁 - To provide a memory device driving method in which distribution of threshold voltage of cells in a NAND type flash memory device can be improved.
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置でのセルしきい値電圧の分布を改善できるメモリ装置駆動方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a data access method in a multichannel flash memory.
マルチチャンネルのフラッシュメモリにおけるデータアクセス方法の提供。 - 特許庁 - The control unit 3 stores the panel clock in a memory 31.
また、制御部３は、このパネルクロックをメモリ３１に記憶する。 - 特許庁 - METHOD OF ACCESSING MEMORY IN INTERLEAVED MANNER USING MAP TABLE
マップテーブルを用いてメモリにインタリーブ方式でアクセスする方法 - 特許庁 - To reduce leakage current by reducing defects in an element formation region in which memory cells of a nonvolatile memory are formed.
不揮発性メモリのメモリセルが形成される素子形成領域内の欠陥を低減させ、リーク電流の低減を図る。 - 特許庁 - In printing, the correction factor k_i is read out from the flash memory 46 so that image data in a frame memory 34 can be corrected.
プリントの際には、補正係数ｋ_ｉ がフラッシュメモリ４６から読み出されてフレームメモリ３４の画像データが補正される。 - 特許庁 - MAIN MEMORY MANAGEMENT METHOD AND DEVICE THEREOF IN DATA PROCESSING SYSTEM
データ処理システムにおける主記憶管理方法及び装置 - 特許庁 - To efficiently use a cache memory in a processor.
プロセッサのキャッシュメモリを効率的に使用できるようにする。 - 特許庁 - Image data for eight images can be stored in the memory 7.
画像メモリ７には８枚分の画像データが格納される。 - 特許庁 - USB MEMORY DEVICE AND PLUG-IN APPLICATION SYSTEM USING THE SAME
ＵＳＢメモリ装置、及び、それを用いたプラグインアプリケーションシステム - 特許庁 - In nonvolatile memory cells (MC; MCO, MCI), a selection transistor (ST) is connected to a memory cell transistor (MT) in series.
不揮発性メモリセル（ＭＣ；ＭＣ０，ＭＣ１）において、メモリセルトランジスタ（ＭＴ）と直列に選択トランジスタ（ＳＴ）を接続する。 - 特許庁 - To improve resistance to soft error in a semiconductor memory.
半導体記憶装置におけるソフトエラー耐性を改善する。 - 特許庁 - To simply and surely rewrite contents stored in a flash memory of a microcomputer with built-in flash memory to be used for an electronic equipment.
電子機器にて使用されるフラッシュメモリ内蔵マイコンのフラッシュメモリの記憶内容を、簡易に且つ確実に書き換える。 - 特許庁 - The result is stored in an integration intermediate processing memory 104.
その結果を、積算中間処理メモリ１０４に格納する。 - 特許庁 - An internal memory 206 stores, duplicates of data stored in an external memory 203, in data block units of predetermined size.
内部メモリ２０６は外部メモリ２０３に格納されているデータの複製を所定サイズのデータブロック単位で格納している。 - 特許庁 - To reduce the frequency of access to a memory in an on-chip bus.
オンチップバスにおけるメモリへのアクセス回数を少なくする。 - 特許庁 - To strike a balance between the reduction in thickness of a memory layer and the suppression of variations among elements, in a resistance change type semiconductor memory device.
抵抗変化型の半導体記憶装置において、記憶層の薄膜化と素子間のバラツキ抑制を両立させる。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which breakdown of a variable resistance element in a nonvolatile memory cell can be prevented.
不揮発性メモリセルにおける可変抵抗素子の破壊を抑制できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a memory controller operating in a short period of time.
短時間で動作するメモリ制御装置を提供すること。 - 特許庁 - A verify sense amplifier circuit 7 is arranged in a flash memory.
フラッシュメモリには、ベリファイセンスアンプ回路７が設けられている。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT WITH BUILT-IN NON- VOLATILE MEMORY CIRCUIT
不揮発性メモリ回路を内蔵した半導体集積回路 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device in which data can be written in a memory cell with lower power consumption as compared with the conventional one.
データを従来よりも低消費電力でメモリセルへ書き込むことができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To prevent virus infection in a memory device connectable to an information processor while suppressing deterioration in response speed of the memory device.
情報処理装置に接続可能な記憶装置のレスポンス速度の低下を抑制しつつウィルス感染を防止する。 - 特許庁 - NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY IC AND ITS BURN-IN TEST METHOD
不揮発性半導体メモリＩＣ及びそのバーンインテスト方法 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR PRELIMINARILY CACHING DATA IN AUDIO MEMORY
オーディオメモリ内のデータを予めキャッシュする方法及び装置 - 特許庁 - MEMORY MANAGEMENT METHOD AND SYSTEM IN NETWORK PROCESSING SYSTEM
ネットワーク処理システムにおけるメモリ管理方法およびシステム - 特許庁 - To provide technology for improving a hit rate of a memory buffer, in a memory buffer allocation device in a virtual computer system.
仮想計算機システムにおけるメモリバッファ割当装置に関し，メモリバッファのヒット率を向上させる技術を提供する。 - 特許庁 - Maps which are not in use for a long period of time are deleted from a memory.
長期間不使用の地図は記憶から削除する。 - 特許庁 - PG-GATED DATA RETENTION TECHNIQUE FOR REDUCING LEAKAGE IN MEMORY CELLS
メモリー・セルのリーケージを低減するＰＧゲート・データ保持技術 - 特許庁 - Print data of an end mark 2 is stored in a memory beforehand.
終端マーク２の印字データを予めメモリに記憶する。 - 特許庁 - The input registered number is held in a memory means 3.
入力された登録番号を、記憶手段３に保持する。 - 特許庁 - A ROM 23 in a memory 22 stores the OSD images.
メモリ２２内のＲＯＭ２３にＯＳＤ画像を記憶する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
