「Isolation」を含む例文一覧(7495)
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下部構造体から上部構造体に伝達される上下方向の振動を免震する上下免震装置であって、前記上部構造体と前記下部構造体との間に、前記上部構造体を支持する空気ばねと皿ばねとを直列に配置して介在させたことを特徴とする。 - 特許庁 - A semiconductor device includes a substrate (semiconductor substrate 1) in which an element isolation region 3 for isolating an element formation region 2 from other regions is formed, a gate groove 4 formed in the element formation region 2, and a pair of diffusion regions 5 formed in the element formation region 2 and disposed separately from each other across the gate groove 4.
素子形成領域２を他の領域と分離する素子分離領域３が形成された基板（半導体基板１）と、素子形成領域２に形成されたゲート溝４と、素子形成領域２にゲート溝４を挟んで離間して形成された一対の拡散領域５を有する。 - 特許庁 - According to this configuration of the simplified isolation sickroom for a bed, in the skeleton formed of ridge lines of a rectangular parallelepiped, one ridge line of four ridge lines contacting the floor surface is eliminated, and a plurality of lap type inlets/outlets of the square-bottom bag are formed on the side surface side of the eliminated ridge line.
ベット用簡易隔離病室に係わる本発明の構成は、直方体の稜線からなる骨組のうち、床面と接する四本の稜線のうち、一本の稜線を除去し、除去した稜線の側面側に角底袋のラップ式出入口を複数個形設したことを特徴とする - 特許庁 - Also, the semiconductor integrated circuit (1) preferably includes a deep N-well (3) formed on the substrate (2) lower than the element isolation region (7) and formed along a second direction different from the first direction, and a deep P-well (4) formed along the second direction and formed adjacently to the deep N-well (3).
そして、素子分離領域（７）よりも下の基板（２）に形成され、第１方向と異なる第２方向に沿って形成されたディープＮウェル（３）と、第２方向に沿って形成され、ディープＮウェル（３）に隣接して形成されたディープＰウェル（４）とを具備することが好ましい。 - 特許庁 - The semiconductor device 100 includes a plurality of MOS transistors (high-voltage P-channel MOS transistors 11) each having an impurity region (N-type well region 51) of a first conductivity type and a low-concentration diffusion region (P-type offset diffusion region 3) of a second conductivity type, and the element isolation region 6.
半導体装置１００は、第１導電型の不純物領域（Ｎ型ウェル領域５１）と、第２導電型の低濃度拡散領域（Ｐ型オフセット拡散領域３）を有する複数のＭＯＳトランジスタ（高圧ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１）と、素子分離領域６を有する。 - 特許庁 - To provide a base isolation device suitable for a lightweight building such as a wooden building or a mechanical facility, installable even in a residential state, safe and low-cost, and preventing tilting of a floor surface even when partial weight exists in the wooden building to be base-isolated.
木造建築物などの軽量の建物や機械設備などに適した、居住状態のままでも設置が可能な安全かつ低コストで、かつ免震化される木造建築物に重量的な偏りが存在しても、床面が傾くことがない免震装置を提供すること。 - 特許庁 - The compressor includes: an air tank 6 placed on a bottom base through a vibration isolation part; a common base 7 installed on the top of this air tank and provided for installing the compression mechanisms; and the plurality of the reciprocal compression mechanisms 4, 5 parallelly disposed adjacent to each other in the same direction on this common base.
圧縮機は、下部ベースに防振部品を介して設置された空気タンク６と、この空気タンクの上部に取付けられ圧縮機構部を取付けるための共通ベース７と、この共通ベースに、隣接して同一方向に並置された往復動式の複数の圧縮機構部４，５とを備える。 - 特許庁 - To provide a structure of a pressure vessel that can sufficiently support a large load from above, and can secure safety at the breakage or the like of a flexible film body, in the structure of the pressure vessel of an air spring type under high inner pressure which is used as, for example, part of a base isolation device.
たとえば免震装置の一部として用いられる、高内圧下の空気ばねタイプの圧力容器構造体において、上方側からの大荷重を十分に支持するとともに、可撓膜体の破裂時等に、安全性を確保することができる圧力容器構造体を提供する。 - 特許庁 - The interface between the first semiconductor region and the second semiconductor region is located at a first depth in a part corresponding to the photoelectric conversion element, and is located at a second depth smaller than the first depth in a part arranged in lower parts of the element isolation region and the floating/diffusing part.
そして、第１の半導体領域と前記第２の半導体領域との界面は、光電変換素子に対応する部分においては第１の深さにあり、素子分離領域および浮遊拡散部の下部に配された部分においては第１の深さよりも浅い第２の深さにある。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the semiconductor substrate 41, a first supporter hole 21 and a second supporter hole 22 are first formed on an SOI element forming region 13, and a boundary groove 14 is formed on the entire periphery along the boundary between the SOI element forming region 13 and an element isolation layer 12.
半導体基板４１の製造方法は、まず、ＳＯＩ素子形成領域１３に第１支持体穴２１及び第２支持体穴２２を形成するとともに、ＳＯＩ素子形成領域１３と素子分離層１２との境界に沿った全周に境界溝１４を形成する。 - 特許庁 - A flat hollow sheet, which secures a space for housing a new cable inside the subterranean buried cable where a cable is housed and also performs its isolation from the existing cable, is laid, and then the new cable is laid in a condition that the air pressure within the hollow sheet is elevated for expansion.
ケーブルが収容されている地中埋設管の内部に、新設ケーブルを収容する空間を確保すると共に既設ケーブルとの隔離を行う扁平形状の中空シートを布設した後に、中空シート内の気圧を高めて膨らました状態で新設ケーブルを布設する。 - 特許庁 - Thus, by constructing the steel-framed column 40 on the base isolation device 18 first and by constructing the upper-floor beam 60 to the steel-framed column 40 before constructing the footing beam, the process of constructing the footing beam 72 and the process of constructing a floor slab between the upper-floor beams 60 can be performed at the same time.
このように、免震装置１８に最初に鉄骨柱４０を施工し、基礎梁を施工する前に、鉄骨柱４０へ上階梁６０を施工することで、基礎梁７２を施工する工程と上階梁６０間に床スラブを施工する工程とを併行して行うことができる。 - 特許庁 - To provide a polymer actuator wherein it is possible to eliminate irregularity on an electrode surface as much as possible (as compared with, for example, talc processing) to achieve stable control and further reduce a sliding resistance between the polymer actuator and a vibration isolation target so that smooth and reliable response can be expected.
電極表面の凹凸性を極力なくして（例えばタルク処理との比較）、安定した制御を実現することができ、しかも、ポリマーアクチュエータと制振対象物との間の摺動抵抗を小さくすることができ、スムース、かつ信頼性のある応答が期待できるポリマーアクチュエータを提供する。 - 特許庁 - The base plate assembly 10 includes a steel base plate 28 and a plurality of long nuts 30 which are implanted in the first surface of the base plate 28 and which allow fixing bolts 32 for fixing the base isolation device 12 to the base plate assembly 10 to be screwed thereto from the second surface side of the base plate 10.
ベースプレートアセンブリ１０は、鋼板製のベースプレート２８と、このベースプレート２８の第１面に植設され、免震装置１２をベースプレートアセンブリ１０に固定する固定用ボルト３２をベースプレート１０の第２面側から螺合させることのできる複数の長ナット３０とを備えている。 - 特許庁 - At least one of the upper and lower flange plates 22 consists of an outside plate 24 attached to the structure 12 or the structure 14 with the bolts B and having a hole 28 formed on the inside thereof, and an inside plate 26 attached to the seismic isolation laminated rubber 10 and movably inserted in the hole 28.
上下のフランジプレート２２の少なくとも一方が、構造体１２または構造体１４にボルトＢで取着され内側に孔２８が形成された外側プレート２４と、免震用積層ゴム１０に取着され孔２８に移動可能に挿入された内側プレート２６とで構成されている。 - 特許庁 - The vibration isolation device 20E includes: an equipment installation stand 80; a vibration absorption member 81 of which one end surface side is joined to a lower surface side of the equipment installation stand 80, and which is a hollow cone shape; and an equipment installation base 82 which is joined to another end surface side of the vibration absorption member 81 on a lower surface side of the member.
防振装置２０Ｅは、機器設置台８０と、この機器設置台７０の下面側に一端面側が接合された中空円錐形状の振動吸収部材８１と、この振動吸収部材８１の下面側に他端面側が接合された機器設置基台８２とを備える。 - 特許庁 - A process for producing an organic compound includes: an extraction step of extracting an extract containing the organic compound from fine-mesh algae belonging to Chlorophyceae Volvox Dunaliella; and an isolation step of isolating the organic compound from the extract.
緑藻網オオヒゲマワリ目のデュナリエラ属に属する微細網の藻体から前記有機化合物を含む抽出物を抽出する抽出工程と、前記抽出物から前記有機化合物を単離する単離工程とを有することを特徴とする有機化合物の製造方法。 - 特許庁 - To enable positive isolation of an insulating part formed on an inspecting electrode of a defective semiconductor integrated circuit element from the inspecting electrode and a contactor probe terminal, and also to enable positive conduction between an inspecting electrode of a good semiconductor integrated circuit element and the contact probe terminal.
不良品の半導体集積回路素子の検査用電極の上に形成された絶縁部が検査用電極とコンタクタのプローブ端子とを確実に絶縁する一方、良品の半導体集積回路素子の検査用電極とコンタクタのプローブ端子とを確実に導通させるようにする。 - 特許庁 - The Nuf2 protein antibody is an antibody specifically reactive with the Nuf2 protein and is obtained by immunizing a host animal using an antigen having, as an epitope (antigen-deciding group), CGGDYSAKIDEKTAELKRKMFMS among amino acid sequences constituting the Nuf2 protein followed by isolation from the body fluids of the host animal and purification.
Nuf2蛋白質抗体は、Nuf2蛋白質に特異的に反応する抗体であって、Nuf2蛋白質を構成するアミノ酸配列のうち、CGGDYSAKIDEKTAELKRKMFMSをエピトープ（抗原決定基）として有する抗原を用いて、宿主動物を免疫感作した後、その宿主動物の体液より単離精製することによって得られる。 - 特許庁 - A semiconductor device 100 has a semiconductor multilayer portion 11 where nitride semiconductor layers 6 and 10 having different band gaps are laminated, and the semiconductor multilayer portion 11 has an element region 100a and an element isolation region 100b formed around the element region 100a.
半導体装置１００は、バンドギャップを異にする窒化物半導体層６、１０が積層されている半導体積層部１１を有しており、半導体積層部１１が素子領域１００ａと素子領域１００ａの周囲に形成されている素子分離領域１００ｂを備えている。 - 特許庁 - The coupler 2 outputs a signal, which is input to the input port 2a, to the first output port 2c and the second output port 2d, and outputs signals reflected from the first antiparallel diode 3a and the second antiparallel diode 3b while synthesizing from the isolation port 2b.
ここで、結合器２は、入力ポート２ａに入力した信号を第１の出力ポート２ｃと第２の出力ポート２ｄとに出力し、第１のアンチパラレルダイオード３ａと第２のアンチパラレルダイオード３ｂとから反射された信号を合成してアイソレーションポート２ｂから出力する。 - 特許庁 - To provide a polarization shared antenna, which forms a bidirectional radio transmission lines by polarization sharing of mutually orthogonal linear polarized waves, such that cross polarization discrimination and isolation between transmission and reception ports are improved at low cost without making a configuration greatly complicated.
本発明は、互いに直交する直線偏波の偏波共用により双方向の無線伝送路を形成する偏波共用アンテナに関し、構成が大幅に複雑化することなく、交差偏波識別度と、送受信ポート間におけるアイソレーションの向上が安価に図られることを目的とする。 - 特許庁 - The spectacles of a pinhole effect utilization type bored with small holes in lens segments 3 are constituted by using optical isolation materials which exhibit translucent characteristics to light 4 from the inner side while exhibiting light shielding characteristics to light 5 from outer side for the lens segments 3.
レンズ部分３に小孔をあけたピンホール効果利用型のメガネにおいて、そのレンズ部分３に、外側からの光５に対しては遮光特性を示す一方、内側からの光４に対しては透光特性を示す光アイソレーション材を使用することを特徴とする。 - 特許庁 - When the maintenance inspection of the reducing nitrogen compound injection equipment 34 is performed, an isolation valve 30 is closed, and the hydrazine aqueous solution remaining in the injection piping 27 is collected in the injection chemical tank 24 from collection piping 38 by cleaning water supplied to the injection piping 27.
還元性窒素化合物注入設備３４の保守点検時には、隔離弁３０が閉じられ、注入配管２７内に残留するヒドラジン水溶液が注入配管２７に供給される洗浄水によって回収配管３８より注入薬品タンク２４内に回収される。 - 特許庁 - To avoid the problem that a sufficient amount of toner for reproducing dots on a media cannot be placed due to the dispersion and isolation of dots, and hence graphics to be originally printed disappear or lighten, and to increase the reproducibility of the dots.
本発明では、ドットの分散や孤立によってメディア上にドットを再現する充分な量のトナーが載らず、結果として本来印字されるべき図形が消えてしまったり薄くなったりするという問題を回避し、これらのドットの再現性を高めることを目的とする。 - 特許庁 - To provide a chip layered semiconductor device for preventing etching grade from being deteriorated in silicon substrate etching for isolation groove formation, and for preventing the increase in chip area, and for securing the sufficient large area of a through-electrode formation region.
分離溝形成のためのシリコン基板エッチングにおいてエッチングレートを低下させることなく、且つ、チップ面積の増加を防ぐとともに貫通電極形成領域の十分な広さを確保することが可能なチップ積層型の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor device includes: a semiconductor substrate 101 having an active region 103 isolated by an element isolation region 102; a gate insulating film 111 formed on an active region 103; and a gate electrode 121 formed on the gate insulating film 111.
半導体装置は、素子分離領域１０２により分離された活性領域１０３を有する半導体基板１０１と、活性領域１０３の上に形成されたゲート絶縁膜１１１と、ゲート絶縁膜１１１の上に形成されたゲート電極１２１とを備えている。 - 特許庁 - When a hydraulic cylinder as a damper which is another structural element of a base-isolating type isolation structure is used, restoring force is obtained by repulsion force against compression of a gaseous body so that hydraulic oil of two chambers separated by a piston is respectively led to airtight containers.
一方、基礎絶縁型免震構造のもう一つの構成要素であるダンパとして油圧シリンダを使用する場合、ピストンで隔てられた２室の油圧油をそれぞれ気体を密閉した容器に導いて、気体の圧縮に対する反発力から復元力を得ることができる。 - 特許庁 - The base isolation joint 4 provided at wall members 20 of the mutual connection parts of the parts having different vibration characteristics is formed by interposing a hardened layer 6 of a mixed composition including an asphalt emulsion, a hardening material and a high water absorptive material, in a clearance between the wall members 20.
振動特性の異なる部位同士の接続部分の壁部材２０に設けられる免震ジョイント４であって、アスファルト乳剤、硬化材および高吸水性材料を含む混合組成物の硬化層６を壁部材２０の間隙に介在させてなる免震ジョイント４としている。 - 特許庁 - An n-type MOS transistor has an active region STN surrounded by the element isolation region 3 where a width Xc in the longitudinal direction of the gate in the entire region Wc including the contact forming region with a contact plug 10b formed is formed of the same width in the breadthwise direction of the gate.
一方、Ｎ型ＭＯＳトランジスタは、素子分離領域３に囲まれた活性領域ＳＴＮが、ゲート幅方向において、コンタクトプラグ１０ｂが形成されるコンタクト形成領域を含めた全領域Ｗｃでゲート長方向の幅Ｘｃが同じ幅で形成されている。 - 特許庁 - Between a p-gate diffusion region 23 on the left side and a p-gate diffusion region 23' on the right side on an n-type silicon substrate, and in between the CH1 and the CH2, a channel isolation region 29 is formed of an oxygen doped semi-insulating polycrystalline silicon film 35a doped with phosphorus.
そして、Ｎ型シリコン基板上における左側のＰゲート拡散領域２３と右側のＰゲート拡散領域２３'との間であって、ＣＨ1とＣＨ2との間に、リンがドープされた酸素ドープ半絶縁多結晶シリコン膜３５aでなるチャネル分離領域２９が形成されている。 - 特許庁 - An insulating layer is made of the first insulating layer and the second insulating layer which is stacked on the first insulating layer and is lower in etching speed than the first insulating layer, and even in a light etching process for a surface oxide film, the topside of an isolation wall projects from the top end of the storage node layer.
絶縁層を、第１絶縁層と、第１絶縁層上に積層された第１絶縁層よりエッチング速度の遅い第２絶縁層から形成し、表面酸化膜のライトエッチング工程後においても、分離壁の上面がストレージノード層の上端より突出した構造とする。 - 特許庁 - A second groove which is formed in accordance with the formation of a first groove provided so as to surround a light-receiving region and used for element isolation is provided in the light-receiving region, and a conduction wiring for extracting electric charges accumulated in the semiconductor substrate in the light-receiving region is provided in the second groove.
受光領域内には、受光領域を囲繞して設けた素子分離に用いる第１の溝の形成にともなって形成した第２の溝を設け、この第２の溝内に、受光領域内の半導体基板に蓄積された電荷を取出す導通配線を設ける。 - 特許庁 - This base isolation device 20 is installed on at least one of upper and lower ens of a center pillar 10 erected between the floor surface and the ceiling part of a cylindrical underground structure to support between the floor part and the ceiling part, and formed by stacking a center pillar side member 21 and an underground structure side member.
免震装置２０は、筒型の地下構造物の床部と天井部との間に立設されて床部と天井部間を支持する中柱１０の上下端部の少なくとも一方に取り付けられて、中柱側部材２１と地下構造物側部材３１とが重ね合わされて構成される。 - 特許庁 - For a portion of a positional deviation occurred between the lower foundation 1 placed on the ground and the upper base isolation foundation 2 integrally formed with the building, high pressure air is filled into a squashed air bag 3, so that the squashed air bag 3 is swollen and thus the positional deviation can be restored by the push-out effect.
地面に設置された下基礎（１）と建物と一体の免震上基礎（２）との間で位置ずれが生じた分、潰れた空気袋（３）に高圧空気を注入する事により、潰れた空気袋（３）が膨らみ、その押し出し効果により位置ずれが修復出来る様にする。 - 特許庁 - A load receiving device 1 bearing vertical load and horizontal load of the superstructure 5 in a using state is set in a space between the superstructure 5 and a lower structure 6 divided into up and down in a state to connect it to the supersurface or the lower surface of the base isolation device 4 in series.
上下に区分される上部構造５と下部構造６との間の空間に、使用状態で上部構造５の鉛直荷重と水平荷重を負担する荷重受け装置１を免震装置４の上面、もしくは下面に直列に接合した状態で設置する。 - 特許庁 - In a method of processing a material to be processed which is formed on a semiconductor substrate 101 or a material to be processed which comprises a plurality of multilayer films using a desired double patterning method, processing for defining the element isolation width can be performed twice when a pattern is formed.
半導体基板上に形成された被加工材料、若しくは複数の積層膜から構成される被加工材料を所望のダブルパターンニング法を用いて加工する製造方法において、パターンを形成する際、素子分離幅を規定する加工を２回行うことで解決できる - 特許庁 - The method for producing an indolylazaphthalide compound (6) comprises converting a quinolinecarboxylic acid derivative (1) to an quinolinecarboxylic anhydride (2), successively reacting the quinolinecarboxylic anhydride without isolation with an indole derivative (3) in one pot to obtain a pyridinecarboxylic acid derivative (4), and then reacting the pyridinecarboxylic acid derivative with an aniline derivative (5).
キノリン酸誘導体（１）をキノリン酸無水物誘導体（２）に変換後、これを取り出すことなく引き続きワンポットでインドール誘導体（３）と反応させてピリジンカルボン酸誘導体（４）を得、次いでアニリン誘導体（５）と反応させることを特徴とするインドリルアザフタリド化合物（６）の製造方法。 - 特許庁 - In a high-frequency switch, constituted of a finger-type MOSFET formed on an Si substrate, a p+-type well contact region 105 for applying a fixed potential to a p-type well 102 is formed in an element isolation layer 101, and a capacitor 109 is formed between the p+ well contact region 105 and the p-type well.
Ｓｉ基板に形成されたフィンガー型MOSFETからなる高周波スイッチにおいて、ｐ型ウエル１０２に固定電位を与えるｐ＋型ウエルコンタクト領域１０５を素子分離層１０１の中に設け、ｐ＋型ウエルコンタクト領域１０５とｐ型ウエルとの間に容量１０９を設ける。 - 特許庁 - The angle of inclination of an element isolation trench provided to a semiconductor substrate such as an SOI substrate or the like is set at an angle of 88 degrees or 89 degrees, and an insulating material where NSG(non- doped silicate glass) or HTO(high-temperature oxide film) and NSG are laminated is grown and buried in the trench.
ＳＯＩ基板等の半導体基板に形成する素子間分離用のトレンチの傾斜角度を８８度、あるいは８９度に形成し、かつ減圧ＣＶＤ法によりＮＳＧまたはＨＴＯとＮＳＧとが積層された絶縁材料を成長してトレンチ内に埋設する。 - 特許庁 - With this constitution, an element isolation region 9 formed by embedding the trench 5a with the insulating film 7, a 1st alignment mark 10 formed by embedding the trench 5b with the insulating film 7 and the 2nd alignment mark 11 consisting of the trench 5c are provided on the surface side of the substrate 1.
これによって、基板１の表面側に、トレンチ５ａ内に埋め込み絶縁膜７を埋め込んでなる素子分離９と、トレンチ５ｂに埋め込み絶縁膜７を埋め込んでなる第１のアライメントマーク１０と、トレンチ５ｃからなる第２のアライメントマーク１１とを形成する。 - 特許庁 - This magnetic recording medium is provided at least with a substrate 10, the magnetic layer 10 formed on the substrate, and a segregation promotion layer 70 formed on the magnetic layer 60, and the segregation promotion layer 70 contains segregation promotion elements which diffuse on the surface layer part of the magnetic layer and promote the isolation of the magnetic particles of the surface layer part.
少なくとも、基板10と、この基板上に形成された磁性層60と、この磁性層60上に形成された偏析促進層70とを備え、且つ、前記偏析促進層70は、前記磁性層表層部に拡散し該表層部の磁性粒子の孤立化を促進する、偏析促進元素を含有する。 - 特許庁 - A small hole 6 is located on the path of electron beams between an electron beam converging mechanism 3 and a recording medium 10, and an isolation mechanism 7 is provided for isolating an electron beam generating mechanism 1, an electron beam accelerating mechanism 2 and the electron beam converging mechanism 3 from the recording medium 10 except for the small hole 6.
電子線集束機構３と記録媒体１０との間の電子線の通路に小孔６を配置し、電子線発生機構１、電子線加速機構２及び電子線集束機構３を小孔６以外では記録媒体１０と隔離する隔離機構７を備えた。 - 特許庁 - A plurality of field effect transistors 223 are formed on a P type shallow well region 212, and a shallow element isolation region 214 on the P type shallow well region 223 has the depth which is more shallow than that of the junction between an N type deep well region 227 and the P type shallow well region 212.
複数の電界効果トランジスタ２２３がＰ型の浅いウェル領域２１２上に形成され、かつ、Ｐ型の浅いウェル領域２２３上の浅い素子分離領域２１４が、Ｎ型の深いウェル領域２２７とＰ型の浅いウェル領域２１２との接合の深さよりも浅い深さを有する。 - 特許庁 - To provide a switching device that has almost no loss in a signal transmission circuit, enables to easily take impedance matching while allowing isolation during cut-off to be sufficiently obtained, and is capable of reducing manufacturing costs; and to provide a signal transmission circuit device using the switch device, and a switching method for the signal transmission circuit device.
信号伝送回路での損失が少なく、かつ、カットオフ時のアイソレーションが十分に取れると共にインピーダンス整合がとり易く、製造コストを低減できるスイッチ装置、そのスイッチ装置を用いた信号伝送回路装置、そのスイッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - The dopant concentration of a scheduled region for forming the side surface of a trench for element isolation in an SOI layer 3 is made 1×10^18 cm^-3 or higher and the dopant concentration of a scheduled region for forming the side surface of a gate trench in the trench gate type MOS transistor is made under 1×10^18 cm^-3.
ＳＯＩ層３における素子分離用トレンチの側面の形成予定領域の不純物濃度を１×１０^18ｃｍ^-3以上にするとともにトレンチゲート型ＭＯＳトランジスタでのゲートトレンチの側面の形成予定領域の不純物濃度を１×１０^18ｃｍ^^-3未満にする。 - 特許庁 - To prevent the formation of a shadow in a light transmitting part by a shading resin material and to suppress the occurrence of a sink in the surface of a resin product when an isolation part isolated from a main body part is formed in a shading part in the resin product comprising the light transmitting part and the shading part.
透光部と遮光部とからなる樹脂製品において、遮光部に本体部分から隔離された隔離部分を設ける場合に、遮光性樹脂材による影が透光部にできないようにし、しかも、樹脂製品の表面にヒケが発生するのを抑制する。 - 特許庁 - Two kinds of large and small dummy patterns 11 serving as a dummy active region is provided in an isolation region 10 wherein a large dummy pattern 11b is located at a position remote from a main pattern 9 and a small dummy pattern 11a is arranged regularly in a gap on the periphery of the main pattern 9.
分離領域１０内に、ダミーのアクティブ領域となる大小２種のダミーパターン１１を設け、本番パターン９から遠方位置に大きなダミーパターン１１ｂを配置し、本番パターン９周辺にできた隙間に小さなダミーパターン１１ａを規則的に配列して配置する。 - 特許庁 - (2) All views on a drawing or photograph must (a) be of sufficient quality to permit the features of the design to be identified clearly and accurately; (b) clearly and accurately show the article to which the design is applied; and (c) show the article in isolation.
(2) 図面又は写真による図はすべて，次のものでなければならない。 (a) 意匠の特徴をはっきりと正確に確認することができる のに十分な品質のものであること (b) 意匠が適用される物品をはっきりと正確に示していること，及び (c) 物品を単独で示していること - 特許庁 - When a plurality of steam drier banks are divided into a radius-directional center side and an outer peripheral side of an isolation wall, the steam drier banks installed in the center-side region are configured to reduce pressure loss more than the steam drier banks installed on the outer peripheral side.
本発明は、複数の蒸気乾燥器バンクを隔離壁の半径方向中心側及び外周側に分けた時、中心側の領域に設置された蒸気乾燥器バンクは、外周側に設置された蒸気乾燥器バンクに比べて圧力損失を低下させる構造にすることを特徴とする。 - 特許庁
