「Isolation」を含む例文一覧(7498)

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  • (2) All views on a drawing or photograph must (a) be of sufficient quality to permit the features of the design to be identified clearly and accurately; (b) clearly and accurately show the article to which the design is applied; and (c) show the article in isolation.
    (2) 図面又は写真による図はすべて，次のものでなければならない。 (a) 意匠の特徴をはっきりと正確に確認することができる のに十分な品質のものであること (b) 意匠が適用される物品をはっきりと正確に示していること，及び (c) 物品を単独で示していること - 特許庁
  • When a plurality of steam drier banks are divided into a radius-directional center side and an outer peripheral side of an isolation wall, the steam drier banks installed in the center-side region are configured to reduce pressure loss more than the steam drier banks installed on the outer peripheral side.
    本発明は、複数の蒸気乾燥器バンクを隔離壁の半径方向中心側及び外周側に分けた時、中心側の領域に設置された蒸気乾燥器バンクは、外周側に設置された蒸気乾燥器バンクに比べて圧力損失を低下させる構造にすることを特徴とする。 - 特許庁
  • The isolation quantities T between the intermediate recording medium 12 and photoreceptors 22Y, M, C, and K when the primary transfer means 30Y, M, C, and K are at 2nd positions are larger than the sum of the slack quantity of the intermediate recording medium 12 and gravitational fall quantities of the primary transfer means 30Y, M, C, and K.
    一次転写手段３０Ｙ，Ｍ，Ｃ，Ｋが第２位置にあるときの中間記録媒体１２と感光体２２Ｙ，Ｍ，Ｃ，Ｋの離間量Ｔは、中間記録媒体１２のたるみ量と、一次転写手段３０Ｙ，Ｍ，Ｃ，Ｋの重力による落ち込み量とを加えた量以上にする。 - 特許庁
  • Consequently, the radio-wave absorbing substance 4 can improve isolation required among ports of the high-frequency component 5, and the hermetically sealing of the high-frequency module 1 is so managed only by the cover 7 attached to the front-surface side of the multilayer substrate 2 as to be able to reduce the manufacturing cost and miniaturize the module as a whole.
    これにより、電波吸収体４によって高周波部品５のポート間のアイソレーションを高めることができると共に、多層基板２の表面側の蓋体７だけ気密封止すればよく、製造コストの低減、高周波モジュール１全体の小型化を図ることができる。 - 特許庁
  • To provide an elevator with moving members for isolation of pets which can eliminate or reduce the uneasiness given to the passengers by allowing a pet to ride on the elevator together with the passengers without installing a trunk in an elevator car and enabling a space for containing the passengers to be enlarged when the pets do not ride on the elevator car.
    エレベータかごにトランクを設けることなく、ペットが同乗することにより人に不安を感じさせることをなくすことができるかまたは少なくでき、かつ、ペットが乗っていない場合に人が乗る空間を広くできるペット隔離用移動部材付エレベータの提供。 - 特許庁
  • An auxiliary wiring 14 is formed on the periphery of the first electrode 13 in such a manner as to be insulated from the first electrode 13, and an isolation insulating portion 15 having a first opening 15A exposing the first electrode 13 and a second opening 15B exposing the auxiliary wiring 14 is formed.
    第１電極１３の周囲には、第１電極１３に対して絶縁性を保って補助配線１４が形成されており、第１電極１３を露出させる第１開口１５Ａと補助配線１４を露出させる第２開口１５Ｂとを有する分離絶縁部１５が形成されている。 - 特許庁
  • In this piping structure for circulating heat medium or water forcedly in a circulation passage having a going pipe 3 led from a circulating pump 9 and a return pipe 4 returning into the circulating pump 9, the going pipe 3 has a piping structure having connection parts made of a vibration isolation material in at least two sections.
    循環ポンプ９から導かれる往き管３及びその循環ポンプ９へ戻ってくる戻り管４をもつ循環路に熱媒体又は水を強制循環させる配管構造において、往き管３は少なくとも二箇所に防振材からなる接続部を有している配管構造とする。 - 特許庁
  • The solid state image sensor has a pixel region where pixels 38, each consisting of a photoelectric conversion part PD and a plurality of pixel transistors, are arranged two-dimensionally, and an element isolation region 41 which isolates between pixels formed in the pixel region and constituted of a semiconductor layer 43 embedded in a trench 42 by epitaxial growth.
    光電変換部ＰＤと複数の画素トランジスタからなる画素３８が２次元配列された画素領域と、画素領域内に形成され、トレンチ４２内にエピタキシャル成長による半導体層４３が埋め込まれて構成された画素間を分離する素子分離領域４１を有する。 - 特許庁
  • To provide an isolation film forming method in a semiconductor device capable of improving the reliability of a process and the electric characteristics of the device by forming a dual slant angle at the top corner of a trench during the forming process of the trench and preventing concentration of an electric field and occurrence of a moat.
    トレンチの形成過程でトレンチの上部コーナーに二重傾斜角を形成して電界の集中及びモウトの発生を防止することにより、工程の信頼性及び素子の電気的特性を向上させることが可能な半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁
  • An active region 10a and an active region 10b are isolated by an element isolation region 11, a first transistor of a first conductivity type is provided on the active region 10a, and a second transistor of a second conductivity type is provided on the active region 10b.
    活性領域１０ａと活性領域１０ｂとが素子分離領域１１により分離されており、活性領域１０ａ上には第１導電型の第１のトランジスタが設けられており、活性領域１０ｂ上には第２導電型の第２のトランジスタが設けられている。 - 特許庁
  • The plain bearing 10 for vibration isolation has a first assembly 16 combined with the lower structure 12 of a structure and a second assembly 18 united with upper structure 14, and the horizontal sliding surface 20 of the first assembly 16 and the horizontal sliding surface 22 of the second assembly 18 are slid and contacted.
    免震用滑り支承１０は、構造物の下部構造１２に結合される第１アセンブリ１６と、上部構造１４に結合される第２アセンブリ１８とを備え、第１アセンブリ１６の水平滑り面２０と第２アセンブリ１８の水平滑り面２２とが摺接する。 - 特許庁
  • An insulating film 11 is provided in a region from the top face of a word line 5x which is the closest to a plurality of the first injection diffusion layers 7a among a plurality of the word lines 5 to the end of the first injection diffusion layer 7a side of the diffusion bit line 2 and the element isolation region 8.
    複数のワード線５のうち、複数の第１の注入拡散層７ａに最も近いワード線５ｘの上面上から拡散ビット線２の第１の注入拡散層７ａ側の端部上及び素子分離領域８上に至る領域に絶縁膜１１が設けられている。 - 特許庁
  • An air cleaning part 301A and a fumigation part 301 B are set in the outside of a tent 201 which forms the isolation chamber 203 to isolate/house a patient IP in a non-air-tight state inside a sheet 202b in the lowermost layer by retaining the shape of two sheets 202 (202a and 202b).
    二枚のシート２０２（２０２ａ，２０２ｂ）を形状保持して最下層のシート２０２ｂの内部に非気密状態で患者ＩＰを隔離収容する隔離室２０３を形成するテント２０１の外部に、空気清浄部３０１Ａと燻蒸部３０１Ｂとを設置する。 - 特許庁
  • In the method of manufacturing a semiconductor substrate, the SiGe layer is formed on the substrate with a surface composed of a silicon (a), a semiconductor layer is further formed thereon (b) and heat treatment is performed by applying ion injection into the SiGe layer in a wafer region to be an element isolation forming region (c).
    （ａ）表面がシリコンからなる基板上にＳｉＧｅ層を形成し、（ｂ）さらにその上に半導体層を形成し、（ｃ）素子分離形成領域となる基板上の領域におけるＳｉＧｅ層内にイオン注入し、熱処理を行う半導体基板の製造方法。 - 特許庁
  • The P^+ source layer 11 is provided on both sides of the P^+ source layer 9 so as to come into contact with the P^+ source layer 9 between the element isolation region and the P^+ source layer 9, and the end part is provided at the center end part of the element formation region 20 so as to overlap the gate insulating film.
    Ｐ^＋ソース層１１は、素子分離領域とＰ^＋ソース層９の間にＰ^＋ソース層９と接するように、Ｐ^＋ソース層９の両側に設けられ、端部がゲート絶縁膜とオーバーラップするように素子形成領域２０の中央端部に設けられる。 - 特許庁
  • To provide a drainpipe system for a base isolation dwelling house which can sufficiently follow large deformation generated in an earthquake, in which a piping installation area is not required to be so wide and a length of piping execution is not required to be so long, which can prevent clogging of filth or the like, in which execution is simple, and which is inexpensive.
    地震時に発生する大きな変形にも十分に追従でき、配管設置面積もさほど広くなくともよく、配管施工長さもさほど長くなくともよく、汚物のつまり等を防止でき、施工が簡易で、かつ安価な免震住宅用排水管システムを提供すること。 - 特許庁
  • After an isolation trench 21 is formed in a stripe shape on a compound semiconductor layer 1 formed on a sapphire substrate 20, a plated layer 6 is formed on an entire surface of the compound semiconductor layer 1, so that the plated layer 6 can be used as a support substrate after releasing the sapphire substrate 20.
    サファイア基板２０上に形成された化合物半導体層１に、ストライプ状に分離溝２１を形成した後、化合物半導体層１の全面にメッキ層６を形成するため、このメッキ層６をサファイア基板２０の剥離後の支持基板として用いることができる。 - 特許庁
  • In the case where a radioactive substance leakage accident occurs in a nuclear power plant, when a measurement value by a radioactive concentration sensor 16 becomes a set value, a control device 19 closes outside air isolation valves 3 and exhaust valves 8A, 8B to stop supply of outside air to a central control room 22.
    原子力プラントで放射性物質漏洩事故が発生したとき、制御装置１９は、放射線能濃度出器１６の計測値が設定値になると、外気隔離弁３及び排気弁８Ａ，８Ｂを閉じて中央制御室２２への外気の供給を停止する。 - 特許庁
  • The organic electroluminescent display device includes: a lower electrode; an organic layer including a luminous layer provided on the lower electrode; an upper electrode provided on the organic layer; and an isolation layer that is adjacent to the lower electrode and does not coat a surface of the lower electrode.
    実施形態によれば、有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、下部電極と、前記下部電極の上に設けられた発光層を含む有機層と、前記有機層の上に設けられた上部電極と、前記下部電極に隣接し、前記下部電極の表面を被覆しない絶縁層と、を備える。 - 特許庁
  • The semiconductor memory device 300 includes a first memory element 100 and a second memory element 200 isolated mutually by an element isolation region 38, and a first impurity diffused region 16 and a second impurity diffused region 14.
    本発明の不揮発性半導体記憶装置３００は、ウエハ１１に形成されかつ素子分離領域３８によって互いに分離された第１記憶素子１００および第２記憶素子２００と、第１不純物拡散層１６および第２不純物拡散層１４とを含む。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device exhibiting excellent isolation characteristic by shielding leakage signals in high frequency region propagating on the surface or the upper region of a semiconductor substrate and suppressing mutual interference in high frequency region between high frequency circuit blocks.
    半導体基板の表面や上部領域を伝播してくる高周波域における漏洩信号を遮蔽し、形成された高周波回路ブロック間における高周波域における相互干渉を抑制することにより、素子分離特性の優れた半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a process for fabricating a semiconductor device using a material becoming a sacrifice polymer having a hardness under room temperature indispensable in a semiconductor process and suitable for forming an air isolation structure between the interconnect lines of semiconductor elements by thermally decomposing completely at a relatively low temperature.
    半導体プロセスにおいて必須である、室温での硬度を有し、同時に比較的低温で完全に熱分解して、半導体素子の配線間にエアアイソレーション構造を形成するために好適な犠牲ポリマーとなる材料を用いて半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a toner containing a polyester resin and wax, superior in fixability and thin-line reproducibility, and capable of stably forming high quality images over prolonged period of times without generating isolation phenomenon of the wax, and to provide a method of manufacturing such toner and an image forming method.
    ポリエステル樹脂およびワックスを含有し、定着性および細線再現性に優れ、しかも、ワックスの遊離現象などを発生させずに、高画質な画像を長期間にわたって安定的に形成することができるトナーおよびトナーの製造方法並びに画像形成方法の提供。 - 特許庁
  • When carrying out the asymmetrical cyanosilylation reaction of an aldehyde with a trimethylsilylcyanide by using a conventional catalyst composition for the asymmetrical synthesis, the asymmetrical cyanosilylation product can be obtained in a short time in high isolation yield and asymmetrical yield by adding a proton source to the reaction system.
    従来の不斉合成用触媒組成物を用いて、アルデヒドとトリメチルシリルシアニドにより不斉シアノシリル化反応を行う際、反応系内にプロトン源を添加することにより、短時間で、高い単離収率、不斉収率で不斉シアノシリル化物を得ることができる。 - 特許庁
  • In the lithography which utilizes an electron emission by a ferroelectric substance switching performed in the ferroelectric substance emitter like this, more uniform electron emission is guaranteed regardless of an interval of the mask pattern, and even in a pattern formed in isolation with a donut-like shape.
    このような強誘電体エミッタで行なわれる、強誘電体のスイッチングによるエレクトロンエミッションを利用したリソグラフィーにあっては、マスクパターンの間隔によらず、さらにドーナツ状に孤立して形成されたパターンでも、より均一なエレクトロンエミッションが保証されるようになる。 - 特許庁
  • To provide an antenna device provided with a transmission antenna and a reception antenna formed on a dielectric substrate, which is capable of greatly improving isolation between the transmission antenna and the reception antenna with a simple structure in comparison with conventional techniques, and to provide a structure thereof.
    誘電体基板上に形成された送信アンテナと受信アンテナを備えたアンテナ装置において、送信アンテナと受信アンテナとの間のアイソレーションを従来技術に比較して簡単な構造で大幅に改善することができるアンテナ装置とその構造を提供する。 - 特許庁
  • For forming a plurality of semiconductor elements over an insulating surface, in one continuous semiconductor layer, an element region serving as a semiconductor element and an element isolation region having a function to electrically isolate element regions from each other by repetition of PN junctions are formed.
    絶縁表面上に複数の半導体素子を形成するために、連続した一つの半導体層中に半導体素子として機能する素子領域と、ＰＮ接合の繰り返しにより素子領域間を電気的に分離する機能を有する素子分離領域を形成する。 - 特許庁
  • The semiconductor device comprises a fin-type active region defined on a semiconductor substrate having a device isolation structure, a recess formed over the fin-type active region, and a gate electrode formed over the fin-type active region, including a silicon germanium layer for burying the recess.
    半導体素子は、素子分離構造を備えた半導体基板に画成されたフィン型活性領域と、フィン型活性領域の上部に形成されたリセスと、フィン型活性領域の上部に形成され、前記リセスを埋め込むシリコンゲルマニウム層を含むゲート電極とを含む。 - 特許庁
  • To provide isolation of an inner cell mass (ICM) by using a laser ablation technique, safe and simple and commercially practicable without using an animal-originated antibody or animal-originated serum and without carrying out difficult protocols of immunological operations.
    動物由来抗体または動物由来血清の使用が排除され、安全であり、簡単であり、かつ商業的に実行可能である、免疫手術の扱いにくい手順を行うことなくレーザ切除技術を使用する、内部細胞塊（ＩＣＭ）の単離を提供すること。 - 特許庁
  • To provide an oscillator and a rubidium atomic oscillator that can hold the high isolation of both a multiplication circuit and an oscillation amplifier high by a simple constitution by providing filters on the multiplication circuit side and oscillation amplifier side, respectively, and is reduced in adjustment cost by shortening an adjustment time.
    逓倍回路側と発振増幅器側にそれぞれフィルタを備えることにより、簡単な回路構成で両回路のアイソレーションを高く保つことが可能となり、調整時間を短縮して調整コストの低減を図った発振器及びルビジウム原子発振器を提供する。 - 特許庁
  • The invention allows the identification of these sites in human interleukin-6 and the isolation of variants having, with respect to the wild type hormone, a greater affinity for the specific receptor (superagonists and superantagonists) or affinity for gp 130 reduced or abolished (antagonists and superantagonists).
    本発明は、ヒトインターロイキン−６のこれらの部位の同定と、野性型ホルモンに関して、特異的受容体について高親和性を有する（スーパーアンタゴニスト）か又はｇｐ１３０に対する親和性が低下しているか又は全くない（アンタゴニストおよびスーパーアンタゴニスト）変種の単離を可能にする。 - 特許庁
  • The semiconductor device 1 further includes a semiconductor region which becomes a source or a drain formed on the semiconductor substrate 1 at both sides of the gate electrode 4, and the stress liner film 3 formed by covering the semiconductor region, the lower stage of the element isolation insulating film 2, and the gate electrode 4.
    この半導体装置１は、ゲート電極４の両側の半導体基板１に形成されたソースあるいはドレインとなる半導体領域と、半導体領域、素子分離絶縁膜２の下段部、およびゲート電極４を覆って形成されたストレスライナー膜３とをさらに備えている。 - 特許庁
  • The abutting face of the isolation member 58 is so disposed that it is offset in the direction becoming closer to the other side than the abutting face of the hard-elastic member 59.
    この防振手段は軟弾性の防振部材５８と硬性の当接部材５９とで構成して、前記バッファカセット５又は前記ストッパ５７の何れか一側に配設するものとし、防振部材５８の当接面は該当接部材５９の当接面よりも他側に近接する方向にオフセットされて配置されている。 - 特許庁
  • The process includes the acidic hydrolysis of an acetal protective group of a compound represented by formula (7) (wherein A is an acetal or ketal protective group; and R is alkyl), the isolation of a crystalline compound of the resultant compound, and the hydrolysis of the resultant compound, thus preparing a dihydroxycarboxylate derivative.
    式（７）：（式中、Ａは、アセタールまたはケタール保護基であり、Ｒは、アルキルである）で示される化合物におけるアセタール保護基の酸加水分解、および、得られた化合物の結晶化合物の単離、得られた化合物を加水分解し、ジヒドロキシカルボキシレート誘導体を得る事を含む方法。 - 特許庁
  • This isolating method of a trophoblast from a pregnant female individual includes acquisition of a mother-centered blood sample from the individual, contact of the blood sample with a specific affinity reagent to a trophoblast marker, and isolation of the trophoblast.
    妊娠している雌個体から栄養芽層細胞を単離する方法であって、該個体から母体中心血液サンプルを取得し、該血液サンプルを栄養芽層細胞マーカーに特異的なアフィニティ試薬と接触させ、栄養芽層細胞を単離すること、を含む上記方法。 - 特許庁
  • The process comprises oxidative-coupling at least one monovalent phenol species using an oxygen containing gas and a complex metal catalyst to produce a PPE and functionalizing the PPE prior to and/or during not less than one isolation step for devolatilization of the reaction solvent.
    本方法は、反応溶液中で含酸素ガスと金属錯体触媒を用いて１種類以上の一価フェノール化学種を酸化カップリングしてＰＰＥを生成させ、反応溶媒の脱揮のための１以上の単離段階の前及び／又はその間にＰＰＥを官能化することからなる。 - 特許庁
  • The device includes one or more sense capacitors 26 formed between the proof mass and the substrate, one or more torque capacitors 24 formed between the proof mass and the substrate, and an isolation device that electrically isolates cathodes of the sense capacitors 26 from cathodes of the torque capacitors 24 on the proof mass.
    慣性質量と基板との間に形成された１つ以上の検知キャパシタ２６と、慣性質量と基板との間に形成された１つ以上のトルク・キャパシタ２４と、慣性質量上において検知キャパシタ２６のカソードをトルク・キャパシタ２４のカソードから電気的に分離する分離デバイスとを含む。 - 特許庁
  • In an element forming region surrounded by an isolation film 15, an insulation oxide layer 16B is formed selectively by oxidizing a gallium nitride semiconductor layer grown on the carrier supply layer 14, and a gate electrode 17 is formed on the insulation oxide layer 16B.
    素子分離膜１５に囲まれた素子形成領域には、キャリア供給層１４の上に成長した窒化ガリウムからなる半導体層が酸化された絶縁酸化層１６Ｂが選択的に形成され、絶縁酸化層１６Ｂ上には、ゲート電極１７が形成されている。 - 特許庁
  • Isolation of a source region and a drain region is performed simultaneously with formation of a local interconnect by the gate electrode sidewall conductive film 120 by removing the gate electrode sidewall conductive film 120 appropriately through anisotropic etching selective for the gate electrode sidewall insulating film 119.
    このゲート電極側壁導電膜１２０をゲート電極側壁絶縁膜１１９に対して選択性のある異方性エッチングにより適宜除去することにより、ソース領域とドレイン領域との分離及びゲート電極側壁導電膜１２０による局所配線の形成が同時に行なわれる。 - 特許庁
  • The semiconductor device includes an MIS transistor comprising a semiconductor substrate having an element isolation region, a diffusion region formed on the semiconductor substrate, a gate electrode formed on the semiconductor substrate through a gate insulation film, and a silicide layer (3) formed on the diffusion region.
    素子分離領域を有する半導体基板と、前記半導体基板に形成された拡散領域と、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記拡散領域上に形成されたシリサイド層（３）とを具備するＭＩＳトランジスタを含む半導体装置である。 - 特許庁
  • (2) An officer having disciplinary authority may, if necessary for the inquiry set forth in the preceding paragraph, isolate the detainee suspected of committing a disciplinary offense as provided for by an Ordinance of the Ministry of Defense. In this case, the period of isolation of said detainee shall not exceed fourteen days.
    ２　前項の調査のため必要があるときは、防衛省令で定めるところにより、反則行為をした疑いのある被収容者を他の被収容者から隔離することができる。この場合において、当該被収容者を隔離する期間は、十四日を超えてはならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • At least one of the pin isolation valves is fluidically coupled typically to a sample loop 20 of a face seal valve, or to a pump supplying high pressure liquid to or to a column discharging the liquid from a face seal valve of a high pressure liquid chromatography (HPLC) system or directly to the face seal valve.
    少なくとも１つのピン隔離弁５６が、通常は面シール弁のサンプルループ２０と、または高圧液体を供給するポンプと、または高圧液体クロマトグラフィ（ＨＰＬＣ）システムの面シール弁から液体を放出するカラムと、または直接的に面シール弁と流体結合される。 - 特許庁
  • The unit body 1 includes a positioning groove 53 to which a front end of an isolation plate separator for isolating the space for containing the power lines from the space for containing the signal lines in the switch body is fitted at a position between the power terminal part 42 and the signal terminal part 38 on the rear side.
    器体１は、後面における電源端子部４２と信号端子部３８との間の位置に、スイッチボックス内において電源線を収納する空間と信号線を収納する空間とを隔離する板状の絶縁セパレータの前端部が嵌合する位置決め溝５３を有する。 - 特許庁
  • The current control and drive circuit according to the present invention includes: an equivalent impedance 1100; a main load 1101; an inductive voltage-dividing resistance element 1102; a DC electronic control unit 1103; a voltage measuring instrument 1104; a current measuring instrument 1105; a flywheel diode 1106; and an isolation diode 1107.
    本発明による電流制御および駆動回路は、等価インピーダンス１１００、主負荷１１０１、誘導性分圧抵抗素子１１０２、直流電子制御ユニット１１０３、電圧測定装置１１０４、電流測定装置１１０５、フライホイールダイオード１１０６、および隔離ダイオード１１０７を備える。 - 特許庁
  • The high side isolation switches (QHS1, QHS2) are each operable to enable an associated piezoelectric injector (12a, 12b) in the injector bank circuit (33) when closed, and disable the associated piezoelectric injector (12a, 12b) in the injector bank circuit (33) when opened.
    高側分離スイッチ（ＱＨＳ１、ＱＨＳ２）は、閉じているときは噴射器バンク回路（３３）中の関連圧電式噴射器（１２ａ、１２ｂ）をイネーブルし、開いているときは噴射器バンク回路（３３）中の関連圧電式噴射器（１２ａ、１２ｂ）をディスエーブルするように各々動作可能である。 - 特許庁
  • As the input of DC voltage into the transformer 434 is stopped, the driving circuit 420 opens the plurality of switches S1 and S2 in the inverter circuit 430, forming electrical isolation between the capacitor C1 and the transformer 434, which prevents voltage oscillation and stores the energy into the capacitor C1.
    直流電圧の変圧器４３４への入力が止められると、駆動回路４２０はインバータ回路４３０内で複数のスイッチＳ１、Ｓ２を開き、コンデンサＣ１と変圧器４３４との間に電気的絶縁を形成し、電圧発振を防ぐとともにエネルギーをコンデンサＣ１に蓄える。 - 特許庁
  • The (base isolation structure) block product and the block structure strong against vibration without collapsing the joining part of the block product, can be provided by installing recessed-projecting cylindrical packing made of a rubber or resilient raw material in a joint part.
    ジョイント部分にゴムまたは弾力性のある素材で出来た凹凸ある円筒状のパッキンを取りつけることにより、ブロック製品の接合部が壊れにくく、振動に強い（免震構造）特徴を有するブロック製品およびブロック構造体を提供することを可能とした。 - 特許庁
  • The base isolation structure is arranged between a building and the ground, and constructed by stacking a plurality of rubber layers and hard plate layers alternately and horizontally to the ground surface.
    建築物と地盤との間に配置され、ゴム層と硬質板層とをそれぞれ複数個、交互にかつ地盤表面に水平に積層してなる免震構造体であって、下記の等価剛性Ｋｅｑ及び等価減衰定数Ｈｅｑに関する特性を有することを特徴とする免震構造体。 - 特許庁
  • To provide a thermosetting resin composition for mounting an electronic part, having high reliability of junction between an electrode of the electronic part and an electrode on a circuit board, and capable of connecting the electrode of the electronic part with the circuit board at a low cost while securing the reliability of isolation between neighboring electrodes.
    電子部品の電極と回路基板上の電極との接合の信頼性が高く、また、隣接電極間の絶縁信頼性を確保しつつ、低コストで電子部品の電極を回路基板に接続できる電子部品実装用熱硬化性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
  • This device contains a silicon substrate 10 on which a MOS element 14 and an element-isolation region 12 are formed, a first interlayer insulation layer 20 formed on the silicon substrate 10, and a metallic wiring layer 30 (and 50) formed on the first interlayer insulation layer 20.
    多層配線構造を有する半導体装置は、ＭＯＳ素子１４および素子分離領域１２が形成されたシリコン基板１０、シリコン基板の上に形成された第１の層間絶縁層２０、および第１の層間絶縁層より上に形成された金属配線層３０（および５０）を含む。 - 特許庁
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