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風等による微小振動をも効果的に早期に減衰できて強風時の制振効果を得ることができる上に、大地震が生じない限り長期に亘って斯かる効果を維持できる粘性系の振動減衰装置及びこの粘性系の振動減衰装置を具備した免震建物を提供すること。 - 特許庁 - To provide a process for spin-on deposition of a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates such as silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon.
記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、１つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a technology capable of easily forming elements by filling a gap between elements with a brittle light-transmissive insulator, executing substrate separation such as sapphire after that and executing the element isolation of a portion of the brittle light-transmissive insulator by dicing, in a nitride-based semiconductor light-emitting element.
本発明は、窒化物系半導体発光素子において素子間が脆性透光性絶縁体部によって充填され、しかる後に、サファイアなどの基板剥離を実施し、脆性透光性絶縁体部の部分をダイシングにより素子分離することにより、容易で素子化しやすい技術を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device that has good-linearity gate voltage to gate current characteristics by preventing a reverse narrow-channel effect without changing a threshold voltage depending upon the wide or narrow channel width, and is provided with a trench isolation type MISFET with a constitution that can be manufactured without increasing the manufacturing process.
逆狭チャネル効果を防止することにより、チャネル幅の広狭に依存してしきい値電圧が変動することがなく、また良好な直線性のゲート電圧−ドレイン電流特性を示し、かつ工程数を増やすことなく作製できる構成を有する溝分離型ＭＩＳＦＥＴを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided with a transistor region 3 subjected to element isolation by a first DTI 2 formed on a semiconductor substrate 1; and an inductor region 5 formed on a second DTI 4, a silicon oxide film 6 and a polysilicon 7 are filled in the first DTI, and the silicon oxide film 6 is filled in the second DTI.
半導体基板１に形成された第１のＤＴＩ２により素子分離されたトランジスタ領域３と、第２のＤＴＩ４上に形成されたインダクタ領域５を備え、前記第１のＤＴＩ内をシリコン酸化膜６とポリシリコン７により充填し、前記第２のＤＴＩ内はシリコン酸化膜６により充填している。 - 特許庁 - In dry etching employing a resist pattern 13 for patterning a silicon nitride film 12 and a silicon oxide film 11, a defect introduced into a silicon substrate 10 at the time of growth to cause a conical pattern defect is removed by digging down the surface of an isolation trench forming region on a silicon substrate at the time of overetching.
シリコン窒化膜１２及びシリコン酸化膜１１をパターン化するためのレジストパターン１３を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板１０における分離用溝形成領域の表面部を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板１０中の成長時導入欠陥を除去する。 - 特許庁 - In the semiconductor device, a second gate insulating film layer 7 consists of an NONON multilayer film structure, and a silicon nitride film 7a located at the lowermost layer is formed in a region touching a floating gate electrode layer FG, but a silicon oxide film 7b is formed on an isolation film 6 substantially over the entire surface thereof.
第２のゲート絶縁膜層７がＮＯＮＯＮ積層膜構造で構成されると共に、その最下層に位置するシリコン窒化膜７ａがフローティングゲート電極層ＦＧに接触する領域では形成されているものの素子分離絶縁膜６上にはシリコン酸化膜７ｂが略全面に渡って形成されている。 - 特許庁 - To take isolation even with a high frequency between a pair of transmission/reception devices without using the RF switches of multiple stages, to secure an insertion loss, to control the attenuation quantity of transmission signal power and to monitor the operation state of a standby system in a hot standby type transmission device.
ホットスタンバイ型送信装置に関し、多段のＲＦスイッチを用いずに、一対の送受信装置間で高周波数でもアイソレーションが取れ、挿入損失を確保でき、送信信号電力の減衰量を調節することができるとともに、予備系システムの動作状態を監視することができるようにする。 - 特許庁 - To obtain a package for high-frequency circuit, which suppresses the deterioration of cavity resonance and isolation characteristics and has superior transmission characteristics in the package consisting of a package base mounting a high-frequency semiconductor element, a package lid, arranged on the package base and an electromagnetic wave absorber arranged inside the package lid.
高周波半導体素子が実装されたパッケージベースと、該パッケージベース上に配設されたパッケージ蓋体と、該パッケージ蓋体の内側に配設された電磁波吸収体とからなる高周波回路用パッケージにおいて、空洞共振、アイソレーション特性の劣化を抑制し且つ伝送特性に優れた高周波回路用パッケージを得る。 - 特許庁 - The plane shape of a damper body 1 is curved and formed in the damper obtained by bending and forming the damper body 1 in an approximately U shape by a metal such as lead in the base-isolation damper reducing the energy of the earthquake transmitted to a building structure when the earthquake is generated by jointly using the damper with the seismic isolator.
免震アイソレータと併用して地震発生時に建築構造物に伝わる地震エネルギーを減少させる免震ダンパであって、ダンパ本体１を鉛等の金属により断面略Ｕ字状に屈曲形成したものにおいて、上記ダンパ本体１の平面形状を湾曲形成したことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a fabrication process of a semiconductor device which forms a tensile stress film and a compressive stress film, respectively, in an NMOS formation region and a PMOS formation region without causing such a problem as formation of a recess in an isolation portion or etching residue, and to provide a semiconductor device.
素子分離部への凹部の形成やエッチング残りなどの問題を生じることなく、ＮＭＯＳ形成領域およびＰＭＯＳ形成領域にそれぞれ引張り応力膜および圧縮応力膜を選択的に形成することができる、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a directional coupler which has stable directivity characteristics, coupling characteristics, and isolation characteristics over a wide frequency range.
従来のマイクロストリップラインを使用した方向性結合器では、カップリング周波数特性はほぼ平坦な特性であるものの、アイソレーション特性は周波数に依存し、周波数が高くなるに従って方向性特性減衰量が小さくなるので、広い周波数帯域にわたり多数の通信チャネルを確保する送信機には不向きである。 - 特許庁 - The identification/isolation of the mesenchymal stem cell is effectively carried out by detecting the expression of an activated gene because the expression of the target gene of the vitamin D receptor is activated in the mesenchymal stem cell by the addition of a material for activating the expression of the gene such as 1,25-dihydroxyvitamine D.
また、ビタミンＤ受容体の標的遺伝子が、１，２５水酸化ビタミンＤのような遺伝子の発現活性化物質の添加により、間葉系幹細胞中において、その発現が亢進されることから、該亢進した遺伝子の発現を検出することにより、効果的に間葉系幹細胞の識別・分離を行う。 - 特許庁 - This semiconductor device having high dielectric strength comprises a semiconductor region 2, a diffusion region 6 for contact, a isolation diffusion region 4, a field insulation film 16, a metal electrode 25 electrically connected to the diffusion region 6 for contact and a plurality of plate electrodes 18a, 19a formed under the floating condition.
半導体領域２と、コンタクト用拡散領域６と、分離拡散領域４と、フィールド絶縁膜１６と、コンタクト用拡散領域６と電気的に接続された金属電極２５と、フローティング状態で形成された複数のプレート電極１８ａ、１９ａとを備えた高耐圧半導体装置である。 - 特許庁 - To independently form a grounding potential GND coming into contact with a P type isolation region surrounding an outer periphery of transistors constituting a cascode circuit, whereby a leakage to the input terminal side of a reception signal of a local oscillator signal component is suppressed to the minimum.
ＩＣチップ小型化に伴い、ダブルバランストミキサ回路の上段部から下段部への局部発振器信号の漏洩経路として、配線を経由する従来のもの以外に、ダブルバランストミキサ部とカスコード部の間のＰ^+型分離領域が持つ寄生容量を経由するものの割合が高まり、ローカル漏洩特性が劣化する。 - 特許庁 - To provide a circuit for making a frequency band with matched impedance matching flat and wide so as to reduce a loss relative to transmission and to provide a branching composite circuit for enhancing the isolation between desired transmission lines without the need for attaching a particular unit between the lines and performing composing / distribution of microwave circuits with excellent design performance.
インピーダンス整合のとれた帯域を平坦にかつ広くし、透過に伴う損失を小さくする回路を提供し、伝送線路間に特別な装置を付加することなく、所望の伝送線路間のアイソレーションを向上させ、さらに設計性に優れたマイクロ波回路の合成／分配を行う分岐合成回路を提供する。 - 特許庁 - To provide a fluid-sealed vibration control device having a new structure, which stably provides a desired vibration isolation effect by suppressing highly dynamic spring motion caused by a closed state of an orifice passage, advantageously facilitates manufacturing, and reduces cost by protecting a flexible rubber film without increasing the number of components.
オリフィス通路の閉塞状態に起因する高動ばね化が抑えられて、所期の防振効果が安定して得られることに加え、部品点数の増加を伴うことなく可撓性ゴム膜が保護されることによって、製造の容易化や低コスト化が有利に図られ得る、新規な構造の流体封入式防振装置を提供する。 - 特許庁 - A new phase compensated 180° rat race hybrid type power distributor can improve the RF.LO isolation on wide band width by adding a short transmission line 11 and a capacitor 10 (or resistor) of a low value to the topology of a conventional 180° rat race hybrid device and is allowed to be simply assembled.
新しい位相補償１８０度ラットレースハイブリッド型電力分配器は、従来の１８０度ラットレースハイブリッド装置のトポロジー上に、短い伝送路１１と、値の低いコンデンサ１０（または抵抗器）を加えることにより、広い帯域幅上でミキサーのＲＦ・ＬＯアイソレーションを向上させると共に、簡単に組み立てられる。 - 特許庁 - A controller monitors the system coolant and automatically shuts off flow of system coolant through the heat exchanger, using at least one isolation valve, upon detection of failure at one of the MCUs, while allowing the remaining operational MCU to provide system coolant to the electronics subsystem for liquid cooling thereof.
コントローラが、システム冷却剤をモニタし、ＭＣＵの一つの故障を検知すると、残りの作動可能なＭＣＵが電子サブシステムにシステム冷却剤を供給してこれを液体冷却できるようにさせながら、少なくとも一つの遮断バルブを使って、熱交換器を通るシステム冷却剤の流れを自動的に遮断する。 - 特許庁 - The deposited isolation structure 46 is manufactured by executing the steps of forming a silicon oxide film 43 on which the epitaxial layer is relatively hardly grown, forming a nitride film 44 on which the epitaxial layer is relatively easily grown, and patterning the nitride film 44 and the silicon oxide film 43.
堆積分離構造４６は、エピタキシャル層の成長が相対的に生じにくいシリコン酸化膜４３を形成する工程と、エピタキシャル層の成長が相対的に生じやすい窒化膜４４を形成する工程と、窒化膜４４およびシリコン酸化膜４３をパターニングする工程を実行して作製する。 - 特許庁 - The model 3 suggesting a scene, a story or a certain situation is arranged in a space SP where the audience can directly view it without interposing an isolation subject, and the video related with the model 3 is projected into the space SP by projectors 4 and 5 so as to form aerial images JT1m and JT2m.
観客が隔離物を介することなく直接的に視覚することのできる空間ＳＰ内に、風景、物語、またはある状況などを連想させる模型３を配置し、模型３と関連する映像を、投影装置４，５によって、空間ＳＰ内に空中の像ＪＴ１ｍ，ＪＴ２ｍとして投影する。 - 特許庁 - To remarkably improve the workability of an isolator 5 of a vibration isolation system wherein a coil spring 8 is accommodated in upper and lower two spring cases 7, 6, by sliding and moving the isolator on a frame 10, when its position is adjusted in installation work, while keeping the stability in its attitude in an installed state same as that in a conventional one.
上下２つのばねケース７，６内にコイルばね８を収容してなる防振台のアイソレータ５において、設置状態での姿勢安定性を従来までと同等のものとしながら、設置作業時に位置を調整するときにはフレーム１０上を滑らせて移動できるようにして、その作業性を大幅に向上する。 - 特許庁 - To provide a reinforcing wooden material which can suppress an increase in cost while using prism-shaped wood as a principal material and securing necessary strength and which enables members to be connected together by simple field work using joint connection, nails and screws, a frame body for a sill, and a base-isolation sill structure.
角柱木材を主材としつつも、必要な強度を確保しながらもコスト上昇を抑制することができ、しかも、部材相互の連結も仕口接合や釘やビスを用いる簡単な現場作業で行うことができる補強木質材および土台用枠体ならび免震土台構造の提供。 - 特許庁 - To provide a method of forming an isolation film of a semiconductor device wherein threshold voltage characteristics of cells can be improved by prohibiting the moat phenomenon that can be generated at the interface between an inactive region and an active region, and wherein the reliability of the resulting semiconductor devices can be improved through secured characteristics of a stabilized transistor by improving threshold voltage characteristics of cells.
非活性領域と活性領域間の界面に発生するおそれのあるモウト現象を改善してセルのしきい値電圧特性を向上させ、これにより安定したトランジスタの特性を確保して半導体素子の信頼性を増大させる半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁 - The recording layer (RL) comprises a lower layer of high-anisotropy FePt alloy having chemical regularity, an upper layer of a low-anisotropy Co/X laminate or multiple layer (ML) having perpendicular magnetic anisotropy, and a nonmagnetic isolation layer or coupling layer (CL) between the FePt layer and ML which is provided upon occasion.
この記録層（ＲＬ）は、化学的規則性をもつ高異方性のＦｅＰｔ合金の下部層と、垂直磁気異方性を有する低異方性のＣｏ／Ｘ積層体または多重層（ＭＬ）の上部層と、場合によって設けられる、ＦｅＰｔ層とＭＬとの間の非磁性の分離層または結合層（ＣＬ）とから形成される。 - 特許庁 - This semiconductor device includes an element isolation film formed in a predetermined region of a semiconductor substrate to define a cell active region, a resistor active region, and a mask ROM active region and a floating junction region, a resistive junction region, and a channel junction region which are respectively formed in those active regions.
この半導体装置は半導体基板の所定領域に形成されてセル活性領域、抵抗体活性領域及びマスクＲＯＭ活性領域を限定する素子分離膜及びこれら活性領域に各々形成される浮遊接合領域、抵抗接合領域及びチャンネル接合領域を含む。 - 特許庁 - The EEPROM is provided with: a semiconductor substrate; component isolation films that define active regions on the semiconductor substrate; at least one insulating film that fills up a trench formed on the active region; a floating gate insulating film formed on the insulating film; and a floating gate conductive film formed on the floating gate insulating film.
半導体基板、半導体基板に活性領域を定義する素子分離膜、活性領域に形成されたトレンチを充填する少なくとも一つの絶縁膜、絶縁膜上に形成された浮遊ゲート絶縁膜、及び浮遊ゲート絶縁膜上に形成された浮遊ゲート導電膜を備えるＥＥＰＲＯＭである。 - 特許庁 - To provide a seismic isolation device having the mechanism which can be easily produced and assembled and is capable of stably and adequately holding the structural body of a wooden house on a predetermined state and position on its foundation with the framework built on wooden sill on the top surface of the foundation.
基礎の上面に木材の土台を載架して、その土台上に軸組みして構築する木造家屋において、それの免震構造を、製作・組み立て易い機構をもって構成でき、かつ、家屋の構造体を基礎上の所定の状態位置に安定して保持させるのが適確に行われるようにする。 - 特許庁 - In order to secure isolation between the antenna 151 for transmission and the antenna 152 for reception, through-hole columns 160 for leakage prevention for intercepting leak electromagnetic waves are formed in the vicinity of the boundary between the antenna 151 for transmission and the connection 153 and in the vicinity of the boundary between the antenna 152 for reception and the connection 153.
送信用アンテナ１５１及び受信用アンテナ１５２のアイソレーションを確保するために、送信用アンテナ１５１と連結部１５３との境界近傍、及び受信用アンテナ１５２と連結部１５３との境界近傍に、それぞれ漏れ電磁波を遮蔽するための漏れ防止用スルーホール列１６０を形成している。 - 特許庁 - To take a measure so that wafer inspection probes may not contact mutually even when a PAD is arranged in the center section of a semiconductor substrate to raise isolation between circuit blocks by forming rewiring to be short in a package, such as a chip size package, in which rewiring and external connection terminals are formed on a semiconductor substrate.
チップサイズパッケージのように半導体基板上に再配線と外部接続端子とを形成するパッケージにおいて、再配線を短く形成して、回路ブロック間のアイソレーションを高めるように半導体基板の中央部にＰＡＤを配置する場合にも、ウエハ検査プローブが相互に接触することがないように対策する。 - 特許庁 - Such a solid electrolyte fuel cell can prevent contact resistance increase even if the position of the single cell 100 or the like is shifted because the isolation separator 23 itself is bent toward the laminating direction of the single cell 100 and the fuel cell can be shifted in the laminating direction of the single cell 100, and the uniform stress is given over each layer.
このような固体電解質形燃料電池は、単セル１００等の位置がずれても、隔離セパレータ２３自身が撓むことによって単セル１００の積層方向においてずれることができるため、各層に均一な応力が掛かり、接触抵抗が増大することを防止することができる。 - 特許庁 - To suppress the occurrence of defects in a semiconductor element operating at a high voltage by appropriately selecting the height of element isolation regions for the surface of a substrate when building the semiconductor elements operating at a high voltage and one operating at a low voltage in the same substrate, with respect to a semiconductor device and its manufacturing method.
半導体装置及びその製造方法に関し、同一基板に低電圧動作及び高電圧動作の各半導体素子を作り込む場合、素子分離領域の高さを基板表面との間で適切に選択することで高電圧動作の半導体素子に於ける不良発生を抑止する。 - 特許庁 - As the vertical base isolation device, an air spring 26 comprising a spring chamber vertically expanding and contracting spring chamber 29 by a cylindrical steel case 26a having one blocked end and a sliding body 26b slid within the case is used, and a sliding mechanism is interposed between one end of the air spring and one structure on which the one end abuts.
上下免振装置には、一端が閉塞された円筒状の鋼製ケース２６ａと該ケース内を摺動する摺動体２６ｂとによって内部に上下に拡縮するバネ室２９を形成した空気バネ２６を用い、該空気バネの一端と該一端が当接する一方の構造物との間に滑動機構を介在させる。 - 特許庁 - An absorption chip 12 mounted to the front end side of a vacuum tweezers body has a flatly shaped absorption unit 18 which has an absorption face 17 provided with a absorption hole 16 which opens to both sides, and a wafer isolation unit 20 which is integrally formed at the edge of a front end of the absorption unit 18 and has a 'V' shape in cross section.
真空ピンセット本体の前端側に挿着される吸着チップ１２は、扁平状をした吸着部１８の両面に吸引口１６が開口する吸着面１７を有し、吸着部１８の先端縁に一体に形成された断面Ｖ字状のウェーハ分離部２０を有している。 - 特許庁 - In a method of isolating an SOI transistor, by forming a trench and filling up the trench with an insulating film, there are provided a completely isolated region 157b where a trench is cut, until it reaches a ground insulating film and a partial isolation region 157a which is cut so as not to reach to the ground insulating film, leaving an SOI layer uncut.
トレンチ形成及びトレンチへの絶縁膜の埋め込みによりＳＯＩトランジスタを分離する方法において、下地絶縁膜に達するまでトレンチを形成する完全分離領域と、下地絶縁膜まで達しないでＳＯＩ層を残すようトレンチを形成する部分分離領域１５７ａとを形成する。 - 特許庁 - To prevent deterioration of vibration isolation performance even when a stationary state by transportation or warehousing after assembling to a disk device is bad, in a viscous fluid-sealed damper which is equipped with a sealed vessel having a flexible film part and a viscous fluid sealed in the sealed vessel, and damps vibration transmitted between a supporting body and a supported body.
可撓膜部を有する密閉容器と、該密閉容器に封入する粘性流体とを備えており、支持体と被支持体との間で伝達する振動を減衰する粘性流体封入ダンパーについて、ディスク装置に組み付けた後の輸送や倉積みにおける静置状態が悪くても防振性能の悪化が生じないこと。 - 特許庁 - The isolation element includes a first resilient annular member coupled directly or indirectly to the first scroll element, a second resilient annular member coupled directly or indirectly to the second scroll element, and a tubular member coupled between the first and second annular members.
分離要素は、第１のスクロール要素に直接的にまたは間接的に連結された第１の弾性環状部材と、第２のスクロール要素に直接的にまたは間接的に連結された第２の弾性環状部材と、第１および第２の環状部材の間に連結された管状部材と、を含んでいる。 - 特許庁 - Then, the phase shifter attenuator phase-shifts the electric power at the coupling terminal so that the phase of the signal outputted by the phase shifter attenuator is 180° in a phase difference from the phase of the signal at the isolation terminal, in a loaded state of an antenna end in which the distortion characteristics of the power amplifier deteriorate.
そして、該移相・減衰器は、該電力増幅器の歪特性が劣化する該アンテナ端の負荷状態において、該移相・減衰器が出力する信号の位相が該アイソレーション端子の信号の位相と１８０°の位相差になるように該結合端子の電力を移相することを特徴とする。 - 特許庁 - In a modified local self boosting scheme, 0 volt or low voltages are applied to two or more word lines, on the source side and to two or more word lines on the drain side of the selected word line to reduce band-to-band tunneling, and to improve the isolation of the channel regions coupled to the selected word line.
改造された局部的な自己昇圧方式では、０ボルトまたは低い電圧が選択されたワードラインのソース側の２本以上のワードラインとドレイン側の２本以上のワードラインに印加されて、帯域から帯域へのトンネリングを低減すると共に選択されたワードラインに結合されたチャネル領域の絶縁を改善する。 - 特許庁 - A method of forming an integrated circuit structure includes: a step of providing a wafer having a silicon substrate; a step of forming a plurality of shallow trench isolation (STI) areas in the silicon substrate; and a step of forming a recess by removing an upper part of the silicon substrate between both sides of the plurality of the STI areas.
集積回路構造の形成方法は、シリコン基板を有するウェハを提供するステップ；シリコン基板中に、複数のシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）領域を形成するステップ；複数のＳＴＩ領域の両側間のシリコン基板の上部分を除去することにより、凹部を形成するステップ、からなる。 - 特許庁 - To prevent the damage of a setting space of a battery in a construction machine arranged with the battery behind the left side of a cab even when a mount support member for mounting and supporting a vibration isolation mount supporting the left side rear portion of the cab is enlarged, by installing a restriction member for restricting the displacement of the cab on the mount support member.
キャブの左側後方にバッテリが配された建設機械において、キャブの左側後部を支持する防振マウントを取付支持するためのマウント支持部材に、キャブの変位を規制するための規制部材を設けることで該マウント支持部材が大型化しても、バッテリの配設スペースが損なわれないようにする。 - 特許庁 - The electrostatic coating device 1 is provided with an isolation valve 32 provided in the coating material supply path 22 and electrically isolating the coating material supply path 22 into the applied side to which the high voltage is applied and the non-applied side; and a high speed grounding device 40 for discharging the residual electrical charge in the coating material supply path 22.
静電塗装装置１は、塗料供給路２２に設けられ、この塗料供給路２２を、塗装ガン１３に導通した印加側と塗装ガン１３から絶縁された非印加側とに分断する絶縁分離バルブ３２と、塗料供給路２２の残留電荷を放電する高速接地装置４０と、を備える。 - 特許庁 - To provide a perpendicular medium in which an isolation structure of an underlayer is formed using a simple method as in a conventional manufacturing process for a medium of continuous films, while suppressing dispersion of alignment and reducing magnetic cluster size in a magnetic recording layer, and exhibiting high recording density owing to thin film thickness of the underlayer.
従来の連続膜媒体の作製プロセスに近い簡便な方法を用い、磁気記録層において配向分散を抑制しつつ磁気クラスターサイズを減少させることができる下地層の分離構造を形成し、かつ下地層の薄膜化による記録性能の高性能化が可能な垂直媒体の提供。 - 特許庁 - In the vertical MISFET, an insulator film 2 having a vacancy 4 in part is provided on an Si substrate 1, a lateral semiconductor layer 6 is provided on the vacancy 4 and a part of the insulator film 2, a conductive film 3 is provided with a part of a side face of the semiconductor layer 6 contacting thereon, and device isolation is made by the insulator film 2.
Ｓｉ基板１上に、一部に空孔４を有する絶縁膜２が設けられ、空孔４上及び絶縁膜２の一部上に横方向半導体層６が設けられ、半導体層６の側面の一部に導電膜３が接して設けられ、絶縁膜２により素子分離されている。 - 特許庁 - To provide a pneumatic engineering method and a pneumatic cover device allowing personnel and materials to be transported in and out of a manhole under a condition good in workability while keeping air compressed inside a manhole to suppress infiltration of ground water, during seismic isolation work of the joint between an existing manhole and a sewage pipe in ground with high water content.
高含水地盤に既設のマンホールと下水道管との接合の耐震化工事中、地下水浸入抑制のためマンホール内部の空気を加圧した圧気状態としたまま、作業性の良い構成で人員や機材をマンホール内に搬入出可能とするマンホール作業用圧気工法と圧気蓋装置の提供。 - 特許庁 - There is provided a semiconductor layer 6 of a convex structure composed of a self-matching lateral and vertical epitaxial semiconductor layer having a wiring layer 3 in the lower part through an oxide film 2 on a semiconductor substrate 1, and the semiconductor layer 6 of the convex structure is isolated like an island by an element isolation region embedding insulating film 4 and the oxide film 2.
半導体基板1上に酸化膜2を介して、下部に配線層3を有する自己整合の横及び縦方向エピタキシャル半導体層からなる凸状構造の半導体層6が設けられ、凸状構造の半導体層6は素子分離領域埋め込み絶縁膜4及び酸化膜2により島状に絶縁分離されている。 - 特許庁 - Before the trench is filled with a field insulating film, a liner insulating film 112 is formed on a trench internal wall and a recessed part of a side face of the gate oxide film below the CMP stopper film is filled with the liner insulating film 112, thereby suppressing formation of a gap (void) in the element isolation film lateral to the gate oxide film.
また、トレンチ内をフィールド絶縁膜で充填する前に、ライナー絶縁膜１１２をトレンチ内壁に形成し、ＣＭＰストッパ膜の下のゲート酸化膜の側面の凹み部分をライナー絶縁膜で埋め込むことにより、ゲート酸化膜の側方の素子分離膜に空隙（ボイド）が形成されるのを抑止する。 - 特許庁 - A movable member 40 and a movable support member 30 are included, respectively engaged with a table 12 for mounting a base isolation object and a fixed body 11, disposed between the table and the fixed body, and mutually contacting and relatively moving in at least one direction following relative movement of the table and the fixed body.
免震対象物を載置するテーブル１２と固定体１１とにそれぞれ係合して上記テーブルと固定体との間に配置され、上記テーブルと上記固定体との相対的な移動に伴い相互に接触して相対的に少なくとも一方向に移動する可動部材４０と可動支持部材３０とを備える。 - 特許庁 - By selecting an impurity concentration of the second selective impurity introduction region 18, the first conductivity type in the region expanded by a lateral impurity diffusion from the first selective impurity introduction region 17 is cancelled to suppress a practical expansion of the element isolation region 16 in a lateral direction.
第２の選択的不純物導入領域１８の不純物濃度の選定によって第１の選択的不純物導入領域１７からの不純物の横方向拡散による広がり領域における第１導電型の打消しを行って、素子分離領域１６の横方向の実質的広がりを抑制する。 - 特許庁 - A charge read region 4 is formed between a photoelectric conversion part 2 and a charge transfer path 3 corresponding to the photoelectric conversion part 2, and a PD-VCCD element isolation region 5 is formed in a region except for the charge read region 4 out of a region between the photoelectric conversion part 2 and the charge transfer path 3 at a side thereof.
光電変換部２とこれに対応する電荷転送路３との間には電荷読み出し領域４が形成され、光電変換部２とこの側部にある電荷転送路３との間の領域のうち、電荷読み出し領域４を除く領域には、ＰＤ−ＶＣＣＤ間素子分離領域５が形成されている。 - 特許庁
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