「Isolation」を含む例文一覧(7495)

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  • Economic Growth from Capital Accumulation Regional integration reduces the uncertainty associated with the isolation policies and regulations of parties, and may increase the expected return from investments in parties. Increases in return of capital results in the inflow and accumulation of foreign capital in the form of direct investments, which contribute to the expansion of production volumes within parties.
    資本蓄積に伴う経済成長地域統合が締結される結果、加盟国の政策や規制に関する不確実性の減少、あるいは加盟国における期待収益率の上昇などを通じ、直接投資などの形態で海外から資本が流入・蓄積され、当該国の生産量の拡大に寄与する。 - 経済産業省
  • The contact applies a reference voltage to a semiconductor region of a second conductivity type disposed below the source and drain regions of the transistor for amplification below the gate electrode of the transistor for amplification through a semiconductor region of the second conductivity type disposed along a side surface and a bottom surface of an element isolation region.
    このコンタクトは、素子分離領域の側面及び底面に沿って配された第２導電型の半導体領域を介して、増幅用トランジスタのゲート電極の下部で、増幅用トランジスタのソース及びドレイン領域よりも下方に配された第２導電型の半導体領域に基準電圧を供給する。 - 特許庁
  • Article 15 (1) Isolation prescribed in Article 14-1(1) shall be conducted by admitting such a person to a designated medical institution for specified infectious diseases (designated medical institution of specified infectious diseases prescribed in the Act on Prevention of Infectious Disease and Medical Care of Infectious Patients; The same shall apply hereinafter), or a designated medical institution of Class 1 specified infectious diseases (designated medical institution for Class 1 infectious diseases prescribed in the Act. The same shall apply hereinafter); provided, however, that isolation may be conducted by admitting such a person to a hospital or a clinic that the quarantine station chief considers appropriate, excepting designated medical institutions for specified infectious diseases and designated medical institutions for Class 1 infectious diseases, due to unavoidable circumstances including emergencies.
    第十五条　前条第一項第一号に規定する隔離は、特定感染症指定医療機関（感染症の予防及び感染症の患者に対する医療に関する法律に規定する特定感染症指定医療機関をいう。以下同じ。）又は第一種感染症指定医療機関（同法に規定する第一種感染症指定医療機関をいう。以下同じ。）に入院を委託して行う。ただし、緊急その他やむを得ない理由があるときは、特定感染症指定医療機関若しくは第一種感染症指定医療機関以外の病院又は診療所であつて検疫所長が適当と認めるものにその入院を委託して行うことができる。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which can uniformly and completely remove variations in the thickness of a silicon oxide film, after the silicon oxide film is deposited on an entire semiconductor substrate and then the silicon oxide film other than that embedded within grooves for STI (fine trench isolation) is removed by chemical and mechanical polishing(CMP).
    半導体基体全面にシリコン酸化膜を堆積した後、ＳＴＩ用の溝内に埋め込まれているシリコン酸化膜以外のシリコン酸化膜をＣＭＰ法により除去する際に、そのシリコン酸化膜の膜厚に厚薄のバラツキがあっても、均等に且つ完全に除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • The semiconductor device comprises a semiconductor substrate, a first element region as a source/drain region having a gate electrode formed within the semiconductor substrate, an element region formed in the periphery of the first element region, and recessed portions formed to the two sides provided facing each other of the first element region having the element isolation region formed therein in the inside.
    半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板内に形成され、ゲート電極を有するソース／ドレイン領域としての第１の素子領域と、前記第１の素子領域の周囲に形成された素子分離領域と、前記第１の素子領域の対向する２辺に形成され、内部に前記素子分離領域が形成された凹部とを有する。 - 特許庁
  • To provide a residence capable of designing for improving the isolation from each room and making family communication easy by arranging a common used room facing to a plurality of rooms (children's room, etc.), adjacent to each other and facilitating plan design for a room used for sleeping and studying provided with a study room.
    隣接する複数の部屋（子供部屋等）に面して、共用の部屋を配置することにより、部屋どうしの独立性を高める設計をし得るとともに家族のコミュニケーションを容易に図ることができ、また限られた居住空間であっても、寝室と勉強部屋、さらに共用の書斎を備えたプラン設計を容易にすることができる住宅を提供すること。 - 特許庁
  • To assure minimum necessary isolation between a plurality of high-frequency signal terminals provided at one side of an integrated circuit by suppressing the propagation of the leakage of an unnecessary high-frequency component even when the integrated circuit for handling a signal of the extremely high frequency band such as a microwave band or a millimeter wave band.
    マイクロ波帯やミリ波帯という極めて高い周波数帯の高周波信号を扱う集積回路を実装する場合においても、不要な高周波成分の漏れの伝播を極力抑制して、集積回路の一辺に複数設けられる高周波信号端子間の最低限必要なアイソレーションを確保できるようにする。 - 特許庁
  • The refrigerator 1 cools and stores food in a compartment 31 constituted in a heat isolation box 2, uses a photoresponsive oxygen adsorbing material in which oxygen molecules can be adsorbed and desorbed and a light source irradiating the photoresponsive oxygen adsorbing material with light, and includes an oxygen concentration adjusting device 32 adjusting oxygen concentration in the storage chamber.
    冷蔵庫１は、断熱箱体２内に構成された区画室３１において食品を冷却保存するものであって、酸素分子の吸着及び脱離が可能な光応答性酸素吸着材とこの光応答性酸素吸着材に光を照射する光源を用い、貯蔵室内の酸素濃度を調整する酸素濃度調整装置３２を備える。 - 特許庁
  • To provide a chemical mechanical polishing slurry composition which is particularly useful for a chemical mechanical polishing (CMP) process of a STI (shallow-trench isolation) process forming a semiconductor multilayer structure, minimizes the occurrence of fine scratches, and has a high polishing selection rate of an oxide film to a nitride film.
    半導体多層構造を形成するためのＳＴＩ(Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ)工程の化学的機械的研磨(Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ)工程に特に有用であり、微細スクラッチの発生を最小化し、酸化膜と窒化膜の研磨選択比が高い化学的機械的研磨スラリー組成物を提供する。 - 特許庁
  • To obtain both a proline derivative ligand immobilized in a polymer, in which isolation of a product and recovery and reuse as an asymmetric ligand are readily carried out and which is also useful in a continuous reaction system and a chiral catalyst using the proline derivative ligand and to provide a new reaction method for conjugate addition of a thiol to an α,β-unsaturated carbonyl compound.
    生成物の単離や不斉配位子としての回収、再使用が容易に可能とされ、連続反応システムにおいても有用となる、高分子固定化されたプロリン誘導体配位子と、これを用いたキラル触媒、並びに前記チオール類のα，β−不飽和カルボニル化合物への共役付加のための新しい反応方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a fluid-filled type engine mount for an automobile capable of improving vehicle ride comfort by providing vibration isolation characteristics effective even for the vibration of a large amplitude generated at a lower frequency than that of idling base vibration in addition to the idling base vibration of a high frequency small amplitude in an idling state.
    アイドリング状態下、高周波小振幅のアイドリング基本振動に加えアイドリング基本振動よりも低周波数域で発生する大振幅の振動に対しても有効な防振特性が得られることによって、車両乗り心地の向上が図られ得る、新規な構造の自動車用の流体封入式エンジンマウントを提供する。 - 特許庁
  • The spacer layer 24 of the MR element 5 has a nonmagnetic metal layer 41 placed on a fixed layer 23, a protective layer 42 placed on the metal layer 41 to prevent oxidizing or nitriding of the layer 41, an island-structured isolation layer 44 placed on the protective layer 42 and a cover layer 46 for covering them.
    ＭＲ素子５のスペーサ層２４は、固定層２３の上に配置された非磁性金属層４１と、非磁性金属層４１の酸化または窒化を防止するために非磁性金属層４１の上に配置された保護層４２と、保護層４２の上に配置された島状構造の絶縁層４４と、これらを覆う被覆層４６とを有している。 - 特許庁
  • By providing an exhaust outlet formed for releasing gas generated in the lead storage battery in cell rooms other than those with protrusions formed on rear face of a lid, leak of electrolyte solution from the exhaust outlet due to vibration or the like is prevented even if some electrolyte solution exists in isolation without being immersed in an electrode group soon after it is poured.
    鉛蓄電池の蓋裏面に形成される突出部が存するセル室以外のセル室に、鉛蓄電池で発生するガスを逃す為に形成される排気部を設けることで、電解液の注液直後に極板群に含浸されず遊離して存在する電解液があっても、振動等による電解液の排気部からの漏洩を防止した。 - 特許庁
  • A semiconductor optical device 100 is equipped with a current injection region 112 and a current non-injection region 114 in the optical axis direction of an optical waveguide layer 102, where an isolation groove 116 for electrically isolating the regions 112 and 114 from each other is provided between the regions 112 and 114.
    光導波路層１０２の光軸方向に電流注入領域１１２と電流非注入領域１１４とを有する半導体光素子１００において，前記電流注入領域１１２と前記電流非注入領域１１４との間には，前記両領域間１１２，１１４を電気的に分離するための分離溝１１６が形成される。 - 特許庁
  • This allows the high-quality silicon oxide layer to be formed regardless of being formed at the low temperature, and uniformity of the thickness of the silicon oxide layer to be within 30% on the silicon surface of the side wall section of the recess in the element isolation region.
    シリコン酸化膜中にＫｒを含有させることにより、シリコン酸化膜中および、シリコン／シリコン酸化膜界面でのストレスを緩和することにより、低温で形成したにもかかわらず高品質なシリコン酸化膜を形成し、素子分離領域凹部分の側壁部のシリコン表面においてシリコン酸化膜の厚さの均一性を３０％以内にする。 - 特許庁
  • To provide a base isolation bearing for developing high damping force during deformation due to earthquake without greatly increasing the size and number of plastic bodies such as lead columns while suppressing excessive deformation without giving ill effects to the soundness of a laminated elastic body during great deformation.
    鉛支柱等の塑性体の大きさ及び数量を大幅に増加させずに地震による変形時において高い減衰力を発揮することができる上に、大変形を生じる際はその変形を積層弾性体の健全性に悪影響を及ぼさずに過大な変形を抑制する機能を発揮することができる免震支承を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a radiation image conversion panel of excellent durability which prevents a substrate from corroding owing to phosphors by using a polyparaxylene film as an isolation film for isolating a phosphor layer from the substrate and keeps the phosphor layer without exfoliation over a long-period because the adhesion between the polyparaxylene film and the phosphor layer is high.
    蛍光体層と基板とを隔離する隔離層としてポリパラキシリレン膜を用いることにより、蛍光体による基板の腐食を防止すると共に、ポリパラキシリレン膜と蛍光体層との密着力が高く、長期にわたって蛍光体層が剥離することが無い、耐久性に優れる放射線像変換パネルを提供することにある。 - 特許庁
  • A silicon based electric insulation film containing a second element with respect to silicon is formed beneath an isolation trench between adjacent power generating regions formed by shaping a second electrode layer and the content of the second element in the silicon based electric insulation film is made uneven in the film thickness direction thus obtaining a multilayer thin film solar cell.
    第２電極層の形状加工により形成される隣接する発電領域間の分離溝下に、シリコンに対し第２の元素を含むシリコン系電気絶縁膜が形成され、このシリコン系電気絶縁膜における第２の元素の含有量がその膜厚方向に不均一である集積型薄膜太陽電池により、上記の課題を解決する。 - 特許庁
  • The semiconductor device which has solved the above problems comprises a semiconductor substrate, an element isolation which protrudes from the semiconductor substrate and has a narrower width on the semiconductor substrate than a width in the semiconductor substrate, a semiconductor layer formed on a portion of the semiconductor substrate sandwiched between the element isolations, and a MOSFET formed in the semiconductor layer.
    上記の課題を解決した半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板から突き出し、前記半導体基板上の幅が前記半導体基板中の幅よりも狭い素子分離と、前記素子分離に挟まれた半導体基板部分上に形成された半導体層と、前記半導体層に形成されたＭＯＳＦＥＴとを具備する。 - 特許庁
  • The inventors have eagerly searched physiologically active substances obtained from various microorganisms to consequently success in isolation of novel cyclic compounds exhibiting excellent antimicrobial activities on a bacterium belonging to the genus Propionibacterium or on a phlogogenic bacterium of a periodontal disease from an actinomyces belonging to the genus Streptomyces and further found that these compounds exhibit antiinflammatory actions also.
    本発明者らは、様々な微生物から得られる生理活性物質について鋭意探索した結果、ストレプトミセス属に属する放線菌より、プロピオニバクテリウム属菌種や歯周病起炎菌種に優れた抗菌活性を有する新規な環状化合物を単離することに成功し、更にこれらの化合物は抗炎症作用をも有することを見出した。 - 特許庁
  • An isolation groove 43 is formed in a transparent electrode layer in which an insulating ground layer 42a and a zinc oxide layer 42b are sequentially laminated on a glass 41 by a laser beam which is a second harmonic (with a wavelength of 532 nm) outputted from a Nd-YVO4 (neodymium-YVO4) laser, and whose cross sectional output intensity distribution is equalized and whose fore-end is flat.
    ガラス４１上に絶縁性下地層４２ａと酸化亜鉛層４２ｂが順次積層された透明電極層に対し、Ｎｄ−ＹＶＯ4（ネオジウム・ワイ・ブイ・オー・フォアー）レーザーから出力される第二高調波（波長５３２ｎｍ）であり、ビーム断面の出力強度分布が均一化されかつビーム先端部が平らであるレーザービームで分離溝４３を形成する。 - 特許庁
  • The p-type MOS transistor has an active region STP surrounded by an element isolation region 3, where a width Xb in the longitudinal direction of a gate in a contact not-forming region Wb is narrower than a width Xa in the longitudinal direction of the gate on a contact forming region Wa with a contact plug 10a formed in the breadthwise direction of the gate.
    Ｐ型ＭＯＳトランジスタは、素子分離領域３に囲まれた活性領域ＳＴＰが、ゲート幅方向において、コンタクトプラグ１０ａが形成されるコンタクト形成領域Ｗａにおけるゲート長方向の幅Ｘａに比べて、非コンタクト形成領域Ｗｂにおけるゲート長方向の幅Ｘｂが狭くなっている。 - 特許庁
  • This structure is formed on a silicon substrate in a way that it is formed with a trench having at least one silicon pole in the lower part of the trench that forms side walls of multiple minute trenches, and device isolation insulating films embedded in these minute trenches so that the leak current can be prevented by the silicon pole and caves can be formed in the minute trenches to reduce a device RC delay.
    シリコン基板に形成され、複数の微細トレンチの側壁となる少なくとも一つのシリコン柱をトレンチの下部に含むトレンチと、前記複数の微細トレンチの内部に埋め込まれた素子分離絶縁膜とを備え、シリコン柱を含むことによりリーク電流発生を抑制し、微細トレンチに空洞を形成して素子のＲＣ遅延を減少させる。 - 特許庁
  • A production method of o-aminophenyl ketones of formula I [wherein, R is a 3-6C alkyl group or a 1-6C haloalkyl group] is provided, wherein, a corresponding nitrile (R-CN) is reacted with borontrihalide to form a complex and the complex is reacted with aniline in the presence of a Lewis acid to obtain the objective substance at a high yield without requiring a complex isolation step.
    ［式中、ＲはＣ_３−Ｃ_６シクロアルキルまたはＣ_１−Ｃ_６ハロアルキルである］のｏ−アミノフェニルケトン類の製造方法であって、該当するニトリル（Ｒ−ＣＮ）をボロントリハライドと反応させて錯体を形成し、ルイス酸の存在下でアニリンと反応させることにより、煩わしい単離工程を必要とせず、高い収率で目的物を得ることができる。 - 特許庁
  • To provide an emergency building isolation equipment, capable of instantaneously isolating a nuclear material using facility from the environment during the occurrence of accidents which discharge radioactive materials and radiation, and preventing or reducing the diacharge of the radioactive materials and radiation to the environment and containing without occupying a large space, when it not used.
    核物質使用施設等の放射性物質及び放射線放出事故等の発生時に、その施設を瞬時に外部環境から隔離し、放射性物質及び放射線等の外部環境への放出を防止又は減少させることができ、不使用時には、スペースを取らずに収納可能な建造物緊急遮断設備を提供すること。 - 特許庁
  • Thereby, despite of forming the silicon oxide film at a low temperature, the silicon oxide film of a high quality is formed to make not larger than 30% the unevenness of its thickness in the surface of a silicon present in the sidewall portion of the recessed portion of an element isolation region.
    シリコン酸化膜中にＫｒを含有させることにより、シリコン酸化膜中および、シリコン／シリコン酸化膜界面でのストレスを緩和することにより、低温で形成したにもかかわらず高品質なシリコン酸化膜を形成し、素子分離領域凹部分の側壁部のシリコン表面においてシリコン酸化膜の厚さの均一性を３０％以内にする事を特徴とする。 - 特許庁
  • The isolation separation trenches are formed so that each element formation region forming the dual-face electrode element includes a p-conductivity type semiconductor region and an n-conductivity type semiconductor region forming the pn column region, and the dual-face electrode elements are formed to use the p- or n-conductivity type semiconductor region as a drift region.
    そして、両面電極素子を構成する各素子形成領域がｐｎコラム領域を構成するｐ導電型半導体領域とｎ導電型半導体領域を含むように絶縁分離トレンチを形成し、両面電極素子がｐ導電型半導体領域又はｎ導電型半導体領域をドリフト領域とするようにした。 - 特許庁
  • To provide a reverse blocking insulated gate type bipolar transistor for reducing the occupation area ratio of the isolation region per chip, which becomes a problem if the thickness of a thin wafer (semiconductor substrate) is equal to 150 μm or less, which can avoid the tradeoff between on voltage property and turn off loss, and also for shortening diffusion time, and its fabrication method.
    オン電圧特性とターンオフ損失とのトレードオフを回避できる１５０μｍ以下の薄いウェハ（半導体基板）の場合でも問題となる一チップあたりの分離領域の占有面積比率を小さくすることができ、拡散時間の短縮も図れる逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタおよびその製造方法の提供。 - 特許庁
  • To prevent a deposition rate from being lowered, in a film forming apparatus for laminating a thin film, having an isolation region for isolating atmosphere between a first treatment region which is provided along a circumferential direction of a turntable with a substrate mounted thereon and is supplied with a first reaction gas and a second treatment region to which a second reaction gas is supplied.
    基板を載置する回転テーブルの周方向に沿って設けられる第１の反応ガスが供給される第１の処理領域と、第２の反応ガスが供給される第２の処理領域とをこれら処理領域の雰囲気を分離するための分離領域とを備えた、薄膜を積層する成膜装置において、成膜速度の低下を抑えること。 - 特許庁
  • A gate electrode 4c of the read transistor RTr is shared among a plurality of memory cells MC arrayed in a predetermined direction, and the gate electrode 4c is parted into a plurality of gate electrodes 10 which have an element isolation structure 2 being a stress relaxing structure for relaxing stress acting on an annular active region 3a and each have a gate length of ≤100 μm.
    リードトランジスタＲＴｒのゲート電極４ｃは、所定方向に並ぶ複数のメモリセルＭＣに共有されており、ゲート電極４ｃは、素子分離構造２が環状の活性領域３ａに及ぼす応力を緩和する応力緩和構造であって、各々ゲート長が１００μｍ以下である複数のゲート電極１０に分断されている。 - 特許庁
  • An ECG acquisition device 110 includes: a USB connector 180 for connecting the device to the host device 170; a patient connector 190 for connecting the device to a patient 195 with ECG leads; a processor and storage medium 120; a power management and brokering module 140; a USB communication control module 130; an ECG acquisition circuit 150; and a patient isolation module 160.
    ＥＣＧ取得装置１１０は、ホスト装置１７０に接続するＵＳＢコネクタ１８０と、ＥＣＧ誘導により患者１９５に接続する患者コネクタ１９０と、プロセッサ及び記憶媒体１２０と、電力管理及び仲介モジュール１４０と、ＵＳＢ通信制御モジュール１３０と、ＥＣＧ取得回路１５０と、患者隔離モジュール１６０とを含む。 - 特許庁
  • The concrete foundation 1 of the building is supported on the ground 2 through a foamed resin plate 4, upper and lower slip sheets 5, 5 in the overlapping state are interposed between the foamed resin plate 4 and a ground foundation 3, and horizontal shaking caused by the earthquakes brings about the slip between the upper and lower slip sheets 5, 5 so as to apply the base isolation to the building.
    建物のコンクリート基礎１が発泡樹脂板４を介して地盤２上に支承されると共に、該発泡樹脂板４と地盤基礎３との間に、重ね合わせ状態にした上下の滑りシート５，５が介設され、地震による横揺れによって上下の滑りシート５，５間に滑りを生じて建物が免震されるようになされている。 - 特許庁
  • To prevent a silicide layer 12b of a wiring layer 12 comprising the silicide layer 12b as an uppermost layer formed on an element isolation insulating film 8a and a polysilicon layer 12a as a lower layer from being overetched to disappear when a contact hole 20a etc., are formed by dry etching in an inter-layer insulating film IL having its surface ground in a CMP step to be flattened.
    ＣＭＰ工程でその表面が研削され、平坦化された層間絶縁膜ＩＬ中にドライエッチングによりコンタクトホール２０ａ等を形成する時、素子分離絶縁膜８ａ上に形成された最上層がシリサイド層１２ｂ、下層がポリシリコン層１２ａからなる配線層１２の、該シリサイド層１２ｂがオーバーエッチングにより消失することを防止する。 - 特許庁
  • The solid-state imaging device has: a first semiconductor region 23 of a first conductivity type; a photoelectric conversion unit PD having a second semiconductor region 25 of a second conductivity type that is formed in a region isolated by an element isolation region 28 in the first semiconductor region; and pixel transistors (Tr1 to Tr4) formed in the first semiconductor region.
    第１導電型の第１の半導体領域２３と、第１の半導体領域の素子分離領域２８で分離された領域内に形成された第２導電型の第２の半導体領域２５を有する光電変換部ＰＤと、第１の半導体領域に形成された画素トランジスタ（Ｔｒ１〜）Ｔｒ４）を有する。 - 特許庁
  • The integrated circuit (300) includes the substrate (302), at least two shallow trench isolation (STI) structures (305, 306) formed in the substrate (302), an oxygen filler in at least the two STI structures (305, 306), and a semiconductor element at least disposed on the oxygen filler in the two STI structures (305, 306).
    集積回路（３００）は、基板（３０２）と、基板（３０２）中に形成される少なくとも二つのシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）構造（３０５，３０６）と、少なくとも二つのＳＴＩ構造中に設置される酸化物充填物と、少なくとも二つのＳＴＩ構造中の酸化物充填物上に設置される半導体素子と、からなる。 - 特許庁
  • In an isolation cooling system including an introduction pipe for introducing the steam from a reactor pressure vessel, a heat exchanger for removing the heat from the steam introduced from the introduction pipe and a return pipe for returning the condensate condensed by the heat removal in the heat exchanger, the return pipe includes a regulating valve.
    原子炉圧力容器からの蒸気を導く導入配管と、前記導入配管から導かれた蒸気を除熱する熱交換器と、前記熱交換器での除熱によって凝縮された復水を前記原子炉圧力容器に戻す戻り配管とを備えた隔離時冷却設備において、前記戻り配管に調整弁を備えることを特徴とする。 - 特許庁
  • The travelling device 2 or the crane structure 3 is provided with: the laminated rubber type seismic isolation device 4; an uplift prevention means 5 for preventing uplift of the crane structure; a restriction means 6 for restricting horizontal movement of the crane structure during operation; and a restriction releasing means 18 for releasing restriction of the crane structure when an earthquake occurs.
    走行装置２上又はクレーン構造物３に、積層ゴム型免震装置４と、クレーン構造物の浮き上がりを防止する浮き上がり防止手段５と、作業時にクレーン構造物の水平方向の動きを拘束する拘束手段６と、地震発生時にクレーン構造物の拘束を解放する拘束解放手段１８を設ける。 - 特許庁
  • The base isolation device includes: laminated rubber 3 fixed to an upper structure 2 and slidably supported through a sliding support (a sliding plate 4) relative to a lower structure 1; and a deformation constraining steel pipe 5 coaxially arranged outside the laminated rubber 3 in a state of securing a clearance 6 between the laminated rubber 3 and fixed to the upper structure 2.
    上部構造２に固定されかつ下部構造１に対して滑り支承（滑り板４）を介して滑り可能に支持された積層ゴム３と、積層ゴム３との間にクリアランス６を確保した状態で積層ゴム３の外側に同軸状態で配置されて上部構造２に固定された変形拘束用鋼管５とを備える。 - 特許庁
  • To provide a dialysis membrane using a highly thin molecular recognition resin membrane easily carrying out fractional extraction, fractional elimination, fractional isolation, or detection, quantitative analysis of a specific one kind of component from the mixed aqueous solution of many kinds of antibiotics, saccharides, amino acids, organic toxic substances, and other organic compounds by dialysis.
    多種の抗生物質、糖類、アミノ酸、有機系毒物その他の有機化合物の混合物水溶液から特定の一種類の成分を透析によって容易に分別抽出または分別除去、分別単離あるいは検出、定量分析することが可能な極めて薄い分子認識樹脂膜を用いた透析膜を提供する。 - 特許庁
  • The semiconductor device includes a semiconductor base 1, an insulating layer 2 for element isolation which is at least partially embedded in the semiconductor base 1, an active element formed in the semiconductor base 1 and including an impurity region, and a film 11 formed between the insulating layer 2 and semiconductor base 1, and having negative fixed charges.
    半導体基体１と、半導体基体１に少なくとも一部が埋め込まれた、素子分離のための絶縁層２と、半導体基体１内に形成された不純物領域を含んで成る能動素子と、絶縁層２と半導体基体１との間に形成された、負の固定電荷を有する膜１１とを含んで半導体装置を構成する。 - 特許庁
  • To provide a device and a method for machining a workpiece that allow quick and efficient machining and straightening of, for example, a workpiece such as a flange, constituting a base isolation member or the like, without requiring a skilled worker's technique, and further, achieve improvement in machining accuracy and the amount of straightening with respect to distortion and deflection of a steel material as a material to be machined compared with the conventional machining method.
    例えば免震部材等を構成するフランジ等のワークを熟練者の技術を必要とせず、短時間で効率的に加工・矯正することが可能であり、さらに、従来の加工方法に比べ、材料の鋼材の歪み・撓みに対する加工精度・矯正量が良好となるようなワーク加工装置およびワーク加工方法を提供する。 - 特許庁
  • The RF amplifying unit is equipped with a cathode electrode formed on the substrate, a gate electrode formed at one side of and in isolation from the cathode electrode, an anode electrode formed at one side of the gate electrode, an electron emission source formed on the cathode electrode, and a reflection electrode formed on the upper portion of and parallel with the substrate.
    前記ＲＦ増幅部は、前記基板上に形成されたカソード電極と、前記カソード電極の一側に離隔して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の一側に形成されたアノード電極と、前記カソード電極上で形成された電子放出源と、前記基板の上方に前記基板と平行に形成された反射電極を備える。 - 特許庁
  • A vibration base isolation structure A includes a control circuit board 25 fixed in an inverter box 23, and a heating electric part 35 provided at a bottom part of the inverter box 23 in contact with a heat dissipating plane part 31, for isolating vibration particularly in the thickness direction T of the control circuit board 25 with respect to the lead terminal 35a of the electric part 35.
    制御回路基板２５がインバータボックス２３内に固定され、発熱性のある電気部品３５がインバータボックス２３の底部に設けられ放熱用平面部３１に当接された状態で、制御回路基板２５の特に厚み方向Ｔへの振動を、電気部品３５のリード端子３５ａに対して免振する振動免振構造Ａを設けた。 - 特許庁
  • A short channel region 12 having polarity reverse to that of a low-concentration body region 10 and high in concentration is selectively formed between the low-concentration body region 10 becoming a channel and an element isolation film 4 and immediately under a gate oxide film 8, and a shape where only a part immediately under the gate oxide film 8 of the body region 10 is retracted toward a high-concentration source region 7 is provided.
    チャネルとなる低濃度ボディ領域１０と素子分離膜４の間かつゲート酸化膜８の直下に選択的に低濃度ボディ領域１０と逆の極性で濃度が高いショートチャネル領域１２を設け、ボディ領域１０のゲート酸化膜８直下部分のみを高濃度ソース領域７側に後退させた形状を実現する。 - 特許庁
  • A semiconductor structure including the vertical metal-insulator-metal capacitor, and a method for fabricating the semiconductor structure including the vertical metal-insulator-metal capacitor, each use structural components from a dummy metal oxide semiconductor field effect transistor located and formed over an isolation region located over a semiconductor substrate.
    垂直型金属−絶縁体−金属キャパシタを含む半導体構造体、及び垂直型金属−絶縁体−金属キャパシタを含む半導体構造体の製造方法がそれぞれ、半導体基板の上に配置された分離領域の上に配置され形成されたダミー金属酸化物半導体電界効果トランジスタからの構造コンポーネントを用いる。 - 特許庁
  • Preferred "one-pot" methods include preparing a photoresist resin binder in a selected photoresist solvent and, without isolation of the resin binder from the solvent, adding a photoactive component and other components to the resin binder mixture to thereby obtain a photoresist composition in the solvent in which the resin binder is prepared.
    本発明の好ましいワンポット製法は、選択されたフォトレジスト溶媒中でフォトレジスト樹脂バインダーを調製する工程、当該溶媒中から樹脂バインダーを分離することなく、感光性成分及び他の成分を当該樹脂バインダー混合物中に添加して、樹脂バインダーが調製された溶媒中でフォトレジスト組成物を調製する方法を包含している。 - 特許庁
  • The base isolation structure for seismically isolating a foundation structure of the building comprises a base member having a height in the vertical direction and supporting the building, a rail member having a groove part enclosing a lower end of the base member, and a plurality of spherical bodies housed in the grooved member to support a lower face of the base member.
    建築物の基礎構造において免震を行う、免震構造であって、鉛直方向の高さを有して建築物を支持するベース部材と、当該ベース部材の下端を内包する溝部を有するレール部材と、当該溝部材内に収容されて、前記ベース部材の下面を支持する複数の球体部材とからなる建築物の免震構造。 - 特許庁
  • The method includes a step of forming a trench in a semiconductor substrate, a step of carrying out ion implantation process for preventing impurities implanted in order to adjust a threshold voltage from diffusing, a step of carrying out ion implantation process using an inert gas in the fluorine (F) series in the trench, and a step of forming an element isolation film for trench embedding.
    半導体基板内にトレンチを形成する段階、しきい値電圧の調節のために注入された不純物の拡散防止のイオン注入工程を実施する段階、トレンチ内にフルオリン(Fluorine; F)系列の不活性ガスを用いたイオン注入工程を実施する段階、およびトレンチを埋め込む素子分離膜を形成する段階を含む。 - 特許庁
  • To provide a locking device of a base isolation building capable of attaining a reliable locked state with sufficient locking force without generating a backlash even if residual displacement is generated on an upper structure after an earthquake occurs and capable of obtaining a recovering function resolving the residual displacement generated on the upper structure after the earthquake occurs and an excessive displacement preventing function.
    がた付きを生じることなく、また上部構造体に地震発生後に残量変位が生じても、充分なロック力をもって確実なロック状態を得ることができ、しかも、上部構造体に地震発生後に生じた残量変位を解消する復元機能や過大変位防止機能を得ることができる免震建物のロック装置を提供すること。 - 特許庁
  • To provide the wall oxide film forming method of a flash memory element, and the element isolation film forming method of the flash memory element using this which can improve element property by preventing dislocation phenomenon in which a silicon substrate of trench inner wall is broken by an oxidation process performed after a formation of trench.
    本発明は、トレンチの形成後に行われる酸化工程によってトレンチ内側壁のシリコン基板が破れるディスロケーション現象を防止して素子特性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法及びこれを用いたフラッシュメモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁
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