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＜前へ 1 2 .... 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 次へ＞- The rubber composition for a seismic isolation structure contains a high-cis isoprene rubber having a cis-isomer content of ≥90 mass% as a main rubber component, wherein the ratio of the high-cis isoprene rubber to the total rubber component is ≥50 mass% and the ratio of the cis-isomer in the high-cis isoprene rubber is 90-99 mass%.
シス形の含有割合が９０質量％以上の高シス−イソプレンゴムを主なゴム成分として含有することを特徴とする免震構造体用ゴム組成物であり、高シス−イソプレンゴムが全ゴム成分の５０質量％以上であり、高シス−イソプレンゴムのシス形の含有割合が９０〜９９質量％である免震構造体用ゴム組成物。 - 特許庁 - A decoding part 658 increases the probability, when determining the isolated point candidate pixels detected by the isolated point detection parts 644 and 646 as noise isolated points according to inter-pixel distances represented by the signals D21 and D31, etc., the detected isolated point candidate pixel with smaller detection size is determined as the noise isolation point.
デコード部658 は、信号D21，D31などにより表される画素間距離に基づいて、孤立点検出部644，646により検出された孤立点候補画素をノイズ孤立点と判定するに際して、画素間距離が小さい程検出サイズが小さい方により検出された孤立点候補画素をノイズ孤立点と判定する度合いが大きくなるようにする。 - 特許庁 - To provide a polishing pad which can carry out polishing rapidly while preventing generation of fine polishing scratches and a manufacturing method of a polishing object by carrying out polishing rapidly while preventing generation of polishing scratches when an interlayer insulation film, a BPSG film, a shallow trench separating isolation film and other polishing object surfaces are flattened by polishing.
層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜、その他の被研磨物表面を研磨し平坦化するに当たり、微細な研磨傷の発生を抑制しながら、研磨を高速に実施することができる研磨用パッド及び研磨傷の発生を抑制しながら高速に研磨を実施し、被研磨物の製造法を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor device wherein an element is separated by the LOCOS oxide film is provided with an SOI board having an insulating layer and a silicon layer formed thereon, a plurality of semiconductor elements formed on the silicon layer, and an element isolation area that is formed from the surface of the silicon layer up to the insulating layer and isolates the semiconductor elements electrically.
ＬＯＣＯＳ酸化膜により素子分離された半導体装置が、絶縁層と絶縁層上に設けられたシリコン層とを含むＳＯＩ基板と、シリコン層に形成された複数の半導体素子と、シリコン層の表面から絶縁層に達するように形成され、半導体素子の間を電気的に分離する素子分離領域とを含む。 - 特許庁 - In the ion trap type mass spectrometer, in order to maintain measurement conditions constant, a relation between the peak position of detected ions and a DA converter input which generates a ring voltage at the time is detected, and then, the above relation is used for calibration of a DA converter input which generates a ring voltage at the timing of ion trapping, isolation and collision-dissociation.
イオントラップ型質量分析計において、測定条件を一定に保つため、検出されるイオンのピーク位置とそのときリング電圧を発生させるＤＡコンバータ５への入力値の関係により、その後のイオン取り込み、アイソレーション、衝突解離時のタイミングにおいてリング電圧を発生させるＤＡコンバータ入力値を較正する。 - 特許庁 - An N type epitaxial layer 10 is formed on P type semiconductor substrates 8, 9 and a P type internal isolation region 1 is made through the N type epitaxial layer 10 in the center of the P type semiconductor substrate 8 until the bottom thereof reaches the P type semiconductor substrate 9 in order to separate the N type epitaxial layer 10 into inner and outer regions.
Ｐ型半導体基板８，９上にＮ型エピタキシャル層１０を形成し、Ｎ型エピタキシャル層１０を貫通して底部がＰ型エピタキシャル装置９まで達する状態にＰ型半導体基板８の中央部付近にＰ型の内部分離領域１を設け、Ｎ型エピタキシャル層１０を内側領域と外側領域とに分離する。 - 特許庁 - To provide an abrasive and a method of polishing a substrate, which can efficiently perform removal of an excessively formed film layer and planarization of a silicon oxide film and an embedded film of a metal or the like with high-level quality and with easy process control in a recess CMP technology such as for shallow trench isolation formation and for embedded metal wiring formation and in a planarization CMP technology for an interlayer insulation layer.
シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスＣＭＰ技術及び層間絶縁膜の平坦化ＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁 - (6) The Health, Labour and Welfare Minister shall hear the views of the council and others (institutions set forth in Article 8 of the National Government Organization Law: Act No. 120 of 1948) specified by a Cabinet Order beforehand when the Minister determines the case pursuant to Item 2 or Item 3 (limited to cases where more than thirty days have elapsed from the start of the isolation).
６ 厚生労働大臣は、第二項の裁決又は第三項の裁決（隔離の期間が三十日を超える者に係るものに限る。）をしようとするときは、あらかじめ、審議会等（国家行政組織法（昭和二十三年法律第百二十号）第八条に規定する機関をいう。）で政令で定めるものの意見を聴かなければならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム - A gate electrode comprising poly-Si 4 and WSi 5 is provided via a gate oxide film 3 in an active region on a semiconductor substrate 1 isolated by an isolation region 2 and a capacity contact hole 8 reaching a diffusion region is formed contiguously to a gate electrode, while being self-aligned in an interlayer insulation film 7 deposited to cover the electrode.
半導体基板１上の素子分離領域２により分離された能動領域に、ゲート酸化膜３を介して多結晶Ｓｉ４とＷＳｉ５からなるゲート電極を設け、該電極を覆って堆積した層間絶縁膜７に、ゲート電極に対し隣接し自己整合的に形成された拡散領域まで貫通する容量接続孔８を形成する。 - 特許庁 - The mesa isolation monolithic light emitting diode comprises an emission layer 14 formed on a substrate 11, and a stopper layer 15 provided on the emission layer 14 wherein intersecting mesa etching trenches are provided in the side of the stopper layer 15 opposite to the substrate and a light emitting part is isolated into a plurality of parts arranged in one or a plurality of rows.
少なくとも基板１１上に積層された発光層１４と、該発光層１４上に設けられたストッパー層１５とを有し、該ストッパー層１５の基板とは反対側の表面側に相交差するメサエッチング溝を設け、該メサエッチング溝により発光部を一列配置ないしは複数列配置に並ぶように複数個に分離させる。 - 特許庁 - To provide a toner which obtains a satisfactory image even if a toner image is fixed at a relatively low temperature for energy saving, has high storage stability to prevent aggregation even without requiring cold insulation or insulation packaging when being stored or transported, and has no image defecst caused by wax isolation therefrom, and to provide an image forming method using the toner.
省エネルギー化に対応するため、比較的低い温度でトナー画像を定着しても良好な画像が得られ、かつトナーを保管あるいは輸送するときに保冷や断熱梱包しなくても凝集することのない高い保存安定性を有し、さらにトナーからのワックス遊離による画像不良のないトナー、とそれを用いた画像形成方法を提供する。 - 特許庁 - In the vibration control building 10 including an internal building 30 composed of a multistoried building; an external building 20 constructed to surround the internal building 30 and lower in rigidity than the internal building 30; and a vibration control damper 40 provided to connect the internal building 30 to the external building 20, a base isolation layer 21 is provided in a lower part of the external building 20.
高層建物からなる内部建物３０と、内部建物３０を取り囲むように構築され、内部建物３０に比べて剛性の低い外部建物２０と、内部建物３０と外部建物２０の間を結ぶように設けられた制振ダンパー４０とを備えてなる制振建物１０において、外部建物２０の下部に免震層２１を設ける。 - 特許庁 - This plasma CVD device has a hollow structure of plasma confinement electrode plate 5 for plasma isolation being provided with a plurality of holes, between a plasma generation region and a substrate processing region, and the plasma confinement electrode plate 5 is provided with a radical passage hole and a neutral gas passage hole, and plural sheets of gas diffusion plates 7 (11 and 12) having holes are provided inside the plasma confinement electrode plate.
プラズマ生成領域と基板処理領域との間に、複数の孔が設けられたプラズマ分離用の中空構造のプラズマ閉込電極板５を有し、プラズマ閉込電極板５には、ラジカル通過孔と中性ガス通過孔が設けられ、プラズマ閉込電極板の内側には、孔を有するガス拡散板７（１１，１２）が複数枚設けられている。 - 特許庁 - A solid-state imaging element has a photoelectric converter (31) for converting incident light into an electrical signal, according to its amount of light, the optical waveguide (38) formed of a metal oxide for leading the incident light to the photoelectric converter, and isolation layers (37 and 40) with translucent characteristics provided between the waveguide and the photoelectric conversion element.
固体撮像素子において、入射光をその光量に応じて電気信号に変換する光電変換部（３１）と、前記光電変換部に入射光を導くための金属酸化物で形成された光導波路（３８）と、前記光導波路と前記光電変換素子との間に配設された、透光特性を有する分離層（３７、４０）とを有する。 - 特許庁 - Electrode terminals (E1 to E36) are provided near the substrate 1 to obtain direct current (DC) or high-frequency signals, and a dice-bonded region DDB1 for handling DC signals and a dice bond region RDB1 for handling high-frequency signals are provided separately at the center of the substrate 1 so that the isolation characteristics are improved.
基板１の周辺部に、直流あるいは高周波信号を取り出す電極端子（Ｅ１〜Ｅ３６）を配設し、基板１の中央部に、直流信号を扱う半導体ブロックのダイスボンド領域ＤＤＢ１と、高周波信号を扱う半導体ブロックのダイスボンド領域ＲＤＢ１とを分離して配設することにより、アイソレーション特性を向上させる。 - 特許庁 - An isolation structure consisting of a siliceous film having a refractive index of 1.4 or higher is formed by coating the surface of a substrate with a first polysilazane composition containing an agent for rendering porous, and calcining the first polysilazane composition to form a porous siliceous film having a refractive index of 1.3 or lower, thereafter impregnating the surface of the film with a second polysilazane composition and calcining the film.
基板表面に多孔質化剤を含む第１のポリシラザン組成物を塗布および焼成して、屈折率が１．３以下の多孔質シリカ質膜を形成させ、次いでその膜の表面に第２のポリシラザン組成物を含浸させ、焼成することにより、屈折率１．４以上のシリカ質膜からなるアイソレーション構造を形成させる。 - 特許庁 - The gate electrode 15 comprises a first portion, which is arranged on the active region 11a via the gate insulating film 13, consisting of a silicide region on the limited entire region in the thickness direction; and a second portion which is prepared on the element isolation region 12, consisting of silicon region and the silicide region, formed so that it covers the silicon region.
ゲート電極１５は、活性領域１１ａ上にゲート絶縁膜１３を介して設けられ、厚さ方向における全領域がシリサイド領域からなる第１の部分と、素子分離領域１２の上に設けられ、シリコン領域及び該シリコン領域を覆うように形成されたシリサイド領域からなる第２の部分とを有している。 - 特許庁 - To provide a base isolation method for an exsisting building by filling adhesives such as epoxy resin, etc., in spaces between cut faces such as a column and a footing of the exsisting building and top/bottom face plates of a base isolator to effectively utilize an accurately cut face and easily fitting the base isolator with low vibration, low noise, and a short construction term.
精度良く切断した面を有効利用するべく、既存建物の柱や基礎等の切断面と免震装置の上下部面板との間にエポキシ樹脂等の接着剤を充填して軽便に免震装置を取り付けることができ、ひいては、低振動、低騒音、短工期で実施可能な既存建物の免震化工法を提供する。 - 特許庁 - To provide a wind-resistive apparatus for lightweight base isolation building, which is able to quickly fix the lightweight upper structure to a foundation for not giving rolling or overturning to the lightweight upper structure during a strong wind caused by typhoon or the like, and further able to return the lightweight upper struc ture to the original position in addition to its automation.
台風等における強風において軽量上部構造物に横揺れ、転倒を生じさせないように、軽量上部構造物を迅速に基礎に固定でき、しかも、軽量上部構造物を元の位置に復帰させる機能を容易に付加できる上に、自動化も可能な軽量免震構造物の耐風装置を提供すること。 - 特許庁 - In addition, by making an isolation distance between the light emission elements in one set, it is possible to shorten a distance required to mix colors of light rays emitted from the respective light emission elements, and to closely arrange a cover such as a diffusive plate covering the light emission elements to the light emission elements, so as to achieve a thin-type lighting device.
また、１つの組内の発光素子同士の離隔寸法を小さくすることにより、それぞれの発光素子から発せられる光の色が混ざるのに必要な距離を短くすることができ、発光素子を覆う拡散板などのカバーを発光素子に近づけて配置することができ、薄型の照明装置を実現することができる。 - 特許庁 - Also, a thermosensitive foaming material 33 is provided with a gap to the slide plate 22 on the lower end faces of the fireproof coating materials 32a-32d, and the base isolation slide bearing is surely protected from a fire by filling the gap between the fireproof coating materials 32a-32d and the slide plate 22 by the thermosensitive foaming material 33 foamed by the heat when a fire occurs.
また、耐火被覆材３２ａ〜３２ｄの下端面に滑り板２２に対して隙間を空けて熱感応型発泡材３３を設け、火災時にはその熱で発泡した熱感応型発泡材３３により耐火被覆材３２ａ〜３２ｄと滑り板２２との間の隙間を埋めて免震滑り支承を確実に火災から保護するようにする。 - 特許庁 - To provide a transistor of semiconductor device in which a channel region is formed on a sidewall of an active region that protrudes above a device isolation film, and a contact to a landing plug is extended to the sidewall in the direction of the major axis of the protruding active region to improve short channel effect as well as to reduce contact resistance, and to provide a method of manufacturing the same.
チャンネル領域を素子分離膜の上部に突出された活性領域の側壁に形成し、ランディングプラグとのコンタクトを突出した活性領域の長軸方向の側壁まで拡張してショートチャンネル効果を改善し、コンタクト抵抗を減少させることができる半導体素子のトランジスタおよびその形成方法を提供する。 - 特許庁 - The insulating layer 9 is composed of a first insulating film 9a comprising a silicone oxide film patterned so as to spread over a strong electric field drift layer 6 and an element isolation layer 3b, and a second insulating film 9b comprising a silicone oxide film patterned so as to cover the converging electrode 8 on the first insulating film 9a and the first insulating film 9a.
絶縁層９は、強電界ドリフト層６上と素子分離層３ｂ上とに跨ってパターン形成されたシリコン酸化膜からなる第１の絶縁膜９ａと、第１の絶縁膜９ａと第１の絶縁膜９ａ上の収束電極８とを覆うようにパターン形成されたシリコン酸化膜からなる第２の絶縁膜９ｂとで構成されている。 - 特許庁 - To provide a support member mainly for a base isolation device and a vibration control device supporting a large load without increasing height, having a floating constraining function, having a horizontal surface inside rotation constraining function by an X-Y direction rail, using a universal joint so as to move smoothly even when a plural number of supports are used and of low cost.
本発明は、高さを増すことなく大荷重を支持し、浮上がり拘束機能を持ち、Ｘ−Ｙ方向レールにより水平面内回転拘束機能を持ち、かつこの支承を複数個使用してもスムーズに動くようにユニバーサルジョイントを用い、さらに安価な主に免震装置および制振装置用支承部材を提供すること。 - 特許庁 - The base isolation structure 11 comprises the upper side connection steel plate 12, the lower side connection steel plate 13, rubber layers 14 and internal steel plates 15 alternately arranged therebetween, the weatherproof rubber 16 covering the side faces thereof, and a well adhesive rubber 17 laid between the connection steel plates 12, 13 and the weatherproof rubber 16 in a well adhesive manner.
免震構造体１１は、上側連結鋼板１２と、下側連結鋼板１３と、両者の間に交互に配置されたゴム層１４及び内部鋼板１５と、これらの側面を覆っている耐候性ゴム１６と、連結鋼板１２，１３と耐候性ゴム１６との間に介在された、双方に接着性の良い良接着性ゴム１７とを備えている。 - 特許庁 - To correct a phase generated by a mechanical characteristic of an isolation amplifier or the like used for detecting a potential, and to allow accurate measurements, by controlling mutually an amplitude and a phase between two direct digital synthesizers (DDSs) to bring the potential in a reference potential point to a minimum, using the two direct digital synthesizers (DDSs), in a spectrum forcible polarization survey device.
スペクトル強制分極探査装置において、二つのダイレクトデジタルシンセサイザを用い、基準電位点の電位が最小になるように、ＤＤＳ間の振幅と位相を相互に制御することにより電位検出のため用いたアイソレーションアンプ等の機械的特性によって生じた位相の補正を可能とするとともに、高精度な計測を可能とする。 - 特許庁 - A lever beam 32 is interposed between a lower structure 22 and an upper structure 24, the end 32a far from a fulcrum of the lever beam 32 is connected to either of the upper structure 24 and the lower structure, and the other end 32b and the other structure are connected to each other through a vertical base isolation member 40.
下方構造体２２と上方構造体２４との間に、梃子梁３２を介在させ、該梃子梁３２の支点から遠い側の端部３２ａと、上方構造体２４および下方構造体２２のいずれか一方とを連結するとともに、他端部３２ｂと他方の構造体とを上下方向の免震部材４０を介在させて連結する。 - 特許庁 - An underground burial structure of a culvert comprises a culvert 1 buried underground and vibration isolation walls 10 and 20 disposed adjacent to the culvert and along the culvert in a first vibration transmitting route from a first vibration generating source to the culvert and/or in a second vibration transmitting route that transmits resonance vibration of the culvert to an exterior.
カルバートの地中埋設構造は、地中に埋設されたカルバート１と、第１の振動発生源からカルバートまでの第１の振動伝達経路内および／または前記カルバートで共振した振動が外部へ伝達する第２の振動伝達経路内においてカルバートに近接してかつカルバートに沿うようにして配置された防振壁１０、２０とを備える。 - 特許庁 - The anode for a dye-sensitized solar battery is provided at least with: a resin substrate 11; and a transparent conductive film 12 and a porous layer 13 laminated in this order on one side 11a of the resin substrate 11, and each of a plurality of resin particles 14 are arranged in isolation between the transparent film 12 and the porous layer 13.
樹脂基板１１と、樹脂性基板１１の一面１１ａ側に、順に重ねて配される透明導電膜１２と多孔質層１３を少なくとも備えた色素増感型太陽電池の負極電極であって、樹脂粒子１４が複数、透明導電膜１２と多孔質層１３との間にそれぞれ孤立して配される。 - 特許庁 - Current capacity of the FET at a high frequency signal input side is made greater than current capacity of the FET at a high frequency signal output side in the FETs of the multi-stage configuration to improve the maximum input power and the gate width of the FET at the high frequency signal output side is made to be narrower to prevent deterioration in the isolation characteristics.
多段化したＦＥＴのうち、高周波信号入力側のＦＥＴの電流容量を高周波信号出力側のＦＥＴの電流容量よりも大きくすることにより最大入力電力を向上させるとともに、高周波信号出力側のＦＥＴのゲート幅を小さくすることによりアイソレーション特性の劣化を防ぐ。 - 特許庁 - To provide a bread yeast obtainable easily and stably in a simple way through solving the problem that, in developing bread yeast, conventional methods including method of isolation from natural products, mutation treatment method for conventional strains and cross breeding method for conventional strains have required much labor and time, and to provide a method for producing the bread yeast.
パン酵母の開発に際し、従来の方法、すなわち天然物からの分離法、従来菌株の変異処理法、従来菌株同士の交雑育種法などが多大な人手と時間とを要するという問題の解決、即ち、容易にかつ単純な方法により、安定的に取得できるパン酵母とその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A high-concentration n-type diffusion layer 116 is formed in an isolation region 115 to reduce collector currents flowing through a parasitic npn transistor 102, thereby providing the drive circuit and the data line driver which improves resistance to noises between adjacent terminals while inhibiting an increase in a chip size, using a normal CMOS process.
分離領域１１５に高濃度Ｎ型拡散層１１６を設けることにより、寄生ＮＰＮトランジスタ１０２のコレクタ電流を削減することができるので、通常のＣＭＯＳプロセスを用いて、チップサイズを抑制しながら隣接端子間のノイズに対する耐性を向上することのできる駆動回路およびデータ線ドライバを提供することができる。 - 特許庁 - This vibration damping seismic isolation building 1 has a foundation 2 made of concrete fixed and installed on a ground by piles or the like, the seismic isolator 5 composed of the isolator 4 embedded with a lead support 3, the upper structure 6 supported to the foundation 2 through the seismic isolator 5 and the vibration damper 7 arranged between the foundation 2 and the upper structure 6.
制振型免震建物１は、地盤に杭等により固定されて設置されたコンクリート製の基礎２と、鉛支柱３入りのアイソレータ４からなる免震装置５と、免震装置５を介して基礎２に支持された上部構造物６と、基礎２と上部構造物６との間に配された振動減衰装置７とを具備している。 - 特許庁 - An AM-AM distortion generator 1 comprises a coupler 2 having an input port 2a, an isolation port 2b, a first output port 2c, and a second output port 2d, a first antiparallel diode 3a connected with the first output port 2c, and a second antiparallel diode 3b connected with the second output port 2d.
本発明のＡＭ−ＡＭ歪発生器１は、入力ポート２ａと、アイソレーションポート２ｂと、第１の出力ポート２ｃと、第２の出力ポート２ｄとを備えた結合器２と、第１の出力ポート２ｃに接続された第１のアンチパラレルダイオード３ａと、第２の出力ポート２ｄに接続された第２のアンチパラレルダイオード３ｂと、を備える。 - 特許庁 - On the side face of a control gate electrode 13 which corresponds to a first active region 12A, where the control gates 13 are facing each other, a first floating gate electrode 14A is formed through an interposed tunnel insulation film, extending over the center line of an isolation region 11 to the second active region 12B side.
制御ゲート電極１３における第１の活性領域１２Ａと対応し且つ制御ゲート電極１３同士が互いに対向する側の側面には、トンネル絶縁膜を介在させた第１の浮遊ゲート電極１４Ａが素子分離領域１１の中心線を越えて第２の活性領域１２Ｂ側にまで延びるようにるように形成されている。 - 特許庁 - The manufacturing method comprises reacting a carbonyl compound with a vinylsilane compound in an aprotic solvent in the presence of a Lewis base catalyst and directly desilylating the reaction solution containing a fluorine-containing unsaturated silyl ether compound represented by formula (1) or desilylating the compound after purification and isolation to obtain a fluorine-containing unsaturated alcohol derivative represented by formula (2).
非プロトン性溶媒中、ルイス塩基触媒存在下、カルボニル化合物をビニルシラン化合物と反応させて、一般式（１）で示される含フッ素不飽和シリルエーテル化合物を含有する反応液を直接脱シリル化、または精製分離した後に脱シリル化して、一般式（２）で示される含フッ素不飽和アルコール誘導体を得ることを特徴とする製造方法。 - 特許庁 - To provide a technique for constructing a new beam and a new slab with high quality reliably integrated with an existing floor even in work for reinforcement at the underfloor side and performing safe reforming work such as base isolation or earthquake-proof reinforcement for an underfloor portion while keeping an overfloor portion around a column leg portion of an existing structure in an usable condition.
床下側からの補強工事であっても、既存床と確実に一体化した高品質の新設梁及び新設スラブを施工でき、既存構造体の柱脚部周辺の床上部分を使用可能な状態にしておきながら、その床下部分に免震化、耐震補強などの改築工事を安全に行うことができる工法を提供する。 - 特許庁 - The broadcast control apparatus comprises a channel detection means for detecting a broadcast channel through which a broadcast wave arrives at the exterior of an electromagnetically shielded chamber, and a control means for restricting a broadcast performed to the interior of the chamber through the broadcast channel in a state where isolation of the broadcast channel is not maintained between the interior and exterior of the chamber.
電磁的に遮蔽された室の外部に放送波が到来する放送チャネルを検知するチャネル検知手段と、前記室の内部と前記外部との間における前記放送チャネルのアイソレーションが保たれていない状態で、前記室の内部に前記放送チャネルを介して行われる放送を規制する制御手段とを備える。 - 特許庁 - A step of manufacturing the semiconductor device 100 includes a step of forming a pair of electrode groups 24 and 16 which are connected with a main electrode on the surface of the semiconductor multilayer portion 11 in the element region 100a, and a step of forming a sputter layer 12 on the surface of the semiconductor multilayer portion 11 in the element isolation region 100b by using a sputtering method.
半導体装置１００は、素子領域１００ａ内の半導体積層部１１の表面に、主電極に接続する一対の電極群２４，１６を形成する電極群形成工程と、素子分離領域１００ｂ内の半導体積層部１１の表面に、スパッタ法を用いてスパッタ層１２を形成するスパッタ工程を備えている。 - 特許庁 - When a hand of the conveying device holds the wafer 100 from upside in a suspended form and delivers a Bernoulli disk 30 to the wafer aligning device 1, this Bernoulli disk 30 holds the wafer 100 with an adjoining isolation and rotates the spindle 45 in the state of touching the wafer 100 by means of the clampers 41 to 43, and consequently the notch and the orientation flat are detected by the sensor portion 6.
搬送装置のハンドがウェハ１００をその上面から懸垂保持してベルヌーイ円盤３０をウェハ位置合わせ装置１に受け渡すと、このベルヌーイ円盤３０はウェハ１００を近接隔離して保持し、かつクランパ４１〜４３でウェハ１００に当接した状態でスピンドル４５を回転させ、センサ部６でノッチやオリフラを検出する。 - 特許庁 - The delay time output unit of a circuit breaker includes: a switch 131 arranged in isolation from one side of a main shaft 115 rotating a fixed contact part 111 and a movable contact part 112 in an open/close direction; and a delay member 141 arranged between the main shaft 115 and the switch 131, and making operate the switch 131 with a preset delay time.
遮断器の遅延時間出力装置は、固定接点部１１１と可動接点部１１２を開閉する方向に回転するメインシャフト１１５の一側から離隔して配置されるスイッチ１３１と、メインシャフト１１５とスイッチ１３１間に配置され、設定された遅延時間を有してスイッチ１３１を動作させる遅延部材１４１とを含む。 - 特許庁 - In telephone sets each connecting to two telephone lines 1, 2 that are provided with a cross-point switch 14 or the like, which selects and connects a speaker phone handset to the lines 1, 2, a speech transformer having been used for isolation of a speech voice conventionally is replaced with photocouplers 6, 6', 7, 7' to eliminate production of a crosstalk through acoustic coupling.
各々ライン１とライン２の２本の電話回線に接続され、ライン１とライン２に対してスピーカホン・ハンドセットを切り替え接続するクロスポイントスイッチ１４などを備えた電話装置において、通話音声の絶縁に使用している通話トランスをフォトカプラ６，６’、７，７’に変更することにより、音響結合によるクロストークの発生を無くすことができる。 - 特許庁 - Although Hideyoshi TOYOTOMI promulgated the edict expelling the European missionaries before, the Shimabara Uprising is said to be the direct trigger for the national isolation policy for the reason that the combination of Christianity and the riot (the intermediate nature between an uprising of powerful local samurai in the medieval period and a peasant's revolt during the early-modern period) turned out to be so difficult to suppress that Christianity was strongly recognized as danderous.
バテレン追放令は、既に豊臣秀吉が発令していたが、鎖国の直接的契機となったのは島原の乱で、キリスト教と一揆（中世の国人一揆と近世の百姓一揆の中間的な性格を持つもの）が結び付いたことにより、その鎮圧が困難であったため、キリスト教の危険性が強く認識されたためであると言われる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス - In the midst of the political turmoil including an intensification of the Sonno Joi movement (the movement advocating reverence for the Emperor and the expulsion of foreigners) caused by the change from the national isolation to the opening of the country to the world as well as the dispute over shogun's successor between the Hitotsubashi group (which supported Yoshinobu TOKUGAWA) and the Nanki group (which supported Yoshitomi TOKUGAWA), the enlightened and farsighted daimyo (Japanese feudal lords) had been advocating the necessity of the political reform of the bakufu.
幕政の改革は、鎖国体制から開国への移行に伴う尊王攘夷運動の激化、将軍継嗣問題を巡る一橋派・南紀派の対立などの政治的混乱の中で、薩摩藩主・島津斉彬や越前藩主松平慶永ら、開明的な大名らの間ではつとに必要性を叫ばれていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス - To provide a systematized semiconductor device capable of being thinned in a film as compared with a silicon oxide film and having a gate insulating film preventing a deterioration, and to provide a semiconductor device having improved reliability by improving a hot carrier resistance of an element isolation insulating film or an embedded oxide film in an SOI substrate.
酸化シリコン膜に比べて膜厚を薄くできるとともに、劣化を防止したゲート絶縁膜を有するシステム化された半導体装置を提供することを第１の目的とし、素子分離絶縁膜やＳＯＩ基板内の埋め込み酸化膜のホットキャリア耐性を向上させることで、信頼性が向上した半導体装置を提供することを第２の目的とする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a toner which is a polymerized toner containing a polyester resin and a colorant, excels in color reproducibility and transparency, and ensures stable charging property over a prolonged period of time without presenting an isolation phenomenon of the colorant, and to provide a toner obtained by the method for manufacturing the toner and an image forming method using the toner.
ポリエステル樹脂および着色剤を含有する重合トナーであって、色再現性および透明性に優れ、しかも、着色剤の遊離現象などを発生させずに長期間にわたって安定な帯電性が得られるトナーの製造方法、およびこのトナーの製造方法によって得られるトナー、並びに当該トナーを用いた画像形成方法の提供。 - 特許庁 - Semiconductor device includes a field effect transistor having a gate electrode comprised of side wall insulating films on a plurality of active regions, and a wiring formed on an element isolation region by using the same material as the gate electrode where the side wall insulating films are selectively removed and then a silicide layer thicker than that of the gate electrode is formed.
半導体装置は、複数の活性領域にサイドウォール絶縁膜を備えたゲート電極を持つ電界効果トランジスタを有し、素子分離領域上にゲート電極と同一材料を用いて形成された配線を有し、素子分離領域上ではサイドウォール絶縁膜が選択的に除去され、ゲート電極のシリサイド層より厚いシリサイド層が形成される。 - 特許庁 - Then, by providing non-directivity in a horizontal direction and setting the directivity so as to retransmit the broadcast waves to a side lower than the antenna installation height in a vertical direction in the transmission antenna, the useless radiation of radio waves in a sky direction is suppressed, the isolation between the antennas is sufficiently secured and the antennas are closely arranged.
そして送信用アンテナにおいては水平方向に無指向性を有し、垂直方向にはそのアンテナ設置高よりも下側に向けて放送波を再送信するようにその指向性を設定することで、天空方向への電波の無駄な放射を抑え、アンテナ間のアイソレーションを十分に確保して、これらのアンテナを近接させて配置する。 - 特許庁 - If the mask is used, steps and others can be performed in parallel, the steps of implanting threshold voltage adjustment impurity ions into the cell region, implanting channels doping impurity ions into the device isolation film of the high voltage region, and removing a low voltage gate conductive film and a low voltage gate insulated film to the cell region.
前記マスクを利用すると、セル領域にスレッショルド電圧調節不純物イオンを注入する段階と、高電圧領域の素子分離膜にチャネルスドーピング不純物イオンを注入する段階と、セル領域に低電圧ゲート導電膜と低電圧ゲート絶縁膜とを除去する段階などとを併合して進行することができる。 - 特許庁 - To prevent or to suppress an occurrence of pits on a semiconductor substrate caused by hydrofluoric acid processing as preliminary cleaning of an annealing process for activating impurities for well formations, or out diffusions of impurities from a semiconductor substrate in a method for manufacturing a semiconductor device including an element isolation region in which an insulating film is formed in a trench.
トレンチ内に絶縁膜が形成された素子分離領域を備える半導体装置を製造する方法において、ウェルを形成するための不純物を活性化するアニール処理の前洗浄としてのフッ化水素酸処理によって半導体基板にピットが発生することや、半導体基板から不純物がアウトディフュージョンすることを防止または抑制する。 - 特許庁
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