「Isolation」を含む例文一覧(7495)
＜前へ 1 2 .... 138 139 140 141 142 143 144 145 146 .... 149 150 次へ＞- To provide a method of fabricating a reverse-blocking insulated gate bipolar transistor which can reduce the occupation area ratio of an isolation region per chip, which becomes a problem even in the case of a thin wafer (semiconductor substrate) having a thickness of ≤150 μm, which can avoid the tradeoff between an on-voltage characteristic and turn-off loss, and also can reduce diffusion time.
オン電圧特性とターンオフ損失とのトレードオフを回避できる１５０μｍ以下の薄いウェハ（半導体基板）の場合でも問題となる一チップあたりの分離領域の占有面積比率を小さくすることができ、拡散時間の短縮も図れる逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの製造方法の提供。 - 特許庁 - When base isolation devices 26 are deformed beyond a predetermined value due to a large external force caused by an earthquake or strong wind, and a lower story 22 and an upper story 34 are horizontally moved relative to each other, the upper end 46A of an elevator shaft 46 abuts on the wall surface 92A of a recess 92 to restrict the amount of the relative movement of these stories in the horizontal direction.
地震又は強風等の外力が大きくて免震装置２６が所定値以上変形して下層階２２と上層階３４とが水平方向に相対移動したときは、エレベータシャフト４６の上端部４６Ａと凹部９２の壁面９２Ａとが当って水平方向の相対移動量が規制される。 - 特許庁 - A semiconductor element having a multi-channel includes a semiconductor substrate on which an element isolation film is formed, many trenches formed in an active region of the semiconductor substrate, and a channel active region that links sidewalls facing each other in the trench regions and the surface of which is used as a channel region.
本発明は、素子分離膜が形成された半導体基板、半導体基板の活性領域内に形成された多数のトレンチ及びそれぞれのトレンチ領域内の対向する側壁を連結し、表面がチャネル領域として用いられるチャネル活性領域を含む多重チャネルを有する半導体素子からなる。 - 特許庁 - After forming a surface element structure on the first principal plane of the active region 100 of a semiconductor substrate 1, a trench 23 is formed from the second principal plane side of the isolation structure 120.
活性領域１００の周囲に耐圧構造部１１０が設けられ、その周囲に分離構造部１２０が設けられた半導体装置において、半導体基板１の活性領域１００の第１主面に表面素子構造を形成した後に、分離構造部１２０の第２主面側からトレンチ２３を形成する。 - 特許庁 - This separation isolation device by the liquid chromatography is equipped with a separation means equipped with a supply means 10 of a moving phase and two or more separation columns 6 corresponding to one moving phase supply means, and a means 30 for isolating eluate flowing out of the separation columns 6.
液体クロマトグラフィーによる分離分取装置であって、移動相の供給手段１０と、一つの前記移動相供給手段に対応する少なくとも２本の分離カラム６、とを備える分離手段と、前記分離カラム６から流出される溶出液を分取する手段３０、とを備えるようにする。 - 特許庁 - The aspect ratio of the conductor 19 from the common ground conductor layer 12 to the external electric circuit connecting ground conductor 21 is reduced to decrease its inductance, thereby improving attenuation in a high-frequency rejection band and the isolation between input/output wirings 13, 13.
共通の接地導体層12から外部電気回路接続用の接地導体21までの貫通導体19のアスペクト比を小さくすることによりインダクタンスを小さくすることができるので、高周波化した阻止域における減衰量および入出力配線13・13間のアイソレーションの劣化を改善することが可能となる。 - 特許庁 - In the mounting mechanism, the cabinet housing the electric apparatus is mounted to the moving body, the stand having a moving means is fixed to the bottom of the cabinet via vibration isolation function and the stand is provided with a fixing frame part fixed to the installation base projected from the floor part of the moving body to the upper part.
電子機器を収納しているキャビネットを移動体に搭載する機構であって、前記キャビネットの底部に、防振機構を介して、移動手段を備えた架台が固定され、前記架台には、前記移動体の床部から上方に突出している設置ベースに固定される固定用フレーム部を設けている。 - 特許庁 - When an image part having a plurality of different attributes is extracted from an image, a mirror image data generating part 201 generates a mirror image for 17 rows and BDT data for effective pixels from an inputted from binary signal BDT and outputs the mirror image and the effective pixels to an isolated parameter calculating part 30 and a 1×1 isolation amount calculating part 31.
画像から異なる複数の属性を有する画像部分を抽出する際、鏡像データ生成部２０１は、入力される二値信号ＢＤＴから、１７行分の鏡像および有効画素のＢＤＴデータを生成して、孤立パラメータ算出部３０および１×１孤立量算出部３１に出力する。 - 特許庁 - In the base isolation device for light structure having the above- mentioned constitution, it is so constituted that the inside bearing section is sealed by the cylindrical elastic body or flanges 7a and 7b of the viscoelastic body and an upper flange 3 of the bearing stand and a lower flange 1 of a bearing plate through a specific sealing member.
上記構成を有する軽量構造物用免震装置において、所定のシール部材を介して上記円筒形状の弾性体若しくは粘弾性体のフランジ７ｂ、７ａと支承台の上部フランジ３及び支承盤の下部フランジ１とで内部の支承部を密封した構成とする。 - 特許庁 - This invention relates to the method for purification of PHA in an inexpensive and simple process comprising isolation/purification of PHA form fungus body containing PHA by adding a basic component to the fungus body and then adding a hypochlorite to the isolated/purified PHA and then isolating and purifying to obtain the high purity PHA without inducing reduction of molecular weight.
ＰＨＡを含有する菌体に塩基性成分を添加してＰＨＡを分離精製した後、更に、この分離精製したＰＨＡに次亜塩素酸塩を添加して分離精製するという安価で簡便な方法を採用することにより、分子量の低下を招くことなく、高純度のＰＨＡが得られる。 - 特許庁 - If the own-vehicle position and the display elements including the city centers or facilities are displayed in isolation on the display section 7, the control section calculates the route from the own-vehicle position to the display elements under the condition recommended by the navigation or under the condition designated by the user, and draws the route produced as a result of the route calculation on the drawing memory.
そして、表示部７に、自車位置およびシティセンターもしくは施設の表示要素が孤立して表示された場合、ナビゲーションの推奨条件、もしくはユーザの指定条件に基づき、自車位置から表示要素までの経路を計算し、当該経路計算の結果生成される経路を描画メモリに描画する。 - 特許庁 - An element isolation oxide film 3 and a first gate oxide film 5 are formed on a semiconductor substrate 1, the gate oxide film 5 in device forming regions 3b and 3c is removed using the mask of a silicon nitride film 7 formed on the first gate oxide film 5 of a device forming region 3a, and a second oxide film 11 is formed by thermal oxidation (D).
半導体基板１に素子分離酸化膜３及び第１ゲート酸化膜５を形成し、素子形成領域３ａの第１ゲート酸化膜５上に形成したシリコン窒化膜７をマクスにして素子形成領域３ｂ，３ｃのゲート酸化膜５を除去し、熱酸化処理により第２ゲート酸化膜１１を形成する（Ｄ）。 - 特許庁 - The marine isolation method of carbon dioxide, in which carbon dioxide is discharged to the intermediate layer of the ocean from discharge nozzles Nn of pipelines Pn to be towed by ships Sn and dissolved/diluted therein, comprises a step of vertically decentralizing the discharge depths of the carbon dioxide to be discharged to the intermediate layer of the ocean from the pipelines Pn.
船舶Ｓｎに曳航されるパイプラインＰｎの放出ノズルＮｎから海洋中層へ二酸化炭素を放流して溶解希釈させる二酸化炭素海洋隔離方法であって、パイプラインＰｎから海洋中層へ放流される二酸化炭素の放流深度を鉛直方向に分散させた。 - 特許庁 - The number of isolated points detected by an isolation point detection filter with a prescribed size is counted and threshold (503 and 504) for number of edges used to discriminate the dot area and a character edge area in dots are selected, depending on whether the counted number of isolated points exceeds a prescribed threshold.
所定のサイズの孤立点検出フィルタにより検出された孤立点の数をカウントし、カウントされた孤立点数が所定のしきい値を上回るか否かによって、網点領域と網点中文字エッジ領域との判別を行うために用いる内エッジ個数のしきい値（５０３及び５０４）を切り替える。 - 特許庁 - Thus when a p-type impurity is diffusion-doped in the semiconductor layer 104 via the contact layer 105, the element isolation regions 106 at a diffusion depth Xj2 reaching the substrate 102 and light emitting parts 110 at a diffusion depth Xj1 which does not reach the substrate 102 are formed at the same time, in the semiconductor layer 104.
したがって，コンタクト層１０５を介して半導体層１０４にｐ型不純物を拡散ドープすると，半導体層１０４には，高抵抗基板１０２に達する拡散深さＸｊ２の素子分離領域１０６と高抵抗基板１０２に達しない拡散深さＸｊ１の発光部１１０とが同時形成される。 - 特許庁 - Merely an oxide film 5 that is deposited, in advance, in a groove 4 for alignment is selectively thinned with photo resist as a mask, thus preventing the region of the groove 4 for alignment from being flattened even in a flattening machining after that, and hence achieving an effective function as the mark for positioning of a process following after an element insulation and isolation process.
予め位置合わせ用溝４に堆積した酸化膜５のみをフォトレジストをマスクとして選択的に薄くすることにより、その後の平坦化加工においても、位置合わせ用溝４の領域が平坦になることはなく、素子絶縁分離工程に続く工程の目合わせ用マークとして有効に機能させることができる。 - 特許庁 - In a measurement process, TEG-pattern blocks 100 each having device-element isolation regions and trenches are formed after forming a covering film on a silicon substrate; a buried insulating film that fills the trenches and covers the surface of the covering film is formed; and the surface of the buried insulating film is polished until the surface of the covering film is exposed.
測定プロセスでは、シリコン基板上に被覆膜を形成した後、素子形成領域およびトレンチによってＴＥＧパターン・ブロック１００を形成し、トレンチ内を充填するとともに被覆膜の表面を覆う埋込絶縁膜を形成し、さらに、被覆膜の表面が露出するまで埋込絶縁膜の表面を研磨する。 - 特許庁 - The semiconductor element includes an active region including source/drain and a gate, and an element isolation region defining the active region, wherein the gate is formed by a part of a fin gate, the source/drain is an epitaxial layer between gates abutting a seed layer, and the line width of the source/drain in the longitudinal direction of the gate is wider than that of the gate.
半導体素子は、ソース／ドレインとゲートを含む活性領域と、活性領域を画成する素子分離領域とを含むものの、ゲートはフィンゲートの一部で形成され、ソース／ドレインはシード層に隣接したゲートの間に形成されたエピタキシャル層であり、ゲートの長手方向でソース／ドレイン線幅はゲート線幅より大きい。 - 特許庁 - The isolation region 30 between the analog circuit region 10 and the digital circuit region 20 is constituted so as to comprise heavily doped P^+ type impurity regions 4 and an N type diffusion layer 2, which is formed so as to be apart from the impurity regions 4 and have portions of a P^- type substrate region 1 between the diffusion layer and the impurity regions.
アナログ回路領域１０とデジタル回路領域２０との間の分離領域３０は、高不純物濃度のＰ^+ 型の不純物領域４と、不純物領域４から離間して間にＰ^- 型基板領域１の部分を有して形成されたＮ型の拡散層２とを具備して構成されている。 - 特許庁 - Subsequently, a lower layer gate insulating film and a lower layer gate electrode are formed in the opening, a second insulating film is formed on the lower layer gate electrode and the upper layer of the first insulating film, a second substrate is laminated on top thereof, and a first semiconductor substrate is ground using the first insulating film in the element isolation region as a stopper.
次に、開口部内に下層ゲート絶縁膜と下層ゲート電極を形成し、下層ゲート電極および第１絶縁膜の上層に第２絶縁膜を形成し、その上面から第２基板を張り合わせ、素子分離領域の第１絶縁膜をストッパとして第１半導体基板を研磨する。 - 特許庁 - The field effect transistor comprises an N-type epitaxially grown layer 2 provided on a P-type semiconductor substrate 1, a P^+-type isolation diffusion layer 4 provided on the layer 2 of the circumference of the FET forming unit to electrically independently form the FET forming unit, and a P^++-type gate diffused layer 5 provided on the surface side of the layer 2.
Ｐ型の半導体基板１上にＮ型のエピタキシャル成長層２が設けられ、ＦＥＴ形成部を電気的に独立させるため、ＦＥＴ形成部周囲のエピタキシャル成長層２にＰ^+型の分離拡散層４が設けられ、そのエピタキシャル成長層２の表面側にＰ^++型のゲート拡散層５が設けられている。 - 特許庁 - A first interlayer insulating film 205 is formed on a semiconductor substrate 201 where an element isolation film 202 and a Tr are formed, then a bit line connection hole 206 and a connection conduction pad connection hole 207 are provided, and a first conductive layer is formed and patterned for the formation of a bit line 208 and a connection conduction pad 209.
素子分離膜２０２とＴｒが形成された半導体基板２０１上に第１層間絶縁膜２０５を形成後、ビット線用接続孔２０６と接続導通パッド用接続孔２０７を形成し、全体の上に第１伝導層を形成しパターニングしてビット線２０８及び接続導通パッド２０９を形成する。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile semiconductor storage device that reduces a voltage applied to an inter-poly insulating film by increasing a capacity coupling rate on an active area in a dummy cell region, and prevents wire breaking of a control gate caused by a hollow of the control gate on an element isolation region, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor storage device.
ダミーセル領域において、アクティブエリア上の容量カップリング比を大きくしてインターポリ絶縁膜にかかる電圧を低減できると共に、素子分離領域上の制御ゲートの窪みによって発生する制御ゲートの断線を防止することができる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - This compressor is provided with a compression mechanism part compressing working fluid, a hermetic vessel 2 storing the compression mechanism therein, a delivery pipe 4 provided in the hermetic vessel 2 and having working fluid from the compression mechanism flow therein, and a vibration isolation coil 5 wound in the delivery pipe 4 and including formation film 6 in a space with the delivery pipe 4.
作動流体を圧縮する圧縮機構部と、この圧縮機構部を内部に収める密閉容器２と、密閉容器２内に配設され圧縮機構部からの作動流体が流れる吐出管４と、吐出管４に巻装され吐出管４との間に化成皮膜６を有する防振コイル５とを備えた。 - 特許庁 - To restrain the local destruction of a rubber shape elastic layer as much as possible, even under a high bearing pressure and make a horizontal spring constant to nearly constant, regardless of the strain applied to the piled part, in a base isolation structure having a piled part with a rubber shape elastic layer and rigid layer alternately piled in the vertical direction.
ゴム状弾性層６と剛性層７とが上下方向に交互に積層された積層部５を備えた免震構造体に対して、高面圧下であってもゴム状弾性層６の局所破壊を出来る限り抑えると共に、積層部５に加わるひずみに関係なく水平バネ定数を略一定にする。 - 特許庁 - This panel comprises the housing 1, a thermal partition 5 which are provided in the housing 1 and has thermal isolation for storing an apparatus 6 for constituting the distribution panel therein; and ventilation openings 2a and 2b, provided in the housing 1 and for ventilating air in the housing 1 outside the thermal partitioning 5.
筐体１と、筐体１内に設けられ、配電盤を構成するための機器６を内部に収納するための熱遮蔽性を有する熱仕切り板５と、筐体１に設けられ、熱仕切り板５の外側の筐体１内の空気の換気を行うための換気口２ａおよび２ｂとを備えている。 - 特許庁 - To provide an isolation circuit perfectly separating the ground with one electronic circuit component connected thereto from the ground with the other electronic circuit component connected thereto in transmitting a signal in a high-frequency region, and transmitting not only the signal in the high-frequency region but also a signal in a low-frequency region.
高周波域の信号を伝送する際に、一方の電子回路部品が接続されたグランドと他方の電子回路部品が接続されたグランドとを完全に分離することができ、しかも、高周波域の信号だけでなく、低周波域の信号をも伝送することができるアイソレーション回路を提供する。 - 特許庁 - A ring shaped center conductor 10 having a substantially uniform line width, isolation ports 11 formed radially from the center conductor 10, a couple of in-phase input ports 12, 14 and a synthesis output port 13 are clamped by dielectric spacers 20 whose diameter is slightly larger than that of the center conductor 20.
実質的に等しい線幅のリング状中心導体１０、この中心導体１０から放射状に形成されたアイソレーションポート１１、１対の同相入力ポート１２、１４および合成出力ポート１３を、中心導体１０より僅かに大きい直径の誘電体スぺーサ２０で挟む。 - 特許庁 - Between low/high floor part buildings through a base isolation device 25, a guide rail 70a, 70b of strength higher than that of a guide rail 7a, 7b installed in a hoistway between the low/high floor part buildings is installed, and landing gate devices 22, 23 are supported by suspending them from the high floor part building.
免震装置２５を介した低層部建屋と高層部建屋間に、低層部建屋と高層部建屋の昇降路内に設置されたガイドレール（７ａ，７ｂ）よりも高強度のガイドレール（７０ａ，７０ｂ）を設置すると共に、乗場出入口装置（２２，２３）を高層部建屋から吊下げて支持したのである。 - 特許庁 - In this base isolation frame, in which a building is isolated floatably from a foundation structure, such as bearing ground, footing piles, etc., the building and structure are connected to each other via a cable housed in a sleeve pipe laid via the bearing point between the building and structure and both ends of the cable are fixed to the building side.
建物と支持版・基礎杭等の基礎構造体との間が浮き上がり可能に縁切りされた免震構造架構において、前記建物と基礎構造体とが両者間の支持点を経由して通したスリーブ管に内蔵されたケーブルにより繋がれ、当該ケーブルの両端部が建物側へ定着されている。 - 特許庁 - A vibration isolation member 17 for preventing vibration of optical fibers La, Lb is provided at least on a spot under a closure 12 for connection for storing the relay spot of the optical fiber in the middle of an optical fiber ring, or under the fixed base 15 for supporting the closure 12 for connection, or inside the closure 12 for connection.
光ファイバリングの途中において光ファイバの中継箇所を収納する接続用クロージャ１２の下部、接続用クロージャ１２を支持する固定ベース１５の下部及び接続用クロージャ１２内の少なくともいずれか一に、光ファイバＬａ，Ｌｂの振動を防止する防振部材１７を設ける。 - 特許庁 - Since the etching rate of a SiO2 film 3 for isolation in the n-type well 6, into which both of phosphorus and boron are implanted, is higher than that of the points where either of phosphorus or boron is implanted, a recess or step difference 3a is formed in the SiO2 film 3 during the etching operation of the SiO2 film 4 for protection which becomes positioning patterns 10.
燐と硼素の双方が注入されるｎ型ウェル６でのアイソレーション用ＳｉＯ_2膜３のエッチングレートは、燐と硼素のいずれかが注入された箇所のそれよりも高くなるので、保護用ＳｉＯ_2膜４のエッチング工程でＳｉＯ_2膜３に位置合わせパターン１０となる窪みないし段差３ａが形成される。 - 特許庁 - Thus, the isolation gear 42 is pushed to the driving gear 41 and the gear 43 moved by fixed pitches in the direction of the arrow A according to the amount of progress in the wear of each gears 41 to 43, the backlash between each gears 41 to 43 can be reduced and unevenness in rotation of a photoreceptor drum 21 can be suppressed.
これにより、各ギア４１〜４３の磨耗の進行程度に応じて、遊離ギア４２が矢印Ａの方向に一定ピッチずつ移動して駆動用ギア４１及びギア４３に押し付けられ、各ギア４１〜４３相互間のガタを減少させることができ、感光体ドラム２１の回転ムラを抑えることができる。 - 特許庁 - To provide a method for producing the α-chain of hepatocyte growth factor or an N-terminal fragment thereof (NK polypeptide) by expression of a nucleic acid encoding the NK polypeptide in a microbial host cell, isolation of inclusion bodies containing the NK polypeptide in a denatured form, solubilization of the inclusion bodies and regeneration of the denaturated NK polypeptide.
肝細胞成長因子のα−鎖又はそのＮ末端フラグメント（ＮＫポリペプチド）を、微生物宿主細胞におけるＮＫポリペプチドをコードする核酸の発現、変性型の当該ＮＫポリペプチドを含む封入体の単離、封入体の可溶化、及び変性したＮＫポリペプチドの再生により産生するための方法。 - 特許庁 - To provide an antenna that suppresses core breakage during manufacturing and breakage due to an impact after installation as the antenna using the core of a magnetic material or dielectric, is easily manufactured, further has wide bandwidth and a high average gain in each frequency band and prevents degradation in a gain by securing isolation from a mounting substrate.
磁性体や誘電体のコアを用いたアンテナとして、製造時のコアの破損や設置後の衝撃による破損を抑制し、かつ製造が簡易で、さらに各周波数帯において帯域幅が広く且つ平均利得が高く、実装基板とのアイソレーション確保によって利得の低下を防いだアンテナを提供する。 - 特許庁 - The thin-film solar cell includes a plurality of back electrodes isolated by a plurality of isolation grooves formed on an insulating substrate; photoelectric conversion layers formed on the back electrodes, buffer layers formed on the photoelectric conversion layers; insulating layers formed on the buffer layers; and transparent electrodes formed on the insulating layers.
薄膜太陽電池は、縁性基板上に形成された複数の分離溝で分離された複数の裏面電極と、裏面電極上に形成された光電変換層と、光電変換層上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された透明電極とを有する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device, whereby if an antireflection film is removed by an etch back step, connection holes of adequate shapes can be formed by additionally forming a second antireflection film, to prevent the halation under question especially at wiring isolation regions before forming the connection holes.
エッチバック工程によって反射防止膜が除去されてしまっても、接続孔形成前に第２の反射防止膜を追加形成させることで、特に配線孤立部で問題であったハレーションを防いで、適正形状の接続孔を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - Grooves 2a are formed in device isolation regions in a substrate 1 by dry etching using silicon nitride films 14 and side wall spacers 16 as masks.
窒化シリコン膜１４とサイドウォールスペーサ１６とをマスクにしたドライエッチングによって、素子分離領域の基板１に溝２ａを形成した後、窒化シリコン膜１４の側壁のサイドウォールスペーサ１６を除去し、次いで、基板１を熱酸化することによって、活性領域の周辺部の基板１の表面をラウンド加工し、凸状の丸みが付いた断面形状とする。 - 特許庁 - The CMOS image element includes a semiconductor substrate including an element isolation region and an active region, plural gate electrodes formed at predetermined portions in the active region, and a gate electrode contact for transferring external signals to a predetermined portion in the active region, and the gate electrode contact overlaps the active region.
素子分離領域及びアクティブ領域を含む半導体基板、前記アクティブ領域の所定部分に形成される複数のゲート電極、及び前記ゲート電極それぞれに外部信号を伝達するゲート電極コンタクトを含み、前記ゲート電極コンタクトは、アクティブ領域とオーバーラップされるように形成されるＣＭＯＳイメージ素子。 - 特許庁 - The semiconductor substrate 10 provided with element isolation grooves is coated with a hydrogenation polysilazane solution containing a dibutyl ether with a butanol concentration of 30 ppm or less and a hydrogenation polysilazane dissolved in the dibutyl ether, so as to form a hydrogenation polysilazane film 15, which is oxidized in an atmosphere containing vapor to make a silicon dioxide film 11.
素子分離溝が設けられた前記半導体基板１０上に、ブタノール濃度が３０ｐｐｍ以下のジブチルエーテルと、ジブチルエーテルに溶解された過水素化ポリシラザンとを含有する過水素化ポリシラザン溶液を塗布して、過水素化ポリシラザン膜１５を形成し、水蒸気を含む雰囲気中で酸化して二酸化シリコン膜１１とする。 - 特許庁 - The ion generating element has a plus discharge section generating a plus ion, and a minus discharge section generating a minus ion, and the plus discharge section and the minus discharge section are arranged by separating at a designated interval capable of securing isolation between both discharge sections on the same plane.
本発明に係るイオン発生素子は、プラスイオンを発生するプラス放電部およびマイナスイオンを発生するマイナス放電部を備えたイオン発生素子であって、前記プラス放電部とマイナス放電部を同一平面上で、かつ両放電部間での絶縁を確保できる所定間隔を隔てて配置した構成としている。 - 特許庁 - A gate electrode 15 is formed on a prescribed channel region 13 on a substrate 11 of a monocrystal Si enclosed with an element isolation oxide film 12 via a gate oxide film 14 of a combination structure, and a source/ drain diffusion layer 16 is formed away from the channel region 13 on the both-side substrates 11.
素子分離酸化膜１２に囲まれた単結晶Ｓｉの基板１１上における所定のチャネル領域１３上には組み合わせ構成のゲート酸化膜１４を介してゲート電極１５が形成され、その両側の基板１１上にはチャネル領域１３を隔ててソース／ドレイン拡散層１６が形成されている。 - 特許庁 - To provide a turnbuckle, easily removable, without transmitting a load to the turnbuckle even if the load not less than a preload is applied after installation, while applying the load by being installed before applying its preload, when applied as a tool for holding the preload of, for example, a base isolation device.
例えば免震装置の予荷重保持のための治具として適用した場合、その予荷重を付与する前に取り付けて荷重をかけることができ、また取付け後に予荷重以上の荷重が加わってもターンバックルには伝達することがなく、取り外しを簡単に行うことができるターンバックルを提供する。 - 特許庁 - To reduce risk of damaging an isolator protective device itself by its tensile force, while inexpensively realizing the isolator protective device for protecting an isolator by reducing the tensile force in the vertical direction acting on the isolator, in a base isolation device of interposing the isolator between a foundation and a structure on the foundation.
基礎と該基礎上の構造物との間にアイソレータを介在させる免震装置において、アイソレータに作用する上下方向の引っ張り力を低減させてアイソレータを保護するアイソレータ保護装置を低コストに実現しつつ、その引っ張り力でアイソレータ保護装置自体が損傷してしまう虞を低減させる。 - 特許庁 - To provide a wavelength multiplexed light coupler that has a high isolation and that can be used for separation of multi-wavelength of three or more wavelengths, in an optical coupler in which a bandpass filter is inserted between a double-core collimator composed of two optical fibers and a collimator lens and a single-core collimator composed of one optical fiber and a collimator lens.
２本の光ファイバとコリメートレンズからなる２芯コリメータと１本の光ファイバとコリメートレンズからなる単芯コリメータの間にバンドパスフィルタを挿入した光カプラにおいて、高いアイソレーションを有し、３波長用以上の多波長の分離に用いることができる波長多重光カプラを提供する。 - 特許庁 - Interposing the base isolation members can reduce the swinging of the jamb itself even if swings exists due to earthquake and absorb and relieve the differential portion of the dislocation amount with respect to the side wall coupled with the jamb, so that it is practicable to avoid damage and/or breakage of the glass plates eventually adopted to the side walls 2.
本発明によれば、免震部材を介在させたことにより、地震による揺れがあっても、三方枠自体の揺れの軽減と、三方枠と連結された側壁との間のずれ量の差分が吸収緩和するので、たとえ側壁２にガラス板が採用されてもそのガラス板の損傷や破損を回避できる。 - 特許庁 - Contaiminated water 16 having a high content of bacteria is stored in a feed tank 18, and dilution water 19 poorer in bacteria and nutrient than the water 16 is added, agitated and mixed, hence the bacteria are weakened due to a deficiency in nutrient and isolation from coexistent bacteria, and the activity of all the bacteria is lowered.
細菌を高密度に含む汚染原水１６はフィードタンク１８に貯えられ、汚染原水１６に比べて細菌数も栄養分も少ない希釈用水１９を加えて撹拌混合すると、栄養分の不足と共存菌との隔絶により細菌は弱体化し、細菌群全体の活性が低下する。 - 特許庁 - A circuit device 10 is composed of: the conductive patterns 11 isolated from each other by the isolation grooves 41; circuit elements 12 fixed on the conductive patterns 11; and the insulating resin 13 covering the circuit elements 12 and the conductive patterns 11, keeping the rear of the conductive pattern 11 exposed, and filling the isolating grooves 41.
分離溝４１により離間された導電パターン１１と、導電パターン１１上に固着された回路素子１２と、導電パターン１１の裏面を露出させて回路素子１２および導電パターン１１を被覆し且つ分離溝４１に充填された絶縁性樹脂１３とから回路装置１０を構成する。 - 特許庁 - The method of fabricating the duplexer utilizing an air-gap type FBAR includes the steps of: fabricating a first substrate part in which a plurality of layered resonance parts are formed; fabricating a second substrate part in which a plurality of air gaps and an isolation part formed therebetween are produced; and bonding the first substrate part and the second substrate part.
このエアギャップ型ＦＢＡＲを利用したデュプレクサの製造方法は、積層共振部が複数製作された第１基板部の製造段階、複数のエアギャップおよびその間に形成されたアイソレーション部が製作された第２基板部の製造段階および第１基板部と第２基板部を接合させる段階を含む。 - 特許庁 - By making the upper part of the isolation door 7a fire prevention door for specific pressure relief part, and making the lower part a water door constituting a water proof part, damage region in fire and overflow water is restricted and the room is kept in proper temperature and pressure even during a steam line break.
また、隔離用扉７の上部を特定圧力開放部13に防火扉として、下部を水密性部12に構成して水密扉とすることにより、火災および溢水時に損傷範囲を限定するとともに、上部のブローアウト機能から、蒸気配管破断時においても室を適切な温度，圧力に保つことができる。 - 特許庁
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