「Isolation」を含む例文一覧(7498)

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  • Then, by providing non-directivity in a horizontal direction and setting the directivity so as to retransmit the broadcast waves to a side lower than the antenna installation height in a vertical direction in the transmission antenna, the useless radiation of radio waves in a sky direction is suppressed, the isolation between the antennas is sufficiently secured and the antennas are closely arranged.
    そして送信用アンテナにおいては水平方向に無指向性を有し、垂直方向にはそのアンテナ設置高よりも下側に向けて放送波を再送信するようにその指向性を設定することで、天空方向への電波の無駄な放射を抑え、アンテナ間のアイソレーションを十分に確保して、これらのアンテナを近接させて配置する。 - 特許庁
  • If the mask is used, steps and others can be performed in parallel, the steps of implanting threshold voltage adjustment impurity ions into the cell region, implanting channels doping impurity ions into the device isolation film of the high voltage region, and removing a low voltage gate conductive film and a low voltage gate insulated film to the cell region.
    前記マスクを利用すると、セル領域にスレッショルド電圧調節不純物イオンを注入する段階と、高電圧領域の素子分離膜にチャネルスドーピング不純物イオンを注入する段階と、セル領域に低電圧ゲート導電膜と低電圧ゲート絶縁膜とを除去する段階などとを併合して進行することができる。 - 特許庁
  • To prevent or to suppress an occurrence of pits on a semiconductor substrate caused by hydrofluoric acid processing as preliminary cleaning of an annealing process for activating impurities for well formations, or out diffusions of impurities from a semiconductor substrate in a method for manufacturing a semiconductor device including an element isolation region in which an insulating film is formed in a trench.
    トレンチ内に絶縁膜が形成された素子分離領域を備える半導体装置を製造する方法において、ウェルを形成するための不純物を活性化するアニール処理の前洗浄としてのフッ化水素酸処理によって半導体基板にピットが発生することや、半導体基板から不純物がアウトディフュージョンすることを防止または抑制する。 - 特許庁
  • When a nitride film using element isolation by the LOCOS method is to be eliminated in a method for manufacturing a semiconductor device for forming a gate oxide film with different film thickness on the same silicon substrate, first, only a nitride film at a part where the gate oxide film is provided thickly is eliminated selectively by a resist pattern, and the gate oxide film is formed at that part.
    同一シリコン基板上に異なる膜厚のゲート酸化膜を形成する半導体装置の製造方法において、ＬＯＣＯＳ法による素子分離に用いた窒化膜を除去する際に、先ずゲート酸化膜を厚く設ける部分の窒化膜のみをレジストパターンにより選択的に除去し、その部分にゲート酸化膜を形成する。 - 特許庁
  • In a transmission period, by using a signal outputted to the isolation port of a circulator as a feedback signal, a feedback path and a reception path are switched by using a switch depending on a transmission period and a reception period, thereby making a directional coupler branching the feedback signal is no longer necessary and realizing the small and efficient transmitter and receiver.
    送信期間には、サーキュレータのアイソレーションポートに出力される信号を帰還信号として用い、送信期間と受信期間とで、帰還経路と受信経路とをスイッチを用いて切り換えることによって、帰還信号を分岐していた方向性結合器が必要なくなり、小形で高効率な送受信機を実現することができる。 - 特許庁
  • By connecting a T type high-pass filter between a resistor and the ground and adding a 1/4-wave path between a π type low-pass filter and the branching connection part of the two even-harmonic mixers, the isolation between two mixers is secured while using the π type low-pass filter, and proper modulation precision is obtained.
    抵抗とグラウンドの間にＴ型高域通過フィルタを接続し、π型の低域通過フィルタと２つの偶高調波ミクサの分岐接続部との間に１/４波長線路を付加することにより、π型の低域通過フィルタを使用しつつ、２つのミクサ間のアイソレーションを確保することができ、良好な変調精度を得ることができる。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor integrated circuit apparatus having an isolation region by which substrate noise to pass between both regions can be shut off effectively by preventing noise to pass a substrate surface from a digital circuit region to an analog circuit region and by avoiding the influence such as electrostatic surge or ripples of a power supply voltage from a power supply line.
    デジタル回路領域からアナログ回路領域に基板表層部を通過しようとするノイズを阻止し、かつ電源ラインからの静電サージや電源電圧のリップル等の影響を回避して両領域間を通過する基板ノイズを有効に遮断することができる分離領域を有する半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁
  • The method of manufacturing the semiconductor device comprises steps of forming a groove 1a whose side view inclines on a semiconductor substrate 1, forming an element isolation film 4a by embedding an insulating film in the groove 1a, and forming a gate oxide film of a transistor by carrying out the thermal oxidation of the semiconductor substrate 1.
    本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１に、側面が傾斜している溝１ａを形成する工程と、溝１ａに絶縁膜を埋め込むことにより素子分離膜４ａを形成する工程と、半導体基板１を熱酸化することにより、トランジスタのゲート酸化膜を形成する工程とを具備する。 - 特許庁
  • A plurality of layers having different hardness are laminated on the first and/or second impact absorption members 6 and 7, distance, etc., from the insides of the first impact absorption members 6 and 7 to both sides of the lower side horizontal section 3c are slightly shorter than the approximately half of the length of the maximum amplitude stroke in the earthquake preventing the earthquake by the base isolation device 30.
    第１及び／又は第２の衝撃吸収材６，７，は、それぞれ硬度が異なる複数の層が積層され、第１の衝撃吸収材６，７の内側面から下側水平部３ｃの両側面までの距離等は、免震装置３０により免震される地震の最大振幅ストローク長さの約半分の長さよりもやや短い長さとされてなる。 - 特許庁
  • Provided are MHC complexes useful for a variety of applications including: (1) in vitro screens for identification and isolation of peptides that modulate activity of selected T cells, including peptides that are T cell receptor antagonists and partial agonists, and (2) methods for suppressing or inducing an immune response in a mammal.
    該ＭＨＣ複合体は：１）Ｔ細胞受容体アンタゴニストおよび部分アゴニストであるペプチドを含めた、選択されたＴ細胞の活性を調節するペプチドの同定および単離のためのインヴィトロにおけるスクリーン、および２）哺乳類において免疫応答を抑制または誘導するための方法、を含む種々の適用に有用である。 - 特許庁
  • The semiconductor device includes an n-type semiconductor substrate 1, in which a p-type collector layer 2 is formed on the second principal plane, a trench 13 is formed on the outer edge so as to reach from the first principal plane to the collector layer 2 to surround the inside, and a p-type isolation region 14 coupled to the collector layer 2 is formed with the sidewall by diffusion.
    半導体装置は、第２主面側にｐ型のコレクタ層２が形成されたｎ型の半導体基板１を有し、その周縁部に内部を取囲むように第１主面よりコレクタ層２に到達するようにトレンチ１３が形成され、その側壁より拡散にて形成されたｐ型分離領域１４がコレクタ層２と連結して設けられている。 - 特許庁
  • In a NAND-type EEPROM, wirings CS1, CS2 are newly provided parallel to bit lines BL1, BL2 and disposed so as to be embedded in element isolation regions of an STI structure, and at writing, a prescribed potential Vcs (Vcc<Vcs<Vpass) is given to lessen wrong write of non-selected cells from being written in.
    ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭにおいて、ビット線ＢＬ１，ＢＬ２と平行に位置する配線ＣＳ１，ＣＳ２を新たに設け、且つこの配線をＳＴＩ構造の素子分離領域中に埋め込むように配置し、書き込み時に所定の電位Ｖcs（Ｖcc＜Ｖcs＜Ｖpass）を与えることによって、非選択セルが誤って書き込まれるのを低減することを特徴としている。 - 特許庁
  • Then the optical semiconductor device has a third semiconductor region provided on a region of a semiconductor layer isolated from the first semiconductor region and second semiconductor region by an element isolation region, and having the first conductivity type, and a fourth semiconductor region provided between a semiconductor substrate and the third semiconductor region and having the first conductivity type.
    そして、素子分離領域により前記第１半導体領域および前記第２半導体領域と分離された半導体層の領域に設けられ、第１導電型を有する第３半導体領域と、前記半導体基板と前記第３半導体領域の間に設けられ、第１導電型を有する第４半導体領域とを備える。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a semiconductor device, in which segregation of impurity in an offset impurity diffusion layer at LOCOS oxidation is suppressed and good element isolation is made with a LOCOS oxide film and the offset impurity diffused layer, so that superior and stable properties of the semiconductor device formed in an element region is obtained.
    本発明は、ＬＯＣＯＳ酸化時におけるオフセット不純物拡散層の不純物の偏析を抑制して、ＬＯＣＯＳ酸化膜及びオフセット不純物拡散層によって良好な素子分離を行い、素子領域に形成する半導体装置の特性を良好かつ安定したものにすることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • A semiconductor device may include a semiconductor substrate; an element isolation region which is formed in the semiconductor substrate and includes an oxide layer and an oxidant diffusion prevention layer located on the oxide layer; a gate insulating film formed on the semiconductor substrate and the oxidant diffusion prevention layer; and a gate electrode formed on the gate insulating film.
    本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板内に形成され、酸化物層と、前記酸化物層上に位置する酸化剤拡散防止層とを有する素子分離領域と、前記半導体基板上および前記酸化剤拡散防止層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を有する。 - 特許庁
  • The method for the production of the protein which binds to the IGF-1 receptor, by expressing an exogenous DNA in prokaryotic or eukaryotic host cells and isolation of the protein, wherein the protein is coded by a specific DNA sequence or a nucleic acid which hybridizes under stringent conditions with a nucleic acid sequence complementary to the nucleic acid sequence.
    原核生物又は真核生物宿主細胞において外来DNAを発現させ、そしてIGF-1レセプターに結合するタンパク質を単離することにより、当該タンパク質を生産するための方法であって、該タンパク質が、特定のDNA配列又は該核酸配列と相補的な核酸配列とストリンジェント条件下でハイブリダイズする核酸によりコードされることを特徴とする方法。 - 特許庁
  • Disclosed are Geobacillus T1 strain having a heat-resistant T1 lipase gene and its isolation method; a transformant expressing a heat-resistant T1 lipase and its preparation method wherein the lipase contains or does not contain a signal peptide, or is fused or not fused with GST (glutathione S-transferase) tag; and a method for producing the heat-resistant T1 lipase using the bacterial strain or the transformant.
    耐熱性Ｔ１リパーゼ遺伝子を有するジオバチルス属Ｔ１株およびその単離方法、シグナルペプチドを含むもしくは含まない、またはＧＳＴタグが融合されたもしくはされていない耐熱性Ｔ１リパーゼを発現する形質転換体およびその作製方法、および、同菌株または形質転換体を用いて耐熱性Ｔ１リパーゼを産生する方法。 - 特許庁
  • The semiconductor device is provided with a p-type silicon substrate 1 having a main surface, trenches 2 formed on an element isolation region in the main surface of the p-type silicon substrate 1, inner wall oxide films 3 formed on the inner walls of the trenches 2, nitride oxide layers 4 formed on the surfaces of the inner wall oxide films 3 and separated oxide films 5 embedded into the trenches 2.
    本発明の半導体装置は、主表面を有するｐ型シリコン基板１と、ｐ型シリコン基板１の主表面における素子分離領域に形成されたトレンチ２と、トレンチ２の内壁上に形成された内壁酸化膜３と、内壁酸化膜３の表面に形成された窒化酸化層４と、トレンチ２内に埋め込まれた分離酸化膜５とを備える。 - 特許庁
  • A first antenna and a second antenna are provided proximately and between the first and the second antennas and a demultiplexing element for demultiplexing transmission/reception signals of the first and the second antennas, first and second filters are provided, respectively, for passing only a target frequency band, thereby improving isolation between the signal to be transmitted/received by the first antenna and the signal to be transmitted/received by the second antenna.
    第１のアンテナと第２のアンテナとを近接して設け、前記第１、第２のアンテナと第１、第２のアンテナの送受信信号を分ける分波素子の間に、目的とする周波数帯域のみ通過させる第１、第２のフィルタを各々設けるので、第１のアンテナで送受信する信号と、第２のアンテナで送受信する信号とのアイソレーションを高くすることができる。 - 特許庁
  • To provide a resin composition which prevents isolation of a compound having an isocyanate group by blending a resin component comprising polylactic acid and aromatic polycarbonate with less environmental load, a cyclic carbodiimide compound having a carbodiimide group in a cyclic structure, and an antioxidant, and which is good in working environment and is excellent in chemical resistance and impact resistance as well as hydrolysis resistance.
    環境負荷の少ないポリ乳酸と芳香族ポリカーボネートからなる樹脂成分に対し、環状構造の中にカルボジイミド基を有する環状カルボジイミド化合物と酸化防止剤を配合することで、イソシアネート基を有する化合物の遊離を防ぎ、作業環境が良好で、耐加水分解性に優れるだけでなく耐薬品性、耐衝撃性にも優れる樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
  • To provide such an agent for use in the I-type allergy (for example, bronchial allergy, pollen allergy, gastrointestinal allergy, allergic nasitis, and allergic dermatitis) which has extremely high predisposition among the allergies as is a compound that suppresses especially the isolation of histamine, thus makes it possible to suppress the I-type allergy, is usable as a raw material for foods and drinks, and is usually ingestible.
    アレルギーの中で特に発症頻度が高いＩ型アレルギー（例えば、気管支喘息、花粉症、食物アレルギー、アレルギー性鼻炎、アレルギー性皮膚炎）用剤、特にヒスタミンの遊離を抑制し、これを介してＩ型アレルギーを抑制することを可能とする化合物であり、飲食品の素材としても使用可能で、日常的に摂取することが可能な抗Ｉ型アレルギー剤を提供する。 - 特許庁
  • This semiconductor device 100 includes: a first transistor 200 of n=1 and a second transistor 202 of n=2 or more each of which is a transistor having n trench(es) 162 each formed so that the depth discontinuously changes in a gate width direction; and an element isolation insulation film 110 formed around regions where the respective transistors are formed and isolating the regions where the transistors are formed.
    半導体装置１００は、ゲート幅方向に断続的に深さが変化するように形成されたｎ個のトレンチ１６２を有するトランジスタであって、ｎ＝１の第１のトランジスタ２００とｎ＝２以上の第２のトランジスタ２０２と、各トランジスタが形成された領域の周囲に形成されて当該トランジスタが形成された領域を区分けする素子分離絶縁膜１１０と、を含む。 - 特許庁
  • The diagnosis method for amyotrophic lateral sclerosis includes: an isolation step in which a specimen is sampled from a subject and a nucleic acid is isolated from the specimen; a detection step in which bases expressed in a human chromosome 10 OPTN (Optineurin) gene region are detected from the isolated nucleic acid; and a determination step in which it is determined whether or not the detected bases are mutated.
    本発明に係る筋萎縮性側索硬化症の診断方法は、被験者から試料を採取して、当該試料から核酸を単離する単離工程と、単離された核酸から、ヒト１０番染色体 ＯＰＴＮ（Optineurin）遺伝子領域に示される塩基を検出する検出工程と、検出された塩基が、変異しているか否かを判定する判定工程と、を備える。 - 特許庁
  • A radio relay apparatus which switches off an uplink amplifier circuit in order to avoid unnecessary signal emission when no mobile station transmitting a signal to a base station is detected in its coverage area, performs an isolation check during a suspension period, that is, while the amplifier circuit is switched off, so as not to disturb a telephone call.
    無線中継装置のエリア内に基地局向けの信号を送信している移動局が存在しない時、アップリンクの増幅回路をＯＦＦとし、不要な信号が放射されることを防止する機能を有する無線中継装置において、増幅回路がＯＦＦの期間、即ち休止期間中にアイソレーションチェックを行うことより通話が妨害されることがない無線中継装置とする。 - 特許庁
  • This base isolation device includes a unit having the rollers gradually increased in diameter from the minimum diameter part in the axial direction toward both ends, wherein the rollers include a lower roller rotatably journaled to a lower support member and an upper roller rotatably journaled to an upper support member, the rollers intersect each other, and the minimum diameter parts of the rollers abut on each other.
    軸方向の最小径部から両端部に向かって次第に拡径するように形成したローラーを有し、前記ローラーを下側支持部材に回転自在に軸支した下側ローラー部と上側支持部材に回転自在に軸支した上側ローラー部とからなり、前記ローラーを交差させるとともに、ローラーの最小径部を当接して形成したユニットを有することを特徴とする。 - 特許庁
  • A scroll pumping apparatus includes: a first scroll element and a second scroll element; a drive mechanism operatively coupled to the second scroll element for generating the orbiting motion of the second scroll element relative to the first scroll element, the drive mechanism having an axis of rotation; and an isolation element to isolate a first space and a second space in the scroll pumping apparatus.
    スクロール・ポンピング装置は、第１のスクロール要素および第２のスクロール要素を含み、第２のスクロール要素に動作可能に連結され、第１のスクロール要素に対して第２のスクロール要素が軌道周回運動を行うようにさせる駆動機構を含み、駆動機構は回転軸を有しており、スクロール・ポンピング装置内の第１の空間と第２の空間とを分離する分離要素を含んでいる。 - 特許庁
  • This light emitting element package 100 includes: a translucent body 110 including a cavity 115; a plurality of lead electrodes 121, 123 arranged in the cavity; an isolation part 112 for insulating the plurality of lead electrodes from each other; a light emitting element 125 electrically connected to the plurality of lead electrodes in the cavity; and a molding member 130 on the light emitting element.
    発光素子パッケージ１００は、キャビティー１１５を有する透光性の胴体１１０と、上記キャビティー内に配置された複数のリード電極１２１，１２３と、上記複数のリード電極の間を絶縁させる分離部１１２と、上記キャビティー内で上記複数のリード電極に電気的に連結された発光素子１２５と、上記発光素子の上にモールディング部材１３０と、を含む。 - 特許庁
  • The increase and decrease determination part 14 deletes a change amount C once held by the gas shut-off device on the basis of a correction request signal G determined by the isolation correction part 17 and registers an actual flow rate of gas as a new change amount C to prevent the period of time of gas use until the closing of a gas passage from being shortened on the basis of an unrealistic change amount C.
    増減判定部１４が乖離補正部１７で判定した補正要求信号Ｇに基づき、一旦ガス遮断装置が保持している変化量Ｃを削除し、新たな変化量Ｃとしてガスの実流量を登録することで、ガス通路を閉栓するまでのガスの使用時間がありえない変化量Ｃに基づき短くなることを防止することができる。 - 特許庁
  • The winding apparatus includes: a winding having a plurality of wound conductor parts made of conductive material having a predetermined wound pattern; and an isolation layer made of an insulation material made by processing a diamagnetic conductive material to turn into a non-conductive material, lying between a pair of mutually adjacent wound conductor parts among the plurality of wound conductor parts which constitute the winding.
    所定の巻回パターンによる導電性物質からなる複数の周回導体部分を有する巻線を包含する巻線装置であって、前記巻線を構成する複数の周回導体部分のうちで、互いに隣接する一対の周回導体部分の間には、反磁性の導電性物質を非導電化処理してなる絶縁性物質からなる絶縁層が介在されている。 - 特許庁
  • A semiconductor device manufacturing method includes a step of irradiating a proton several times from either one of main surfaces of a p-type wafer 15 while changing acceleration energy, forming proton injection regions 24 with different depths so as to be linked from the one main surface to the other main surface, and then forming an n-type isolation layer 25 by donating the proton injection regions 24 via heat treatment.
    ｐ型ウエハ１５のいずれか一方の主面からプロトンを複数回、加速エネルギーを変えて照射し、深さの異なるプロトン注入領域２４を、前記一方の主面から他方の主面にかけて繋がるように形成し、その後、熱処理によりドナー化することによりｎ型分離層２５を形成する工程を有する半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁
  • The low horizontally movable device 9 having a specified friction constituted of a rolling device or a sliding device is interposed between a floor pallet 8 to be laid on a floor and the ground face 3a of a foundation 3 when constituting a garage 6 to form a low floor and connect the floor pallet 8 through a connection device (not shown in the figure) to the base isolation building body 1.
    ガレージ６を構成するに当り、床に敷設する床パレット８と基礎３の地盤面３ａとの間に、高さが低く、転がり装置或は滑り装置から構成された所定の摩擦度を持った水平移動可能装置９を介在させて低床を構成し、かつこの床パレット８を連結装置（図示せず）を介して免震建物本体１に連結する。 - 特許庁
  • This flash memory device includes a write driver for driving a data line according to data to be written to a flash memory cell during a program period, a sense amplifier circuit for sensing and amplifying the data stored in the flash memory cell during a program verify period, and an isolation circuit for electrically isolating the sense amplifier circuit from the data line during an operation period of the write driver.
    ここに開示されるフラッシュメモリ装置は、プログラム区間の間、フラッシュメモリセルに書き込まれるデータに従ってデータラインを駆動する書き込みドライバと、プログラム検証区間の間、前記フラッシュメモリセルに貯蔵されたデータを感知増幅する感知増幅回路と、前記書き込みドライバの動作区間の間、前記データラインから前記感知増幅回路を電気的に絶縁させる絶縁回路とを含む。 - 特許庁
  • The rice seed direct sowing machine is designed to sow the plurality of rice seeds in a number of one to 4 grains in each of the plurality of rice seed direct sowing sites in the paddy field so as to isolate one rice seed direct sowing site from other rice seed direct sowing sites located nearest to the one rice seed direct sowing site by an isolation interval within a prescribed range.
    本発明の種籾直播機は、水田における複数の種籾直播個所の各々に１粒から４粒のいずれかの粒数の前記種籾を播き、かつ、一の前記種籾直播個所と当該一の種籾直播個所に対して最も近くに位置する他の前記種籾直播個所とが所定範囲内の離隔間隔だけ離隔されるように前記複数の種籾を水田に播く。 - 特許庁
  • The semiconductor device includes a semiconductor substrate 110; a trench 136 formed on the semiconductor substrate; and an element isolation 160 filled in the trench and having a wet etching speed which is slow at the wet etching speed near the upper end of the trench as compared with the near of the lower end of the trench, and which is substantially uniform in a plane parallel to the front surface of the semiconductor substrate.
    半導体装置は、半導体基板１１０と、半導体基板に形成されたトレンチ１３６と、トレンチの内部に充填され、ウェットエッチング速度がトレンチの下端部近傍よりもトレンチの上端部近傍において遅く尚且つ半導体基板の表面と平行な面内においてはほぼ均一なウェットエッチング速度を有する素子分離部１６０とを備えている。 - 特許庁
  • This cooling device includes: a storage means formed with a reception space for receiving the cooling target inside a first storage case, and having a cold storage material pocket around the received cooling target; a drive means for vibrating or rotating the storage means; and an isolation means isolating the storage means and the drive means from a second storage case.
    冷却対象が受納されるための受納空間が第１貯蔵ケース内部に形成され、前記受納された冷却対象の回りに蓄冷材ポケットが備えられる貯蔵手段と； 前記貯蔵手段を振動又は回転させるための駆動手段と； 前記貯蔵手段及び駆動手段が第２貯蔵ケースと離隔されるように備えられる離隔手段と；を含んで成るように構成する。 - 特許庁
  • The floor board 5 supporting the upper structure 4 separated from the foundation of the building in a state supported by the base isolation device comprises a plurality of precast concrete slabs 1 arranged at least in one direction, tensile force is introduced to tension members 6 inserted in the direction at least arranged inside of the whole of the precast concrete slabs 1 to integrate the whole of the precast concrete slabs 1.
    免震装置２で支持された状態で、建物の、基礎から分離する上部構造４を支持する床板５を少なくとも一方向に並列して配置される複数枚のプレキャストコンクリート板１から構成し、全プレキャストコンクリート板１の内部に少なくとも並列する方向に挿通する引張材６に張力を導入して全プレキャストコンクリート板１を一体化させる。 - 特許庁
  • In this base isolation rubber supporting structural body comprising rubber blocks with viscoelastic properties having upper and lower horizontal surfaces fixed to a rigid flange, the vertical side faces of the rubber blocks having the viscoelastic properties are wound by a high tension band-shaped body at specified intervals in vertical direction, and the outside displacement of the wound rubber portion is arrested.
    上下の水平面が剛性のフランジに固着されている粘弾性的性質を有するゴムブロックからなる支承構造体であって、該粘弾性的性質を有するゴムブロックの鉛直側面が鉛直方向に間隔を置いて高張力帯状体で巻き付けられ、該巻き付けゴム部分の外側変位が拘束されていることを特徴とする免震ゴム支承構造体。 - 特許庁
  • The rice seed direct sowing machine is designed to sow the plurality of rice seeds having a number of one to eight grains in each of the plurality of rice seed direct sowing sites on the paddy field so as to isolate one rice seed direct sowing site from other rice direct seeding sites located nearest to the one rice seed direct sowing site by an isolation interval within a prescribed range.
    本発明の種籾直播機は、水田における複数の種籾直播個所の各々に１粒から８粒のいずれかの粒数の前記種籾を播き、かつ、一の前記種籾直播個所と当該一の種籾直播個所に対して最も近くに位置する他の前記種籾直播個所とが所定範囲内の離隔間隔だけ離隔されるように前記複数の種籾を水田に播く。 - 特許庁
  • The rainwater storage permeation facility is constituted by forming a storage space by arranging table members having one or more leg parts opened into a rectangular flat plate part in the underground sections and inserting a sheet having elasticity of rubber into an overlapped part of a butting part of the leg parts and the flat plate part when arranging the table members to enhance the base isolation property.
    本発明は、矩形状の平板部に開口する１以上の脚部を有するテーブル状部材を地下に配列することで貯留空間を形成した雨水等の貯留浸透施設において、前記テーブル状部材を配列するときの脚部の突き合せ部及び平板部の重なり部にゴム弾性を有するシートを挿入した免震性を高めた雨水等の貯留浸透施設である。 - 特許庁
  • This semiconductor device includes: a substrate having a trench that defines an active region; an element isolation film buried in the trench; a pro-oxidant region formed at an upper corner portion of the trench to enhance oxidation at the upper corner portion of the trench when a gate insulating film is grown on the active region; and a gate conductive film formed on the gate insulating film.
    本発明の半導体素子は、活性領域を画定するトレンチが形成された基板と、該トレンチに埋め込まれた素子分離膜と、前記活性領域上にゲート絶縁膜の成長時に前記トレンチの上部縁部位での酸化を促進するために前記トレンチの上部縁部位に形成された酸化促進領域と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート導電膜と、を備える。 - 特許庁
  • To provide an aqueous polyurethane resin in which the isolation of a VOC component when film forming drying can be reduced, which is excellent in mechanical physicality, can obtain flexible touch, and can obtain a film which combines outstanding moisture permeability and water resistance, to provide a hydrophilic resin which includes the aqueous polyurethane resin (first aqueous resin) and a second aqueous resin, and to provide a film obtained from the hydrophilic resin.
    成膜乾燥時のＶＯＣ成分の遊離を低減でき、機械物性に優れ、柔軟な風合いを得ることができ、優れた透湿性と耐水性とを兼ね備えるフィルムを得ることができる水性ポリウレタン樹脂、その水性ポリウレタン樹脂（第１水性樹脂）および第２水性樹脂を含む親水性樹脂、その親水性樹脂から得られるフィルムを提供すること。 - 特許庁
  • This gas insulated switching device includes a tank 6 for storing isolation gas in it by integrating a first tank member 61 and a second tank member 62 for storing elements 1, 2 constituting the switching device by welding each other and an insulation partitioning member 5 for performing gas classification in a tank inside thermally separated from a welded portion 7 between the first tank member and the second tank member.
    開閉装置を構成する要素１、２を収容する第１のタンク部材６１、および第２のタンク部材６２相互を溶接により一体化し、内部に絶縁ガスを収容したタンク６と、上記第１のタンク部材および第２のタンク部材の溶接部７から熱的に離間して設けられたタンク内をガス区分する絶縁区画部材５とを備えるように構成した。 - 特許庁
  • A bipolar transistor is provided with a polysilicon layer 21 connected to one of the emitter, collector, and base inside an element isolation region, and uses the polysilicon layer 21 as a resistance, so that although it is constituted with the resistance is connected to one of the emitter, collector; and base, the element area is prevented from increasing and the high integration can be actualized.
    本発明のバイポーラトランジスタは、素子分離領域の内側において、エミッタ、コレクタまたはベースの中のいずれか１つと接続されるようにポリシリコン層２１を設け、このポリシリコン層２１を抵抗として使用するように構成したので、エミッタ、コレクタまたはベースの中のいずれか１つに抵抗を接続するように構成しながら、素子面積が増えることを防止でき、高集積化を実現できる。 - 特許庁
  • This method of manufacturing a semiconductor device comprises a step of ion-implanting impurities into a trench formation region 10 on the main surface of a silicon substrate 1, a step of forming trenches 5a-5c, by etching the trench formation region 10 so as to ion-implant the impurities, and to embed the trenches 5a-5c, to form an element isolation insulating region 7.
    この半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の主表面のトレンチ形成領域１０に不純物をイオン注入する工程と、その不純物がイオン注入されたトレンチ形成領域１０をエッチングすることによってトレンチ５ａ〜５ｃを形成する工程と、トレンチ５ａ〜５ｃを埋め込むように素子分離絶縁膜７を形成する工程とを備えている。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing unit laminate rubber for a base isolation structure without a problem of an yield of a material and the like in case of forming unvulcanized unit laminate rubber by punching a formed rubber sheet or without a decrease of a dimensional accuracy, an increase of equipment cost, generation of scorch and the like in case of forming the unvulcanized unit laminate rubber by injection molding.
    成形されたゴムシートを打抜いて未加硫の単位積層ゴムを形成する場合のような、材料歩留り等の問題を生じることがなく、射出成形によって、未加硫単位積層ゴムを形成する場合のような、寸法精度の低下、設備コストの増加、スコーチの発生のおそれ等のない免震構造体用単位積層ゴムの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The ceramic-based heat-resistant member 1, which is exposed to an environment involving a heat cycle, comprises a ceramic substrate 11 made from a CMC material and a porous ceramic coating layer 12 coated on the ceramic substrate 11 capable of adhering to the ceramic substrate 11 on the side of the ceramic substrate 11 and having heat isolation properties on the side of a non-ceramic substrate 11.
    熱サイクルのある環境下に配されるセラミックス基耐熱部材１であって、ＣＭＣ材料によって構成されるセラミック基材１１と、該セラミック基材１１上に配されかつ上記セラミック基材１１側に上記セラミック基材１１に対する密着性を有し非セラミック基材１１側に遮熱性を有するポーラス状のセラミック被覆層１２とを有する。 - 特許庁
  • The antenna duplexer is configured such that one end of a shield line 12 provided on a piezoelectric substrate 2 for forming the antenna duplexer is connected to a ground and the other end is formed to be an open end, and the open end is capacitively coupled (14) to an unnecessary coupling path 13 formed between a transmission terminal 7 and a reception terminal 8, so that the isolation characteristic can be improved.
    特にアンテナ共用器を形成する圧電基板２上に設けられるシールド線路１２の一端をグランド接続し他端を開放端とするとともに、この開放端を送信端子７と受信端子８との間に形成される不要結合経路１３に対して容量結合１４させた構造としたものであり、アイソレーション特性を向上させることができる。 - 特許庁
  • A method and system for vapor deposition on a substrate that disposes a substrate in a process space of a processing system that is isolated from a transfer space of the processing system, processes the substrate at either of a first position or a second position in the process space while maintaining isolation from the transfer space, and deposits a material on the substrate at either the first position or the second position.
    基板上の蒸着のための方法およびシステムであって、処理システムの移送空間から分離（アイソレーション）された処理システムの処理空間に基板を配置し、移送空間から分離が維持されている間、処理空間の第１の位置または第２の位置のいずれかで基板を処理し、前記第１の位置または第２の位置のいずれかで前記基板に材料を堆積させる。 - 特許庁
  • The industrially advantageous manufacturing method of the 4-hydroxybenzothiophene derivative comprises subjecting 3-(2-thienyl)allyl alcohol and carbon monoxide to a cyclocarbonylation reaction in the presence of a palladium catalyst, a ligand, an organic acid anhydride and a base to form a benzothiophene skeleton followed by a hydrolysis reaction of the intermediate with or without isolation of the intermediate.
    ３−(２−チエニル)アリルアルコールと一酸化炭素を、パラジウム触媒、リガンド、有機酸無水物及び塩基存在下、シクロカルボニル化反応を行いベンゾチオフェン骨格を構築し、当該中間体を単離又は単離することなく、その後加水分解反応することを特徴とする４−ヒドロキシベンゾチオフェン誘導体の工業的に有利な製造方法を解決手段とする。 - 特許庁
  • (3) In cases where a detainee is found to fall under items of paragraph (1) under Article 12 of the Act on Prevention of Infectious Diseases and Medical Treatment for Patients with Infections Diseases (Act No. 114 of 1998), the prisoner of war camp commander shall conduct necessary measures, such as isolation and/or hospitalization of the detainee, in the manner set forth by the Minister of Defense.
    ３　捕虜収容所長は、被収容者が感染症の予防及び感染症の患者に対する医療に関する法律（平成十年法律第百十四号）第十二条第一項各号に掲げる者に該当すると認めるときは、防衛大臣の定めるところにより、当該被収容者の隔離、入院その他の必要な措置を講ずるものとする。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
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