「Isolation」を含む例文一覧(7495)
＜前へ 1 2 .... 29 30 31 32 33 34 35 36 37 .... 149 150 次へ＞- A base isolated foundation 2 is supported and base isolated in a vertical direction with an air spring 3 as a vertical base isolation device in a base isolation pit 1, and a building 5 is supported and base isolated in a horizontal direction with a horizontal base isolation device such as a laminated rubber 4 on the base isolated foundation.
免震ピット１内に免震基礎２を上下免震装置としての空気バネ３により上下方向に免震支持し、免震基礎上に建物５を積層ゴム４等の水平免震装置により水平方向に免震支持する。 - 特許庁 - The thickness of a floor slab 13a of the second floor which is the bottom floor (base isolation bottom floor) of the upper floors is almost the same as the beam depth of a girder 11a of the base isolation bottom floor.
上部階の最下階（免震最下階）である２階の床スラブ１３ａの厚さは、免震最下階の大梁１１ａの梁成とほぼ同じである。 - 特許庁 - This base isolation underground continuous wall to be used is provided with an underground continuous wall constructed in the ground, and a base isolation mechanism 3 connected to the top end 1a of the underground continuous wall 1.
地盤中に構築された地中連続壁１と、地中連続壁１の天端１ａに連結された免震機構３とを備える免震地中連続壁を用いる。 - 特許庁 - The rigidity of the intermediate base isolation layer 1 is set so that the whole body of the upper layers located at the upper layer than the intermediate base isolation layer 1 generates whipping vibration in an earthquake.
中間免震層１よりも上層に位置する上層部全体が地震時に鞭振り振動を生じるように中間免震層１の剛性を設定する。 - 特許庁 - An isolation wall 14 is disposed wherein isolation into a plurality of isolated elements A-D is performed so as to contain both a first light receiving element 12 and a second light receiving element 13.
第１の受光素子部１２および第２の受光素子部１３を共に含むように複数の分離素子部Ａ〜Ｄに分離する分離壁１４が設けられている。 - 特許庁 - To provide a vibration isolation device A having increased durability by pre-compression added to rubber elastic parts 22 and 32 and manufacturable at a low cost and a method of manufacturing the vibration isolation device.
ゴム弾性部２２，３２に予圧縮を付与して、その耐久性を向上させる一方で、低コストで製造可能な防振装置Ａ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a means for reducing variations in the width of an STI (shallow trench isolation) step when an element isolation layer formed by STI method is polished together with a stopper nitride film.
ＳＴＩ法により形成する素子分離層をストッパ窒化膜と共に研磨する場合におけるＳＴＩ段差のバラツキ幅を低減する手段を提供する。 - 特許庁 - To provide an engine cooling water pump device of a simple structure by providing a vibration isolation seal part with both of a vibration isolation function and a seal function.
防振とシールとの両機能を防振シール部に備えさせることにより構造の簡素化を図ったエンジン冷却ウォータポンプ装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - When the remaining second isolation layer 180a is removed through etching and the sacrificial layer 160 is removed through etching, the first isolation layer 140 is exposed.
エッチングにより前記の残留している第２遮断層１８０ａを除去し、犠牲層１６０もエッチングにより除去すると、第１遮断層１４０が露出する。 - 特許庁 - To absorb the description fluctuation of additional isolation conditions by selecting an isolation condition corresponding to an additional question item and answer contents from a display screen.
追加の質問事項及び回答内容に対応した切り分け条件を表示画面上から選べるため、追加の切り分け条件の表記揺れを吸収できる。 - 特許庁 - To obtain a rack for mounting a medical image recorder on a vehicle, which allows switching between vibration isolation mode and fixing mode without separately installing vibration isolation device in a vehicle.
防振対策装置を別途に車両に設置することなく、防振モードと固定モードとの切り換えが可能となる医療用画像記録装置の車載用架台を得る。 - 特許庁 - In the method for element separate formation, a high concentration region of a well is formed by self-alignment manner on the side surface of STI(shallow trench isolation).
本発明に係る素子分離形成方法は、ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）側面に、ウェルの高濃度領域を自己整合的に形成する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide the element isolation formation method of a semiconductor device for achieving an element isolation process with high productivity by minimizing the travel of a wafer and eliminating time loss.
ウェハの移動を最小限にし、時間的なロスをなくした高生産性の素子分離工程を実現する半導体装置の素子分離形成方法を提供する。 - 特許庁 - Thus, since adverse effects due to remaining electric charges of the liner layer 12 are dissolved in the element isolation film 11, a proper state is held, without lowering the element isolation capability.
これにより、素子分離膜１１ではライナー層１２の残留電荷による悪影響が解消されるので、素子分離能力は落ちずに良好な状態が保たれる。 - 特許庁 - A base isolation floor 1 is supported on a horizontal foundation in such a way as able to make relative vibration in all horizontal directions, and dampers 2 and return springs 3 are interposed between the foundation and the base isolation floor.
水平な基盤上に免震床１を水平各方向に相対振動可能に支持し、基盤と免震床との間にダンパー２および復帰バネ３を介装する。 - 特許庁 - To secure horizontal base isolation performance while simplifying a structure, and further maintain vertical base isolation performance even if a pneumatic spring is horizontally sheared and deformed.
構造の簡素化を図りつつ水平方向の免震性能を確保するとともに、空気ばねが水平方向にせん断変形しても鉛直方向の免震性能を維持すること。 - 特許庁 - To provide a seismic isolation structure which can exhibit seismic isolation effect stably even if interposed in place on which tensile force applies between upper and lower structures when earthquake takes place.
地震時に上下部構造間に引張力が作用する箇所に介装しても、安定的に免震効果を発揮することができる免震構造を提供する。 - 特許庁 - To increase an axial force applied to base isolation devices to which outer peripheral columns are fixed over an axial force applied to a base isolation device to which an intermediate column is fixed without requiring a jack up step.
ジャッキアップ工程を必要とせず、外周柱を固定する免震装置に加える軸力を、中間柱を固定する免震装置に加える軸力より大きくする。 - 特許庁 - The thin film stack comprises an (optional) isolation layer, a metal layer forming an electrode, a sensor, a heater, a transistor or a logic device, and a top isolation layer.
薄膜積層体は、（任意選択として）絶縁層と、電極を形成する金属層と、センサと、ヒータと、トランジスタ又は論理デバイスと、上部の絶縁層とを備える。 - 特許庁 - 1×1 to 4×4 isolation amount calculating parts 31 to 34 calculate the isolation amount of pixel value in plurality of areas on the basis of BDT and peculiar parameter.
１×１から４×４孤立量算出部３１−３４は、ＢＤＴおよび固有のパラメータに基づき、複数の領域それぞれにおいて、画素値の孤立量を算出する。 - 特許庁 - Further, the invasion of a grain boundary into the region pinched by the isolation layers 6 is blocked by the isolation layers 6 thereby, the region can be crystallized with good uniformity.
さらに、分離層６に挟まれた領域への粒界の進入はその分離層６によってブロックされるため、この領域を均質性良く結晶化することができる。 - 特許庁 - An insulation material 5 for allowing relative vertical displacement between the constraint member 4 and the horizontal base isolation device 3 when the relative vertical displacement occurs is interposed between the constraint member 4 and the horizontal base isolation device 3.
拘束部材４と水平免震装置３との間に、両者間の鉛直方向の相対移動時に、その相対移動を許容する絶縁材５を介在させる。 - 特許庁 - An isolation part IS3 and an isolation part IS5 are arranged in such a way that the area of an active region in an npn transistor QN3 and a pnp transistor QP1 forming a pair becomes nearly equal.
ペアを形成するｎｐｎトランジスタＱＮ３とｐｎｐトランジスタＱＰ１との能動領域の面積がほぼ等しくなるように分離部ＩＳ３，ＩＳ５を配置した。 - 特許庁 - To provide a vibration isolating operation authentication apparatus of a base isolation building capable of easily and intermittently authenticating an operating condition of a base isolation device by a resident in the building.
居住者が免震装置の作動状況を建物内にて容易に且つ継続的に確認することができる免震建物の免震作動確認装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a ground displacement absorbing base isolation structure in which prolonged stability of an underground base isolation wall is secured and stress acting on an underground structure such as an open-cut tunnel at the time of an earthquake is reduced.
地中免震壁の長期安定性を確保できるうえ、地震時の開削トンネルなどの地中構造物への応力低減を図ることができる。 - 特許庁 - To provide a base isolation device capable of reducing vibration of a sill for a foundation and maintaining a base isolation function sufficiently even when vibrating it forcibly in the vertical direction.
基礎に対する土台の震動を緩和すると共に、上下の縦方向に強制的に震動した場合であっても免震機能を十分に維持できるようにする。 - 特許庁 - A tunnel isolation layer 12 for forming the electron source and an electron-emitting element DPX having the same isolation layer and not contributing to displaying is arranged in the vicinity of the display range AR.
表示領域ＡＲの周囲に、電子源を構成するトンネル絶縁層１２と同層の絶縁層をもつ表示に寄与しない電子放出素子ＤＰＸを設けた。 - 特許庁 - It is also possible to simplify a manufacturing process by forming a channel formation region simultaneously with a low concentration side isolation layer, and an island lower region simultaneously with a high concentration side isolation layer.
チャネル形成領域を低濃度側分離層と、島下部領域を高濃度側分離層と同時に形成し、製造プロセスの簡単化を図ることもできる。 - 特許庁 - To provide a vibration isolation damper to be comparatively high in vibration absorbing performance and capable of performing comparatively easy manufacture and assembly and to provide a vibration isolation support device using the damper.
振動吸収性能が比較的高く、且つ製造及び組み付けを比較的容易に行うことができる防振ダンパー及びそれを用いた防振支持装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a forming method for isolation region of a semiconductor element which improves the characteristics of an isolation film by surely forming the upper corner part of a trench into a rounding shape.
トレンチの上側コーナー部分を確実にラウンディング形状に形成して、隔離膜の特性を向上させ得る半導体素子の隔離領域の形成方法を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor memory device is provided with a plurality of memory cells 12 each having a transistor 14 and a capacitor 16, and an element isolation section 22 for executing isolation separation between the memory cells.
半導体記憶装置は、トランジスタ１４及びキャパシタ１６を夫々有する複数のメモリセル１２と、メモリセル間を素子分離する素子分離部２２とを具備する。 - 特許庁 - SENDING AND RECEIVING ISOLATION SYSTEM FOR ULTRASONIC PROCESSING, ULTRASONIC ISOLATION METHOD OF SENDING EVENT AND RECEIVING EVENT, AND ACOUSTIC ENERGY SENDING METHOD BY PHASE INVERSION
超音波処理用の送信及び受信アイソレーションシステム、送信イベントと受信イベントの超音波アイソレーション方法、位相反転により音響エネルギを送信する方法 - 特許庁 - In the pixel formation region 4, an element isolation layer 12 protruded on the semiconductor substrate and an element isolation region 11 embedded in the substrate isolate elements from each other.
画素形成領域４においては、半導体基板上に突出した素子分離層１２と基板内に埋め込まれた素子分離領域１１とが、素子間を分離する。 - 特許庁 - To materialize the simplification of an etch back process for flattening the top of an insulated isolation trench, and secure the flatness of the top of the insulated isolation trench enough at the same time.
絶縁分離トレンチの上部を平坦化するためのエッチバック工程の簡略化を実現し、同時に絶縁分離トレンチ上部の平坦性を十分に確保すること。 - 特許庁 - The isolation distance adjusting device 23 can change the direction of the mirror 221 by adjusting the mirror 221 and the isolation distance to the mirror 221.
離隔距離調節装置２３は、反射鏡２２１と反射鏡２２１との間の離隔距離を調節することにより反射鏡２２１の向きを変えることができる。 - 特許庁 - To improve the reliability of an integration circuit which is manufactured with trench isolation by forming a trench isolation structure with a void-free trench plug 36 equipped thereto.
ボイドのないトレンチプラグ３６を備えたトレンチアイソレーション構造を形成することによってトレンチアイソレーションを備えて製造される集積回路の信頼性を改善する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a circular polarization isolation element with which the thin film structured circular polarization isolation element excellent in reflection efficiency is easily and effectively manufactured.
反射効率に優れた薄膜構成の円偏光分離素子を容易にかつ効果的に製造することができる、円偏光分離素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a front teleconverter which is properly corrected of various aberrations, including those in vibration isolation and has superior imaging performance and vibration isolation performance desspite high magnification.
高倍率であるにもかかわらず、防振時も含めて諸収差が良好に補正され、優れた結像性能および優れた防振性能を備えたフロントテレコンバーター。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor device having trench isolation, especially a nonvolatile semiconductor memory, in which the occurrence of a detect due to the overoxidation of a trench isolation region is suppressed.
トレンチ分離を有する半導体装置、特に不揮発性半導体記憶装置において、トレンチ分離領域が過度に酸化されることに起因する欠陥の発生を抑制する。 - 特許庁 - Consequently, an electric charge 220 is not allowed to build up in the upper isolation layer but rather bleeds from the field shield into the lower isolation layer and into the substrate below.
その結果、電荷は、上側絶縁分離層内に蓄積されるのではなく、フィールド・シールドから下側絶縁分離層内へ、そしてその下の基板内に流れ込む。 - 特許庁 - Due to this structure, trench isolation stress applied to the channel region below the gates from the trench isolation Ris is uniformed for each transistor, resulting in improving the circuit simulation accuracy.
これにより、トレンチ分離Ｒｉｓからゲート下方のチャネル領域に加わるトレンチ分離ストレスは、各トランジスタについて均一化され、回路シミュレーションの精度が向上する。 - 特許庁 - This semiconductor device comprises a trench isolation structure, wherein each element at a high power source voltage circuit part and a low power source voltage circuit part is isolated interns of elements by a trench isolation part 4.
高電源電圧回路部と低電源電圧回路部とにおける各素子をトレンチ分離部４により素子分離したトレンチ分離構造を有する半導体装置である。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device with a trench type element isolation structure wherein no recess develops in the edge part of an embedded oxide film of the trench type element isolation.
トレンチ型素子分離の埋込酸化膜のエッジ部において、くぼみの発生しないトレンチ型素子分離構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To realize a rational and economical upper structure building structure skeleton reflecting a merit of a construction of vibration isolation in order to cancel the rising of a cost for a vibration isolation building.
免震建物のコストアップを解消するために、免震構造のメリットを反映した合理的で経済的な上部構造体用建築構造骨組みを実現する。 - 特許庁 - The base-isolated building 1 supported by a base isolation device 3 in a base isolation manner is newly constructed, and an extension part 4 is constructed in an upper story of the base-isolated building after its use is started.
免震装置３により免震支持してなる免震建物１を新築し、その供用を開始した後に、該免震建物の上層部に増築部４を増築する。 - 特許庁 - To surely execute vibration isolation without causing any trouble in maintenance even in the case a vibration isolation device is provided to a small-sized building such as wooden housing, etc.
免震装置に関し、木造住宅等の小型建築物に装備してもメンテナンスに不具合を来さず確実に免震を行なうことができるようにすることを目的とする。 - 特許庁 - According to the method, in an isolation process, a dioxins attaching source or an asbestos dusting source is isolated and the inside of the incinerator enclosed airtightly by isolation is kept under negative pressure using a dust collector.
隔離工程により、ダイオキシン類付着源またはアスベスト粉塵発生源を隔離し、隔離により密閉区分された内部を集塵装置により負圧に維持する。 - 特許庁 - An input/output end part of the ECU 2 is provided with an isolation switch 7 controlled in a control part 4, and the isolation switch 7 is connected to the control part 4 and the load 3.
ＥＣＵ２の入出力端部に制御部４で制御される切り分けスイッチ７が設けられ、この切り分けスイッチ７は制御部４と負荷３とに接続される。 - 特許庁 - After a trench isolation groove 105 is formed at a site to be formed with the element isolation, a thick film oxide film 106 is deposited on each of both the main surface side and the rear surface side.
素子分離を形成すべき部位にトレンチ分離用溝１０５を形成した後、主表面側および裏面側の双方に厚膜酸化膜１０６を堆積させる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a base isolation plug which has reduced porosity without using lead for improving the damping performance of a base isolation device.
鉛を使用することなしに、免震プラグの空隙率を減少させてなお、免震装置の減衰性能を向上させることができる免震プラグの製造方法を提供する。 - 特許庁
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