「Isolation」を含む例文一覧(7495)
＜前へ 1 2 .... 39 40 41 42 43 44 45 46 47 .... 149 150 次へ＞- The photodiodes 20a and 20b are separated by an STI structure element isolation section 33a.
フォトダイオード２０ａおよび２０は、ＳＴＩ構造の素子分離部３３ａにより素子分離される。 - 特許庁 - Thus, the directivity being a ratio of a degree of coupling to the isolation characteristic can be enhanced.
これにより、結合度とアイソレーション特性との比であるダイレクティビティを改善することができる。 - 特許庁 - After the isolation process, the changed sign is returned to the original comma sign by a comma reverse-conversion circuit 103.
分離処理後に、上記の別符号を元のコンマ符号にコンマ逆変換回路１０３で戻す。 - 特許庁 - To provide an isolator with a small insertion loss having a high isolation value and a high outband attenuation.
挿入損失が小さく、アイソレーション値及び帯域外減衰量が高いアイソレータを提供する。 - 特許庁 - A cab 5 is mounted to a mount fitting section 3a of a chassis frame 3 via a vibration isolation mount device 4.
機体フレーム３のマウント取付部3aに防振用のマウント装置４を介してキャブ５を取付ける。 - 特許庁 - The substrate comprises an effective region between regions of bubble-like shallow trench isolation(STI).
基板は風船形の浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）の領域の間に有効領域を有する。 - 特許庁 - It is preferable that up-down moving mechanisms (34, 34a) that can move the sound isolation duct (20) up and down are provided.
防音ダクト(20)を上下方向に移動可能とする上下移動機構(34,34a)を備えた方がよい。 - 特許庁 - To provide a CO_2 decreasing system by recovery/isolation of sea plankton which recovers and isolates plant plankton absorbing CO_2 to surely decrease the CO_2.
ＣＯ_２を吸収した植物プランクトンを回収・隔離してＣＯ_２を確実に削減する。 - 特許庁 - To provide a high-frequency switch circuit which can yield higher isolation compared to prior ones.
従来と比べて高いアイソレーションを得ることができる高周波スイッチ回路を提供する。 - 特許庁 - An isolation trench 30 deep enough to reach the surface of a growth substrate 11 is formed (Fig.1(d)).
成長基板１１表面に達する深さをもつ分離溝３０を形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁 - To provide a bridge base isolation device suitable even for railroad bridges.
本発明は、鉄道橋梁にも好適な、橋梁免震装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - An isolation region 301 is formed between a first inductor 201 and a second inductor 202.
第１インダクタ２０１と第２インダクタ２０２との間に、アイソレーション領域３０１を形成する。 - 特許庁 - This sound isolation duct (20) includes moving mechanisms (30, 30a) that enables the duct (20) to be moved to a plurality of positions and placed.
防音ダクト(20)を複数箇所に移動させ、設置可能とする移動機構(30,30a)を有する。 - 特許庁 - An element isolation insulative film 18 is formed so as to surround the perimeter of a peripheral circuit 16.
周辺回路１６の周囲を取り囲むように素子分離絶縁膜１８が形成されている。 - 特許庁 - Insulating-film liners 18a are formed on the bottom face and side faces of the isolation trench.
絶縁膜ライナー１８ａが素子分離トレンチの底面上及び側面上に形成される。 - 特許庁 - An active region 2a surrounded by an element isolation film 3 is formed on a silicon substrate 1.
シリコン基板１上に素子分離膜３に周囲を囲まれた活性領域２ａを設ける。 - 特許庁 - Accordingly, deformation and residual deformation caused in a base isolation layer 18 can be reduced.
これにより、免震層１８に生じる変形及び残留変形を低減することができる。 - 特許庁 - The isolation wall 21, being annular and encircling a nuclear reactor pressure vessel 3, is installed on the diaphragm floor 7.
原子炉圧力容器３を取り囲む環状の隔離壁２１がダイアフラムフロア７に設置される。 - 特許庁 - The base isolation device comprises a support 20 having a ball 2 held between upper and lower dishes 1, 1a.
免震装置は、上・下皿（１，１ａ）の間にボール（２）を挟持した支承体（２０）を含む。 - 特許庁 - Inside the component 22, transceiver electronic circuits and electromagnetic circuits for isolation are assembled.
構成要素２２の内部にはトランシーバ電子回路や、アイソレーション用の電磁回路が組み込まれる。 - 特許庁 - An element isolation region 109 is formed for a gate electrode 103 through self alignment.
ゲート電極１０３に対して素子分離領域１０９を自己整合的に形成している。 - 特許庁 - To provide integration of shallow trench isolation and through-substrate vias into integrated circuit designs.
浅いトレンチ分離および基板貫通ビアの集積回路設計への統合を提供すること。 - 特許庁 - To enhance isolation between respective ports by eliminating coupling of the high-pass filter side and the low-pass filter side.
ハイパスフィルタ側とローパスフィルタ側との結合を無くして各ポート間のアイソレーションを向上する。 - 特許庁 - To enhance isolation between antenna elements when one radio device includes two or more antenna elements.
１の無線装置が２以上のアンテナ素子を有する場合に、アンテナ素子間のアイソレーションを改善する。 - 特許庁 - The isolation trench 40 and a position detecting groove 50 are formed on a semiconductor substrate 1.
半導体基板１上には、素子分離溝４０や位置検出溝５０が形成されている。 - 特許庁 - The manufacturing method of semiconductor devices has element isolation and impurity injection processes.
半導体装置の製造方法は、素子分離工程と、不純物注入工程とを備えている。 - 特許庁 - Further, provision of a shunt FET and a FET 3 can greatly contribute to the improvement of the isolation.
また、シャントＦＥＴ，ＦＥＴ３を設けることで、アイソレーションの向上に大きく寄与できる。 - 特許庁 - At least three base isolation devices 1 are mounted to the bottom surface of the fixture and furniture 20 through each male screw 8.
免震装置１を雄ねじ８を介して什器２０の底面に３台以上装着する。 - 特許庁 - The gas isolation bus-bar 6 is connected to the front end face of a branch part 5a of the detachable bus-bar 5.
そして、着脱母線５の分岐部５ａ先端面にガス絶縁母線６が接続されている。 - 特許庁 - An electrical isolation layer (24) may be disposed over a first surface of the carrier substrate (22).
電気的絶縁層（２４）がキャリア基板（２２）の第１の表面上に配置することができる。 - 特許庁 - It also moves right and left independently of the travelling side and is guided by a building having no base isolation.
また、左右方向は、走行路側と独立して移動し、非免震側建築物に追従する。 - 特許庁 - To mount and adjust a base isolation device without taking space around the foundation.
免震装置の取付調整を基礎の周囲にスペースを必要とせずに行えるようにすること。 - 特許庁 - To provide a vibration isolation pedestal suitable for floor face installation of heavy equipment with a built-in vibration source.
振動源を内蔵する重量機器の床面設置に好適な防振架台を提供する。 - 特許庁 - An element region is established by a buried element isolation region 12 on an SOI substrate.
埋め込み素子分離領域１２によって、ＳＯＩ基板１１に素子領域が確立されている。 - 特許庁 - MOUNTING STRUCTURE OF VERTICAL GUTTER IN BASE ISOLATION STRUCTURE AND GROUP OF CONNECTING PIPE USED FOR THE STRUCTURE
免震構造物における縦樋の取付構造及びこの構造に使用される連結管群 - 特許庁 - The plane shapes of the element isolation regions are in a substantially rhomboid shape.
そして、前記素子分離領域の平面形状を略菱形とすることを特徴としている。 - 特許庁 - Preferably, the light source contact part 4 has no active region and is of a device isolation region.
光源接触部は、能動領域を有しない方が、また、素子分離領域であるのが好ましい。 - 特許庁 - To provide a base isolation system capable of easily extracting a plug from a laminated rubber body after use.
使用後に積層ゴム本体から容易にプラグを抜き取ることができる免震装置を得る。 - 特許庁 - A silicon oxide film 19 as an element isolation insulating film is buried around the MOS transistor.
ＭＯＳトランジスタの周囲には素子分離絶縁膜であるシリコン酸化膜１９が埋め込まれる。 - 特許庁 - To improve the assembly structure of a vibration isolation spring and a support member for supporting a valve element of an expansion valve.
膨張弁の弁体を支持する支持部材と防振ばねの組立構造の改良を図る。 - 特許庁 - The system is also provided with a passive isolation module 21 having a vibration damping material D.
さらに、振動減衰材料Ｄを備えた受動的絶縁モジュール２１が設けられている。 - 特許庁 - Accordingly, the manufacturing steps of the dielectric isolation wafer or the solar battery can be remarkably simplified.
よって誘電体分離ウェーハ、ひいては太陽電池の製造工程を大幅に簡素化できる。 - 特許庁 - As a result, the forming area of a device can be taken large on the dielectric isolation silicon island 30.
これにより、誘電体分離シリコン島３０上でのデバイスの作製面積を大きくとれる。 - 特許庁 - LIGHT-WEIGHT STRUCTURE HOLDING MECHANISM, LIGHT-WEIGHT STRUCTURE HOLDING METHOD AND BASE ISOLATION DEVICE FOR THE STRUCTURE
軽量構造物保持機構、軽量構造物保持方法及び軽量構造物用免震装置 - 特許庁 - The battery charging probe is connected to the isolation transformers 14 of the battery chargers 20.
充電プローブは、並列の複数のバッテリ充電器２０の絶縁変成器１４に結合される。 - 特許庁 - A vibration isolation boring bar holder 1 has a shank part 10 and a holder main unit 20 connected to the shank part.
防振ボーリングバーホルダ１は、シャンク部１０と、シャンク部に結合されるホルダ本体２０を有する。 - 特許庁 - DUPLEXER MANUFACTURED WITH INTEGRATED FBAR AND ISOLATION PART, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
一体化したＦＢＡＲおよびアイソレーション部を用いて製造されたデュプレクサおよびその製造方法 - 特許庁 - The element region 100a is isolated from other regions by the element isolation region 100b.
素子領域１００ａは、素子分離領域１００ｂにより他の領域から絶縁されている。 - 特許庁 - For the first high voltage isolation system, the above gate control wires are separated between the above memory blocks.
第１の高圧分離方式として、前記ゲート制御線を前記メモリブロック相互間で分離する。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF MOLECULAR TEMPLATE MATERIAL, MOLECULAR TEMPLATE MATERIAL, AND ISOLATION AND PURIFICATION METHOD OF TARGETED SUBSTANCE
分子鋳型材料の製造方法、分子鋳型材料および標的物質の分離・精製方法 - 特許庁
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