「Line element」を含む例文一覧(3886)
＜前へ 1 2 .... 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 次へ＞- To provide a data transfer circuit, solid-state imaging element and camera system which can reduce the effect caused by wiring delay on a transfer line to a data output section, enable a data output section to exactly and highly accurately capture data and can achieve an increase in a scanning speed as a result.
データ出力部への転送線上の配線遅延による影響を低減でき、データ出力部におけるデータの取り込みを的確かつ高精度に行うことが可能で、ひいては走査の高速化を図ることが可能なデータ転送回路、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。 - 特許庁 - An electrode film 3a or 3b is electrically connected with metal foil 7, and the metal foil 7 is connected with a lead line 4a or 4b, so that the selectivity of the material constituting an oxygen pump element is made wide, and the connection positions of the lead lines 4a and 4b can be optionally decided.
電極膜３ａまたは３ｂに電気的に金属箔７を接続させて、金属箔７にリード線４ａまたは４ｂを接続することによって、酸素ポンプ素子を構成する材料の選択自由度が高く、リード線４ａ、４ｂの接続位置を任意に決めることができる。 - 特許庁 - When a light-emitting element 77 and a light-reception unit 81 both included in a line sensor unit 74 detect that the electronic components D sucked and held by a suction nozzle 15 are in a normal suction posture, vacuum suction is maintained and the lower end level of the electronic components D is detected.
ラインセンサユニット７４に備えられた発光素子７７及び受光ユニット８１により、吸着ノズル１５に吸着保持された電子部品Ｄが正常な吸着姿勢であると検出された場合は、真空吸着を維持し、さらに電子部品Ｄの下端レベルが検出される。 - 特許庁 - The write-in to the liquid crystal display element is enabled to select a drive method which starts the selecting of scanning lines of a next field by relating them to timing, when the blackout of at least one scanning line of the previous field is completed by an interlaced scanning in which a frame is divided into plural fields.
液晶表示素子への書込みを、１フレームを複数のフィールドに分割するインターレース走査により、前フィールドの少なくとも一つの走査ラインのブラックアウト終了タイミングに関連付けて次フィールドの走査ラインの選択を開始する駆動方法を選択可能である。 - 特許庁 - A resistance element is provided with an SNS type Josephson junction JR, which is made to flow a current higher than a Josephson critical current Ic, and a control line 19C, which generates a magnetic field by the current being made to flow and makes low the current Ic by applying this magnetic field to the junction JR.
抵抗素子は、ジョセフソン臨界電流Ｉｃより大きい電流が流されるＳＮＳ型ジョセフソン接合ＪＲと、流れる電流により磁場を生成してこれをＳＮＳ型ジョセフソン接合ＪＲにかけることにより電流Ｉｃを小さくする制御線１９Ｃとを備えている。 - 特許庁 - To avoid the distortion of a semiconductor element pattern due to flares by sectioning a mask in a test pattern region and a chip pattern region and setting a fine pattern having a line width small enough to form no pattern in exposure on the test pattern region.
本発明は半導体素子の微細パターン形成方法に関し、さらに詳しくは、マスク開口領域を縮小しフレア効果を減少させることにより、望むパターンを歪みなく転写させ得るようにした半導体素子の微細パターン形成方法を提供することにある。 - 特許庁 - This thermoelectric conversion element comprises: a thermoelectric conversion material consisting of a metal or an alloy; and a distributed material which is distributed in the thermoelectric conversion material and consists of the metal or the alloy, which is a stable phase connected with a conjugate line of a state diagram to the metal or the alloy.
金属もしくは合金からなる熱電変換材料と、該熱電変換材料中に分散し、前記金属もしくは合金に対して状態図の共役線で結ばれた安定相である金属もしくは合金からなる分散材料と、を含むことを特徴とする熱電変換素子。 - 特許庁 - The composition for removing a photoresist residue and/or a polymer residue generating in a manufacturing process of a semiconductor circuit element having a metal wiring line contains a fluorine compound by 0.5 to 3.0 mass% and water by less than 30 mass%, with a pH of 4 or less.
金属配線を有する半導体回路素子の製造工程において生じるフォトレジスト残渣及び／又はポリマー残渣を除去する組成物であって、フッ素化合物を０．５〜３．０質量％および水を３０質量％超えない量含み、ｐＨが４以下である、前記組成物。 - 特許庁 - Or, this gives hysteresis properties and prevents a malfunction due to noise, by providing three or more resistor elements which divide the voltage of an AC signal and connecting the junction between the resistor elements on the grounding side more than the voltage dividing point and the line of a primary zero cross signal with each other via a resistor element or a diode.
或いは，交流信号を分圧する３つ以上の抵抗素子を設け，分圧点よりも接地側の抵抗素子の接続点と１次側ゼロクロス信号のラインとを抵抗素子又はダイオードを介して接続することにより，ヒステリス特性を付与してノイズによる誤動作を防止する。 - 特許庁 - In the segment U1, ultraviolet light emitted from a light-emitting area (thick line) of the group III nitride compound semiconductor light-emitting element 201 is converted into red, green and blue lights by the phosphors of the three primary colors which are dispersed into the substrate part 10a of the circuit board substrate 10 and the sealing resin 4.
セグメントＵ１は、III族窒化物系化合物半導体発光素子２０１の発光領域（太線）Ａから発せられた紫外光が、回路配線基板１０の基板部１０ａと封止樹脂４に分散された３原色の蛍光体で赤、緑、青色の光に変換される。 - 特許庁 - Consequently, a great restoration response delay at a low temperature to a power transmittable state of the automatic transmission in response to the control release determination of the neutral control is set off or at least moderated, as clear from an elevation tendency of start friction element operation pressures Pf, Pr shown by a solid line.
従って、実線で示す発進摩擦要素作動圧Pf,Prの上昇傾向から明らかなように、ニュートラル制御の解除判定に呼応した自動変速機の動力伝達可能状態への、低温時における大きな復帰応答遅れを相殺、若しくは少なくとも緩和することができる。 - 特許庁 - On a transmission line 12 between an input terminal 10 and an output terminal 11, six resistive elements 13-18 are connected in series, and a first ground resistance element 20 and a first switch 21 are connected between a mutual connecting point 19 of the central resistive elements 13 and 14 and a ground.
入力端子１０及び出力端子１１との間の伝送路１２上に６つの抵抗素子１３〜１８を直列に接続し、中央の抵抗素子１３、１４の互いの接続点１９とグラウンドとの間に第１の接地抵抗素子２０及び第１のスイッチ２１を接続する。 - 特許庁 - The separation angle of the mirror 51 is 10° and the element 40 is arranged to be inclined by 7.5° by setting a state where incident light is aligned with the normal of a diffraction surface as reference in order to compensate the curve of the beam line on the plotting surface by the separation angle.
第５の曲面ミラー５１の分離角度は１０゜であり、この分離角度による描画面上でのビーム列の湾曲を打ち消すため、回折分岐素子４０は入射光と回折面の法線とが一致する状態を基準に７．５゜傾いて配置されている。 - 特許庁 - Further, steps 30a are provided on both-side ends of the element part 50 so as to extend in parallel to the trench 20, and in an area which is positioned beneath the bottom of the step 30a on the back of the GaAs substrate 1, a scribe line 40 is provided so as to extend in parallel to the step 30a.
また、素子部５０の両側端面には、溝部２０と平行に延びるように、段差部３０ａが設けられており、ＧａＡｓ基板１の裏面であって、段差部３０ａの底面の真下に位置する領域に、段差部３０ａと平行に延びるスクライブライン４０が設けられている。 - 特許庁 - In a period wherein surface data and line data are written in a memory circuit (10), switching control signals (S0 to Sn, /S0 to Sn) input to the applied voltage inverting circuit (20) are all held at a low level and during the period, the voltage of previous display data held in the holding capacitor (32) is supplied to a liquid crystal element (30).
メモリ回路（１０）への面データや線データの書込み期間では、印加電圧反転回路（２０）に入力される切換制御信号（Ｓ０〜Ｓｎ，／Ｓ０〜Ｓｎ）を全てローレベルとし、その間、保持コンデンサ（３２）に保持された直前の表示データの電圧を液晶素子（３０）に供給する。 - 特許庁 - If leakage light 81 of the line light 24 is reflected on the surface 82 of the work 2 and then is detected by the PSD element 51, the detecting position of the reflected light 25 from the bump 3 and the detecting position of the reflected light 83 from the surface 82 largely deviate from each other and thereby the centroid position 71 shifts.
このとき、ライン光２４の漏れ光８１がワーク２の表面８２で反射してＰＳＤ素子５１で検出された場合、バンプ３からの反射光２５の検出位置と表面８２からの反射光８３の検出位置とが大きく乖離し重心位置７１がずれる。 - 特許庁 - The electro-optical device is provided with: a pixel electrode 108 formed on an element substrate 101; a counter electrode to be opposed to the pixel electrode via an electro-optical substance, for example, a liquid crystal; and a correction signal line for supplying a correction signal to negate level fluctuations of the counter electrode.
素子基板１０１に形成された画素電極１０８と、画素電極とは、電気光学物質、例えば液晶を介して対向する対向電極と、この対向電極のレベル変動を打ち消すための補正信号を供給する補正信号線とを備える。 - 特許庁 - The sampling transistor Tr1 conducts according to a control signal WS and samples the signal potential of a video signal supplied from a signal line SL to the pixel capacitor Cs and the drive transistor Trd supplies the output current meeting the signal potential to the light emitting element EL.
サンプリングトランジスタＴｒ１は、制御信号ＷＳに応じ導通して信号線ＳＬから供給された映像信号の信号電位を画素容量Ｃｓにサンプリングし、ドライブトランジスタＴｒｄは、信号電位に応じた出力電流を発光素子ＥＬに供給する。 - 特許庁 - The dielectric line and the dielectric circuit element comprising the NRD guide circuit are integrated through a thin dielectric wire together with a dielectric fixer or dielectric frame for fixing the circuit, and molded by integral injection while using a fused fluororesin capable of injection molding.
ＮＲＤガイド回路を構成する誘電体線路、誘電体回路素子を、回路を固定するための誘電体固定素子や誘電体フレームと共に誘電体細線を介して一体化し、射出成形可能な溶融フッ素樹脂を用いて一体射出成形することを特徴としている。 - 特許庁 - The lens unit can be disassembled while avoiding breakage by pulling an actuator ACT including a piezoelectric element PZ and a drive shaft DS integral with a plate material P from a housing H in an axial line direction, if a screw B serving as a fixture is loosed against friction force with a screw hole Ha.
固定具であるねじＢをねじ孔Ｈａとの摩擦力に抗してゆるめれば、ハウジングＨから、板材Ｐと一体で圧電素子ＰＺや駆動軸ＤＳを含むアクチュエータＡＣＴを軸線方向に引き抜くことができ、破損を回避しながら分解が可能となる。 - 特許庁 - The photoelectric element 2 has a transparent spherical body 5 installed at the end or in the middle part of the transmission line 1, a light emitting film 7 provided on the outer circumference of the spherical body 5, and a pair of inside and outside electrodes 6, 8 designed to hold this light emitting film 7 in-between.
光電素子２は、光伝送路１の端部または中間部に設けられた透明な球状体５と、その球状体５の外周面側に設けられた発光膜７と、この発光膜７を挟むように設けられた一対の内側電極６及び外側電極８とを有する。 - 特許庁 - In an active matrix type display device having a plurality of scan lines and a plurality of data lines, and a plurality of pixels provided in a matrix form, a changeover switching element (switching unit) is installed which selectively switches connections between a source driver (data line drive circuit) 2 and three data lines.
複数の走査線及び複数のデータ線と、マトリクス状に設けられた複数の画素とを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、ソースドライバ（データ線駆動回路）２と３本の各データ線との間の接続を選択的に切り換える切換スイッチング素子（切換部）を設置する。 - 特許庁 - Consequently, the user can perform changing operation for the velocity information in operation mode similar to that of the input operation for the music data, so the user does not need to move his or her hand or line of sight large from the input operation element, and can smoothly change the velocity information.
こうすることによって、ユーザは楽曲データの入力操作と同様の操作態様によってベロシティ情報の変更操作を行うことができるので、手の位置や視線を入力用操作子から大きく動かさずに済み、スムーズにベロシティ情報の変更を行うことができるようになる。 - 特許庁 - Signal lines 42 and 43 of a coplanar waveguide whose line width is changed and an impedance matching circuit 41 comprising a capacitor 44 and a stub 45 being serial to the signal lines 42 and 43 are arranged on the signal input side of a semiconductor element (HEMT) 40 for an amplifier in the chip.
チップにおけるアンプ用半導体素子（ＨＥＭＴ）４０の信号入力側に、線幅を変化させたコプレーナウェーブガイドの信号線路４２，４３と当該信号線路４２，４３に対し直列のキャパシタ４４とスタブ４５で構成するインピーダンス整合回路４１が配置されている。 - 特許庁 - An image based on digital image data is formed on the surface of a recording sheet 2 positioned in the image forming area 12 by moving a line type image forming head 5a having an image forming element arrayed in a main scanning direction to a subscanning direction perpendicular to the main scanning direction.
主走査方向に配列された画像形成素子を有するライン型画像形成ヘッド５ａを主走査方向に直交する副走査方向に移動させることで画像形成エリア１２に位置する記録シート２の表面にデジタル画像データに基づいた画像を形成する画像形成装置。 - 特許庁 - A fixing light source 26 for yellow of a color thermal printer 2 comprises an aluminum substrate 31, a plurality of light-emitting elements 32 which are arranged in line on the aluminum substrate 31, and reflectors 33a-33d which are erected on the aluminum substrate 31 so as to reflect the light emitted from the light-emitting element 32.
カラー感熱プリンタ２のイエロー用定着光源２６は、アルミ基板３１と、このアルミ基板３１上にライン状に並べられた複数の発光素子３２と、アルミ基板３１上に立設され、発光素子３２から発せられる光を反射させる反射板３３ａ〜３３ｄとから構成される。 - 特許庁 - Then, a cross-sectional shape along a vertical surface including the optical axis Ax in the first reflecting surface 14a is formed of an ellipse E using the emission center A of the light emitting element 12 as a first focal point and using an axial line Ax1 perpendicular to the optical axis Ax as a major axis.
その際、第１反射面１４ａにおける光軸Ａｘを含む鉛直面に沿った断面形状を、発光素子１２の発光中心Ａを第１焦点とするとともに光軸Ａｘと直交する軸線Ａｘ１を長軸とする楕円Ｅで構成する。 - 特許庁 - A shunt resistance 30 to be used for measuring an output current in a unidirectional power source part 1 is arranged on a substrate 32 along the air course of cooling air flowing on the substrate 32, namely arranged approximately in line with a diode bridge 101 and a switching element, as shown in Fig. 2.
単方向電源部１の出力電流を測定するために用いるシャント抵抗３０は、前記基板３２上を流れる冷却風の風路に沿って該基板３２上に配置されるとともに前記ダイオードブリッジ及び前記スイッチング素子と略同一直線状に配置される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device in which the interconnect line of a thin film device can be prevented from short-circuiting while reducing the increase of the parasitic capacitance when the thin film device (semiconductor device) is constituted by pasting a micro tile-like element onto a substrate, and to provide its manufacturing method and an electronic apparatus.
基板上に微小タイル状素子を貼り付けて薄膜デバイス（半導体装置）を構成する場合に、その薄膜デバイスについての配線が短絡すること及び寄生容量が増大することを低減できる半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子機器を提供する。 - 特許庁 - The input device is constituted of an axial center electrode 11, a piezoelectric element material 12 coating the center electrode 11, an outer electrode 13 arranged around the piezoelectric element material, a cord-like pressure sensor consisting of outer coat coating the outer electrode 13, and a sensor setter placing vertically the cord-like pressure sensor and provided with a signal line for taking out each signal from the cord-like pressure sensor.
入力装置を、軸方向の中心電極１１と、中心電極１１の周囲に被覆されたピエゾ素子材料１２と、ピエゾ素子材料１２の周囲に配設された外側電極１３と、外側電極１３を被覆する外周被覆部とから成るコード状感圧センサと、コード状感圧センサを直立に据え付けかつコード状感圧センサからの各信号を取り出す信号線を備えたセンサ据付器とから構成する。 - 特許庁 - In the manufacturing method of the tuning fork type crystal oscillator, by correcting temperature characteristics of a tuning fork type crystal oscillator element by a correction voltage generation circuit for generating a preset correction straight line, the temperature-compensated tuning fork type crystal oscillator is manufactured without adjusting a correction curve for each individual tuning fork type crystal oscillator element.
音叉型水晶発振器の製造方法であって、予め設定された補正直線を発生させる補正電圧発生回路により、音叉型水晶発振子の温度特性の補正を行うことで、個別の音叉型水晶発振子毎に補正曲線の調整を行うこと無しに温度補償された音叉型水晶発振器の製造を行うことを特徴とする音叉型水晶発振器の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The pixel circuit 11D includes a first memory element 11Da storing the supplied grayscale signal and a selection circuit 11Db selecting one of the plurality of voltage lines 41 to 44 in accordance with the stored grayscale signal in the first memory element 11Da and electrically connecting the selected voltage line 41 to 44 to the pixel electrodes 11B of the pair of electrodes.
上記画素回路１１Ｄは、供給された階調信号を記憶する第１の記憶素子１１Ｄａと、上記第１の記憶素子１１Ｄａに記憶されている階調信号に応じて上記複数の電圧線４１〜４４の一つを選択して、上記一対の電極の画素電極１１Ｂに対し上記選択した電圧線４１〜４４を電気的に接続する選択回路１１Ｄｂと、を備える。 - 特許庁 - The method of manufacturing the solid-state image sensor includes a barrier forming step of forming a barrier on a scribe line defining an element forming region including an imaging region having microlenses formed on the surface thereof with a predetermined gap provided between the sidewall of the element forming region and the barrier, an antireflection film forming step of forming an antireflection film on the surfaces of the microlenses and in the gap, and a barrier removing step of removing the barrier.
表面にマイクロレンズが形成された撮像領域を含む素子形成領域を区画するスクライブライン上に、素子形成領域の側壁との間に所定の間隙設けて障壁部を形成する障壁部形成工程と、マイクロレンズ表面及び前記間隙内に反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、障壁部を除去する障壁部除去工程とを有する。 - 特許庁 - A parallel matching circuit 50 is inserted between two wires of a balanced transmission line 30 for interconnecting an intermediate frequency amplifier 15a and an intermediate frequency amplifier 15b of a radio module and a series resonance circuit 60 comprising a resistive element 61, and a reactance element 62 is connected between the voltage neutral point and the ground terminal of the parallel matching circuit 50.
無線モジュールの中間周波増幅器１５ａと中間周波増幅器１５ｂとの間を接続する平衡伝送線路３０において、この平衡伝送線路３０の２線間に並列型整合回路５０を挿入すると共に、この並列型整合回路５０の電圧中性点と接地端との間に抵抗素子６１とリアクタンス素子６２とからなる直列共振回路６０を接続する。 - 特許庁 - The antenna used together with the communication system used in the automobile industry is provided with a radiating element containing a first slot antenna 101 working in the PCS frequency band and a second slot antenna 105 working in the AMPS frequency band, a reflector 203 coupled with the radiating element, and at least one transmission line 107 used for feeding the slot antennas 103 and 105 with electricity.
通信システムとともに使用するマルチバンドアンテナであって、ＰＣＳ周波数帯域で動作する第１のスロットアンテナ１０３、およびＡＭＰＳ周波数帯域で動作する第２のスロットアンテナ１０５を含む放射要素と、放射要素に結合されたリフレクタ２０３と、第１のスロットアンテナ１０３および第２のスロットアンテナ１０５に給電するための少なくとも１本の伝送線１０７とを具備している。 - 特許庁 - A common voltage signal to be a polarity reversed signal is applied to a common electrode layer, the common voltage signal includes a first polarity and a second polarity disagreeing with the first polarity and when a voltage of high level is applied to the scanning line connected to the touch sensing element and the common voltage signal of the common electrode layer has the first polarity, the signal processing circuit reads a signal from the touch sensing line.
前記共通電極層は極性反転信号である共通電圧信号を印加され、前記共通電圧信号は第一極性及び前記第一極性に相反する第二極性を含み、前記タッチ感応素子に連接する前記走査線がハイ・レベルの電圧を印加され且つ前記共通電極層の共通電圧信号が第一極性である際に、前記信号処理回路は前記タッチ感応線から信号を読み取る。 - 特許庁 - In this radar image display of coordinate-transforming the radar information imparted in a polar coordinate form into orthogonal coordinates to be image-displayed, a drawing space is divided into optional quadrants, the sweep line existing quadrant and a sweep direction are judged in the drawing space, and a drawing point is added to the pixel adjacent to an original drawing element, in response to the sweep line existing quadrant and the sweep direction.
極座標形式で与えられるレーダー情報を直交座標に座標変換して画像表示するレーダー画像表示装置において、描画空間を任意の象限に分割するとともに、この描画空間においてスイープラインが存在する象限およびスイープ方向を判断し、スイープラインの存在する象限およびスイープ方向に応じて、本来の描画画素に隣接する画素に描画点を追加することを特徴とする。 - 特許庁 - In the method for producing a thin film transistor element sheet in which a plurality of thin film transistors each having a gate electrode, a gate insulation layer, a semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode on a support are connected through a gate bus line and a source bus line, the drain electrode is connected with a pixel electrode and a step for forming the pixel electrode of a fluid electrode material is included.
支持体上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタが、ゲートバスラインおよびソースバスラインを介して、複数個、連結された薄膜トランジスタ素子シートの製造方法において、該ドレイン電極に画素電極が連結され、且つ、該画素電極が流動性電極材料から形成される工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタ素子シートの製造方法。 - 特許庁 - To provide an image read correction method and device that reads an image of an original by using a line sensor with many photoelectric conversion elements linearly arranged thereto, applies correction to a pixel signal read by a defective photoelectric conversion element and can identify whether a pixel signal is the corrected pixel signal or a normally read signal when the pixel signal read by the defective photoelectric conversion element is corrected.
原稿画像を多数の光電変換素子を直線状に配列したラインセンサにより読み取り、欠陥光電変換素子により読み取られた画素信号については補正を施す画像読取補正方法および装置において、欠陥光電変換素子に読み取られた画素信号が補正された場合において、その画素信号が補正された画素信号なのか正常に読み取られた画素信号なのかを識別可能とする。 - 特許庁 - The semiconductor device on the semiconductor substrate has: an element region having elements; a moisture-resistant ring surrounding the element region; an insulating layer formed between the moisture-resistant ring and the outer-peripheral end of the semiconductor device and on the semiconductor substrate; a first metal line existing in the insulating layer and extending along the outer-peripheral end; and a groove formed on the insulating layer.
本発明は、半導体基板上に形成された半導体装置であって、素子を有する素子領域と、前記素子領域を囲う耐湿リングと、前記耐湿リングと前記半導体装置の外周端との間であって前記半導体基板上に形成された絶縁層、前記絶縁層中に、前記外周端に沿って延在する第１金属線と、前記絶縁層に形成された溝とを有することを特徴とする半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To solve problems that a reversed taper shape is frequently damaged, a stripe shape is not formed in forming a cathode layer, and an adjacent cathode line is conducted, because an application liquid stays at a skirt of a barrier at forming a polymer light emitting medium layer of a polymer EL element having the barrier.
本発明は隔壁を有する高分子ＥＬ素子の高分子発光媒体層形成時に、塗布液が隔壁の裾部分に溜まるために、しばしば逆テーパ—形状が損なわれ、陰極層形成時にストライプ形状とならず、隣接する陰極ラインと導通するという問題を解決することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a memory device in which, while preventing increase of an element area, a precharge characteristics can be made faster by increasing current supplied to a bit line at the time of the precharge, and a standby current can be reduced by reducing a DC current resulting from cross failure by decreasing supply current in a standby state.
素子面積が増大しないようにしながら、プリチャージ時にはビット線に供給する電流を大きくしてプリチャージ特性を高速化し、スタンバイ状態では供給電流を小さくしてクロスフェイル起因のＤＣ電流を削減して、スタンバイ電流を削減することができるメモリ装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - Then, the first antenna element functions as a ground line when the antenna is stored, so the leakage current on the body can be prevented.
収納状態においては、第二のアンテナ素子の基端部４ａがアンテナ給電手段６に接続されると共に第一のアンテナ素子の上端部３ｂがアース接続手段８に接続され無線機筐体１内のアースに接続されることにより、収納時において第一のアンテナ素子が地線として作用し、筐体上への漏洩電流を抑制する。 - 特許庁 - Each of an anode leadframe and a cathode leadframe comprises a connecting portion for capacitor element connection, a side surface bent downward along an external resin, and a terminal for mounting board connection, wherein the side surface has a rising portion that rises up by pivoting a boundary line between the side surface and the terminal.
陽極リードフレームならびに陰極リードフレームはコンデンサ素子と接続する接続部と、外装樹脂に沿って下方に折り曲げられてなる側面部と、実装基板と接触する端子部からなり、前記側面部には、前記側面部と前記端子部の境界線を支点として立ち上がるように立ち上がり部を有している。 - 特許庁 - To eliminate disposing of optical elements for allowing signal light to enter or exit through an input/output port, to loosen the requirements for adjusting the position of an optical element or high accuracy alignment, and to automatically correct various phase distortions in optical parts in an interconnection device and in a transmission line.
入出力ポートに対して信号光を入射または出射する時に、光学素子を配置する必要がなく、光学素子の位置の調整、並びに高精度のアライメントに対する要求条件を緩和し、また、インターコネクションデバイスおよび伝送路の光学部品における様々な位相歪みを自動的に補正する。 - 特許庁 - The center of the light-receiving area of the imaging element 4b (or 5b) of at least a main camera 4 (or sub-camera 5) is offset in the direction of a stereo baseline (direction, from the main camera 4 to the sub-camera 5 on the stereo base line), with respect to the center of the imaging range of the optical lens 4a (or 5a).
メインカメラ４およびサブカメラ５の少なくとも一方における撮像素子４ｂ（または５ｂ）の受光領域の中心は、光学レンズ４ａ（または５ａ）の結像範囲の中心に対して、ステレオ基線方向（ステレオ基線上におけるメインカメラ４からサブカメラ５に向かう方向）にオフセットしている。 - 特許庁 - A plurality of substrate type antennas 1 each having feeders 3 and 4 formed of microstrip lines and an antenna element 5 formed of a microstrip line on a dielectric substrate 2 are arranged in an array, a reflecting plate 5 is installed along the array, and the respective substrates 2 are set at mutually different tilt angles α to the reflecting plate 6.
誘電体基板２にマイクロストリップ線路からなる給電線３，４とマイクロストリップ線路からなるアンテナ素子５とを形成した基板型アンテナ１を一列に複数個並べ、この並びの方向に沿って反射板６を設置し、この反射板６に対する各基板２の傾斜角αを基板２毎に異ならせた。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which there is offered a technique capable of raising a bonding property of the semiconductor device, by forming an element isolation film and a gate line after forming a polysilicon layer for plug especially including a dopant on a semiconductor substrate, and capable of simplifying a process.
本発明は半導体素子の製造方法に関し、特に半導体基板上に不純物を含むプラグ用ポリシリコン層を形成したあと、素子分離膜とゲートラインを形成して半導体素子の接合特性を向上させることができ、工程を単純化することができる技術を提供する。 - 特許庁 - Each solid-state imaging element 3 has a transfer electrode 15, to which a vertical transfer voltage is applied, and a plurality of energy-line shielding sections 17 comprising a metal or a metal silicide and fitted on the imaging regions 11 along each pixel array, except the pixel arrays arranged at both ends of the image-sensing regions 11.
各固体撮像素子３は、垂直転送電圧が印加される転送電極１５と、金属または金属シリサイドからなり、撮像領域１１の両端部に配置された画素列を除く各画素列に沿って撮像領域１１上に設けられた複数のエネルギー線遮蔽部１７とを有する。 - 特許庁 - When other functional blocks are decided to be in a usual operating state while the TV block is in an operation standby state and the power line L1 is fed with a standby voltage, the CPU 10 outputs an on-signal to the switching element 21 to turn it on and controls to flow a consumption current in the cement resistor 20.
ＣＰＵ１０は、ＴＶブロックが動作待機状態で電源ラインＬ１に待機電圧が供給されているときに、他の機能ブロックが通常動作状態となったことが判定された場合には、スイッチング素子２１にオン信号を出力して導通させ、セメント抵抗２０に消費電流が流れるように制御する。 - 特許庁
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