「P element」を含む例文一覧(2124)

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  • GROUND ELEMENT FOR ATS-P
    ＡＴＳ−Ｐ用地上子 - 特許庁
  • P is also suitable for group V element.
    Ｖ族元素にはＰもよい。 - 特許庁
  • P-TYPE SEMICONDUCTOR AND PHOTOELECTRIC ELEMENT
    ｐ型半導体及び光電素子 - 特許庁
  • When a public parameter is created, an element P of a group G_1 with an order q is selected, and g=e(P, P) calculated beforehand is added to the public parameter.
    公開パラメータ生成時に、位数qの群G_1の元Pを選択し、予め計算したg=e(P,P)を公開パラメータに加える。 - 特許庁
  • Each pixel circuit P includes a light-emitting element.
    画素回路Ｐは発光素子を備える。 - 特許庁
  • P-N JUNCTION ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND TRANSISTOR USING P-N JUNCTION ELEMENT
    Ｐ—Ｎ接合素子及びその製造方法、Ｐ−Ｎ接合素子を利用するトランジスタ - 特許庁
  • Each memory cell 110 includes the storage element P and a selector S for selecting the storage element P.
    各メモリセル１１０は記憶素子Ｐと、記憶素子Ｐを選択するセレクタＳとを有する。 - 特許庁
  • G is a rational point group of an elliptic curve, P is an element of G, p is the order of P, Q=xP with respect the element x of a set {1 to p} of secret keys, and (G, p, P, Q) is a public key.
    楕円曲線の有理点群をＧ,ＰをＧの元、Ｇの位数をＰとし、秘密鍵ｘ∈｛１,…,ｐ｝に対してＱ＝ｘＰとし、（Ｇ,ｐ,Ｐ,Ｑ）を公開鍵とする。 - 特許庁
  • P-SIDE ELECTRODE STRUCTURE OF LIGHT-EMITTING DIODE ELEMENT
    発光ダイオード素子のｐ側電極構造 - 特許庁
  • Each picture element P includes four sub picture elements 1.
    各画素Ｐは、四つのサブ画素１を有する。 - 特許庁
  • In an electrooptical device, a unit circuit P includes element parts U1 and U2.
    単位回路Ｐは素子部Ｕ1・Ｕ2を含む。 - 特許庁
  • P SIDE ELECTRODE, P SIDE ELECTRODE FOR BLUE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
    ｐ側電極、青色発光半導体発光素子用ｐ側電極及び半導体発光素子 - 特許庁
  • ATS-P GROUND ELEMENT WITH FAILURE DETECTING FUNCTION
    故障検知機能付きＡＴＳ−Ｐ地上子 - 特許庁
  • Each respective sub picture element 1 in each picture element P are; a red sub picture element 1R, a pink sub picture element 1P, a blue sub picture element 1B and a green sub picture element 1G.
    各画素Ｐのサブ画素１の各々は、赤サブ画素１Ｒ、桃サブ画素１P、青サブ画素１Ｂおよび緑サブ画素１Ｇである。 - 特許庁
  • The photoelectric converting element 1 includes a p-n junction.
    光電変換素子１は、ｐ−ｎ接合を含む。 - 特許庁
  • Each respective sub picture element 1 in each picture element P are; a red sub picture element 1R, a green sub picture element 1G, a blue sub picture element 1B and a white sub picture element 1W.
    各画素Ｐのサブ画素１の各々は、赤サブ画素１Ｒ、緑サブ画素１Ｇ、青サブ画素１Ｂおよび白サブ画素１Ｗである。 - 特許庁
  • Instead of obtaining an inverse element, p^k-th power of the element of which multiplication is performed is obtained.
    逆元を求める代わりに、乗算する元のｐ^ｋ乗を求める。 - 特許庁
  • P-I-N-TYPE CIRCULARLY POLARIZED LIGHT MODULATION LIGHT EMITTING ELEMENT AND LASER ELEMENT
    ｐ−ｉ−ｎ型円偏光変調発光半導体素子及びレーザ素子 - 特許庁
  • The impurity concentration of a (p) type anode layer 50 of the diode element region J2 is lower than the impurity concentration of a (p) type body layer 30 of the IGBT element region J1.
    また、ダイオード素子領域Ｊ２のp型のアノード層５０の不純物濃度が、ＩＧＢＴ素子領域Ｊ１のp型のボディ層３０の不純物濃度と比較して低い。 - 特許庁
  • Additionally, the impurity density of a p-type anode layer 50 in the diode element region J2 is low compared to the impurity density of a p-type body layer 30 in the IGBT element region J1.
    また、ダイオード素子領域Ｊ２のp型のアノード層５０の不純物濃度が、ＩＧＢＴ素子領域Ｊ１のp型のボディ層３０の不純物濃度と比較して低い。 - 特許庁
  • The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.
    整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD OF P-PTC THERMISTOR COMPOSITION, P-PTC THERMISTOR COMPOSITION, P-PTC THERMISTOR ELEMENT BODY, AND P-PTC THERMISTOR
    Ｐ−ＰＴＣサーミスタ組成物の製造方法、Ｐ−ＰＴＣサーミスタ組成物、Ｐ−ＰＴＣサーミスタ素体及びＰ−ＰＴＣサーミスタ - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
    ｐ型半導体の製造方法及び半導体素子 - 特許庁
  • P-TYPE SEMICONDUCTOR MATERIAL, SEMICONDUCTOR ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE SEMICONDUCTOR MATERIAL
    ｐ型半導体材料、半導体素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、及びｐ型半導体材料の製造方法 - 特許庁
  • P-TYPE OXIDE, P-TYPE OXIDE MANUFACTURING COMPOSITION, P-TYPE OXIDE MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR ELEMENT, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE AND SYSTEM
    ｐ型酸化物、ｐ型酸化物製造用組成物、ｐ型酸化物の製造方法、半導体素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム - 特許庁
  • P-TYPE SEMICONDUCTOR DISPERSING ELEMENT, P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER, PN JUNCTION, AND ENERGY CONVERTER
    Ｐ型半導体分散体、Ｐ型半導体層、ＰＮ接合体及びエネルギー変換体 - 特許庁
  • At least two P-N junction elements of the first P-N junction element, the second P-N junction element, the third P-N junction element and the fourth P-N junction element are connected between two different potential lines in forward bias to form an electrostatic protection circuit.
    第一のＰＮ接合素子、第二のＰＮ接合素子、第三のＰＮ接合素子、および第四のＰＮ接合素子のうちの少なくとも２つのＰＮ接合素子を、異なる２つの電位配線間に順方向バイアスに接続して静電気保護回路とする。 - 特許庁
  • To provide a p-type MgZnO-based thin film which functions as a (p) type, and a semiconductor light-emitting element comprising the p-type MgZnO-based thin film.
    ｐ型として機能するｐ型ＭｇＺｎＯ系薄膜及びそれを含む半導体発光素子を提供する。 - 特許庁
  • The p-type semiconductor layer 2 is constituted of the p-type semiconductor layer 2 and a chalcopyrite structure semiconductor including a Ib group element, a IIIb group element and a VIb group element.
    ｐ形半導体層２はＩｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素とを含むカルコパイライト構造半導体からなる。 - 特許庁
  • P-TYPE MgZnO-BASED THIN FILM AND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
    ｐ型ＭｇＺｎＯ系薄膜及び半導体発光素子 - 特許庁
  • The P/H circuit 31 holds the peak of the element current during the detection of the element resistance.
    Ｐ／Ｈ回路３１は、素子抵抗検出時に素子電流をピークホールドする。 - 特許庁
  • Each of the unit circuits U includes a light emitting element P, fetches and holds designation data for designating the light emission luminance of the light emitting element P, and drives the light emitting element P based on the designation data.
    単位回路Ｕは、発光素子Ｐを含み、発光素子Ｐの発光輝度を指定する指定データを入力して保持し、この指定データに基づいて発光素子Ｐを駆動する。 - 特許庁
  • The P element 21 weighted by frequency includes a delay filter (delay filter for P element) performing delay operation of a value obtained by the P element 21 according to this invention.
    周波数重み付きのＰ要素２１には、本発明に従い、このＰ要素２１により得られる値の遅れ演算を行う遅れフィルタ（Ｐ要素用遅れフィルタ）が含まれている。 - 特許庁
  • To provide a method for making a p-type semiconductor out of a group III nitride compound semiconductor and an element having the p-type region.
    III 族窒化物系化合物半導体のｐ型化とｐ型領域を有する素子の形成 - 特許庁
  • The first magnetic film 11 contains at least one element selected out of C, P, As, Sn, Sb, Te, and Pb.
    第一の磁性膜１１は、C,P,As,Sn,Sb,Te,Pbの中から選択される少なくとも一つの元素を含む。 - 特許庁
  • To reduce elliptic addition and subtraction in multiplying an element P on a Z module M by k (is element of Z).
    Ｚ加群Ｍ上の元Ｐをｋ（∈Ｚ）倍する際の楕円加減算を少くする。 - 特許庁
  • In addition, the Ca element and the P element preferably mainly exist in the same position.
    また、Ｃａ元素とＰ元素とは主として同一箇所に存在しているのが好ましい。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR, p-TYPE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR BONDING ELEMENT, pn-JUNCTION ELEMENT, AND PHOTOELECTRIC CONVERTER
    半導体、ｐ型半導体、半導体接合素子、ｐｎ接合素子、および光電変換装置 - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING LOW-RESISTANCE P-TYPE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
    低抵抗ｐ型半導体の製造方法及び半導体素子 - 特許庁
  • To provide a p-type oxide semiconductor of group II to V useful as a light emitting element or a light receiving element material or a photocatalyst and to provide a method for manufacturing the p-type oxide semiconductor.
    発光素子や受光素子材料、あるいは光触媒として有用なIIないしV族の p型酸化物半導体と、そのような p型酸化物半導体の得られる製造方法とを提供する。 - 特許庁
  • A signal B is output from a delay element 4 through a point P.
    遅延素子４からは点Ｐを通り信号Ｂが出力される。 - 特許庁
  • p-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL AND THERMOELECTRIC CONVERSION ELEMENT USING IT
    ｐ型熱電変換材料及びそれを用いた熱電変換素子 - 特許庁
  • GALLIUM NITRIDE LIGHT EMITTING ELEMENT WITH P-TYPE DOPANT MATERIAL DIFFUSION PREVENTING LAYER
    ｐ型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子 - 特許庁
  • The light receiving means consists of an S polarized light receiving element 36 and a P polarized light receiving element 38 for receiving the S polarized light and P polarized light respectively.
    受光手段は、Ｓ偏光及びＰ偏光を受光するＳ偏光及びＰ偏光受光素子３６、３８からなる。 - 特許庁
  • Then, under HTML Forms, click on and drag a Form element into the page to a point beneath the p tags that you just added.
    次に「HTML フォーム」の下にある「フォーム」要素をクリックし、ページ内に追加した p タグの下までドラッグします。 - NetBeans
  • METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR, AND LIGHT-EMITTING ELEMENT USING P-TYPE GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR
    Ｐ型窒化ガリウム系半導体の製造方法及びＰ型窒化ガリウム系半導体を用いた発光素子 - 特許庁
  • The element 24 is a p-n diode, constituted of a p-type well and an n+-type diffused region 26 provided in the p-type well and allows negative charges to escape to a p-side substrate.
    第１の保護素子は、ｐウエルと、ｐウエル内に設けられたｎ^+ 拡散領域２６とから構成されたｐｎダイオードであって、負の電荷をｐ側基板に逃がす。 - 特許庁
  • The N-type element 5 and a P-type element 3 are connected to each other in two points so as to constituted a circuit.
    Ｎ形素子５とＰ形素子３は互いに２点で接合させて回路を構成する。 - 特許庁
  • Furthermore, the Ca element and the P element preferably exist mainly in the crystal grain boundary.
    そしてまた、Ｃａ元素とＰ元素とは主として結晶粒界に存在しているのが好ましい。 - 特許庁
  • That is, the impurity element in the vicinity of the junction regions can be gettered effectively, by lowering the concentration of the element represented by P in sections close to the junction regions and enhancing the concentration of the element represented by P in sections separated from the junction regions.
    即ち、接合領域に近い部分でPに代表される元素の濃度を低くし、接合領域から離れた部分でPに代表される元素の濃度を高くすることで、接合領域近傍の不純物元素を効果的にゲッタリングできる。 - 特許庁
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