「P element」を含む例文一覧(2124)
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また、電荷転送用素子をＰチャネル型エンハンスメントトランジスタで構成した。 - 特許庁 - ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND COMPOUND HAVING P-DICYANOBENZENE STRUCTURE
有機電界発光素子及びｐ−ジシアノベンゼン構造を有する化合物 - 特許庁 - METHOD OF FORMING INSULATING FILM AND MANUFACTURE OF P-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT
絶縁膜の形成方法及びｐ形半導体素子の製造方法 - 特許庁 - Further, GaN and Mn are a p-type at room temperature, so they are usable for a p-type layer of a semiconductor element.
また、ＧａＮ：Ｍｎは常温でもｐ型を示すので半導体素子のｐ型層として用いることができる。 - 特許庁 - COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF PRODUCING P-TYPE DIFFUSION LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT
ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 - 特許庁 - A P-N junction element concerning the present invention is provided with a P-type organic composite layer and an N-type organic composite layer.
本発明に係るＰ−Ｎ結合素子は、Ｐ型有機複合層と、Ｎ型有機複合層と、を備える。 - 特許庁 - P-TYPE DIFFUSION LAYER FORMING COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE DIFFUSION LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT
ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 - 特許庁 - In the photovoltaic element 1, an intermediate p layer 45 is provided between a p layer 44 and an i layer 46.
光起電力素子１では、ｐ層４４とｉ層４６との間に中間ｐ層４５が設けられている。 - 特許庁 - An organic EL element is provided with a pixel circuit P which includes a light emitting element, a drive transistor, and a capacitive element, and a control circuit CU.
有機ＥＬ装置は、発光素子と、駆動トランジスタと、容量素子とを含む画素回路Ｐと、制御回路ＣＵとを備える。 - 特許庁 - The p-type semiconductor layer 13 is composed of a p-type compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element and a group VIb element, and the n-type semiconductor layer 14 is composed of an n-type compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element, a group VIb element and a dopant of a group II element.
ｐ形半導体層１３はＩｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含むｐ形化合物半導体からなり、ｎ形半導体層１４はＩｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とドーパントであるII族元素とを含むｎ形化合物半導体からなる。 - 特許庁 - The second protective element 28 is a p-n diode constituted on an n-type well and a p+-type diffused region 32 provided in the p-type well and lets positive charges escape to a p-side substrate via a leakage current from the p-n junction between the n-type well and p-type substrate.
第２の保護素子は、ｎウエルと、ｎウエル内に設けられたｐ^+ 拡散領域３２とから構成されたｐｎダイオードであって、ｎウエルとｐ型基板との間のｐｎ接合間リーク電流を介して正の電荷をｐ側基板に逃がす。 - 特許庁 - Plural sets of arbitrary exponents R and their power-residue values A (=gRmod p; (p) is a prime number or the power of this prime number, (g) is the element of GF (p)) are calculated in a base station 1 of the start type communication system.
スター型通信システムの基地局１で、任意の指数Ｒと、そのべき乗剰余値Ａ（＝ｇ^R mod p；ｐは素数または素数のべき、ｇはＧＦ（ｐ）の元）を、複数組計算する。 - 特許庁 - The multi-band antenna 30 includes an antenna element part 41 in contact with a feeding point P and a ground element part 42.
マルチバンドアンテナ３０は、給電点Ｐに接したアンテナエレメント部４１と、グランドエレメント部４２と、を備える。 - 特許庁 - The thermoelectric converter 7 consists of a P-type semiconductor element 8 and an N-type semiconductor element 9.
熱電変換部７は、Ｐ型半導体素子８とＮ型半導体素子９とから構成されている。 - 特許庁 - The gap between the P type element 3 and the N type element 4 is filled with an insulating adhesive 6.
Ｐ型エレメント３とＮ型エレメント４の間隙には絶縁性接着剤６が充填されている。 - 特許庁 - To provide a nitride semiconductor element obtained by applying a nitride semiconductor containing P or As having a characteristic differing from the conventional nitride semiconductor containing P or As to each structure of the nitride semiconductor element, wherein an atomic fraction of N of the nitride semiconductor containing P or As is greater than the atomic fraction of P or As.
本発明は、従来のＰまたはＡｓを含む窒化物半導体とは異なる特性を有するＰまたはＡｓを含む窒化物半導体を、窒化物半導体素子の各構造に適用することが目的である。 - 特許庁 - The doping element is P and/or Si.
ドーピング元素がＰおよび／またはＳｉである前記のリチウムマンガン複合酸化物。 - 特許庁 - FORMING METHOD OF P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, AND LIGHT EMITTING ELEMENT
ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法および発光素子 - 特許庁 - To provide a semiconductor optical element capable of preventing diffusion of a p-type dopant.
ｐ型ドーパントの拡散を防止可能な半導体光素子を提供する。 - 特許庁 - MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE OF p-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT
半導体装置の製造方法及びｐ形半導体素子の製造方法 - 特許庁 - Moreover, the present invention provides a manufacturing method of the P-N junction element.
さらに、本発明は、Ｐ−Ｎ結合素子の製造方法も提供する。 - 特許庁 - Since the p-type impurity element is added through the opening for the cathode, the periphery of the opening is also doped with a slight amount of the p-type impurity element.
カソード用開口部からｐ型不純物元素の添加を行うため、この開口部周辺も僅かながらｐ型不純物元素が添加される。 - 特許庁 - Furthermore, 0.001-0.5 wt% of an oxidation control element such as P, Ge and Ga and/or 0.005-2 wt% of a wettability improving element such as Ag may be added.
さらに、P 、Ge、Gaのような酸化抑制元素を 0.001〜0.5 質量％、および／またはAgのような濡れ性改善元素を 0.005〜２質量％の量で添加してもよい。 - 特許庁 - A liquid filtrate flow passage P is formed in the circumferential direction along the outer surface of the filter element 21 which is the same direction as the rotational direction of the filter element 21 of the liquid filtrate nozzle 62.
濾過液ノズル62フィルタエレメント21の回転方向と同一方向であって、フィルタエレメント21外面にそう周方向に濾過液の流路Pが形成される。 - 特許庁 - Consequently rubbing among the recording element P, the separation claw 6 and the separation roller 4 can be reduced and an image on the recording element P can be prevented from being deteriorated due to toner contamination.
これにより、記録体Ｐと、分離爪６、分離ローラ４との摺擦が低減され、トナー汚染による記録体Ｐ上の画像の劣化が防止できる。 - 特許庁 - 5B element is contained as a major compound element on an interface (middle layer 104), between the p-type semiconductor layer 103 and the p-side electrode 105.
ｐ型半導体層１０３とｐ側電極１０５との界面（中間層１０４）には、主要な構成元素として５Ｂ族元素が含まれる。 - 特許庁 - An electrode plate for connecting the p-type semiconductor element and the n-type semiconductor element alternately in series is interposed between the heat exchange substrates 1, 2 and the cascade semiconductor element, and between the p-type semiconductor element and the n-type semiconductor element of the cascade semiconductor element.
熱交換基板１，２とカスケード半導体素子との間、カスケード半導体素子のＰ型半導体素子及びＮ型半導体素子との間には、Ｐ型半導体素子及びＮ型半導体素子を交互に直列接続する電極板が介在している。 - 特許庁 - Concentration of the p-type impurity element at the specified depth at the superimposing part between the p-type impurity element region 33 and the source/drain region 35 is set lower than that of the p-type impurity element at the p-type impurity element region 33 other than the superimposing part corresponding to the specified depth.
そして、ｐ型不純物元素領域３３とソース・ドレイン領域３５との重畳部分における特定深さのｐ型不純物元素の濃度を、特定深さに対応する重畳部分以外のｐ型不純物元素領域３３部分におけるｐ型不純物元素の濃度より低くしている。 - 特許庁 - COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF PRODUCING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT, AND SOLAR CELL
ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池 - 特許庁 - To provide a P-N junction element and its manufacturing method, especially the P-N junction element including an organic composite material, to provide its manufacturing method, and to provide an organic transistor using the P-N junction.
本発明は、Ｐ—Ｎ接合素子及びその製造方法に係り、特に有機複合材料を含むＰ—Ｎ接合素子及びその製造方法、該Ｐ−Ｎ接合を利用する有機トランジスタに関する。 - 特許庁 - (3) The concentration Ti (ppm) of titanium metal element of a titanium compound soluble in a polyester and the concentration P (ppm) of phosphorus element of the phosphorus compound satisfy 0.65≤P/Ti≤5 and 10≤Ti+P≤200.
］（３）その際、ポリエステルに可溶なチタン化合物のチタン金属元素濃度Ｔｉ（ｐｐｍ）とリン化合物のリン元素濃度Ｐ（ｐｐｍ）とが、０．６５≦Ｐ／Ｔｉ≦５，１０≦Ｔｉ+Ｐ≦２００を満足する。 - 特許庁 - In this semiconductor light-emitting element, a p-type guide layer 14 interposed between an activated layer 13 and a p-type clad layer 15 is constituted of compound semiconductors of groups III to V containing B (boron) as a group-III element, specifically a p-type BInP, a p-type BGaAs or a p-type BAlP.
活性層１３とｐ型クラッド層１５との間に設けられたｐ型ガイド層１４が、ＩＩＩ族元素としてＢ（ホウ素）を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、具体的には、ｐ型ＢＩｎＰ、ｐ型ＢＧａＡｓまたはｐ型ＢＡｌＰにより構成されている。 - 特許庁 - Thermoelecric conversion efficiency of the p-type semiconductor element Ph and the n-type semiconductor element Nh becoming one end of the cascade semiconductor element is different from that of the p-type semiconductor element Pc and the n-type semiconductor element Nc becoming the other end.
カスケード半導体素子の一端となるＰ型半導体素子Ｐｈ及びＮ型半導体素子Ｎｈの熱電変換効率と、他端となるＰ型半導体素子Ｐｃ及びＮ型半導体素子Ｎｃの熱電変換効率とは異なっている。 - 特許庁 - Moreover, the present invention provides an organic transistor using the P-N junction element.
また、本発明は、Ｐ−Ｎ結合素子を利用する有機トランジスタを提供する。 - 特許庁 - METHOD OF FORMING SILICON NITRIDE OXIDE FILM AND MANUFACTURE FOR P-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT
シリコン窒化酸化膜の形成方法及びｐ形半導体素子の製造方法 - 特許庁 - A valve 1 is held by a cylindrical valve element 2, and supported on a pipe P through a pressure contact wall 20 of the valve element 2.
弁１は筒形の弁体２に保持され、この弁体２の圧接壁２０を介してパイプＰに支持される。 - 特許庁 - The content of the Ca element is in a range of 0.45-1.0 by weight ratio to the content of P element.
そして、Ｃａ元素の含有量をＰ元素の含有量に対して重量比で０．４５〜１．０の範囲とする。 - 特許庁 - In addition, the output part of the delay element 4 is connected to an input part of a delay element 5 through points P, Q, R.
また、遅延素子４の出力部は点Ｐ，Ｑ，Ｒを通り遅延素子５の入力部へ接続される。 - 特許庁 - A p-side electrode 115 is formed on the element itself 100 of a semiconductor laser element having the oscillation wavelength λ.
発振波長λの半導体レーザ素子の本体１００上にはｐ側電極１１５が形成されている。 - 特許庁 - The main switching element 60 and the heat sensitive element 70 are formed on the same p^--type semiconductor substrate 1.
主スイッチング素子６０と感熱素子７０とが同一のＰ^−型半導体基板１上に形成されている。 - 特許庁 - Thus, even when X data have a plurality of parameters, the Y→X causal relationship degree xc_t,p can be operated by projecting the embedding vector X_t^(p) using the degree operation element A.
これにより、Ｘｄａｔａが複数のパラメータを有する場合でも程度演算用要素Ａを用いて埋め込みベクトルＸ_t^(p)を射影してＹ→Ｘ因果関係程度ｘｃ_t,pを演算することができる。 - 特許庁 - In a P-channel MOS transistor 50 having an SOI structure, an element formation region 20 the surrounding of which is isolated by an element isolation region is provided with a gate electrode 7, a P^+ drain layer 8, a P^+ source layer 9, a P^+ source layer 11, and an N^+ layer 10.
ＳＯＩ構造Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタ５０は、周囲を素子分離領域で分離された素子形成領域２０に、ゲート電極７、Ｐ^＋ドレイン層８、Ｐ^＋ソース層９、Ｐ^＋ソース層１１、及びＮ^＋層１０が設けられる。 - 特許庁 - Consequently, the latch-up resistance of the power semiconductor element is improved, by reducing the diffusion resistance of a P-type base layer, and at the same time, the on-state voltage of the element is lowered by improving the latch-up resistance of the element by scaling down the element.
これにより、Ｐ型ベース層の拡散抵抗を小さくしてラッチアップ耐量を向上すると共に素子の微細化を行ないオン電圧を低くした。 - 特許庁 - The voltage charged to the capacitor 14 is applied between the gate-source of the P-type FET 6 through the path of the first rectifying element 15, first circuit element 7 and second circuit element 8, thereby turning on the P-type FET 6.
したがって、コンデンサ１４に充電された電圧が第１の整流素子１５-第１の回路素子７−第２の回路素子８を介してＰ形ＦＥＴ６のゲート・ソース間に印加してオンする。 - 特許庁 - The element housing recessed part 34 which is located at the farther side in the introducing direction P of the optical fiber 15 houses and supports the optical element 25 at a position upper than the element housing recessed part 36 located at the this side in the introducing direction P.
光ファイバ１５の導入方向Ｐ奥側の素子収容凹部３４は、導入方向Ｐ手前側の素子収容凹部３６よりも、上方位置で光素子２５を収容保持する。 - 特許庁 - Alternatively, an insulating layer containing an antimony (Sb) element or a phosphorus (P) element instead of a boron element covers the oxide semiconductor layer of the thin film transistor.
また、ボロン元素に代えてアンチモン元素（Ｓｂ）やリン元素（Ｐ）を含む絶縁層で薄膜トランジスタの酸化物半導体層を覆う構成とする。 - 特許庁 - The p-type diffusion layer forming composition is applied to the substrate and is subjected to heat diffusion treatment, whereby a p-type diffusion layer and a solar cell element including the p-type diffusion layer are produced.
このｐ型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層及びｐ型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。 - 特許庁 - The semiconductor element includes a p-type semiconductor layer 103, by using a material of zinc oxide and a p-side electrode 105 formed on the p-type semiconductor layer 103.
半導体素子は、酸化亜鉛系材料を用いたｐ型半導体層１０３と、ｐ型半導体層１０３上に形成されたｐ側電極１０５とを備える。 - 特許庁 - COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF PRODUCING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT, AND SOLAR CELL
ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法、並びに太陽電池 - 特許庁 - The p-type thermoelectric element layer 5 is a thin film layer and turned to a p-type semiconductor by adding Sb to Bi-Te.
ｐ型熱電素子層５は薄膜層であり、Ｂｉ−ＴｅにＳｂを添加することによりｐ型半導体としたものである。 - 特許庁
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