「Patterned」を含む例文一覧(3853)
＜前へ 1 2 .... 11 12 13 14 15 16 17 18 19 .... 77 78 次へ＞- A light extraction sealing material sheet is disclosed with a patterned sealing material region.
パターン化封止材料領域を有する光抽出封止材料シートが開示される。 - 特許庁 - To provide a data storage device with bit patterned media with staggered islands.
交互配置されたアイランドを有するビット・パターンド・メディアを有するデータ記憶装置を提供する。 - 特許庁 - This is the substrate for forming patterned films thereon by attaching the prescribed fluid.
所定の流動体を付着させてパターン化された膜を形成するための基板である。 - 特許庁 - The position of the substrate relative to the table and the patterned beam is determined by the displacement control system.
テーブル及びビームに対する基板の位置は、移動制御システムにより決定される。 - 特許庁 - When the conductive film 5 is patterned by dry etching, an optional structure can be obtained.
この導電性膜５をドライエッチングによりパターニングすると所望の構造が得られる。 - 特許庁 - NITRIDE-BASED LIGHT-EMITTING ELEMENT USING PATTERNED LATTICE BUFFER LAYER AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
パターン化された格子緩衝層を用いた窒化物系発光素子及びその製造方法 - 特許庁 - To provide a method for producing a mechanically patterned layer of group III-nitride.
機械的にパターン形成されたＩＩＩ族窒化物の層を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To detect a header position by using bit-patterned media and servo sector null patterns thereof.
ビット・パターン化媒体およびそのサーボセクタ・ヌルパターンを用いてヘッダの位置検出を行う。 - 特許庁 - The single-crystal silicon film is patterned to form silicon pillars 33.
そして、この単結晶シリコン膜をパターニングすることにより、シリコンピラー３３を形成する。 - 特許庁 - Subsequently, a second gate insulation film 6 and a control gate 7 are formed and patterned.
その後、第２のゲート絶縁膜６、コントロールゲート７を形成したのち、これらをパターニングする。 - 特許庁 - The dielectric layer 23 is patterned by being separated into the plurality of regions in the one pixel.
誘電体層２３は、一画素内で複数の領域に分かれてパターニングされている。 - 特許庁 - WIRING STRUCTURE OF DISCRETE MICROWAVE DEVICE PATTERNED MACROMOLECULAR FILM USED FOR WIRING STRUCTURE
ディスクリートマイクロ波装置の配線構造およびこれに用いるパターン形成済み高分子フィルム - 特許庁 - The residual underetched film 24 and the lower electrode material film 12 are patterned by etching.
また、アンダーエッチング残膜２４及び下部電極材料膜１２をエッチングによりパターニングする。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING PATTERNED POROUS FORMED BODY OR NONWOVEN FABRIC, AND ELECTRIC CIRCUIT COMPONENT
パターン加工した多孔質成形体または不織布の製造方法、及び電気回路部品 - 特許庁 - Moreover, a patterned semiconductor layer is formed to form a channel layer above the gates.
更に、パターン化された半導体層が形成されてチャネル層がゲート上方に形成される。 - 特許庁 - In the third stage ST3D, the first gate insulating film and semiconductor film are patterned.
第三工程ＳＴ３Ｄに於いて第一ゲート絶縁膜及び半導体膜をパターニングする。 - 特許庁 - PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM, PERPENDICULAR DOUBLE LAYER PATTERNED MEDIUM AND MANUFACTURING METHOD OF THESE MEDIA
垂直磁気記録媒体、垂直二層パターンド媒体、および、これら媒体の製造方法 - 特許庁 - The semiconductor layer is patterned with the same mask as that for patterning the transparent conductive layer.
半導体層が透明導電層をパターン化するマスクと同一のマスクでパターン化される。 - 特許庁 - A ferroelectric substance material film 14 is patterned by etching using resist 16 as a mask.
強誘電体材料膜１４を、レジスト１６をマスクとして、エッチングによりパターニングする。 - 特許庁 - PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND ITS MANUFACTURING METHOD, PATTERNED MEDIUM AND ITS MANUFACTURING METHOD
垂直磁気記録媒体およびその製造方法、パターンド媒体およびその製造方法 - 特許庁 - The semiconductor layer 103 and the first n+a-Si layer 104 are simultaneously patterned.
半導体層１０３と１層目のｎ＋ａ−Ｓｉ層１０４を同時にパターニングする。 - 特許庁 - The method of forming the patterned thin films first comprises forming the mask 110 on a ground surface 101.
パターン化薄膜形成方法では、まず、下地１０１の上にマスク１１０を形成する。 - 特許庁 - The patterned thin film 107 is formed on a substrate 101 by using the resist mask 110.
基層１０１上に、レジストマスク１１０を用いてパターン化薄膜１０７を形成する。 - 特許庁 - These stop layers may be blanket deposited or patterned prior to CMP.
これらの停止層１００２は、ＣＭＰの前に、ブランケット蒸着またはパターニングされてもよい。 - 特許庁 - The letter/pattern part 17 presenting letters or patterned shapes is formed within the outer frame 16.
外枠１６内に文字或いは図柄形状を呈する文字・図柄部１７を形成する。 - 特許庁 - When the transistor array substrate 1 is formed, transistors 4 are patterned in a matrix shape.
トランジスタアレイ基板１を製造するに際して、トランジスタ４をマトリクス状にパターニングする。 - 特許庁 - The patterned cathode is capable of mixing beams of light from the PLED with each other.
パターン化されたカソードは、ＰＬＥＤからの光放射を相互に混合することができる。 - 特許庁 - At least one patterned light transmission aperture is formed in a minimal reflecting layer.
少なくとも一つのパターン化した透光開口を極小反射層に形成する。 - 特許庁 - A bonding pad pattern is then formed on the periphery of the opening of at least one patterned plate.
少なくとも一つの形成板開口部の周辺にボンディングパッド用パターンを形成する。 - 特許庁 - METHOD FOR DETERMINING DEFECT OF FINE CONVEX-CONCAVE PATTERN AND METHOD FOR DETERMINING DEFECT OF PATTERNED MEDIA
微細凹凸パターンの欠陥判定方法、および、パターンドメディアの欠陥判定方法 - 特許庁 - ORGANIC METAL PRECURSOR FOR USE IN FORMING METAL CONTAINING PATTERNED FILM
金属パターン形成用有機金属化合物及びこれを用いた金属パターン形成方法 - 特許庁 - PHOTOSENSITIVE COMPOSITION FOR INTERLAYER ISOLATION FILM AND METHOD FOR FORMING PATTERNED INTERLAYER ISOLATION FILM
層間絶縁膜用感光性組成物及びパターン化層間絶縁膜の形成方法 - 特許庁 - SOLIDLY MOUNTED MULTI-RESONATOR BULK ACOUSTIC WAVE FILTER WITH PATTERNED ACOUSTIC MIRROR
パターン化された音響ミラーを固体的に取り付けられたマルチ共振器バルク音波フィルタ - 特許庁 - The films (11, 12, and 13) are patterned into an electrode pattern in which their positions conform to each other.
各薄膜（１１，１２，１３）は、互いに位置整合した電極パターンにパターニングされている。 - 特許庁 - Many magnetic materials 8, 9 magnetized in the prescribed direction are arranged in patterned media.
パターンドメディアには、所定方向に磁化された多数の磁性体８，９が並べられている。 - 特許庁 - The low resistant layer B is etched by the RIE and patterned using a photoresist pattern as a mask.
フォトレジストのパターンをマスクにし、低抵抗層Bをパターニングするため、エッチングをRIEで行う。 - 特許庁 - MOS TRANSISTOR WITH LASER-PATTERNED METAL GATE AND METHOD FOR FORMING THE TRANSISTOR
レーザパターニングされた金属ゲートを備えるＭＯＳトランジスタ及びそれを形成するための方法 - 特許庁 - LARGE AREA ELECTRONIC DEVICE WITH HIGH AND LOW RESOLUTION PATTERNED FILM FEATURES
高解像度および低解像度にパターニングされた膜特徴部分をもつ大面積電子装置 - 特許庁 - The polysilicon film is patterned to form silicon gate electrodes 6a, 6b.
そして、ポリシリコン膜をパターニングすることにより、シリコンゲート電極６ａ、６ｂを形成する。 - 特許庁 - An amorphous carbon film 46 is formed on a substrate on which a film to be patterned is formed.
パターニングすべき膜が形成された基板の上にアモルファスカーボン膜４６を形成する。 - 特許庁 - The patterning device patterns the sectional surface of the radiation beam to form the patterned radiation beam.
パターニングデバイスは、放射ビームの断面にパターンを与えて、パターン付き放射ビームを形成する。 - 特許庁 - Next, a metal film is formed thereon and is patterned to form a source electrode 50 and a drain electrode 51.
次に金属を成膜・パターニングを行ない、ソース、ドレイン電極５０，５１を形成する。 - 特許庁 - The polysilicon film 17 is patterned to form gate electrodes 17' of polysilicon films 17.
ポリシリコン膜１７をパターニングし、ポリシリコン膜１７からなるゲート電極１７’を形成する。 - 特許庁 - A pixel electrode is patterned in the pixel region 1a above the insulation layer 24.
絶縁膜２４の上部における画素領域１ａに、画素電極をパターン形成する。 - 特許庁 - Then, the photoresist 100 is patterned by developing the exposed photoresist 100.
次に、露光されたフォトレジスト１００を現像して、当該フォトレジスト１００をパターンニングする。 - 特許庁 - A protective silicon nitride film 16 and a cavitation resistant tantalum film 17 are formed and patterned.
保護用のシリコン窒化膜１６と耐キャビテーション用のタンタル膜１７を形成してパターニングする。 - 特許庁 - Next, the hardening positive type photoresist 5 is patterned by using the aluminum film 6 as a mask (Fig.f).
次に、Ａｌ膜６をマスクとして硬化ポジ型フォトレジスト５をパターニングする（図１（ｆ））。 - 特許庁 - An inductor 100 includes a patterned metal layer 102 arranged on an insulating substrate 106.
インダクタ１００は絶縁基板１０６上に配置されたパターン化金属層１０２を含む。 - 特許庁 - A piezoelectric element on the substrate is patterned with high accuracy by using photolithography.
フォトリソグラフィを用いることによって、基板上の圧電素子が精度良くパターニングされる。 - 特許庁 - With the patterned resist 17 as a mask, an antireflection film 16a is removed.
このパターニングされたレジスト１７をマスクとして、反射防止膜１６ａが除去される。 - 特許庁
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