「Quantum process」を含む例文一覧(57)

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  • PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT STRUCTURE
    半導体量子ドット構造の製造方法 - 特許庁
  • QUANTUM SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS FABRICATION PROCESS
    量子半導体装置およびその製造方法 - 特許庁
  • PROCESS FOR PRODUCING SILICON QUANTUM POINT ACTIVATION SOLAR LAYER OF SILICON QUANTUM POINT ACTIVATION SOLAR CELL
    シリコン量子点活性化太陽電池のシリコン量子点活性化層の製造方法 - 特許庁
  • QUANTUM-DOT OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ITS PROCESS FOR FABRICATION
    量子ドット型光半導体装置及びその製造方法 - 特許庁
  • writes into the timespec structure pointed to by tp the round-robin time quantum for the process identified by pid.
    は tp で指定された timespec 構造体にpid で指定されたプロセスのラウンド・ロビン時間量(round robin time quantum) を書き込む。 - JM
  • METHOD FOR FORMING QUANTUM DOT AND PRODUCTION PROCESS OF SEMICONDUCTOR DEVICE
    量子ドットの形成方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
  • To provide means for storing quantum information possessed by light in a stable electron spin in a quantum dot remaining after light emission through the efficient process of light emission from the quantum dot.
    光の持つ量子情報を、量子ドットからの発光という効率的な過程を通して、発光後に残った量子ドット中の安定な電子スピンに保存する手段を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method for eliminating restrictions originated in the manufacture process of forming a quantum box on a semiconductor substrate and forming the quantum box of an optimum size by a material optimum for a desired quantum element in the quantum element.
    半導体基板上で量子箱を形成させる製造工程に由来する制約をなくし、所望の量子素子に最適な材料で最適な大きさの量子箱を量子素子中に形成させる方法を提供する。 - 特許庁
  • FORMATION PROCESS OF QUANTUM WIRE OR QUANTUM WELL LAYER, AND DISTRIBUTED FEEDBACK LASER
    量子細線または量子井戸層の形成方法、及び該形成方法により形成された量子細線または量子井戸層を用いた分布帰還半導体レーザ - 特許庁
  • To obtain a quantum well type infrared sensor in which controllability of machining is enhanced in dry etching process.
    量子井戸型赤外線光センサに関し、ドライエッチング工程における加工制御性を改善する。 - 特許庁
  • To provide a process for controllably forming a silicon nano structure, such as the silicon quantum fine line arrangement.
    シリコン量子細線配列のようなシリコンナノ構造を制御可能に形成するための処理を提供する。 - 特許庁
  • To inexpensively provide a compact quantum point contact in the same level as the manufacturing process of a field effect transistor.
    電界効果トランジスタの製造工程と同程度で、しかも小型の量子ポイントコンタクトを安価に提供する。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a quantum device on a plastic substrate by a low-temperature process by which the quantum device can be produced as a single electron transistor or a single electron memory that acts stably at ordinary temperature.
    常温で安定に作動する単電子トランジスタや単電子メモリーとして生産可能な量子素子を低温プロセスでプラスチック基板上に作成する製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a phosphor capable of achieving synthesis with simple process and exhibiting ultraviolet-light emission in high quantum yield.
    簡便なプロセスで合成が可能であり、かつ高い量子収率で紫外発光を示す蛍光体を提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor light emitting element and its process for fabrication, for improved external quantum efficiency.
    外部量子効率を向上させた半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • To provide a formation technique of a quantum wire capable of demonstrating a superior shape and sufficient characteristics in a distributed feedback semiconductor laser and the like with respect to a formation process of a quantum wire formed on a grating substrate.
    グレーティング基板上に形成される量子細線の形成方法として、分布帰還半導体レーザ等に応用するに十分な形状、特性を発揮し得る量子細線の形成手法を提供する。 - 特許庁
  • Moreover, higher reliability can also be attained because it is not required to process the central area of the quantum dot active layer 3 which makes contribution to laser oscillation.
    また、量子ドット活性層３のうちレーザ発振に寄与する中心部を加工する必要がないため、高い信頼性が得られる。 - 特許庁
  • Then, the A component is introduced into holes which are formed in a second process being irradiated with light rays for the formation of quantum dots.
    次に、光を照射することにより前記Ａ成分を、前記第２の工程で作成した穴に導き量子ドットを形成する。 - 特許庁
  • To provide a quantum-dot optical semiconductor device along with its process for fabrication, of which a detectable infrared ray band is wide.
    検出可能な赤外線の帯域が広い量子ドット型光半導体装置及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁
  • To provide a quantum-entangled photon pair generator which has the cost and size reduced and uses a spontaneous four-wave mixing process.
    コスト及びサイズが低減された、自然放出四光波混合過程を用いる量子もつれ光子対発生装置を提供すること。 - 特許庁
  • A particularly tantalizing aspect of the chaotic scattering process is that it may connect the mysteries of quantum chaos with the mysteries of number theory.
    カオス的散乱過程の特に興味を惹く側面は、それが量子カオスの神秘と数論の神秘とを結合するかもしれない所にある。 - コンピューター用語辞典
  • To provide a quantum dot complex equipped with position identification by fluorescent imaging and high efficient drug release mechanism to living body tissues, and capable of being obtained without accompanying a complex synthesis process, and to provide vesicles containing the quantum dot complex.
    蛍光イメージングによる位置特定と、生体組織に対する高効率な薬剤放出機構とを備え、かつ煩雑な合成プロセスを伴うことなく得られる量子ドット複合体、量子ドット複合体含有ベシクルを提供する。 - 特許庁
  • Further, the quantum khaos stronger than heretofore is generated by adding a magnetic impurity to the fractal aggregate and the control of Anderson transport is executed through this process.
    さらに、フラクタル結合体に磁性不純物を添加して従来よりも強い量子カオスを発生させ、この過程を通してアンダーソン転移の制御を行う。 - 特許庁
  • To provide an economic reasoning analysis method, and an economic reasoning analysis and quantum-computational value judgement device method, clearing up an economic reasoning process.
    経済的推論過程を明確にする経済的推論分析装置、経済的推論分析及び量子コンピューター的価値判断装置方法を提供すること。 - 特許庁
  • and increased for each time quantum the process is ready to run, but denied to run by the scheduler.
    により設定される) nice 値に基づいて決定されるもので、単位時間毎に、プロセスが実行可能だが、スケジューラにより実行が拒否された場合にインクリメントされる。 - JM
  • The silicon waveguide 102 being a single crystal semiconductor waveguide is used as a quantum correlated photon pair generation part in the spontaneous four-wave mixing process.
    自然放出四光波混合過程による量子相関光子対発生部として単結晶半導体導波路であるシリコン導波路１０２を用いる。 - 特許庁
  • To provide the manufacturing method of an electrode, which permits to form an electrode through self-alignment process with respect to the detailed structure of a carbon nanotube, a quantum dot or the like.
    カーボンナノチューブや量子ドット等の微細な構造に対して自己整合的に電極を形成することを可能とする電極製造方法を提供する。 - 特許庁
  • This method for manufacturing the quantum element composed, by providing the quantum box on the substrate comprises the process of forming the hyperfine particles of a semiconductor or a metal whose particle diameter is 100 nm or less outside the substrate and the process of attaching a plurality of the hyperfine particles onto the substrate.
    基板上に量子箱を設けてなる量子素子の製造方法において、粒子径が１００ｎｍ以下の半導体または金属の超微粒子をあらかじめその基板上以外で形成する工程、およびその超微粒子をその基板上に複数付着する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁
  • Quantum dots each of which is made of the metal atom aggregate having a diameter of 7 nm or less and capable of including the metalloprotein are arranged on the surface of the substrate and only the protein component is removed by the low-temperature process such as ozone processing or the like to produce the quantum dots.
    基板表面上に金属タンパク質が内包可能な直径が７ｎｍ以下の金属原子凝集体Ｍからなる量子ドットを配置し、オゾン処理等の低温プロセスにてタンパク質だけを除去して量子ドットを作成する。 - 特許庁
  • To provide an effective computation method for clarifying a dynamic process, not a conventional static computational result, in a quantum dot formation process expected to be a basis for development of next-generation optical semiconductor devices.
    次世代の光半導体デバイス開発の基礎になるものと期待されている、量子ドットの形成過程について、従来の静的な計算結果ではなく、動的過程を解明するための有効な計算方法を提供する。 - 特許庁
  • The produced quantum dot-inorganic matrix complex contains a highly efficient quantum dot with a high density in the inorganic matrix, is excellent in luminous efficiency, can be easily produced by a low-temperature process, and can be used as a material for various displays and electronic devices.
    本発明により製造される量子ドット−無機マトリックス複合体は、無機マトリックス中に高効率の量子ドットが高密度で充填され、発光効率に優れ、低温工程で容易に製造することができ、様々なディスプレイ及び電子素子の材料として有用に使用することができる。 - 特許庁
  • To solve the limits or defects in a process for fabricating semiconductor quantum dots employing conventional MOVPE growth, and to attain semiconductor quantum dots having good optical characteristics, high surface density and high uniformity by MOVPE growth.
    従来のＭＯＶＰＥ成長を用いた半導体量子ドットの製造方法における限界あるいは欠点を解決するためになされたもので、良好な光学特性、高い面密度、高い均一性を兼ね備えた半導体量子ドットをＭＯＶＰＥ成長により実現することを目的とする。 - 特許庁
  • The quantum correlation photon pair generator 11 is an apparatus for generating signal photons and idler photons from pump photons by a optical parametric process and typified by a secondary optical nonlinear crystal.
    量子相関光子対発生器１１は、光パラメトリック過程によりポンプ光子からシグナル光子とアイドラー光子を発生する装置であり、２次光非線形結晶に代表される。 - 特許庁
  • The quantum correlation photon pair generator 13 is an apparatus for generating signal photons and idler photons from pump photons by a optical parametric process and typified by a secondary optical nonlinear crystal.
    量子相関光子対発生器１３は、光パラメトリック過程によりポンプ光子からシグナル光子とアイドラー光子を発生する装置であり、２次光非線形結晶２０に代表される。 - 特許庁
  • To accurately process a burst signal to be transmitted from an optical network unit (ONU) in a passive optical network (PON) system which includes the multiple ONUs and one optical line terminal (OLT) and applies optical communication quantum cipher communication.
    複数のＯＮＵと１つのＯＬＴを有する、光通信量子暗号通信を適用したＰＯＮシステムにおいて、ＯＮＵから伝送されるバースト信号を的確に処理する。 - 特許庁
  • To provide the semiconductor laser device of high reliability and satisfactory temperature characteristics in the semiconductor laser device, having a window structure area using the random process of a quantum well structure.
    量子井戸構造の無秩序化プロセスを用いた窓構造領域を有する半導体レーザ装置であって、高い信頼性、良好な温度特性の半導体レーザ装置を得る。 - 特許庁
  • The forming method of a nitride semiconductor has a process for performing selective transverse direction growth for a second GaN layer 5 on an upper surface of a first GaN layer 3, and a process for forming a quantum dot 6 on the second GaN layer 5 which is subjected to selective transverse direction formation.
    この窒化物系半導体の形成方法は、第１ＧａＮ層３の上面上に、第２ＧａＮ層５を選択横方向成長させる工程と、選択横方向成長された第２ＧａＮ層５上に、量子ドット６を形成する工程とを備えている。 - 特許庁
  • This method for manufacturing a quantum dot device is provided with a process for forming a first electrode (2) and a second electrode (3) on a substrate (1) and a process for forming crystallite formed of semiconductor material on the substrate (1) while applying a voltage across the first electrode (1) and the second electrode (2).
    基板（１）の上に、第１電極（２）と第２電極（３）とを形成する工程と、第１電極（２）と第２電極（３）との間に電圧を印加しながら、基板（１）の上に、半導体材料で形成された微結晶を形成する工程とを備えている。 - 特許庁
  • Since the fine particles 4 functioning as quantum dots are not oxidized during or after fabrication process to become an insulator, the semiconductor apparatus is fabricated with good yield while enhancing the reliability.
    量子ドットとして機能する微粒子４が製造工程中あるいは製造後に酸化されて絶縁体となることがないので、半導体装置は歩留まり良く製造され、且つ信頼性が向上している。 - 特許庁
  • Ga holes are generated by using the SiO2 film in a crystal under the film, and diffused into a quantum well active layer to make it disordered, by the process a window-structure region 112 is formed.
    このＳｉＯ_2膜により直下の結晶にＧａ空孔を生じさせ、これを量子井戸活性層１０３に拡散させて無秩序化させることにより窓構造領域１１２を形成する。 - 特許庁
  • To provide a quantum nano-structure semiconductor laser which has such a structure that uses no embedding structure and can be manufactured by a simplified and highly reproductive manufacturing process, and which is superior in reduction of threshold and stability of oscillation frequency.
    埋め込み構造を用いることなく、簡単で再現性の良い製造プロセスを用いて作製できる構造であって、低閾値化と発振周波数の安定化に優れた量子ナノ構造半導体レーザを提供する。 - 特許庁
  • To provide a photodetector suitable for receiving quantum encryption or the like by reducing a dark count generated by a parasitic photon generated at a signal band by a parametric down-conversion process.
    本発明の目的は、パラメトリックダウンコンバージョン過程による信号帯域へ発生する寄生的な光子により生じていた暗計数を低減し、量子暗号等の受信に好適な光検出装置を提供することにある。 - 特許庁
  • To reduce the quantum of damage occurring in an image formation means arranged in the downstream of conveyance direction or in a continuous paper on which a picture is formed in an image forming process in the case of forming a picture in one side.
    搬送方向下流側に配置された画像形成手段または画像が形成される連続紙が、片面に画像を形成する場合の画像形成過程において受けるダメージの量を減少する。 - 特許庁
  • Since the annealing of the quantum well structure 25 and thermal cleaning prior to the growth of the second conductivity group III-V compound semiconductor region 29 are executed in the organometallic vapor growth furnace 11, a process is simplified.
    有機金属気相成長炉１１において、量子井戸構造２５のアニールと、第２導電型ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体領域２９の成長に先立つ熱クリーニングとを行うので、工程を簡素化できる。 - 特許庁
  • Accordingly, the semiconductor light-emitting device can be produced inexpensively and stably by omitting a process for forming an electrode in the nano-column LED 2 and without necessity for using a high-cost technology which is difficult to be produced such as a quantum dot.
    したがって、ナノコラムＬＥＤ２に電極を形成する工程を無くし、また量子ドットのような製造が困難で高コストな技術を用いる必要はなく、安価で安定的に製造することができる。 - 特許庁
  • To provide a back irradiation type solid-state image pickup device that can be improved in quantum efficiency by suppressing the occurrence of a dark current by suppressing the occurrence of crystal defects caused by metallic contamination during a process.
    プロセス中の金属汚染による結晶欠陥の発生を抑制して、暗電流の発生を抑えて量子効率を向上させることができる裏面照射型の固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To deteriorate an element basic characteristic such as an increase of current density and deterioration of inner quantum efficiency, by diffusing a Zn acceptor from a p-type clad layer to a region near an active layer by thermal history in a wafer process in a semiconductor laser element.
    半導体レーザ素子では、ウエハプロセス工程での熱履歴によってｐ型クラッド層から活性層近傍領域までＺｎアクセプタが拡散することにより、電流密度が増大、内部量子効率が低下する等、素子基本特性が劣化する。 - 特許庁
  • To protect a quantum well layer and a barrier layer against damage by a method wherein an In-containing first nitride semiconductor layer is formed, a substrate is made to rise in temperature as a second another nitride semiconductor layer is formed, an In-free third nitride semiconductor layer is formed, and a first to a third process are successively carried out.
    結晶成長によりインジウムを含む半導体層を安定に形成する、例えば良好な活性層を備えた窒化物レーザを製造できる、インジウムを含む窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁
  • A multiple quantum well layer 4 to detect infrared rays by utilizing transition between sub-bands and a reflection electrode layer 9 situated on a surface are separated farther than a distance in which the metal of the reflection electrode 9 is dispersed by a heat history during a manufacturing process.
    サブバンド間遷移を利用して赤外線を検出する多重量子井戸層４と表面に在る反射電極９とが製造工程中の熱履歴で該反射電極９の金属が拡散する距離以上に離隔して設けられている。 - 特許庁
  • The thin film pattern forming method includes a process spewing out dispersion solution containing a dispersion medium and particulate-like quantum dots which are dispersed into a dispersion medium by an ink-jet method, and making it adhered to a receiving surface with a given pattern, and a process of removing at least a part of the dispersion medium from the dispersion solution adhered to the receiving surface.
    本発明の薄膜パターン形成方法は、インクジェット法により、分散媒と微粒子状の量子ドットとを含み、前記量子ドットが前記分散媒中に分散してなる分散液を吐出し、受け面に所定パターンで付着させる工程と、前記受け面に付着した前記分散液から前記分散媒の少なくとも一部を除去する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁
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