「Quantum process」を含む例文一覧(57)
＜前へ 1 2- To realize a spectrofluorophotometer capable of properly specifying a calculation range of the wavelength of scattered light data and a calculation range of the wavelength of fluorescent intensity data in the operation process of a fluorescent quantum yield and capable of easily and efficiently operating the fluorescent intensity data even with respect to a sample unknown in its exciting wavelength characteristics.
蛍光量子収率演算の過程で、散乱光データの波長の計算範囲と、蛍光強度データの波長の計算範囲を適切に指定することができ、励起波長特性の分からないサンプルでも、容易にかつ効率的に、蛍光量子収率演算を行うことができる分光蛍光光度計を実現すること。 - 特許庁 - In the process of irradiating a semiconductor substrate 2 with light from a light source 11 through a photomask 13, the substrate is irradiated with light through a photomask 13 having a photomask substrate 21 comprising quantum dots 31 and a light shielding film 22 formed on the photomask substrate 21 according to a desired pattern to be transferred.
光源１１からの光をフォトマスク１３を介して半導体基板２に照射する際において、量子ドット３１が含められてなるフォトマスク基板２１を有し、転写すべき所望のパターンに応じて遮光膜２２がフォトマスク基板２１上に成膜されたフォトマスク１３を介して光を照射する。 - 特許庁 - The second thin film 13 is anisotropically etched through the etching masks 15b for the formation of fine patterns 13a, and after a selective oxidation process is carried out using the fine patterns 13a as an oxidation mask, the fine patterns 13a are selectively removed, the first thin film 12a is eliminated, and then a quantum fine wire 17 is epitaxially grown on a part where the semiconductor substrate 11 is exposed.
エッチングマスク１５bを介して第２薄膜１３を異方性エッチングすることにより形成された微細パターン１３aを酸化用マスクとして選択酸化した後、微細パターン１３aを選択的に除去すると共に、第１薄膜１２aを除去して、半導体基板１１が露出した部分に量子細線１７をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁 - In a process S104, photoluminescence of a substrate product prepared by growing a quantum well structure and p- and n-type gallium nitride semiconductor layers for the light-emitting layer at at least one or two or more selected tilt angle is measured while applying a bias to the substrate product to obtain bias dependence of the photoluminescence.
工程Ｓ１０４では、選択された一又は複数の傾斜角で発光層のための量子井戸構造並びにｐ型及びｎ型窒化ガリウム系半導体層を成長して形成された基板生産物のフォトルミネッセンスの測定を基板生産物にバイアスを印加しながら行って、基板生産物のフォトルミネッセンスのバイアス依存性を得る。 - 特許庁 - To provide a solar battery which can reduce the loss of carriers and can achieve a higher energy conversion efficiency than before, and to provide a method for manufacturing the solar battery, by which a light absorption layer having quantum dots can be formed in a relatively low temperature process by a method requiring no vacuum equipment nor a complicated device, such as coating or printing.
キャリア損失を抑制し、従来よりも高いエネルギー変換効率が得られる太陽電池、および比較的低温プロセスで、しかも真空装置や複雑な装置の必要ない塗布法または印刷法などによって量子ドットを有する光吸収層を形成することができる太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In this oxidizing process, constriction portions 107 which are constricted in a layer thickness direction are formed nearby the inside of curved line-shaped border portions corresponding to two opposite curved line-shaped edges of the opening 104, and at the constriction portions 107, the silicon layer 102 becomes less in film thickness to form a tunnel barrier through quantum size effect in the layer thickness direction.
この酸化工程により、開口部１０４の対向する２つの曲線状の縁部に対応する曲線状の境界部の内側近傍において、層厚方向にくびれるくびれ部１０７が形成され、くびれ部１０７においては、シリコン層１０２の層厚がより薄くなり、層厚方向の量子サイズ効果によりトンネルバリアが形成されるようになる。 - 特許庁 - To realize a manufacturing method of a semiconductor light emitting element which can improve the leading-out efficiency of a light to the outside, and the external differential quantum efficiency of a green system semiconductor light emitting element using GaP semiconductor, by a method wherein, after a light emitting layer forming part is grown without using a GaP substrate of low light transmissivity, a GaP layer is subjected to liquid growth in another process.
光の透過率の低いＧａＰ基板を利用しないで、発光層形成部を成長した後、さらに別の工程でＧａＰ層を液相成長することにより、外部への光の取出し効率を向上させ、ＧａＰ半導体を用いた緑色系の半導体発光素子の外部微分量子効率を向上させることができる半導体発光素子の製法を提供する。 - 特許庁
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