「Random access memory」を含む例文一覧(929)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 18 19 次へ＞- THERMALLY ASSISTED MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT WITH IMPROVED ENDURANCE
耐久性が改良された熱アシスト磁気ランダムアクセスメモリ素子 - 特許庁 - These delay elements include analog random access memory elements, respectively.
この遅延素子は、アナログのランダムアクセスメモリ素子を含んでいる。 - 特許庁 - VARIABLE RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT EQUIPPED WITH N+ INTERFACE LAYER
ｎ＋界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子 - 特許庁 - MULTIBIT MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL WITH IMPROVED READ MARGIN
読み出しマージンが改良されたマルチビット磁気ランダムアクセスメモリセル - 特許庁 - To provide a semiconductor storage device performing an operational margin test suitable for a mechanism of TTRAM (Twin-Transistor Random Access Memory) which is one of capacitorless memory.
キャパシタレスメモリの１つであるＴＴＲＡＭ（Twin-Transistor Random Access Memory）のメカニズムに適した動作マージンテストを行なう半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - The buffer memory is a random access memory and has the same structure as the flash memory.
バッファメモリは、ランダムアクセスが可能なメモリであり、フラッシュメモリと同一なアドレス構造を有する。 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY CELL USING THE SAME, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - The data memory device can be a magnetic random access memory(MRAM).
データ記憶装置は、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）装置とすることができる。 - 特許庁 - DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, SEMICONDUCTOR MEMORY CIRCUIT, MEMORY ELEMENT, SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR ACCESSING SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT
ダイナミックランダムアクセスメモリ、半導体メモリ回路、メモリ素子、半導体メモリ素子、半導体メモリ素子にアクセスする方法 - 特許庁 - The resistive random access memory device has: a memory chip using a resistive random access memory cell; and a heater which imparts a temperature bias for accelerating state change of the memory cell to the memory chip.
抵抗変化メモリ装置は、抵抗変化型メモリセルを用いたメモリチップと、このメモリチップに、メモリセルの状態変化を加速するための温度バイアスを与えるヒータと、を有する。 - 特許庁 - REFRESHING METHOD, MEMORY SYSTEM, DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM OPERATING METHOD, AND LOGIC EMBEDDED MEMORY SYSTEM
リフレッシュ方法、メモリシステム、ダイナミックランダムアクセスメモリ装置、メモリシステムの動作方法及びロジックエンベディッドメモリシステム - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME
磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - HIGH-BANDWIDTH MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATION THEREOF
高帯域幅磁気抵抗ランダムアクセスメモリデバイスとその操作方法 - 特許庁 - ASYMMETRICAL STATIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT HAVING REDUCED BIT LINE LEAKAGE
ビット・ライン漏洩の少ない非対称静的ランダム・アクセス・メモリ素子 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR VOLTAGE CLAMPING FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
ダイナミックランダムアクセスメモリ装置用の電圧クランプ方法及び装置 - 特許庁 - To provide a nonvolatile static random access memory cell (SRAM).
不揮発性のスタティックランダムアクセスメモリセルを提供することである。 - 特許庁 - A magnetic random access memory has a semiconductor substrate.
実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリは、半導体基板を持つ。 - 特許庁 - The data storage device 8 can be a magnetic random access memory(MRAM).
データ記憶装置(8)は、磁気ランダムアクセスメモリ(「MRAM」)とすることができる。 - 特許庁 - MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, ITS DATA SENSING CIRCUIT, AND ITS METHOD
マグネチックランダムアクセスメモリ及びそのデータセンシング回路及びその方法 - 特許庁 - MAGNETIC RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY, ITS WRITING METHOD AND TEST METHOD
磁気抵抗ランダムアクセスメモリ、その書き込み方法、およびテスト方法 - 特許庁 - PATTERNING METHOD OF MAGNETIC SUBSTANCE, MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁性体のパターニング方法、磁気記録媒体、磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - BIT LINE RECOVERING METHOD AND DEVICE IN A DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
ダイナミックランダムアクセスメモリにおけるビット線回復方法及び装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND METHOD OF MANUFACTURING THEM
磁気抵抗素子、磁気ランダムアクセスメモリ、及びそれらの製造方法 - 特許庁 - RANDOM ACCESS MEMORY, AND METHOD FOR READING, WRITING, AND REFRESHING
ランダムアクセスメモリ及びその読み出し、書き込み、及びリフレッシュ方法 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING IT
磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - ELECTRONIC APPARATUS AND DOUBLE DATA RATE SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
電子装置及びダブル・データ・レート・シンクロナス・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ - 特許庁 - To provide a system, method, and apparatus for performing prefetch from a dynamic random access memory (DRAM) to a static random access memory (SRAM).
ダイナミック・ランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）からスタティック・ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）へのプリフェッチを行うシステム、方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - a random access memory in which memories of each bit vanish after a specific interval
メモリの各ビットの記憶がある時間経過すると消えるRAM - EDR日英対訳辞書 - MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, WRITING METHOD THEREOF, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
磁気ランダムアクセスメモリ、その書き込み方法及びその製造方法 - 特許庁 - To secure reliability when data are written into a magnetic random access memory.
磁気ランダム・アクセス・メモリのデータ書込の信頼性を確保する。 - 特許庁 - TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME
トンネル磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ - 特許庁 - A random access memory device has a memory array, and a refresh rate generator circuit.
ランダムアクセスメモリデバイスは、メモリアレイと、リフレッシュ速度生成器回路とを備えている。 - 特許庁 - The individual memory elements may comprise magnetic random access memory elements.
個別的なメモリ要素は磁気ランダムアクセスメモリ要素を包含することが可能である。 - 特許庁 - memory created by using the hard disk to simulate additional random-access memory
追加のRAMをシミュレートするためにハードディスクを使うことによって作られるメモリ - 日本語WordNet - REDUNDANT MEMORY CELL FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING TWIST TYPE BIT LINE ARCHITECTURE
ツイスト型ビット線アーキテクチャを有するダイナミックランダムアクセスメモリ用冗長メモリセル - 特許庁 - A memory bus allows random access to data stored in a processor readable memory.
メモリバスは、プロセッサ可読メモリに記憶されたデータへのランダムアクセスを可能にする。 - 特許庁 - Magnetic Random Access Memory (MRAM) element (812) can include an array of these memory cells (10).
磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)素子(812)は、これらのメモリセル(10)のアレイを含むことができる。 - 特許庁 - The main memory of most computers is composed of random access memory, or RAM
大部分のコンピュータの主メモリーはランダムアクセス記憶装置つまりRAMでできている - コンピューター用語辞典 - RANDOM NUMBER GENERATOR, RANDOM NUMBER GENERATION CONTROL METHOD, MEMORY ACCESS CONTROL DEVICE, AND COMMUNICATION DEVICE
乱数生成装置、乱数生成制御方法、メモリアクセス制御装置、および、通信装置 - 特許庁 - To provide a memory module including a mass flash memory and attaining matching between an access time of the flash memory and an access time of an SDRAM (synchronous dynamic random access memory) and to provide a controller.
フラッシュメモリのアクセス時間とＳＤＲＡＭのアクセス時間との整合を図り、大容量フラッシュメモリを含むメモリモジュールとコントローラを提供する。 - 特許庁 - MEMORY DEVICE, PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE PARTICULARLY PROVIDED WITH TRANSISTOR, AND MEMORY DEVICE MANUFACTURING METHOD
メモリデバイス、特にトランジスタを有する相変化ランダムアクセスメモリデバイス、およびメモリデバイスの形成方法 - 特許庁 - MEMORY DEVICE, IN PARTICULAR, PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE WITH TRANSISTOR, AND METHOD FOR FABRICATING MEMORY DEVICE
メモリデバイス、特に、トランジスタを備えた相変化ランダムアクセスメモリデバイス、およびメモリデバイスを形成する方法 - 特許庁 - To provide a memory controller and a memory module for improving random access performance by using a conventional memory element in a memory controller and a memory module for performing access to a memory element capable of performing random access.
ランダムアクセスが可能なメモリ素子にアクセスするメモリ制御装置及びメモリモジュールに関し、ランダムアクセス性能を従来のメモリ素子を用いて向上できるメモリ制御装置及びメモリモジュールを提供することを目的とする。 - 特許庁 - The memory cell M00 consists of an SRAM (static random access memory) 4 and FeRAMs (ferroelectric RAMs) 5-0 to 5-n.
メモリセルＭ００は、ＳＲＡＭ４と、ＦｅＲＡＭ５−０〜５−ｎとからなる。 - 特許庁 - NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY CELL USING SPIN TORQUE AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING SAME
スピントルクを用いた不揮発性磁気メモリセルおよびこれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - To suppress variation in data writing characteristics of a memory cell in a static random access memory.
スタティックランダムアクセスメモリの、メモリセルのデータの書き込み特性のばらつきを抑制する。 - 特許庁 - To provide a memory access system for shortening access time even at the time of random access to a DRAM and performing acceleration.
ＤＲＡＭへのランダムアクセス時にもアクセス時間を短縮して高速化したメモリアクセスシステムを提供する。 - 特許庁 - MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD OF WRITING DATA THEREOF
磁気ランダムアクセスメモリ及びその磁気ランダムアクセスメモリのデータ書き込み方法 - 特許庁 - The device (8) can be made as a magnetic random access memory ('MRAM') device.
データ記憶デバイス(8)は磁気ランダムアクセスメモリ(「MRAM」)デバイスとすることができる。 - 特許庁 - DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY EQUIPPED WITH TRENCH CAPACITOR, AND ITS FABRICATING METHOD
トレンチキャパシタを備えたダイナミック・ランダムアクセスメモリとその製造方法 - 特許庁
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