「Random access memory」を含む例文一覧(929)
＜前へ 1 2 .... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 .... 18 19 次へ＞- A plurality of scan path registers are connected by an array of static random access memory (SRAM) units of a plurality of memory cells.
複数のスキャンパスレジスタは、複数のメモリセルからなるスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)アレイによって接続される。 - 特許庁 - To provide a method for reducing power consumption of the magnetic memory element in a magnetic random access memory (MRAM).
磁気ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）の磁気メモリ素子の消費電力を小さくする方法を提供する。 - 特許庁 - MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL WITH DUAL JUNCTION FOR TERNARY CONTENT ADDRESSABLE MEMORY AND READING AND WRITING METHOD FOR THE SAME
三値連想メモリ用デュアル接合式磁気ランダムアクセスメモリセルとそのメモリセルの書込み及び読出し方法 - 特許庁 - To realize high speed of read-operation of a semiconductor memory, especially, a static random access memory(SRAM).
半導体記憶装置、特にスタティック・ランダム・アクセスメモリ（ＳＲＡＭ）のリード動作の高速化を実現すること。 - 特許庁 - The magnetic random access memory includes a plurality of memory cells 1 for storing the information, according to the inside magnetization direction.
磁気ランダムアクセスメモリは、内部の磁化方向に応じて情報を記憶する複数のメモリセル１を含む。 - 特許庁 - To enlarge the operation margin of a memory cell of a flip-flop type such as a static type random access memory (SRAM).
スタティック型ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）のようなフリップフロップ型のメモリセルの動作マージンを拡大する。 - 特許庁 - To provide a magnetic random access memory whose high integration is possible and manufacture is easy.
高集積化が可能でかつ製造が容易な磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁 - To provide a method of a random access memory device and/or to provide a synchronous random access memory device having burst transfer capability in architecture, in detail.
本発明は、一般的にはランダムアクセスメモリ装置の方法、及び／又は、アーキテクチャに関し、より詳細には、バースト転送能力を持つ同期式ランダムアクセスメモリ装置に関する。 - 特許庁 - The subtraction result S40 is data written in a random access memory 17, the data are added to an address signal S3 and the sum is again written in the random access memory 17.
この減算結果Ｓ４０は、ランダムアクセスメモリ１７に書き込まれているデータで、信号Ｓ３をアドレスとするものと加算され、再度ランダムアクセスメモリ１７に書き込まれる。 - 特許庁 - The PDPRAM (partial dual port random access memory) 20 is composed of a clock synchronization SRAM (static random access memory) interface (IF) 21, a DRAM cell array 22, a dual port DRAM cell array 23, and a DRAM cell array 24.
ＰＤＰＲＡＭ２０は、クロック同期ＳＲＡＭインタフェース（ＩＦ）２１と、ＤＲＡＭセルアレイ２２と、デュアル・ポートＤＲＡＭセルアレイ２３と、ＤＲＡＭセルアレイ２４とから構成されている。 - 特許庁 - To reduce a layout area of a circuit relating to writing in a magnetic random access memory.
磁気ランダム・アクセス・メモリの書込に関連する回路のレイアウト面積を低減する。 - 特許庁 - A dot area modulation method is used, and each sub-pixel is provided with static random access memory.
面積階調方式を用い、副画素ごとに、スタティックランダムアクセスメモリを備える。 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR LOADING DIRECTLY DATA ON BIT LINES IN DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
ダイナミックランダムアクセスメモリにおけるビット線上へ直接ロードする方法及び装置 - 特許庁 - WIRING FOR ELECTRICAL/MAGNETIC CIRCUIT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND METHOD OF THEIR FORMATION
電気、磁気回路用配線、マグネティック・ランダム・アクセス・メモリ及びそれらの形成方法 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory in which random access speed can be increased.
ランダムアクセスの高速化を図ることが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - CAPACITIVELY COUPLED FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
容量的に結合された強誘電体ランダムアクセスメモリセルおよびその製造方法 - 特許庁 - Then, the measurement data taken from the outside are written in a data area 32 of the random access memory 3, and after the whole measurement data are written in the random access memory 3, the copy operation program 31 in the random access memory 3 is executed, to thereby write the whole measurement data in a data area 24 in the flash memory 2.
その後、外部から取込まれた計測データをランダムアクセスメモリ３のデータエリア３２に書込み、ランダムアクセスメモリ３に全ての計測データが書込まれた後、ランダムアクセスメモリ３のコピー操作プログラム３１を実行して全ての計測データをフラッシュメモリ２のデータエリア２４に書込む。 - 特許庁 - To provide a magnetic random access memory which attains large capacity and high integration, and realizes the acceleration of an access speed.
大容量化や高集積化が図れ、アクセス速度の高速化も実現出来る磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁 - To improve access cycle time of a dynamic random access memory (DRAM) system having a plurality of memory cells constituted of rows and columns.
ロウおよびカラムに編成された複数のメモリ・セルを有するダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）システムのアクセス・サイクル・タイムを向上させる。 - 特許庁 - To provide a magnetic random access memory (RAM) with a reference cell more stably magnetized.
磁化状態がより安定している参照セルを有する磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND SPATIAL LIGHT MODULATOR USING THE SAME
磁気抵抗素子ならびにこれを用いた磁気ランダムアクセスメモリおよび空間光変調器 - 特許庁 - To provide a wiring and structure suitable for a synchronous dynamic random access memory (SDRM) circuit.
同期式ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＳＤＲＡＭ）回路に好適な配線及び構造を提供する。 - 特許庁 - To provide a high-density dynamic random access memory (DRAM) circuit having a 4M storage capacity.
４Ｍの蓄積容量を有する高密度ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）回路を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and a device for debugging circuit design having a random access memory.
ランダムアクセスメモリを有する回路設計をデバッグするための方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - A method for controlling a static random access memory device adopting twin cell structure is provided.
ツインセル構造を採用するスタティックランダムアクセスメモリ装置を制御する方法を提供する。 - 特許庁 - SINGLE-TRANSISTOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT, ITS DRIVING METHOD AND ITS FABRICATING METHOD
単一トランジスタ型磁気ランダムアクセスメモリ素子及びその駆動方法並びにその製造方法 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR SHORTENING WRITE OPERATION TIME IN DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリにおいて書込み動作時間を短縮する方法および装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD USING THE SAME, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE RANDOM ACCESS MEMORY
磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッド及び磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - To provide a magnetic random access memory in which reading margin can be made large.
読み出しマージンを大きくできる磁気ランダムアクセスメモリを提供することを目的とする。 - 特許庁 - The magnetoresistive random access memory (MRAM) including a plurality of layers on a substrate is disclosed.
基板上に複数の層を備えた磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）が開示される。 - 特許庁 - To provide a distributed memory array which supports both random access and file storage operations.
ランダムアクセス動作及びファイル格納動作をサポートする分散型メモリアレイを提供する。 - 特許庁 - FORCED PAGE PAGING SYSTEM FOR MICROCONTROLLERS WITH VARIOUS SIZE TO USE DATA RANDOM ACCESS MEMORY
データランダムアクセスメモリを用いる様々なサイズのマイクロコントローラのための強制ページページング方式 - 特許庁 - QUANTUM DOT-BASED MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL, ARRAY THEREOF AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
量子ドットをベースにした磁気ランダムアクセスメモリセルとそのアレイ、および、これらの製造方法 - 特許庁 - a method of computer search by which memory data can be read immediately from any position, called random access
ランダムアクセスという,どの部分からでも即座に記憶データが読み出せる探索方法 - EDR日英対訳辞書 - METHOD FOR REDUCING ELECTRIC POWER OF DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY ARRAY, AND INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
ダイナミックランダムアクセスメモリアレイの電力を低減するための方法および集積回路装置 - 特許庁 - To provide a technique of forming a memory cell in a magnetic random access memory (MRAM) while suppressing oxidation of a ferromagnetic film in the memory cell.
メモリセルに含まれる強磁性体膜の酸化を抑制しながら、磁性メモリのメモリセルを形成する技術を提供する。 - 特許庁 - To provide a memory cell which has high selectivity of the memory cell and a large margin of write current and to provide a magnetic random access memory (MRAM).
メモリセルの選択性が高く、書き込み電流のマージンの大きいメモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）を提供する。 - 特許庁 - The memory array further includes second random access memory elements arranged in at least one additional column.
本メモリアレイは、更に、少なくとも１個の付加的な列に配列された第二ランダムアクセスメモリ要素を包含している。 - 特許庁 - The magnetic random access memory includes word lines WL, memory cells C00, 01, 10, 11, and a row selecting circuit 2.
磁気ランダムアクセスメモリが、ワード線ＷＬと、メモリセルＣ００、０１、１０、１１と、ロウ選択回路２とを備えている。 - 特許庁 - To provide technology for shortening a time required for deciding a memory refresh frequency for a dynamic random access memory.
ダイナミックランダムアクセスメモリに対するメモリリフレッシュ周波数を決定する時間を減少させた技術を提供する。 - 特許庁 - The write circuit (24) for a large array (10) of memory cells (12) of Magnetic Random Access Memory (MRAM) device (8).
磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）装置（８）のメモリセル（１２）の大規模なアレイ（１０）のための書き込み回路（２４）。 - 特許庁 - To optimize the latency of a memory by executing inverse Fourier transformation in a pipeline structure using a random access memory(RAM).
ランダム・アクセス・メモリを使用するパイプライン構造で逆フーリエ変換を実行し、メモリのレイテンシを最適化する。 - 特許庁 - To provide a random access memory operated in synchronism with system clock signals for eliminating the standby time of a microprocessor, since the microprocessor is operated faster than the random access memory.
マイクロプロセッサがランダムアクセスメモリよりも速く動作するようになったので、マイクロプロセッサの待ち時間をなくするために、システムクロック信号と同期して動作するランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁 - This device comprises a cross point type ferroelectric memory 30 and a write-back type cache memory 40 being able to perform random access, access for the cross point type ferroelectric memory 30 is performed through a second memory.
クロスポイント型強誘電体メモリ３０と、ランダムアクセスが可能なライトバック型のキャッシュメモリ４０を含み、クロスポイント型強誘電体メモリ３０へのアクセスは第２のメモリを介して行う。 - 特許庁 - To provide a DRAM(dynamic random access memory) being a semiconductor memory element with an error correcting function and to reduce the time incapable of performing access operation caused by error correcting operation.
半導体記憶素子であるＤＲＡＭに関し、エラー訂正機能を持ち、かつエラー訂正動作に伴うアクセス不可能な時間を少くする。 - 特許庁 - A RAM (random access memory) 502 stores a CAT (conditional access table) packet PCAT and an EMM (entitlement management message) packet PEMM which are separated by a transport decoder 501.
ＲＡＭ５０２は、トランスポートデコーダ５０１で分離されたＣＡＴパケットＰ_CAT と、ＥＭＭパケットＰ_EMM とを格納する。 - 特許庁 - A memory error is detected in relation to at least one dynamic random access memory (DRAM) unit 452 on a particular memory module 450.
メモリエラーは、特定のメモリモジュール４５０上の少なくとも１つのダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）４５２ユニットに関連して検出される。 - 特許庁 - To extract an address indicating an abnormal memory cell so that analyzing can be easily performed when a memory test of a random access memory(RAM) is performed.
ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）のメモリテストを行ったときに、解析が容易になるように、異常のメモリセルを示すアドレスを抽出する。 - 特許庁 - An embedded control device read-outs fixed-value data stored in a read-only memory to expand the fixed-value data into a random access memory, refers to the fixed-value data on the random access memory to execute control action.
本発明に係る組込制御装置は、読取専用メモリに格納されている固定値データを読み出して読書両用メモリに展開し、読書両用メモリ上の固定値データを参照して制御動作を実行する。 - 特許庁 - The main microcomputer 5, when started by a boot program, develops the program for the main microcomputer 5 stored in the flash memory 10 into SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) 6 and starts it, and transfers the program for the sub microcomputer 8 to the sub microcomputer 8.
メインマイコン５は、ブートプログラムにより起動したとき、フラッシュメモリ１０に記憶されているメインマイコン５用のプログラムをSDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)６に展開し、起動するとともに、サブマイコン８用のプログラムをサブマイコン８に転送する。 - 特許庁
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