「Refresh」を含む例文一覧(1813)

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  • Timing of refresh-operation in the normal operation mode is set based on a pulse signal REF for normal-refresh generated by a refresh-pulse generating circuit 60 responding to a timing signal TM generated by a timer circuit 50.
    通常動作モードにおけるリフレッシュ動作のタイミングは、タイマ回路５０で発生されるタイミング信号ＴＭに応答し、リフレッシュパルス発生回路６０で発生されるノーマルリフレッシュ用パルス信号ＲＥＦに基づき設定される。 - 特許庁
  • The control part 210 includes a refresh permitting means which permits the refresh operation after an end of the processing operation requiring the high processing speed when the refresh operation is stopped during the processing operation which requires the high processing speed.
    制御部２１０は、高い処理スピードが要求される処理動作の際にリフレッシュ動作を停止させた場合に、高い処理スピードが要求される処理動作の終了後にリフレッシュ動作を許可するためのリフレッシュ許可手段を備える。 - 特許庁
  • In another embodiment, when the refresh address is at at least one predetermined address, refresh to one among the weak cell, the first strong cell and the second strong cell is executed by a flag so as to execute the refresh leveraging.
    他の実施形態において、リフレッシュレバレッジングを実行するように、リフレッシュアドレスが少なくとも１つの所定のアドレスの時、フラグによってウィークセル、第１ストロングセルまたは、第２ストロングセルのうち、いずれか１つに対するリフレッシュが実行される。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory which can perform refresh operation without confliction between the device and external access while achieving low current consumption operation when refresh operation is performed separately from external access, and a refresh control method.
    リフレッシュ動作を外部アクセスとは別に実行する際に、低消費電流動作を実現しながら外部アクセスとの間で矛盾なくリフレッシュ動作を行なうことができる半導体記憶装置及びリフレッシュ制御方法を提供すること - 特許庁
  • A 1st address decoder 2 and a 1st refresh address decoder 5 decode respectively an external address Xn supplied from the outside of a semiconductor memory and a refresh address RXn used for refresh in the semiconductor memory.
    １ｓｔアドレスデコーダ２，１ｓｔリフレッシュアドレスデコーダ５はそれぞれ半導体記憶装置の外部から供給される外部アドレスＸｎ，半導体記憶装置内部におけるリフレッシュに使用するリフレッシュアドレスＲＸｎをそれぞれデコードする。 - 特許庁
  • The method for refreshing the memory device has a stage for storing information related to at least one refresh command into a refresh register, and a stage for determining whether to activate an internal refresh operation at a transition in a port authority according to the information stored in the refresh register.
    メモリ装置のリフレッシュ動作の実行方法であって、少なくとも一つのリフレッシュ命令についての情報をリフレッシュレジスタに保存する段階と、前記リフレッシュレジスタに保存された前記情報に基づいてポート権限の移行時点で内部リフレッシュ動作を活性化するか否かを決定する段階とを有する。 - 特許庁
  • To provide a refresh-period being suitable for a refresh-holding characteristic time without being affected by dispersion by manufacturing and without requiring a test time for characteristics measurement of large scale before adjustment of a refresh-time, and a synchronous type semiconductor memory in which current consumption in refresh-operation can be reduced.
    製造ばらつきに影響されることなく、リフレッシュ時間の調整前に多大な特性測定のための試験時間を要することもなく、リフレッシュ保持特性時間に最適なリフレッシュ周期を提供し、リフレッシュ動作における消費電流の低減を図ることができる同期型半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁
  • This memory includes an access control circuit 25 which performs internal access operation, based on an external access operation; a refresh control circuit 22 which performs refresh operation; and a refresh split control circuit 23 which splits the refresh operation into a read operation RFRD and rewrite operations RFRS1 and RFRS2.
    このメモリは、外部アクセス動作に基づいて、内部アクセス動作を行うアクセス制御回路２５と、リフレッシュ動作を行うリフレッシュ制御回路２２と、リフレッシュ動作を、読出し動作ＲＦＲＤと再書込み動作ＲＦＲＳ１およびＲＦＲＳ２とに分割するリフレッシュ分割制御回路２３とを備えている。 - 特許庁
  • As it is prevented that replacing a normal word line by a redundant word line is performed and refresh of a normal word line and refresh of a redundant word line are performed respectively, two word lines in the same mat never be activated simultaneously even if refresh of two word lines is performed by a refresh command of one time.
    正規ワード線の冗長ワード線による置換が行われないようにして、正規ワード線のリフレッシュと冗長ワード線のリフレッシュをそれぞれ行っているので、１回のリフレッシュコマンドにより２本のワード線のリフレッシュを行っても同一マット内の２本のワード線が同時に活性化されることはない。 - 特許庁
  • METHOD FOR RANDOM ACCESS AND GRADUAL VIDEO REFRESH IN VIDEO CODING
    画像符号化におけるランダム・アクセス及び段階的画像更新に対する方法 - 特許庁
  • To normally perform a refresh counter test with a simple circuit constitution and wirings.
    簡単な回路構成及び配線でリフレッシュ・カウンタ・テストを正常に実行する。 - 特許庁
  • To properly perform a refresh operation according to the status of the use of each DRAM.
    各ＤＲＡＭの使用状況に応じて適切にリフレッシュ動作を実行する。 - 特許庁
  • This makes it possible to perform a refresh mode in the shortest possible time.
    これにより、リフレッシュモードをできるだけ短時間で実行することが可能となる。 - 特許庁
  • A random access memory device has a memory array, and a refresh rate generator circuit.
    ランダムアクセスメモリデバイスは、メモリアレイと、リフレッシュ速度生成器回路とを備えている。 - 特許庁
  • To reduce power consumption by changing finely a period of refresh in accordance with temperature.
    温度に応じてリフレッシュの周期を細かく変更し、低消費電力にする。 - 特許庁
  • MEMORY CONTROLLER FOR CONTROLLING REFRESH CYCLE OF MEMORY AND METHOD THEREOF
    メモリのリフレッシュ周期を制御するメモリコントローラおよびリフレッシュ周期制御方法 - 特許庁
  • You can follow this tag with the resolution refresh rate and color depth you want to use.
    使用したい解像度とリフレッシュレートをこのタグに続けることができます。 - Gentoo Linux
  • If a new line gets printed screen will automatically refresh the hardstatus or the captions.
    新しい行が表示されると、screen はハードステータスまたはキャプションをリフレッシュする。 - JM
  • Refresh your browser and try another search string, such as JRuby.
    ブラウザを再表示し、JRuby など、ほかの検索文字列を試します。 図 3: アニメーションの追加 - NetBeans
  • SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH FERROELECTRIC ELEMENT AND REFRESH METHOD THEREOF
    強誘電体素子を適用した半導体メモリ装置及びそのリフレッシュ方法 - 特許庁
  • A refresh word line selecting circuit 41 is provided in each memory subarray 11 unit.
    各メモリサブアレイ１１単位でリフレッシュワード線選択回路４１が設けられる。 - 特許庁
  • METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING INDEPENDENT BANK REFRESH FOR VOLATILE MEMORY
    揮発性メモリのために独立したバンクリフレッシュを提供する方法及びシステム - 特許庁
  • To obtain refresh period at normal temperature and high temperature separately from each other.
    常温時及び高温時のリフレッシュ周期を別々に取得することができる。 - 特許庁
  • A semiconductor memory device 1 includes a memory cell array H40 having a plurality of memory cells, an SR timer circuit H80 deciding a period of self-refresh of the memory cells, a refresh counter H20 generating an internal address signal being an object of self-refresh, and a circuit outputting a pulse activation signal for executing continuous refresh operation in one period of self-refresh.
    本発明の一態様に係る半導体記憶装置１は、複数のメモリセルを有するメモリセルアレイＨ４０と、メモリセルのセルフリフレッシュの周期を決定するＳＲタイマー回路Ｈ８０と、セルフリフレッシュの対象となるメモリセルの内部アドレス信号を生成するリフレッシュカウンタＨ２０と、セルフリフレッシュの１周期間に、連続してリフレッシュ動作を実行するためのパルス活性信号を出力する回路とを備えるものである。 - 特許庁
  • An arbitration part 30 receives the refresh issue request 130, an access request 101 to the semiconductor memory 3, and an access target address 102; outputs a refresh request to the semiconductor memory 3 if the refresh issue request 130 indicates the execution of refresh; and outputs the access request 101 and the address 102 to the semiconductor memory 3 if the request indicates non-execution of refresh.
    調停部３０は、リフレッシュ発行要求１３０と、半導体メモリ３に対するアクセス要求１０１及びアクセス対象のアドレス１０２とを受け取り、リフレッシュ発行要求１３０がリフレッシュの実行を示す場合、半導体メモリ３に対してリフレッシュ要求を出力し、リフレッシュを実行しないことを示す場合、半導体メモリ３に対してアクセス要求１０１及びアドレス１０２を出力する。 - 特許庁
  • This semiconductor storage device comprises a refresh counter 140 for outputting an address of a word line to be refreshed, a ROM circuit 160 for storing related addresses related to a refresh defective address, and a multiple refresh control circuit 170 which, responding to detection of the related addresses by the ROM circuit 160, activates the refresh defective address and the related addresses simultaneously or continuously within one refresh cycle.
    リフレッシュすべきワード線のアドレスを出力するリフレッシュカウンタ１４０と、リフレッシュ欠陥アドレスに関連づけられた関連アドレスを記憶するＲＯＭ回路１６０と、ＲＯＭ回路１６０が関連アドレスを検出したことに応答して、リフレッシュ欠陥アドレス及び関連アドレスを１リフレッシュサイクル内で同時若しくは連続的に活性化させる多重リフレッシュ制御回路１７０とを備える。 - 特許庁
  • When the semiconductor memory is entered to a refresh-mode, a retention time of a memory cell is measured for each word line, a plurality of refresh-periods corresponding to the retention time of the memory cell are set, and the memory cell is refreshed according to the plurality of refresh-periods.
    半導体記憶装置がリフレッシュモードにエントリーされた時、ワード線毎にメモリセルのリテンション時間を測定し、メモリセルのリテンション時間に対応する複数のリフレッシュ周期を設定し、複数のリフレッシュ周期にしたがってメモリセルをリフレッシュする。 - 特許庁
  • By a refresh control part, in the case the refresh request signal is in the active state, when the latch signal is changed to the active state, a refresh execution timing signal is outputted, which is changed to the active state in the specified period in accordance with the above change.
    リフレッシュ制御部は、リフレッシュ要求信号がアクティブ状態であった場合において、ラッチ信号がアクティブ状態に変化したときに、その変化に応じて一定期間アクティブ状態に変化するリフレッシュ実行タイミング信号を出力する。 - 特許庁
  • In low current consumption refresh-operation of this device, as at least a value of one bit out of a plurality of bits constituting the internal row address signal is fixed, refresh-operation is performed only for a memory cell in a refresh-region previously decided.
    本発明に関わる低消費電流リフレッシュ動作では、内部ロウアドレス信号を構成する複数ビットのうちの少なくとも１ビットの値が固定されるため、リフレッシュ動作は、予め決められたリフレッシュ領域内のメモリセルに対してのみ行われる。 - 特許庁
  • This redundancy word refresh counter 11 generates the address of the word line for refreshing the redundancy area 3 for each predetermined frequency of CBR refresh operation of the normal area 2 on the basis of address data generated by the normal word refresh counter 5.
    この冗長ワードリフレッシュカウンタ１１は、通常ワードリフレッシュカウンタ５で生成されたアドレスデータを基に、通常領域２のＣＢＲリフレッシュ動作の所定回数ごとに、冗長領域３のリフレッシュを行なうためのワード線のアドレスを生成する。 - 特許庁
  • If it is impossible to refresh the memory, a reference relationship is established so as to use the data within the refresh cycle of the external memory, while if it is possible to refresh the memory, the external memory is refreshed within the idle time.
    リフレッシュができない場合には使用データが外部メモリのリフレッシュサイクル以内に符号化において使用されるように参照関係を設定し、リフレッシュを行うことが可能な場合には、空き時間内に外部メモリのリフレッシュを行う映像符号化装置。 - 特許庁
  • To preferably reduce power consumption associated with refresh operation.
    リフレッシュ動作に伴う消費電力を好適に低減することができるようにする。 - 特許庁
  • The semiconductor memory device is provided with a refresh control part for refreshing.
    半導体メモリ装置は、リフレッシュ動作を実行するためのリフレッシュ制御部を備える。 - 特許庁
  • If it should be changed, the change of the refresh rate is instructed to a video driver 59.
    変更が必要な場合は、ビデオ・ドライバ５９にリフレッシュ・レートの変更を指示する。 - 特許庁
  • To prevent a deterioration of efficiency in a data refresh operation while coping with interruption of a power supply.
    電源遮断に対処しつつデータリフレッシュ動作の効率低下を防止する。 - 特許庁
  • To provide a charging device and the like which can perform refresh discharging, in a short time.
    リフレッシュ放電を短時間で実行可能とした充電装置等を提供する。 - 特許庁
  • To reduce a standby current by changing a refresh period appropriately in accordance with temperature.
    温度に応じて適切にリフレッシュ周期を変更してスタンバイ電流を削減する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device for reducing current consumption during refresh operation.
    リフレッシュ動作時に消費電流量を低減する半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • To accurately hold the level of an analog signal at all times without a refresh operation.
    リフレッシュ動作を行うことなく、アナログ信号のレベルを常に正確に保持する。 - 特許庁
  • At this time, a control part 11 controls an environmental sensor part 17, to specify the temperature, the humidity and the continuous contact time and to specify the refresh time from the refresh information 121.
    そこで、制御部１１は、環境センサ部１７を制御して温度・湿度・連続接触時間を特定し、リフレッシュ情報１２１からリフレッシュ時間を特定する。 - 特許庁
  • A refresh area is taken advantage of when a series of images are coded using Intra-frame coding and Inter-frame coding, a partial area of an image being forcefully Intra-frame coded (Intra MB) in the refresh area.
    画面内符号化と画面間符号化を用いて、一連の画像を符号化する際に、画像の一部を強制的に画面内符号化（IntraMB）にするリフレッシュエリアを使用する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory in which concentrated refresh is not required to perform after a self-refresh period by refreshing uniformly all words and its address control method.
    全ワードを均一にリフレッシュすることにより、セルフリフレッシュ期間後に集中リフレッシュを行わなくともよい半導体記憶装置およびそのアドレス制御方法を提供する。 - 特許庁
  • A galvano driving data for refresh is prepared on the basis of the unused region (S23) and refresh action for driving the galvanomotor is performed on the basis of the galvano driving data (S24).
    そして、未使用領域を基にリフレッシュ用のガルバノ駆動データを作成し（Ｓ２３）、ガルバノ駆動データを基にガルバノモータを駆動させるリフレッシュ動作を行う（Ｓ２４）。 - 特許庁
  • To provide a method and apparatus for reducing power consumption needed to refresh a memory.
    メモリリフレッシュに必要な電力消耗を減らす方法及び装置を提供する。 - 特許庁
  • In normal refresh-operation, as the refresh-address counter 17 increases successively the internal row address signal based on a trigger signal, data of all memory cell are refreshed.
    通常のリフレッシュ動作では、リフレッシュアドレスカウンタ１７は、トリガ信号に基づいて、内部ロウアドレス信号を、順次、インクリメントするため、全てのメモリセルのデータがリフレッシュされる。 - 特許庁
  • To reduce current consumption by scattering current consumption at a self-refresh mode.
    セルフリフレッシュモード時における消費電流を分散して消費電流を低減する。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE MINIMIZED IN REFRESH CURRENT CONSUMPTION, AND DRIVING METHOD THEREFOR
    リフレッシュ電流消耗を最小化する半導体メモリ装置及びその駆動方法 - 特許庁
  • In an operation cycle, a memory chip 200 starts a refresh operation in synchronism with an ATD signal that indicate a change in an address after the generation of a refresh timing signal RFTM.
    メモリチップ２００は、オペレーションサイクルでは、リフレッシュタイミング信号ＲＦＴＭの発生後に、アドレスが変化したことを示すＡＴＤ信号に同期してリフレッシュ動作を開始する。 - 特許庁
  • The refresh request generation section 8 is a circuit for generating a refresh request for the SDRAM 300 according to the comparison results of the BANK/ROW address comparison section 7.
    また、リフレッシュ要求生成部８は、ＢＡＮＫ／ＲＯＷアドレス比較部７の比較結果に応じて、ＳＤＲＡＭ３００に対するリフレッシュ要求を生成する回路である。 - 特許庁
  • Also, in a snooze state (low power consumption state), refresh-operation is started in accordance with the generation of the refresh-timing signal RFTM independently of existence of the clock signal CLK.
    また、スヌーズ状態（低消費電力状態）では、クロック信号ＣＬＫの有無に拘わらず、リフレッシュタイミング信号ＲＦＴＭの発生に応じてリフレッシュ動作を開始する。 - 特許庁
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