「Refresh」を含む例文一覧(1813)

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  • We look forward to meeting with other FATF Ministers next spring to refresh the mandate of the FATF.
    FATF のマンデートを新たにするため、他の FATF 参加国大臣と行う来春の会合に期待。 - 財務省
  • To improve a disturbance refresh property in a semiconductor memory apparatus having hierarchical word line constitution.
    階層ワード線構成の半導体記憶装置におけるディスターブリフレッシュ特性を改善する。 - 特許庁
  • SYSTEM, METHOD AND COMPUTER PROGRAM PRODUCT FOR ADJUSTING REFRESH RATE OF DISPLAY FOR POWER SAVINGS
    節電のためにディスプレイのリフレッシュレートを調整するシステム、方法、及びコンピュータプログラム製品 - 特許庁
  • To reduce current consumption at the time of data holding mode at which refresh-operation is repeated only.
    リフレッシュ動作を繰り返すだけのデータ保持モード時の消費電流を削減する。 - 特許庁
  • To reduce the time between refresh to a response to the next external command.
    リフレッシュ終了後に次の外部コマンドに応答可能になるまでの時間を短縮する。 - 特許庁
  • Thus, only the refresh operation necessary for the test can be executed, thereby the test efficiency is improvable.
    これにより、テストに必要なリフレッシュ動作のみを実行でき、テスト効率を向上できる。 - 特許庁
  • To set a refresh region, to be refreshed actually, from the outside of a DRAM.
    実際にリフレッシュを行うリフレッシュ領域をＤＲＡＭの外部から設定できるようにする。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory capable of resetting a self-refresh period.
    セルフリフレッシュ周期の再設定を行なうことが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • To reduce the overload status of a server even when a message for refresh is frequently generated.
    リフレッシュ用のメッセージが多発しても、サーバの過負荷状態を低減することができる。 - 特許庁
  • Note: FPS may be limited by your screen's refresh rate, so keep this in mind if glxgears reports only about 70-100 FPS.
    CVSソースを利用警告:パッケージが動作するならこれは行わないでください。 - Gentoo Linux
  • The memory section 20 includes a first memory 2, voltage developing circuit 5 and a refresh control circuit 40.
    メモリ部２０は第１メモリ２、電圧生成回路５、リフレッシュ制御回路４０を含む。 - 特許庁
  • At the time of CBR-refresh, the signal path B is selected, the RTO signal is not delayed.
    ＣＢＲリフレッシュ時には、信号経路Ｂが選択され、ＲＴＯ信号は遅延されない。 - 特許庁
  • To realize a semiconductor memory device which can switch refresh cycles more properly.
    リフレッシュ周期の切り替えをより適切に行えるようにした半導体記憶装置の実現。 - 特許庁
  • A self refresh period is set with the detected tracking code Pcode [n:0].
    検出されたトラッキングコードＰｃｏｄｅ［ｎ：０］によってセルフリフレッシュ周期をセットする。 - 特許庁
  • The semiconductor memory device is equipped with a refresh control portion which performs a refreshing operation.
    半導体メモリ装置は、リフレッシュ動作を実行するためのリフレッシュ制御部を備える。 - 特許庁
  • To provide a dynamic semiconductor memory simultaneously performing read/write and refresh operations.
    読み出し／書き込み及びリフレッシュ動作を同時に行うダイナミック半導体メモリを提供する。 - 特許庁
  • METHOD AND APPARATUS FOR INCREASING AVERAGE IMAGE REFRESH RATE IN COMPRESSED VIDEO BITSTREAM
    圧縮ビデオ・ビットストリームにおいて平均イメージ・リフレッシュ・レートを増加させる方法及び装置 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND REFRESH METHOD FOR DYNAMIC LATCH
    半導体集積回路装置、半導体記憶装置及びそのダイナミックラッチのリフレッシュ方法 - 特許庁
  • Also, the self refresh period can be appropriately controlled in accordance with temperature of the device.
    また、デバイスの温度に応じてセルフリフレッシュ周期を適切に制御することができる。 - 特許庁
  • The macro block stored in this important area memory 106 is an object of intra-refresh.
    この重要領域メモリに記憶されたマクロブロックをイントラ・リフレッシュの対象とする。 - 特許庁
  • To always accurately hold a level of an analog current signal without performing a refresh operation.
    リフレッシュ動作を行うことなく、アナログ電流信号のレベルを常に正確に保持する。 - 特許庁
  • To provide an image formation apparatus that can refresh and recycle toner at the same time.
    トナーリフレッシュとトナーリサイクルとを同時に行える画像形成装置を実現し提供する。 - 特許庁
  • The magnetic disk device includes grouping means and refresh control means.
    実施形態によれば、磁気ディスク装置は、グループ化手段とリフレッシュ制御手段とを含む。 - 特許庁
  • To dispense with a refresh operation so that time to initialize a semiconductor memory or the like is cut down.
    リフレッシュ動作を不要にして半導体メモリ等のイニシャライズ時間を短縮する。 - 特許庁
  • A status code is supplied to a controller 2 from a self-refresh status 5 by control of a CPU 3, this status code is verified in the controller 2, and setting and release of a self-refresh mode are performed.
    ＣＰＵ３の制御によってセルフリフレッシュステータス５からステータスコードがコントローラ２に供給され、コントローラ２ではこのステータスコードを確認し、セルフリフレッシュモードの設定や解除を行う。 - 特許庁
  • To provide a self-refresh term control circuit in which reliability can be improved by adjusting an appropriate refresh term according to a temperature change thereby reducing current consumption.
    温度の変化に従い適切なリフレッシュ周期を調節して消費電流を減少させ、信頼性を改善させることができるセルフリフレッシュ周期の制御回路を提供する。 - 特許庁
  • A signal path B is selected at the time of CBR-refresh and a signal path A is selected at the time of self-refresh by a path selecting circuit C of this delay quantity switching circuit block 40.
    この遅延量切換回路ブロック４０の経路選択回路Ｃにより、ＣＢＲリフレッシュ時には信号経路Ｂを選択し、セルフリフレッシュ時には信号経路Ａを選択する。 - 特許庁
  • A redundancy word refresh counter 11 is prepared in addition to a normal word refresh counter 5 which generates the address of the word line for refreshing the normal area 2 in a memory cell array 1.
    メモリセルアレイ１内の通常領域２のリフレッシュを行うためのワード線のアドレスを生成する通常ワードリフレッシュカウンタ５に加えて、冗長ワードリフレッシュカウンタ１１を設ける。 - 特許庁
  • In a circuit and a method for an integrated circuit memory, a look-ahead function giving a refresh command to a device is incorporated at least one cycle before actual internal refresh operation occurs.
    集積回路メモリのための回路および方法は、実際の内部リフレッシュ動作が起こる少なくとも１サイクル前に、デバイスにリフレッシュコマンドを与えるルックアヘッド機能を組入れる。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device, in which an optional refresh address can be set to a refresh counter and it can be output to the outside, in a semiconductor device comprising a memory cell part which needs refreshing.
    リフレッシュが必要なメモリセル部を持つ半導体装置において、任意のリフレッシュアドレスのリフレッシュカウンタへの設定、およびその外部への出力ができる半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • Thus, the SDRAM1 shifts to the self-refresh mode following the refresh rate established depending on the SRT set up by the temperature range determination function of the CPU3.
    これにより、ＳＤＲＡＭ１は、ＣＰＵ３の温度レンジ決定機能により決定されたＳＲＴの設定値に応じて設定されたリフレッシュレートに従ってセルフリフレッシュのモードへ移行する。 - 特許庁
  • A refresh word line selecting circuit 15 is connected to a counter 16, the counter 16 generating a refresh-clock signal RCLK synchronizing with an external clock signal CLK and outputs it.
    リフレッシュワード線選択回路１５は、カウンタ１６と接続されており、該カウンタ１６は、外部クロック信号ＣＬＫと同期してリフレッシュクロック信号ＲＣＬＫを生成して出力する。 - 特許庁
  • The semiconductor storage device further comprises a refresh controlling circuit executing refresh operation for preventing loss of the retention data of the plurality of memory cells caused by the charge accumulated in the body region of the MOS transistor.
    さらに、ＭＯＳトランジスタのボディ領域に蓄積された電荷により生じる複数のメモリセルの保持データの消失を防ぐリフレッシュ動作を実行するリフレッシュ制御回路を備える。 - 特許庁
  • An AND circuit 202 performs AND of an output signal of the AND circuit 201 and an internal refresh signal INTREF indicating that refresh operation can be performed inside itself.
    ＡＮＤ回路２０２は、前記ＡＮＤ回路２０１の出力信号と、内部で独自にリフレッシュ動作が可能であることを示す内部リフレッシュ信号ＩＮＴＲＥＦとの論理積を取る。 - 特許庁
  • A self-refresh entry cycle for shifting to a self-refresh mode is performed corresponding to the prescribed combination of command control signals (/RAS, /CAS, /WE, CLK) in activation timing of a clock signal (CLK).
    クロック信号（ＣＬＫ）の活性化タイミングにおけるコマンド制御信号（／ＲＡＳ，／ＣＡＳ，／ＷＥ，ＣＬＫ）の所定の組合せに応答して、セルフリフレッシュモードに移行するためのセルフリフレッシュエントリサイクルが実行される。 - 特許庁
  • A refresh controlling circuit controls the number of dynamic memory cells to be refreshed in response to the refresh request signal according to the clock cycle which is a cycle of the detected clock signal.
    リフレッシュ制御回路は、検出されたクロック信号の周期であるクロック周期に応じて、リフレッシュ要求信号に応答してリフレッシュするダイナミックメモリセルの数を制御する。 - 特許庁
  • To provide semiconductor memory which has an optimal refresh cycle in accordance with temperature variation, and has significantly reduced current consumption during refresh operation.
    温度の変化に対応して最適化されたリフレッシュ周期を有し、リフレッシュ動作中に用いられる消耗電流を大幅に低減することができる半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁
  • A memory chip 200 starts a refresh operation in synchronism with a clock signal CLK supplied from an external device in an operation cycle after the generation of a refresh timing signal RFTM.
    メモリチップ２００は、オペレーションサイクルでは、リフレッシュタイミング信号ＲＦＴＭの発生後に、外部装置から供給されるクロック信号ＣＬＫに同期してリフレッシュ動作を開始する。 - 特許庁
  • To provide an entirely new semiconductor storage device which does not delay read/write access by a refresh operation, and is interface-compatible with a high-speed SRAM such as a QDR SRAM, and to provide a refresh control method.
    リフレッシュによるリード／ライトアクセスを遅延させず、ＱＤＲ ＳＲＡＭ等の高速ＳＲＡＭにインタフェース互換の全く新規の半導体記憶装置とリフレッシュ制御方法の提供。 - 特許庁
  • To provide a refresh circuit capable of reducing electric current consumed during a refresh operation by preventing a row address maintaining a prescribed level from being unnecessarily latched.
    所定レベルを維持するローアドレスが不要にラッチされないようにすることにより、リフレッシュ動作時に消費される電流を減少できるようにしたリフレッシュ回路を提供すること。 - 特許庁
  • The circuit and method for the integrated circuit memory, at least one cycle before actual internal refresh operation is performed, a look-ahead function that provides a refresh command to a device is incorporated.
    集積回路メモリのための回路および方法は、実際の内部リフレッシュ動作が起こる少なくとも１サイクル前に、デバイスにリフレッシュコマンドを与えるルックアヘッド機能を組入れる。 - 特許庁
  • Memory sub-blocks (MB0-MBm) perform refresh by fetching a refresh activation instruction signal (AREF) from a main control circuit by a demultiplexer (34) at the time of a predetermined condition.
    メモリサブブロック（ＭＢ０−ＭＢｍ）において、メイン制御回路からのリフレッシュ活性化指示信号（ＡＲＥＦ）を、デマルチプレクサ（３４）により所定の条件のときに取込みリフレッシュを実行する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device which has an optimum refresh cycle and can remarkably reduce current consumption used in a refresh operation in accordance with temperature variation.
    温度変化に対応して、最適化されたリフレッシュ周期を有しリフレッシュ動作時用いられる消費電流を大幅に減らすことのできる半導体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁
  • A refresh prohibition part of the control board prohibits refresh of all areas, except at least the work area, of the first volatile memory in the power-saving operation mode (step S25).
    制御基板のリフレッシュ禁止部は、省電力動作モードにおいて、第１揮発性メモリの全領域のうち、少なくともワーク領域を除いてリフレッシュを禁止する（ステップＳ２５）。 - 特許庁
  • When turning on the power, re-setting the system, or refresh timing, the correction parameter read from EEPROM is written in the correction parameter register, to perform the initialization processing and refresh processing of the register.
    電源投入時、システムリセット時或いはリフレッシュタイミングに、ＥＥＰＲＯＭから読み出された補正パラメータを補正パラメータレジスタに書き込み、レジスタのイニシャライズ処理、リフレッシュ処理を行う。 - 特許庁
  • The LCD driver 10 supplies a high refresh timing image drive signal 15 to an LCD panel 11, so that an image appears on the LCD panel 11 as it is in the high refresh timing.
    ＬＣＤドライバー１０は、ハイリフレッシュタイミング画像駆動信号１５をＬＣＤパネル１１に供給することにより、ＬＣＤパネル１１にそのままのハイリフレッシュタイミングで出画される。 - 特許庁
  • In response to a refresh command REF and an address information SIDADD, a refresh control signal REFb and the address information SIDADD are supplied in common to CC0 to CC7.
    リフレッシュコマンドＲＥＦ及びアドレス情報ＳＩＤＡＤＤを受け、リフレッシュ制御信号ＲＥＦｂ及びアドレス情報ＳＩＤＡＤＤをコアチップＣＣ０〜ＣＣ７に共通に供給する。 - 特許庁
  • When refresh-operation, normal read-out operation of data, or write-in operation of data are overlapped, refresh-operation has priority, and data of a memory cell which can be read out is decided based on parity.
    リフレッシュ動作と、通常のデータの読み出し動作または書き込み動作とが重なった場合、リフレッシュ動作を優先し、読み出すことができないメモリセルのデータをパリティに基づき確定する。 - 特許庁
  • To efficiently perform refresh independently of whether the quality of a transmission path is good or bad by quickly updating a screen and an image error even for a terminal not transmitting a refresh request.
    リフレッシュ要求を送信しない端末に対しても、速やかに画面の更新、画像エラーの更新を行い、伝送路の品質の良否に関わらず効率よくリフレッシュを行う。 - 特許庁
  • The X address buffer 2A outputs counter signals being origin for generating internal X address signals XA0-XA11 corresponding to the case of a refresh-test of memory cells and redundant memory cells switching an address counter signal outputted by a CBR refresh-counter 4 and a redundant counter signal outputted by redundant CBR refresh-counter 14.
    Xアドレスバッファ2Aは、内部Xアドレス信号XA0〜XA11を生成する元となるカウンタ信号を、メモリセルと冗長メモリセルとのリフレッシュテストの場合に対応して、CBRリフレッシュカウンタ4の出力するアドレスカウンタ信号と、冗長CBRリフレッシュカウンタ14の出力する冗長カウンタ信号とを切り替えて出力する。 - 特許庁
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