「Strained」を含む例文一覧(677)

＜前へ 1 2 .... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 次へ＞
  • The portion strained in the crystal lattice and the defective portion are precedingly and electrolytically eroded and the metallic material is cleaved and the metallic fine grains are produced.
    この電解研磨により、結晶格子の歪んだ部分や欠陥部分が優先的に電気化学的に腐食され、材料金属がへき開して金属微粒子が生成される。 - 特許庁
  • In addition, the shear force detecting unit includes a strain sensor of a cantilever shape, provided to be strained by receiving the shear force from the object in the inside of the deformation member.
    また、変形部材の内部において、物体からの剪断力を受けて歪むように設けられた片持ち梁形状の歪センサを備えることを特徴とする。 - 特許庁
  • The method for reusing the strained lees of wine comprises as follows.
    産業廃棄物としていたワインの搾り粕を一度冷凍保存して置き必要に応じて、天日乾燥又は機械的乾燥にして保管して置き必要に応じて粉末にする。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing an SiGe-on-insulator substrate material substantially relaxed, of high quality, and capable of being used as a template for strained-silicon.
    ひずみＳｉ用のテンプレートとして使用可能な高品質で実質的に緩和されたＳｉＧｅオン・インシュレータ基板材料を製作する方法を提供することにある。 - 特許庁
  • To provide a slide fork elevating device capable of smoothly elevating a slide fork even when a carriage is strained or warped due to an affection from a travelling road surface.
    台車が走行路面の影響でねじれたり歪んだりした場合でも円滑にスライドフォークを昇降させることができるスライドフォーク昇降装置を提供すること - 特許庁
  • The pressing sheet 2 facing the window hole 5 is strained by folding the base 3 and the cover 4, and presses the article M to be held on a predetermined position of the base 3.
    ベース３とカバー４との折り曲げによって、窓穴５内に臨ませた抑えシート２は緊張し、物品Ｍは、抑えシート２に圧下されてベース３の定位置に保持される。 - 特許庁
  • To prevent deterioration in a driving power accompanying a wave function seeping in an SiGe layer, by increasing a carrier mobility of the SiGe layer as an under layer of a strained Si layer.
    歪みＳｉ層の下層のＳｉＧｅ層のキャリア移動度を高めることができ、波動関数のＳｉＧｅ層中へのしみ出しに伴う駆動力低下を抑制する。 - 特許庁
  • The statue is not like Daikokuten, the god of fortune familiar in recent years, but more like an Indian god of war named Mahakala with a strained expression; it is also known as the three major Daikokuten statues in Japan.
    後世の福神としての大黒天ではなく、インドの武神マハーカーラの面影を残した厳しい表情の大黒天像で、日本三大黒のひとつとして知られる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The first concept employs a strained interface to stop the dislocation arising from the GeSi1-X/Ge epitaxial layer, thus terminating the dislocation from propagating upwards.
    第１のコンセプトは、歪み界面を用いることによってＧｅＳｉ１−Ｘ／Ｇｅエピタキシャル層から発生した転位を停止し、転位の上方への伝搬を終端することである。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method with which a semiconductor crystal structure in a region opposed to a trench gate electrode can be strained in a device having an amorphous silicon layer formed.
    アモルファスシリコン層を形成する装置内で、トレンチゲート電極に対向する領域の半導体結晶構造を歪ませることが可能な製造方法を提案する。 - 特許庁
  • When this method, in which the strained Si layer 14 is formed on the silicon/germanium substrate 11, is used, the epitaxial growth of an SiGe layer becomes unnecessary.
    このようにシリコン・ゲルマニウム基板１１に歪みＳｉ層１４を形成する半導体基板の製造方法によれば、ＳｉＧｅ層のエピタキシャル成長は不要となる。 - 特許庁
  • To provide a key which is improved in shape precision by preventing a molding of the key from being strained, and a metal mold for key molding for molding the same.
    鍵の成形体に歪が生じることを防止して形状精度を向上することのできる鍵およびそれを成形するための鍵成形用金型を提供すること。 - 特許庁
  • The strained Si film is formed by selectively growing a fin arranged in a perpendicular direction to the surface of a non-conductive substrate or Si on the side face of a relaxed SiGe block.
    歪みＳｉ膜は、非導電性基板の表面に垂直方向に配設されるフィンを、緩和ＳｉＧｅブロックの側面にＳｉを選択成長することで形成される。 - 特許庁
  • Utilizing characteristics of strained lees, a food group is produced which can be used as a means for delivering various nutritional, pharmacological function components.
    さらに、搾り粕としての特長を活用して、様々な栄養学薬理学的な機能成分を体内に送達する手段たりうる食材食品群を構成することによる。 - 特許庁
  • In a semiconductor light emitting element having an active layer 3 including a strained quantum well layer 2, and a clad layer 4 for confining light and a carrier formed on a semiconductor substrate 1, the thickness of the strained quantum well layer 2 is larger than a critical film thickness h_c when a single layer film is grown on a substrate of an infinite thickness.
    半導体基板１上に、歪み量子井戸層２を含む活性層３と、光とキャリアを閉じ込めるクラッド層４とが形成されている半導体発光素子において、前記歪み量子井戸層２の厚さは、無限大の厚さの基板上に単層膜を成長するとした場合の臨界膜厚ｈ_ｃよりも厚いことを特徴とする。 - 特許庁
  • This method for treating the vegetable strained lees is characterized by degrading at least a part of the vegetable strained lees produced as a by-product in a food-producing process with the larva of Drosophila melanogaster, and further degrading the product with the larva of Musca domestica to obtain the animal resource originated from the larva or chrysalises of Musca domestica and the digestion residues of the larvae.
    本発明に係る処理方法は、食品製造工程から副生した植物性搾汁粕の少なくとも一部をショウジョウバエの幼虫で分解処理した後、更にイエバエの幼虫で分解処理し、少なくともイエバエの幼虫及び／又は蛹に由来する動物性資源と幼虫の消化残渣とを得るものである。 - 特許庁
  • This optical semiconductor element is grown on a different plane orientation from such orientation as within ±1° of the {0001} plane usually used, and consequently, a strained quantum well with a low piezoelectric field is formed.
    本発明の光半導体素子は通常用いられる{0001｝面の面方位±1°等とは異なる面方位への成長をおこなってピエゾ電界の少ない歪量子井戸を形成している。 - 特許庁
  • To provide a process for the application of a foundation giving strained feeling to skin and getting beautiful springy appearance by pulling up the skin by the application of the foundation.
    ファンデーションを適用することにより、肌にひきしまった感じを与えるとともに、肌を引き上げて張りのある美しい仕上がりを得ることのできるファンデーションの適用方法を提供する。 - 特許庁
  • To prevent a lens unit etc. from being strained by relieving a force transmitted to an internal constituent member of the lens unit etc., housed in a camera external packaging even if an external force such as a shock is applied thereto.
    カメラ外装に衝撃等の外力が加わっても、内部に収容されたレンズユニット等の内部構成部材に伝達される力を緩衝し、レンズユニット等に歪を生じさせない。 - 特許庁
  • To provide strain measuring device for measuring strain of a thin-film crystal layer in sample which contains the above strained thin-film crystal layer and supporting layer supporting the above thin-film crystal layer.
    歪みを有する薄膜結晶層と前記薄膜結晶層を支持する支持層を有する試料において前記薄膜結晶層の歪みを測定する歪み測定装置を提供する。 - 特許庁
  • To improve performance characteristics of an n-channel field-effect transistor using a strained silicon technique without degrading performance characteristics of a p-channel field-effect transistor, in a CMIS device.
    ＣＭＩＳデバイスにおいて、ｐチャネル型電界効果トランジスタの動作特性を劣化させることなく、ひずみシリコン技術を用いたｎチャネル型電界トランジスタの動作特性を向上させる。 - 特許庁
  • Even if the housing 20 shifts from its regular position, the shift is absorbed by the fitting members 40, 41, and 42 and they can be fitted without causing the housing 20 to be strained greatly.
    ハウジング２０が正規の位置からずれていても、このずれを各取付部材４０，４１，４２にて吸収し、ハウジング２０に過大な歪みを生じさせることなく取付けが行なえる。 - 特許庁
  • To provide a tension adjusting device in a drive transmitting device maintaining a winding angle of a pulley substantially constant by pressing a strained side of a belt and at the same time not loosening its slack side.
    本発明の課題は、ベルトの張り側を押さえると同時に緩み側を緩めず、プーリの巻角をほぼ一定に保つ駆動伝達装置における張力調整装置の提供にある。 - 特許庁
  • To provide a mounting structure of a switch panel which is hardly caused to be strained in a mounted state and is capable of preventing the disengagement of the switch panel from an armrest even if the temperature in a car is increased.
    取付状態においてキシミが生じにくく、しかも、車内温度が上昇してもスイッチパネルがアームレストから外れるのを防止できるスイッチパネルの取付構造を提供する。 - 特許庁
  • By removing the SiGe single-crystal layer, the single crystal strained Si strip appears on the support platform and changes into a multifaceted Si strip suitable to form a multifaceted gate fin-FET.
    ＳｉＧｅ単結晶層を除去することによって、単結晶歪Ｓｉストリップは支持基板上にあり、多面ゲート・フィン型ＦＥＴの形成に適する多面Ｓｉストリップに変化する。 - 特許庁
  • Further, the efficiency is enhanced to a maximum extent while reducing a leak current, by optimizing the film thickness of the strained Si layer having a channel region, the inactivation of defects, a field plate structure, etc.
    更に、チャネル領域を有する歪Si層の膜厚、欠陥の不活性化、或いはフィールドプレート構造の最適化などによってリーク電流を低減しつつ最大限に効率を高める。 - 特許庁
  • Thereafter the wire rope 23 is strained, and therefore the building is restored in a synthetic direction (east direction) of winding directions of the wire ropes 23, 24, whereby the center of a ground sill 1 is restored to an original point P.
    その後、ワイヤロープ２３が緊張状態となり、建物はワイヤロープ２３，２４の巻取方向の合成方向（東方向）に復動し、やがて土台１の中心が原点Ｐに復帰する。 - 特許庁
  • METHOD FOR PRODUCING STRAINED BEAN JAM FOR CONFECTIONERY RICHLY REMAINING FRUIT-AROMA AND -TASTE, OBTAINED BY THOROUGHLY BLENDING VARIOUS KINDS OF FRUITS WITH DRY WHITE SOYA BEAN AND DRY NAVY BEAM BOTH DEODORIZED
    脱臭味処理をした、乾白花豆及び乾白インゲン類と各種類の果物を融合させて、果物の香り、味を強く残した、菓子の果物こしあんこ、の製造方法。 - 特許庁
  • A resin-unimpregnated or resin-impregnated PBO continuous fiber sheet 1 in a strained condition is stuck to the surface 101 of the concrete structural body 100.
    樹脂未含浸のＰＢＯ連続繊維シート１又は樹脂含浸ＰＢＯ連続繊維シート１を、緊張力を導入した状態でコンクリート構造物１００の表面１０１に接着する。 - 特許庁
  • One end side of a steel bar 3 is fixed to the ground 1, and the head section side is strained by taking reaction force and is fixed to the ground 1 with a head anchorage device 7 through a bearing plate 18.
    鋼棒３の一端側が地盤１に固定され、頭部側が支圧板１８を介して頭部定着具７によって地盤１に反力を取って緊張、定着される。 - 特許庁
  • Then the process is repeated that the permanent anchor 14 of the slanting type is poured and strained, and is fixed to an anchor fixation member 12 while excavating the inner ground of the earth retaining pile 10.
    そして、山留め杭１０の内側地盤を根切りしながら、斜め型の永久アンカー１４を打設して緊張し、アンカー定着部材１２に定着固定するという工程を繰り返す。 - 特許庁
  • To solve the following problem: an amount of data to be stored in a lens increases associated with recent higher functionality and a storage area is strained in a camera system composed of a camera body and an interchangeable lens.
    カメラ本体と交換レンズからなるカメラシステムにおいて、近年の高機能化に伴いレンズ内に記憶すべきデータ量が増大しており、記憶領域が逼迫している。 - 特許庁
  • Therefore, even if the protection member 8 is bent or strained, the strain can be absorbed by the protection member 8 alone so that no load is transmitted to the electricity fed display device 10.
    したがって、保護部材８が撓みや歪みを生じたとしても、歪みを保護部材８のみで吸収することができるので、加電表示具１０には荷重が伝わることがない。 - 特許庁
  • To provide a process for producing a safe solid organic fertilizer at a low cost by using the strained lees of sugarcanes as basic compost raw materials to take place of typical waste used heretofore.
    従来使用されている典型的な廃物に代わる基本堆肥原料として、サトウキビの搾り粕を使用し、低コストで、安全な固形有機肥料の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • Consequently, the three-dimensional display in which the depth of the image CH1 is varied by a relatively simple treatment can be expressed while preventing the player's eyes from easily getting strained.
    これにより、プレーヤの目を容易に疲れさせないようにしながら、比較的簡単な処理で、画像ＣＨ１についての奥行を変化させた立体的な表示を表現することが出来る。 - 特許庁
  • PC steel wires penetrating the precast PC main beams and the precast PC lateral beams are strained for integration, and a grillage is formed by the prcast PC main beams and the precast PC lateral beams.
    プレキャストＰＣ主梁およびプレキャストＰＣ横梁を貫通させたＰＣ鋼線を緊張して一体化し、プレキャストＰＣ主梁とプレキャストＰＣ横梁とで格子枠を形成する。 - 特許庁
  • To provide a multilayer film structure in which relaxation of strain of a germanium tin mixed crystal layer is promoted and a tensile-strained germanium layer with a larger in-plane tensile strain can be formed.
    ゲルマニウム錫混晶層の歪緩和を促進し、より大きな面内伸張歪を持つ伸張歪ゲルマニウム層を形成することができる多層膜構造体を提供する。 - 特許庁
  • To prevent a radio communication band from being strained when a user who performs excessive utilization (communication data amount and the number of times of communication) in packet communication, performs communication for a long time.
    パケット通信において、過剰な利用（通信データ量及び通信回数）を行うユーザが長時間にわたって、通信を行うことで無線通信帯域を逼迫することを防止する。 - 特許庁
  • The term 'zenzai' used in areas including the Kansai district means either Inaka jiruko (country style sweet bean soup) or Ogura jiruko and the term 'shiruko' specifically refers to Gozen jiruko made from the strained bean paste.
    関西などで用いられるぜんざい（善哉）の語は田舎汁粉あるいは小倉汁粉の事を指し、汁粉という言葉は漉し餡を用いた御前汁粉についてのみ用いられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The flat surface M stably supports the displacement plate 3, so the displacement plate 3 can be formed flatly without being strained owing to a dynamical load in the formation.
    平坦面Ｍにより変位板３が安定的に支持されるため、形成時における力学的負荷に起因して歪むことなく平坦状をなすように変位板３を形成可能となる。 - 特許庁
  • he seemed to fill those glistening boots until he strained the top lacing, and you could see a great pack of muscle shifting when his shoulder moved under his thin coat.
    鈍い光を放つブーツはいかにも窮屈で、編み紐のいちばん上は苦しげに結ばれ、また薄い上着の下で肩が上下すると、一塊になった筋肉の動きが分かる。 - F. Scott Fitzgerald『グレイト・ギャツビー』
  • The strained SOI structure comprises an insulating substrate 10, a protective layer 12 formed on all surfaces of the insulating substrate and composed of AlN, a bonding layer 14 formed on the protective layer 12 and composed of SiO_2 or polycrystalline silicon, an SiO_2 layer 28 formed on the bonding layer 14, and a strained silicon layer formed on the SiO_2 layer 28.
    絶縁性基板１０と、絶縁性基板１０の表面全体に形成されたＡＩＮからなる保護層１２と、保護層１２上に形成されたＳｉＯ_２又は多結晶シリコンからなるボンディング層１４と、ボンディング層１４上に形成されたＳｉＯ_２層２８と、ＳｉＯ_２層２８上に形成されたストレインシリコン層と、を備えるストレインＳＯＩ構造体である。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate, wherein at least a distance from an embedded oxide film to a strained silicon layer is sufficiently small, and the strain of a SiGe layer being an intermediate layer is perfectly relaxed.
    少なくとも埋め込み酸化膜から歪シリコン層までの距離が十分に短く、かつ中間層であるＳｉＧｅ層が完全に歪緩和した半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To realize an improvement in the mounting performance of an electronic component by providing a fluidity property to an adhesive layer upon formation of multiple layers of a substrate material to avoid the laminate of the substrate material from being strained in a wavy manner.
    基板材の多層化時に接着層が流動性をもつことにより、基板材の積層体に波打ち状の歪みが生じることを回避し、電子部品の実装性能の向上を図ること。 - 特許庁
  • To provide a method of producing a semiconductor substrate in which at least the distance from a buried oxide film to a strained silicon layer is sufficiently short and strain in an intermediate layer, i.e. an SiGe layer, is relaxed thoroughly.
    少なくとも埋め込み酸化膜から歪シリコン層までの距離が十分に短く、かつ中間層であるＳｉＧｅ層が完全に歪緩和した半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The fine disintegration method for the taste foods is implemented by finely grinding the waste foods, such as the strained lees and extraction lees, by a wet process vibration mill to slurry the waste foods and drying the formed slurry by a drum dryer.
    食品滓の微粉末化方法は、搾り滓や抽出滓等の食品滓を湿式振動ミルにより微粉砕してスラリー化したものを、ドラムドライヤで乾燥させることにより行う。 - 特許庁
  • Next, the cutting machine 1 is arranged on a road surface 14, and an endless cutting wire 12 is strained in the slit at a cutting depth L of the existing expansion joint, via guide pulleys 11 arranged in the respective grooves 26.
    次に、切断装置１を路面１４上に配置し、溝２６に配置したガイドプーリ１１を介して無端切断ワイヤ１２を既設伸縮継手の切断深さＬでスリット２７に張架する。 - 特許庁
  • Since the second SiGe layer 55 functions as a channel in a P channel MOSFET and the strained Si layer 56 functions as a channel in an N channel MOSFET, high speed operation can be realized.
    Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴにおいては第２のＳｉＧｅ層５５がチャネルとして機能し、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴにおいては歪みＳｉ層５６がチャネルとして機能するので、高速動作が可能となる。 - 特許庁
  • To obtain the superior transmission efficiency of an optical signal by preventing a cylindrical lens from being strained thereby efficiently converging an optical signal emitted by an optical semiconductor element on an optical fiber.
    円柱状のレンズに歪みが生じるのを防止して、光半導体素子から発光した光信号を光ファイバに効率よく集光させ、光信号の伝送効率に優れたものとすること。 - 特許庁
  • A separation layer 14 is formed on a silicon substrate 11, on which an SiGe layer 12 as a strain-induced layer and a silicon layer 13 as a strained semiconductor layer are formed, in sequence to building a first base substrate 10.
    シリコン基板１１上に分離層１４を形成し、その上に順に歪み誘起層としてＳｉＧｅ層１２、歪み半導体層としてシリコン層１３を形成して第１の基体１０を作成する。 - 特許庁
＜前へ 1 2 .... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 次へ＞

例文データの著作権について