「Strained」を含む例文一覧(677)

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  • To provide a controlling technology for a video game which can effectively bring about original and unique strained feeling and reality.
    斬新で、独特の緊迫感、リアルさを有効に醸し出すことのできるビデオゲームの制御技術を提供する。 - 特許庁
  • A strained silicon layer 35 is formed only on the drain region of a distorted silicon layer 23 by epitaxial growth method.
    歪シリコン層２３のドレイン領域上だけにエピタキシャル成長法を使用して歪シリコン層３５を形成する。 - 特許庁
  • To provide an ethylene-propylene-based copolymer rubber composition capable of retaining durability even under a highly strained condition.
    高歪でも耐久性を保持することが可能なエチレン・プロピレン系共重合ゴム組成物を提供すること。 - 特許庁
  • The required length of the long electric conductor (2) is readied and the conductor (2) is strained by applying a tensile stress.
    細長導体（２）の必要な長さが準備され、導体（２）が引張応力の適用によって緊張される。 - 特許庁
  • Usually, sweet beans are placed on green powdered tea and koshian (strained bean jam) is added in a ball-like shape.
    つぶ餡のばあいは、抹茶の上に載せるようにかけ、漉し餡の場合はボール状にして添えることが多い。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • For strained silicon MOSFETS, a graded layer of silicon germanium is grown on top of a bulk silicon wafer.
    ストレインド・シリコンMOSFETのために、組成が次第に変化するシリコン・ゲルマニウムの層をバルクのシリコンウエハ上に成長させる。 - コンピューター用語辞典
  • The object is solved by a heterostructure of the type, wherein the ungraded layers are strained layers, wherein the strained layers comprise at least one strained smoothing layer of a semiconductor material, having in a lattice relaxed state, a third in-plane lattice parameter which is between the first and the second lattice parameter.
    前記の目的は、該組成非傾斜層が歪み層であり、かつ、該歪み層が前記第１および第２の格子定数の中間の第３の面内格子定数を格子緩和状態において有する半導体材料の、歪を有する平坦化層を少なくとも１つ含んで構成されることを特徴とする、前記のタイプのヘテロ構造によって達成される。 - 特許庁
  • To provide, for fastening a stepladder and a scaffolding board, a fastening band which is strained at the moment it is tightened, which in a strained and fastened condition is easily released by a release lever and which is easily replaced when damaged.
    脚立と足場板を結束する結束バンドにおいて、結束バンドの引締めと同時に緊張され、また緊張結束されたバンドは解除レバーで容易に解除でき、バンドが破損した時も容易に交換できるようにすること。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor substrate with an SOI structure having a very thin strain relief SiGe layer with a very low transition density and with excellent flatness of its surface even if a strained Si channel structure or a strained SiGe structure is employed.
    歪Ｓｉチャネル又は歪ＳｉＧｅチャネル構造を採用するも、転移密度が極めて低く表面の平坦性に優れた極薄の歪緩和ＳｉＧｅ層を有するＳＯＩ構造の半導体基板を提供する。 - 特許庁
  • The wine like beverage contains: grape juice; a black tea extract extracted from black tea; and at least one of grape seed extract extracted from grape seed and grape fruit strained lees extract extracted from grape fruit strained lees.
    ブドウ果汁と、紅茶から抽出した紅茶抽出物と、ブドウ種子から抽出したブドウ種子抽出物及びブドウ果実搾汁粕から抽出したブドウ果実搾汁粕抽出物のうち少なくとも一方と、を含む。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor component having a high-quality single-crystal strained silicon layer on a strain-induced porous silicon, and a manufacturing method for a strained SOI substrate that uses the semiconductor component and employs a transferring method (lamination and separation).
    歪み誘起多孔質シリコン上に、高品質な単結晶歪みシリコン層を有する半導体部材および、その半導体部材を用い、移設法（貼り合わせ、分離）を利用した歪みＳＯＩ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To measure the strain quantity of a strained semiconductor layer at a high accuracy and also its film thickness and composition of a base layer at the same time in a method and apparatus for measuring the strain quantity of the strained semiconductor layer.
    歪み半導体層の歪み量測定方法及び歪み量測定装置において、歪み半導体層の歪み量を高精度に測定可能であり、さらにその膜厚や下地層の組成も同時に測定可能にすること。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor substrate having a high quality strained Si (silicon) layer by reducing the density of threading dislocation on the surface of an SiGe layer for forming the strained Si layer as much as possible.
    歪みＳｉ層が形成されるＳｉＧｅ層表面の貫通転位の密度を極力少なくすることにより、高品質の歪みＳｉ（シリコン）層を有する半導体基板およびその半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a strain semiconductor wafer that has solved conflicting propositions such that the defect density of a strained-Si layer is very low and the strained-Si layer is left before a gate oxide film is formed and a method for manufacturing a semiconductor device.
    ひずみＳｉ層の欠陥密度が十分に低く、しかもゲート酸化膜形成前にひずみＳｉ層が残っているような、相反する命題を解決したひずみ半導体ウェーハおよび半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a ferrite core the shape of which is not strained by shrinkage when the core is baked during the manufacturing process of the core.
    フェライトコアの製造過程での焼成による収縮で形状が歪まないようなフェライトコアを提供すること - 特許庁
  • The foregoing structure increases hole mobility in a compressively strained SiGe channel, and therefore it is advantageous to PMOS.
    これらの構造は、圧縮歪みＳｉＧｅチャネル内の正孔移動度が増大する故に特にＰＭＯＳに有利である。 - 特許庁
  • To provide a relaxed SiGe substrate at reduced cost by shortening the time required for implanting hydrogen ions into a strained SiGe substrate for relaxation.
    水素イオン注入による歪ＳｉＧｅへの緩和の際のイオン注入処理時間を低減してコスト低減する． - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of forming a defect-free, strained SOI layer having an even strain.
    無欠陥で歪みが均一な歪ＳＯＩ層を形成できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • A strained silicon layer may be epitaxially deposited on the relaxed SiGe structure which has been finally produced on the insulator.
    歪みシリコン層は、絶縁体上に結果として生じる緩和したＳｉＧｅの構造上に、エピタキシャルに堆積され得る。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate having a strained Si layer in which the occurrence of penetration dislocations is suppressed to the utmost.
    貫通転位を極力抑制した歪みＳｉ層を有する半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • It is preferred that prestressing steels (PC steels) are strained and anchored to the cross beams, and one end of each prestressing steel is fastened to a proximal portion of the bracket.
    横桁にＰＣ鋼材を緊張・定着し、その一端部をブラケットの基部に締結することが好ましい。 - 特許庁
  • To provide a granular egg processed product having appearance, taste and palate feeling very similar to those of the strained product of the yolk of boiled eggs.
    茹で卵の黄身の裏漉し品と良く似た外観と食味食感を有する粒状卵加工品を提供する。 - 特許庁
  • Tetsudai Fushin in the Edo period strained the financial status of each domain and became one of the causes for the financial difficulties of the domains.
    江戸時代の手伝普請も各藩の負担は過重であり、藩の財政を逼迫させる要因のひとつとなった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • Thereafter, a semiconductor element is formed on the semiconductor wafer 12 on which the silicon-germanium film and a strained silicon film are formed.
    その後、シリコンゲルマニウム膜および歪シリコン膜が形成された半導体ウエハ１２に半導体素子が形成される。 - 特許庁
  • METHOD FOR FORMING STRAINED Si LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING FIELD EFFECT TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND FIELD EFFECT TRANSISTOR
    歪みＳｉ層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法、及び半導体基板と電界効果型トランジスタ - 特許庁
  • A strained silicon layer forming the first channel region has a grating constant different from that of its background layer.
    第１チャネル領域を形成する歪みシリコン層は、その下地層の格子定数とは異なる格子定数を有する。 - 特許庁
  • In the present invention, a strained Si layer is formed on a semiconductor material, a second semiconductor layer, or both of them.
    本発明の方法では、半導体材料、第２の半導体層、またはその双方の上に、歪みＳｉ層を形成する。 - 特許庁
  • If davina's loyalty to marcel is strained, perhaps the young witch will be open to discussing a new alliance.
    もし奴へのダヴィーナの 忠誠が緊張してるならば 恐らく若い魔女は 新しい同盟を 検討するやもしれん - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • When impurities are exist in the certain region 108 of the strained material layer 104, there is degradation in the device performance.
    不純物がひずみ材料層１０４の特定の領域１０８に存在する場合、デバイス性能の低下となる。 - 特許庁
  • Another feature is that by forming a vertical strained silicon channel, the performance of the vertical device is improved.
    別の特徴は、縦形歪シリコン・チャネルを形成することにより、この縦形デバイスの性能が向上することである。 - 特許庁
  • Provided is the electric charge donor which has a strained region obtained by introducing strain into the crystal structure of the crystalline semiconductor surface and is characterized in that electric charges are imparted from the strained region.
    本発明は、結晶性半導体表面の結晶構造に歪みを導入した歪み領域を有し、前記歪み領域から電荷が付与されることを特徴とする電荷付与体を提供することにより前記目的を達成するものである。 - 特許庁
  • To provide a method for treating vegetable strained lees, by which the vegetable strained lees such as beer lees can be treated at a low cost to effectively recycled the resource, and to provide an inexpensive feed obtained by the treating method and having a high nutritive value.
    ビール粕等の植物性搾汁粕を低コストで処理して有効に再資源化することが可能な植物性搾汁粕の処理方法、及びこの処理方法を用いて得られる安価で且つ栄養価の高い飼料を提供すること。 - 特許庁
  • The silicon epitaxial wafer includes at least a strained SiGe layer on a silicon substrate, a Si-protecting layer on the strained SiGe layer, and an epitaxial Si layer on the Si-protecting layer, wherein a heavily-doped Si layer is provided, at least in between the silicon substrate and the strained SiGe layer, or in between the Si protection layer and the epitaxial Si layer.
    少なくとも、シリコン基板上に、歪みＳｉＧｅ層と、該歪みＳｉＧｅ上にＳｉ保護層と、該Ｓｉ保護層上にエピタキシャルＳｉ層とを具備するシリコンエピタキシャルウェーハにおいて、前記シリコン基板と前記歪みＳｉＧｅ層との間、及び前記Ｓｉ保護層と前記エピタキシャルＳｉ層との間の少なくとも一方の間に高濃度Ｓｉ層を具備することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。 - 特許庁
  • The permanently strained section 23 in the rotational shaft 20 is a section in which the permanent strain is given by twisting the fixed sections 21, 22.
    永久歪み部２３は、回転軸２０のうち、被固定部２１，２２を捩ることで永久歪みが付与された部分である。 - 特許庁
  • While circulation-utilizing the strained draff generated in this way, oil is squeezed from the oil stuff raw material to be treated.
    このように発生した絞りかすを循環的に利用しながら処理対象である油糧原料を搾油してゆくことになる。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR STRUCTURES EMPLOYING STRAINED MATERIAL LAYER WITH DEFINED IMPURITY GRADIENT, AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME
    画定された不純物勾配を有するひずみ材料層を使用する半導体構造、およびその構造を製作するための方法。 - 特許庁
  • Each support wire 12 is wound from the fixed pulley to the running block, and strained between the support body 21 and the work vehicle body 2.
    支持用ワイヤ１２は定滑車から動滑車にかけて巻装し、支持体２１と作業車本体２間に張設してある。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a strained silicon substrate wafer having a layer which is further reduced in dislocation and relieved in strain.
    より転位が少なく、かつ歪み緩和された層を有する歪みシリコン基板ウエハを製造する製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To suppress relaxation of strain of an active layer even when a strained semiconductor element is formed on a fine active layer.
    微細な活性層上にひずみ半導体素子を形成しても、活性層のひずみの緩和を抑制することを可能にする。 - 特許庁
  • He laid the foundation for the Middle Age lyrical poems by introducing the strained quiet loneliness and beauty of silence period making a significant contribution to the art of Japanese poetry.
    研ぎすまされた寂寥、閑寂の美をそこに盛ることで、中世的叙情を準備した面でも功績は大きい。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • It is said that his father Akisuke had a rather strained relationship with Kiyosuke, who was closer to his father in age and showed his love to Shigeie and his other children.
    父の顕輔は、自らと年齢の近い清輔とは微妙な関係にあり、その分重家らに愛情深かったという。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • With strained public finances, the immediate challenge for these countries is to fulfill people's expectations while preserving macroeconomic stability.
    財政状況も逼迫し、これらの国々の喫緊の課題は、マクロ経済の安定性を保ちながら人々の期待を満たすこと。 - 財務省
  • To provide a strained SOI structure having a small parasitic capacitance and high carrier mobility, and a method of manufacturing the same.
    小さい寄生容量及び高いキャリア移動度を有するストレインＳＯＩ構造体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • A semiconductor device includes a low defect, strained second semiconductor crystalline material over the surface of the first crystalline material.
    半導体デバイスは、第１の結晶材料の表面上に低欠陥の歪んだ第２の半導体結晶材料を含む。 - 特許庁
  • The retorted whole corn and the leafed vegetable, from which the liquid is strained off by a centrifugal process, are packed in a container in such a state that both are kept in contact with each other.
    遠心処理により液切りされたレトルトホールコーンと葉野菜とが接触した状態で容器詰めされてなる。 - 特許庁
  • In August, Nobunaga issued an order to ban Ikko sect to his vassals which strained the relationship, but peace was made at the mediation of Shingen TAKEDA.
    7月には家臣に一向宗禁令を出すなど緊迫したが、これは武田信玄の仲介という形で和議を結んでいる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • However, when the income of the government was strained, it easily led to price rise and lowered quality, which caused troubles for common people.
    だが、同時に政府財政が逼迫すると安易な値上げや品質の引き下げなどが行われて、人々を苦しめる事となった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • METHOD FOR MANUFACTURING STRAINED CRYSTALLINE LAYER ON INSULATOR, SEMICONDUCTOR STRUCTURE BY SAME METHOD, AND MANUFACTURED SEMICONDUCTOR STRUCTURE
    絶縁体上に歪み結晶層を製造する方法、前記方法による半導体構造及び製造された半導体構造 - 特許庁
  • Shiroan, white strained sweet bean paste, is made from kidney beans or small beans boiled, crushed and sweetened with sugar or honey.
    白餡（しろあん）とは、インゲンまたは小豆を茹でたものを潰して、砂糖または蜜で甘い味をつけた白色の漉し餡のこと。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • To appropriately arrange strained projections provided on a tension frame and engagement holes formed in a template in screen printing.
    スクリーン印刷において、張設フレームに設けられる緊張突起と型板に形成される係合孔の配置を適切にする。 - 特許庁
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