The second processing is a process for increasing the target operation frequency, and increasing the target evaporation temperature. 第2処理は、目標運転周波数を上げ、かつ、目標蒸発温度を上げる処理である。 - 特許庁
A command 1 on a belt surface target position is directly converted into a driving shaft target position (angle). ベルト表面目標位置の指令1は、直接、駆動軸目標位置(角度)に変換される。 - 特許庁
A target detecting section integrates the target signal for each time sequence signal and calculates the position. 目標検出部は、時系列信号ごとに目標信号を統合して位置を算出する。 - 特許庁
A target presence range presentation part presents the target presence range as an area on a map. 目標存在範囲提示部は、目標存在範囲を地図上の領域として提示する。 - 特許庁
A size of a visual target and the direction are set by rotating a visual target plate 17. 視標板17を回転させることにより視標の大きさ並びにその方向が設定される。 - 特許庁
OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, AND SPUTTERING TARGET 光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット - 特許庁
The sputtering target comprises highly pure Cu. 高純度Cuからなるスパッタリングターゲットである。 - 特許庁
The LPP 24 is formed using an LPP target system including a light source part and a target part. LPP24は、光源部およびターゲット部を備えるLPPターゲットシステムを使用して形成される。 - 特許庁
To provide a target determination device capable of accurately tracking a required heat source target. 所望の熱源目標を正確に追跡することができる目標判定装置を提供する。 - 特許庁
ERBIUM SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME エルビウムスパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁
TARGET FOR DISCHARGING URINE FOR URINAL AND URINAL TO WHICH THE TARGET IS ATTACHED 小便器用放尿目標体及び小便器用放尿目標体が取り付けられた小便器 - 特許庁
The maximum target output level P1 is set as a control target level in the initial stage of the suction period T. 最高目標出力値P1は吸引期間T中の初期に制御目標値とする。 - 特許庁
To prepare a pattern on a target object using an inkjet printing method, the target object having a nonflat surface. 非平坦な表面を有する対象物体にインクジェット印刷法でパターンを設けること。 - 特許庁
MAGNETIC SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURE THEREOF 磁性体スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁
MAGNETIC PARTICLE FOR IMMUNOPCR, METHOD FOR DETECTING TARGET SUBSTANCE AND DETECTION KIT FOR TARGET SUBSTANCE イムノPCR用磁性粒子、標的物質の検出方法、および標的物質の検出キット - 特許庁
A target congestion window calculation part 20 specifies a target congestion window, based on the accumulation band difference. 目標輻輳ウインド計算部20は累積帯域差分を基に目標輻輳ウインドを定める。 - 特許庁
BRAZING METHOD AND MANUFACTURE OF TARGET ろう接合方法およびターゲットの製造方法 - 特許庁
TARGET AREA DETERMINATION METHOD AND DEVICE 認識対象領域決定方法及び装置 - 特許庁
METHOD FOR OPTIMIZING COLOR TARGET FOR PRINTER MODEL プリンターモデル用カラーターゲットを最適化する方法 - 特許庁
To provide a technology of reading an elimination target image in a way of not being eliminated when the reading of the elimination target image is required. 除去対象画像も読み取りが必要なときには、除去されないように読み取る。 - 特許庁
A measuring-target patterning device controller adjusts the measuring target pattern separately from the product pattern. 計測ターゲット・パターン化デバイス・コントローラが、製品パターンとは別個に計測ターゲット・パターンを調整する。 - 特許庁
DEVICE FOR PREVENTING SATURATION IN RADAR COLLECTION NUMBER OF TARGET レーダー収集目標数飽和防止装置 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTER TARGET CONSISTING OF Si-BASED ALLOY, SPUTTER TARGET OF THIS KIND, AND ITS USE Siベースの合金からなるスパッタターゲットの製造法、この種のスパッタターゲットおよびその使用 - 特許庁
A near field communication section 12 of an initiator transmits data denoting a target expressing method to a target. イニシエータの近接通信部12は、ターゲットの表現方法を示すデータをターゲットに送信する。 - 特許庁
TUNGSTEN SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF タングステンスパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁
EQUIPMENT, METHOD, AND PROGRAM FOR TRACKING TARGET 目標追尾装置及び方法並びにプログラム - 特許庁
A target engine load rate KLT is calculated. 目標機関負荷率KLTを算出する。 - 特許庁
To detect the surface flaws of an inspection target, by having the surface of the inspection target irradiated with a laser beam. レーザビームを表面に照射することで検査対象物の表面欠陥を検出する。 - 特許庁
Consequently, a target query which is a new query and a retrieval result using the target query are generated. これにより、新たなクエリであるターゲットクエリおよびターゲットクエリを用いた検索結果を生成する。 - 特許庁
A film having the same composition as the target composition is deposited on a substrate 20 opposing to the target 10. ターゲット10と対向した基板20上には、ターゲット組成と同一の膜が形成する。 - 特許庁
A target transmission phase setting section 20 sets a target transmission phase for output of cells. 目標送信位相設定部20は、セルを出力する際の目標送信位相を設定する。 - 特許庁
To provide a target device capable of easily suppressing occurrence of blistering in a target. ターゲット内でのブリスタリングの発生を容易に抑えることができるターゲット装置を提供する。 - 特許庁
An LPP is formed using an LPP target system having a light source portion and a target portion. LPPは、光源部およびターゲット部を備えるLPPターゲットシステムを使用して形成される。 - 特許庁
A target engine load factor KLT is calculated. 目標機関負荷率KLTを算出する。 - 特許庁
collateral target damage from a bombing run
爆撃からの副次的な目的物への損害 - 日本語WordNet
After the target data are archived, the target system is rebooted with the normal operating system. 目標データがアーカイブされたあと、目標システムは通常のオペレーティングシステムで再起動される。 - 特許庁
METAL RESISTOR MATERIAL AND SPUTTERING TARGET 金属抵抗体材料およびスパッタリングターゲット - 特許庁
To manufacture a sputtering target without performing a positioning process and a joining process of a target material. ターゲット材の位置合わせ工程及び接合工程を行うことなくスパッタリングターゲットを製造する。 - 特許庁
TUMOR DETERMINATION METHOD WITH UBIQUITIN USED AS TARGET ユビキチンを標的とした腫瘍の判定方法 - 特許庁
LIQUID METAL TARGET FOR NEUTRON GENERATING DEVICE 中性子発生装置用液体金属ターゲット - 特許庁
A target clutch stroke is univocally set by the corrected target clutch transmission torque. この補正された目標クラッチ伝達トルクにより一義的に目標クラッチ・ストロークを設定する。 - 特許庁
The liquid target material is pressure-sent into a vaporization chamber 70 as a liquid target flow 62 through an aperture 60 of a target filament generation device 48. 液体標的物質を標的フィラメント発生装置48の開口60を通して液体標的流62として気化室70に圧送する。 - 特許庁
A target temperature (target impedance) of the sensor element corresponding to the flow rate is set (step 102). その流速に基づいて、センサ素子の目標温度(目標インピーダンス)を設定する(ステップ102)。 - 特許庁
A target temperature of the temperature T2 is to be T2target. 温度T2の目標温度をT2targetとする。 - 特許庁
The target static pressure value storage means has a target static pressure value in an air intake duct flowing air which is supplied to an air conditioning control target room. 目標静圧値記憶手段は、空調制御対象の室内に供給する空気を通す給気ダクト内の目標静圧値を有する。 - 特許庁
METHOD OF FORMING METAL BLANK FOR SPUTTERING TARGET スパッタリングターゲット用金属ブランクの形成方法 - 特許庁
The relation of the target blowout temperature TA required to obtain the target ion generation amount IA to the target suction temperature Tintα is decided previously. 目標イオン発生量IAを得るために必要な目標吹出温度TAと目標吸込温度Tintαの関係を予め定める。 - 特許庁
DETECTION METHOD OF VOLTAGE TARGET VALUE OF PIEZOELECTRIC ELEMENT 圧電素子の電圧目標値の検出方法 - 特許庁