「base type」を含む例文一覧(4466)

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  • A p-type base layer 23 is provided in the main cell 21, and an n-type emitter layer 24 is disposed on a part of the upper surface of the p-type base layer.
    メインセル21においては、p型ベース層23を設け、その上層部分の一部にn型エミッタ層24を設ける。 - 特許庁
  • An n-type barrier layer 12 having a depth of 10 μm or more is provided between an n-type base layer 10 and a p-type base layer 22.
    n型ベース層10とp型ベース層22との間に、10μm以上の深さを有するn型バリア層12を挿設する。 - 特許庁
  • An IGBT is provided with a p-type emitter layer 17 and a p-type base layer 12 which are arranged and installed by sandwiching an n-type base layer 11.
    IGBTはn型ベース層11を挟んで配設されたp型エミッタ層17とp型ベース層12とを有する。 - 特許庁
  • The soft recovery diode includes an n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 13 formed on the n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 14 formed on the n^- type base layer 13, and an n^+ type anode layer 15 formed on the n^- type base layer 14.
    n^+型半導体基板12と、上記n^+型半導体基板12上に形成されたn^−型ベース層13と、上記n^−型ベース層13上に形成されたn^−型ベース層14と、上記n^−型ベース層14上に形成されたp^+型アノード層15とを備える。 - 特許庁
  • In the p-type base layer 3, an n-type emitter layer 4 is formed and in a region on the surface of the n-type base layer 1, which is different from the p-type base layer 3, a trench groove 8 is formed.
    そして、p型ベース層3内にはn型エミッタ層4が形成され、また、n型ベース層1の表面でp型ベース層3と異なる領域にはトレンチ溝8が形成されている。 - 特許庁
  • LAMP SOCKET, LIGHTING APPARATUS AND SINGLE BASE TYPE FLUORESCENT LAMP
    ランプソケットと照明器具及び片口金蛍光ランプ - 特許庁
  • An N-type base layer 31 and a deep N-type base layer 32 are formed on a region immediately below the drain layer 13, and a P-type base layer 33 and a deep P-type base layer 34 are formed on a region immediately below the source layer 12.
    そして、ドレイン層13の直下域にN型ベース層31及びディープN型ベース層32を形成し、ソース層12の直下域にP型ベース層33及びディープP型ベース層34を形成する。 - 特許庁
  • CONCRETE BASE MATERIAL OF L-TYPE CONCRETE BLOCK FOR RETAINING WALL
    擁壁用L型コンクリートブロックのコンクリート基礎部材 - 特許庁
  • BASE FOR PLACING TIP ATTACHMENT OF WHEEL TYPE CONSTRUCTION MACHINE
    ホイール式建設機械の先端アタッチメント用載置台 - 特許庁
  • WATER PIGMENT AND PIGMENT-TYPE WATER-BASE INK COMPOSITION
    水性顔料及び顔料系水性インク組成物 - 特許庁
  • POLYESTER FILM FOR TRANSFER TYPE IMAGE PROTECTING FILM BASE MATERIAL
    転写型画像保護フィルムの基材用ポリエステルフィルム - 特許庁
  • APPARATUS FOR REMOVING BASE LAYER OF BASKET TYPE CENTRIFUGAL FILTRATION APPARATUS AND METHOD FOR REMOVING BASE LAYER
    バスケット型遠心濾過機の基礎層除去装置及び基礎層除去方法 - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING BASE MATERIAL WITH CONCAVE PART, BASE MATERIAL WITH CONCAVE PART, BASE MATERIAL WITH CONCAVE PART FOR MICROLENS, MICROLENS SUBSTRATE, TRANSMISSION TYPE SCREEN, AND REAR TYPE PROJECTOR
    凹部付き基材の製造方法、凹部付き基材、マイクロレンズ用凹部付き基材、マイクロレンズ基板、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタ - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING BASE PLATE WITH RECESSED PART FOR LENTICULAR LENS, BASE PLATE WITH RECESSED PART FOR LENTICULAR LENS, LENTICULAR LENS BASE PLATE, TRANSMISSION TYPE SCREEN AND REAR TYPE PROJECTOR
    レンチキュラレンズ用凹部付き基板の製造方法、レンチキュラレンズ用凹部付き基板、レンチキュラレンズ基板、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタ - 特許庁
  • At the time of forming an n--type drift area 1c and a p-type base region 2 and an n+-type source region 3, an n--type well layer 11 and a p-type base region 12 and an n+-type region 13 are also formed at the time same.
    n^-型ドリフト領域1c、p型ベース領域2、及びn^+型ソース領域3の形成時に、n^-型ウェル層11、p型ベース領域12、及びn^+型領域13も同時に形成する。 - 特許庁
  • ELECTRIC CONTACT, ZERO INSERTION FORCE TYPE CONNECTOR AND ZERO INSERTION FORCE TYPE CONNECTOR BASE
    電気コンタクト、零挿入力型コネクタ及び零挿入力型コネクタ用ベース - 特許庁
  • SHORT ARC TYPE DISCHARGE LAMP WITH BASE AND LIGHT SOURCE UNIT
    口金付きショートアーク型放電ランプおよび光源ユニット - 特許庁
  • SOLVENT TYPE BASE COAT COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING COATING FILM
    溶剤型ベースコート組成物及び塗膜形成方法 - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING LENS BASE PLATE WITH LIGHT SHIELDING PART, LENS BASE PLATE WITH LIGHT SHIELDING PART, TRANSMISSION TYPE SCREEN AND REAR TYPE PROJECTOR
    遮光部付きレンズ基板の製造方法、遮光部付きレンズ基板、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタ - 特許庁
  • DESIGN OF INTERFACE BASE USING TABLE TYPE PARADIGM
    テーブル形式パラダイムを使用するインターフェース・ベースの設計 - 特許庁
  • HEAD BASE MOVING MECHANISM FOR AUTO-REVERSE TYPE CASSETTE TAPE RECORDER
    オートリバース式カセットテープレコーダにおけるヘッドベース移動機構 - 特許庁
  • ELEVATOR LIFTING-LOWERING BASE AND ELEVATOR TYPE MULTISTORY PARKING DEVICE
    エレベータ昇降台及びエレベータ式立体駐車装置 - 特許庁
  • KITCHEN UTENSIL BASE TEMPERATURE DETECTING SENSOR AND GAS TABLE-TYPE COOKING STOVE
    炊事具底面温度検出センサ及びガステーブルコンロ - 特許庁
  • BASE FRAME HOUSING TYPE SHOCK ABSORBING MEANS FOR BED
    ベッドにおけるベースフレーム格納型衝撃緩和手段 - 特許庁
  • Carrier lifetime of the n^- type base layer 13 is made longer than that of the n^- type base layer 14.
    上記n^−型ベース層14のキャリア寿命よりもn^−型ベース層13のキャリア寿命を長くする。 - 特許庁
  • OPTICAL BASE SUPPORTING STRUCTURE FOR ORTHOGONALLY EXCITED TYPE LASER OSCILLATOR
    直交励起型レーザ発振器の光学基部支持構造 - 特許庁
  • FLOATING BODY SUSPENSION TYPE BASE ISOLATION STRUCTURE USING HEAVY MUDDY WATER
    重泥水を用いた浮体吊り式の免震構造物 - 特許庁
  • The plurality of kinds of base end side control bars include at least first-type to third-type base end side control bars.
    複数種類の基端側操作棒は、少なくとも、第1種〜第3種の基端側操作棒を含んでいる。 - 特許庁
  • METHOD FOR FORMING Pb-BASE PEROVSKITE TYPE METAL OXIDE THIN FILM AND Pb-BASE PEROVSKITE TYPE METAL OXIDE THIN FILM
    Pb系ペロブスカイト型金属酸化物薄膜の形成方法及びPb系ペロブスカイト型金属酸化物薄膜 - 特許庁
  • SUCTION BASE IN PISTON-SYLINDER TYPE APPARATUS HOLDER
    ピストン−シリンダ方式の装置ホルダーにおける吸引基部 - 特許庁
  • UNDERGROUND TYPE PARKING DEVICE FOR BUILDING HAVING BASE ISOLATION STRUCTURE
    免震構造を有する建物の地下式駐車装置 - 特許庁
  • Returns a string containing struct, array or scalar describing the base type of the value.
    値の型を表す文字列 struct、arrayあるいは scalar を返します。 - PEAR
  • DEVIATION PREVENTING DEVICE OF SLIDING TYPE PILE HEAD BASE ISOLATION DEVICE
    滑り方式杭頭免震装置の逸脱防止装置 - 特許庁
  • BASE BOARD MOUNTING TYPE ELECTRIC CONNECTOR ASSEMBLY, AND ELECTRIC CONNECTOR
    基板取付型電気コネクタ組立体および電気コネクタ - 特許庁
  • An n^+-type source region 18 and a p^+-type region 19 are formed on the p-type base layer 11.
    p型ベース層11上にはn^+型ソース領域18とp^+型領域19とが形成されている。 - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING BARRIER TYPE FILM AS WELL AS BARRIER TYPE FILM AND ITS BASE MATERIAL
    バリア性フィルムの製造方法及び装置、並びにバリア性フィルム及びその基材 - 特許庁
  • The IGBT selectively forms an n^+-type extended region (9) in a p^+-type collector region (1), and forms a p-type base region (3) and a diode together with an n-type base region (2).
    IGBTは、N+型延長領域(9)をP+型コレクタ領域(1)内に選択的に形成して、N型ベース領域(2)と共にP型ベース領域(3)とダイオードを形成する。 - 特許庁
  • A p type base region 4 is provided on a surface of the n-type epitaxial layer 2, and an n+type source region 5 is provided on a surface of a p type base region 4.
    n−型エピタキシャル層2の表面にはp型ベース領域4が設けられ、p型ベース領域4の表面にはn+型ソース領域5が設けられている。 - 特許庁
  • On an upper surface of an n^--type substrate 1, a p^--type base region 2 is formed.
    n^−型基板1の上面に、p^−型ベース領域2が形成されている。 - 特許庁
  • ADAPTER BASE BOARD FOR INSERTION MOUNTING TYPE RELAY, AND SURFACE MOUNTING TYPE RELAY USING IT
    挿入実装型リレー用アダプタ基板およびそれを用いる表面実装型リレー - 特許庁
  • FRESNEL BASE SHEET, FRESNEL LENS SHEET, TRANSMISSION TYPE SCREEN, AND REAR PROJECTION TYPE DISPLAY APPARATUS
    フレネル基材シート、及び、フレネルレンズシート、透過型スクリーン、背面投射型表示装置 - 特許庁
  • SLIT COAT-TYPE COATING DEVICE AND SLIT COAT-TYPE COATING METHOD AND COATED BASE THEREBY
    スリットコート式塗布装置とスリットコート式塗布方法及び該方法による塗布基板 - 特許庁
  • A collector layer 1 of a first conductivity-type (n-type) semiconductor is joined to provide a base layer 2 of a second conductivity-type (p-type), and an emitter region 3 of the first conductivity-type (n-type) is provided in the base layer 2.
    第1導電形(n形)半導体からなるコレクタ層1と接合して第2導電形(p形)のベース層2が設けられ、そのベース層2内に第1導電形(n形)のエミッタ領域3が設けられている。 - 特許庁
  • On the other surface of the first base layer, a second conductivity type second base layer is formed.
    第1ベース層の他方の面に第2導電型の第2ベース層が形成される。 - 特許庁
  • REFLECTANCE IMPROVING AGENT FOR BASE SUBSTANCE AND METHOD OF MANUFACTURING HIGH REFLECTION TYPE BASE SUBSTANCE USING THE SAME
    基体の反射率向上剤及びそれを用いた高反射性基体の製造方法 - 特許庁
  • ANTENNA INSTALLATION METHOD IN PORTABLE TELEPHONE BASE STATION AND BUILDING TYPE PHONE BASE STATION
    携帯電話基地局におけるアンテナの設置方法およびビル型携帯電話基地局 - 特許庁
  • SAFETY SYSTEM FOR BASE-ISOLATION DEVICE AND LAMINATED RUBBER TYPE BASE-ISOLATION DEVICE HAVING SAFETY SYSTEM THEREOF
    免震装置の安全装置およびその安全装置を有する積層ゴム型免震装置 - 特許庁
  • An n+ type floating emitter layer 24, p- type first base layer 22, n- type baser layer 18, n+ type buffer layer 16, and p+ type anode layer 14 constitute the thyristor.
    n^+型フローティングエミッタ層24、p^-型第1ベース層22、n^-型ベース層18、n^+型バッファ層16、p^+型アノード層14によりサイリスタが構成されている。 - 特許庁
  • A pair of main trenches 13 are formed in such a way that they pass the p-type base layer 12 so as to reach the n-type base layer 11.
    p型ベース層12を貫きn型ベース層11に達するように、一対の主トレンチ13が形成される。 - 特許庁
  • IN-LINE DATA BASE FOR RECEIVER TYPE IN OBJECT-ORIENTED SYSTEM
    オブジェクト指向システムにおけるレシーバタイプ用のインラインデータベース - 特許庁
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