「base type」を含む例文一覧(4464)

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  • TRANSPARENT CONDUCTIVE BASE, RESISTIVE FILM TYPE TOUCH PANEL AND DISPLAY ELEMENT
    透明導電性基材、抵抗膜方式タッチパネルおよび表示素子 - 特許庁
  • ANCHORAGE SECTION STRUCTURE OF EXPOSED TYPE COLUMN BASE AND ITS RESTORATION CONSTRUCTION METHOD
    露出型柱脚の定着部構造及びその復旧工法 - 特許庁
  • To materialize a business by making a quiz type content contribution a base.
    クイズ形式のコンテンツ配信をベースとしてビジネスを成立させる。 - 特許庁
  • The anticlouding member used under the indoor illuminating lamp is provided with a base material and a surface layer which is bonded to the surface of the base material, consisting of anatase type titania crystals or rutile type titania crystals.
    基材と、アナターゼ型チタニア結晶またはルチル型チタニア結晶からなる表面層を備えた部材が開示されている。 - 特許庁
  • Between a P type base layer 5 consisting of silicon and an N- type base layer 3, a P type carrier blocking layer consisting of a composition of germanium having a band gap narrower than that of silicon, and silicon.
    シリコンからなるＰ型ベース層５とＮ−型ベース層３の間にシリコンよりバンドギャップの狭いゲルマニュームとシリコンの組成物からなるＰ型キャリア阻止層を形成する。 - 特許庁
  • On one surface of a high-resistance n-type base layer 1, an n-type collector layer 2 of high concentration is formed and on the other surface, a p-type base layer 3 is selectively formed.
    高抵抗のｎ型ベース層１の一方の面には高濃度のｎ型コレクタ層２が形成され、他方の面にはｐ型ベース層３が選択的に形成されている。 - 特許庁
  • A p-type base region 15, n+ type emitter regions 16, gate electrodes 18 and an emitter electrode 19 are formed on the upper surface of the n- type base region 14.
    そして、ｎ−型ベース領域１４の上面にはｐ型ベース領域１５、ｎ型エミッタ領域１６、ゲート電極１８及びエミッタ電極１９が設けられている。 - 特許庁
  • A p-type base region 34 is formed on a surface layer of an n^- type drain layer 33, and an n-type source region 35 is formed on a surface layer of the base region 34.
    ｎ^−型ドレイン層３３の表面層にｐ型ベース領域３４が形成され、ベース領域３４の表面層にｎ型ソース領域３５が形成されている。 - 特許庁
  • In other words, under the boundary region of the base contact region 14, the P-type base region 12 and the N-type region 21 constitute a P-N type parasitic diode.
    言い換えれば、ベースコンタクト領域１４の境界部の下方において、Ｐ型のベース領域１２およびＮ型領域２１によりＰＮ型の寄生ダイオードが形成されている。 - 特許庁
  • To provide a thin-type greening system enabling planting of tree plants on a thin-type greening base; to provide a thin-type greening system set for the system; and to provide a thin-type greening base body used as a main member of the set.
    極薄型の緑化基盤に樹木系植物を植栽し得るようにした薄型緑化システムとそのための薄型緑化システムセットと、その主要な部材となる薄型植栽用基盤体に関する。 - 特許庁
  • Moreover, the active layer 3 includes a P-type base region 6 which is formed away from the N-type buffer region 4 and an N-type emitter region 7 formed on the surface of the P-type base region 6.
    また、活性層３は、Ｎ型バッファ領域４から離間して形成されたＰ型ベース領域６と、Ｐ型ベース領域６の表面部に形成されたＮ型エミッタ領域７を備える。 - 特許庁
  • A semiconductor layer group 20 is constituted on a substrate 11 by laminating one by one an n-type emitter layer 12, a p-type base layer 13, an active layer 14, an n-type base layer 15, and a p-type emitter layer 16.
    基板１１上において、ｎ型エミッタ層１２、ｐ型ベース層１３、活性層１４、ｎ型ベース層１５、及びｐ型エミッタ層１６が順次積層されてなる半導体層群２０を形成する。 - 特許庁
  • A high-concentration (n) type buffer layer 12, an (n) type intermediate layer 13, a low-concentration (n) type base layer 14, a (p) type well layer 15, and a high-concentration (n) type emitter layer 16, are sequentially formed on a (p) type semiconductor substrate 11.
    ｐ型半導体基板１１上に、高濃度ｎ型バッファ層１２、ｎ型中間層１３、低濃度ｎ型ベース層１４、ｐ型ウェル層１５、高濃度ｎ型エミッタ層１６を順次形成する。 - 特許庁
  • A p-type guard ring region 9 provided enclosing an outermost peripheral portion of the p type base region 4 is provided to have a longer depth-directional distance from a top surface in the p type base region 4 than the p type base region 4, and is also in contact with the outermost peripheral portion of the p type base region 4.
    ｐ型ベース領域４の最外周部を取り囲むように設けられたｐ−型ガードリング領域９がｐ型ベース領域４よりもｐ型ベース領域４の上面からの深さ方向距離が長くなるように設けられ、且つｐ型ベース領域４の最外周部と接触している。 - 特許庁
  • The IGBT 10 has an n-type buffer region 12 between a p-type collector region 11 and a p-type base region 14.
    ＩＧＢＴ１０は、Ｐ型のコレクタ領域１１とＰ型ベース領域１４との間にＮ型のバッファ領域１２を備える。 - 特許庁
  • Between the n^--type substrate 1 and the p^--type base region 2, an n^+-type carrier accumulation layer 3a or 3b is selectively formed.
    ｎ^−型基板１とｐ^−型ベース領域２の間にｎ^＋型キャリア蓄積層３ａ，３ｂが選択的に形成されている。 - 特許庁
  • A P+ type contact layer 17 is embedded and formed in a P type base layer 13 just below a bottom face of an N+ type source layer 18.
    Ｐ＋型コンタクト層１７をＮ＋型ソース層１８の底面の直下のＰ型ベース層１３内に埋め込んで形成する。 - 特許庁
  • The molten base material 27 can be of a magnesium-zinc-aluminum type, a magnesium-zinc type, or a magnesium- aluminum type.
    溶融基材２７としては、マグネシウム−亜鉛−アルミニウム系、または、マグネシウム−亜鉛系、または、マグネシウム−アルミニウム系を採用できる。 - 特許庁
  • On the N type collector layer 4, a P+ type base layer 3 including the P type impurities of a high concentration is entirely formed.
    Ｎ型コレクタ層４上には、高濃度のＰ型不純物を含むＰ＋型ベース層３が全面的に形成されている。 - 特許庁
  • A second-conductivity-type second base region 6 is formed on the surface of the first base region 14.
    第１ベース領域１４に表面に、第２導電型の第２ベース領域６が形成されている。 - 特許庁
  • To provide a pendulum type base isolation device which suitably prevents the relative displacement of a base isolation object.
    免震対象物の相対変位を好適に抑制可能な振り子型免震装置を提供する。 - 特許庁
  • A base view video stream and a dependent view video stream obtained by encoding are outputted corresponding to an MVC application type.
    符号化によって得られたBase view videoストリームとDependent view videoストリームは、MVCアプリケーションタイプと対応付けて出力される。 - 特許庁
  • Then, as shown in figure (G), a part 7 near a base formation region is oxidized by annealing to form a p-type base 9.
    そして、図２（Ｇ）に示すように、ベース形成付近７をアニール酸化してｐ型ベース９を形成する。 - 特許庁
  • An base island-type BJT has an emitter region for exposing base regions 7a, 7b, 7c, and 7d formed into an island shape.
    ベース領域７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄを島状に露出するエミッタ領域を有するベース・アイランド型ＢＪＴである。 - 特許庁
  • To prevent any step from being formed between a base surface and a cover base surface in a two-piece type mirror base of a vehicular door mirror.
    車両用ドアミラーの２ピースタイプのミラーベースにおいてベース表面とカバーベース表面との間に段差が生じるのを防止する。 - 特許庁
  • ATM CELL TRANSFER TYPE BASE STATION UNIT AND ATM CELL TRANSFER SYSTEM
    ＡＴＭセル転送型基地局装置及びＡＴＭセル転送方式 - 特許庁
  • HARD PARTICLE DISPERSION TYPE IRON-BASE SINTERED ALLOY AND ITS PRODUCTION
    硬質粒子分散型鉄基焼結合金及びその製造方法 - 特許庁
  • TAPING-TYPE PATCH HAVING BASE USING FIBER WITH MODIFIED CROSS SECTION
    異型断面繊維を使用した支持体を有するテーピング型貼付剤 - 特許庁
  • INTEGRATED TYPE RADIO COMMUNICATION SYSTEM, INFORMATION MANAGEMENT DEVICE, AND BASE STATION DEVICE
    統合型無線通信システム、情報管理装置、及び、基地局装置 - 特許庁
  • FLEXIBLE LINING MATERIAL FOR THERMAL POLYMERIZATION TYPE DENTURE BASE AND METHOD FOR PREPARING DENTURE
    加熱重合型義歯床用軟質裏装材及び義歯作製方法 - 特許庁
  • The sandal type training device 1 consists of a base part 2 and a strap part 3.
    サンダル形トレーニング用具１は、台部２とストラップ部３とからなる。 - 特許庁
  • UNDERWATER USE TYPE RARE EARTH-BASE PERMANENT MAGNET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    水中使用型希土類系永久磁石およびその製造方法 - 特許庁
  • This handle type tool has a handle main body 10, a base 20 and two controllers 30.
    把手本体１０と台２０と二つの制御具３０とを有する。 - 特許庁
  • A plate type tray 30 is attached to a base in the printer 1.
    プリンタ１には、底面に板状のトレイ３０が取り付けられている。 - 特許庁
  • The grinding tool 10 is constituted of a disc type base metal 12.
    研削工具１０は円盤状の台金１２から構成されている。 - 特許庁
  • An emitter E of the n-type semiconductor is jointed to the base B.
    ｎ型半導体からなるエミッタＥは、ベースＢに接合されている。 - 特許庁
  • OXIDE DISPERSION STRENGTHENED TYPE Ni BASE ALLOY WIRE AND PRODUCING METHOD THEREFOR
    酸化物分散強化型Ｎｉ基合金線およびその製造方法 - 特許庁
  • The terminal nucleotide is complementary to the objective wild type base.
    ターミネーターヌクレオチドは目的とする野生型塩基に相補的なものである。 - 特許庁
  • METHOD FOR IDENTIFYING UNIDENTIFIED SINGLE BASE SUBSTITUTION TYPE POLYNUCLEOTIDE AND PRIMER PAIR
    未同定の一塩基置換型ポリヌクレオチドの同定方法及びプライマー対 - 特許庁
  • The dome type camera 1A includes a camera 2, a base 4A, and a dome cover 5.
    ドーム型カメラ１Ａは、カメラ２とベース４Ａとドームカバー５とを備える。 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD OF BIPOLAR ELEMENT WITH SELF- ALIGNED TYPE BASE-EMITTING JUNCTION
    セルフアライン型ベース−エミッタ接合を有するバイポーラ素子の製造方法 - 特許庁
  • A p-type drain region 330 and the second p-type base region 420 are connected electrically.
    ｐ型ドレイン領域３３０と第２のｐ型ベース領域４２０とは電気的に接続されている。 - 特許庁
  • The first p-type body region 50a and the first p-type base region 220 are connected electrically.
    第１のｐ型ボディ領域５０ａと、第１のｐ型ベース領域２２０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁
  • PRODUCTION OF BASE MATERIAL FOR GI TYPE OPTICAL FIBER AND PREFORM FOR GI TYPE OPTICAL FIBER THUS PRODUCED
    ＧＩ型光ファイバ母材の製造方法及びこの方法で製造されたＧＩ型光ファイバ母材 - 特許庁
  • The cement type base material is obtained by press-molding a cement type molding 1 and then curing.
    セメント系成形体１にプレス成形を施した後、養生硬化することでセメント系基材を得る。 - 特許庁
  • The base body 2 is formed of an n-type single crystal silicon layer which is used as a first conductivity type semiconductor layer.
    基体２は、第１導電型半導体としてのｎ型単結晶シリコンによって形成されている。 - 特許庁
  • The main electrodes are electrically connected to the second-conductive-type base layer and the first-conductive-type source layers.
    主電極は、第２導電形ベース層及び第１導電形ソース層と電気的に接続された。 - 特許庁
  • A P-type base region 3 is formed on the surface of a substrate within an N--type epitaxial region.
    Ｎ^-型エピタキシャル領域７内の基板表面には、Ｐ型のベース領域３が形成されている。 - 特許庁
  • A n^+ type source layer 5 is selectively formed on the surface portion of the p^- type base layer 4.
    このｐ型ベース層４の表面部分には、ｎ＋型ソース層５が選択的に形成されている。 - 特許庁
  • Required attribute "type" tells the installer what version of the PEAR installer REST interface is provided at the base URL.
    必須属性 "type" により、ベース URL から提供されるPEAR インストーラ REST インターフェイスのバージョンをインストーラに教えます。 - PEAR
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