「capacitance」を含む例文一覧(9962)

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  • The processor includes: dividing the discharge tube model into areas of the first number; calculating a floating capacitance between the respective areas and the conductor; and analyzing temperature distribution of an analysis object based on the floating capacitance.
    プロセッサは、放電管モデルを第1の個数のエリアへと分割し、エリアのそれぞれと導体との間の浮遊容量を計算し、浮遊容量に基づいて解析対象物の温度分布を解析する。 - 特許庁
  • A buffer circuit is provided between a first terminal of the capacitance element connected to the switch element and the first power terminal, and a second terminal of the capacitance element is connected to the second power terminal.
    また、スイッチ素子に接続された容量素子の第1の端子と第1の電源端子との間にバッファ回路を有し、第2の電源端子に容量素子の第2の端子が接続されている。 - 特許庁
  • The MIS capacitor 17 comprises a capacitance insulating film 5 disposed on the first well 3 functioning as a first electrode, a second electrode 6b disposed on the capacitance insulating film 5, and first impurity layers 11a, 11b of a first conductivity type.
    MISキャパシタ17は、第1電極としての第1ウェル3上の容量絶縁膜5、その上の第2電極6b、第1導電型の第1不純物層11a及び11bを含む。 - 特許庁
  • A serial capacitance component C3e, a high frequency line TL3e grounded by a capacitance component C6e in a high frequency manner and a PIN diode D2e are sequentially connected from a terminal TX toward the node 3.
    端子TXから節点3に向かって、直列キャパシタンス成分C3e、キャパシタンス成分C6eにより高周波的に接地された高周波線路TL3e、PINダイオードD2eを順に接続する。 - 特許庁
  • To provide an abnormality detector for capacitance sensor, capable of preventing false detection for the state of a measuring object by detecting whether a capacitance sensor is in an abnormal state or not.
    静電容量式センサが異常状態にあるか否かを検出することにより、被測定物の状態の誤検知を防止することができる静電容量式センサの異常検出装置を提供する。 - 特許庁
  • To obtain a method for fabricating a semiconductor device including a capacitance element in which the capacitance thin film can be made thin without increasing the number of steps and an isolation region can be prevented from becoming thin.
    容量素子を含む半導体装置の製造方法において、工程を増加を招くことなく容量絶縁膜を薄膜化できるようにし、また、素子分離領域の膜減りを防止できるようにする。 - 特許庁
  • The mutual capacitance touch panel includes a touch plane made of a transparent insulating medium, a driving layer and a sensor layer which are covered with the touch plane, and a capacitance medium plane which is formed between the driving layer and the sensor layer.
    透明な絶縁媒質で作成されたタッチ平面を備え、タッチ平面がカバーする駆動層、検出層、及び駆動層と検出層との間に作成された静電容量媒質平面を備える。 - 特許庁
  • The capacitance of the capacitor circuit 4 to correct the equivalent capacitance of a crystal vibrator XT can be adjusted on the basis of information written in a ROM circuit 3 to obtain an optimum value at each temperature.
    水晶振動子XTの等価容量を補正するためのコンデンサ回路4の容量値は、各温度ごとに最適な値にROM回路3に書き込まれた情報に基づき調節される。 - 特許庁
  • If the bit line capacitance is not adequate to provide a charge that is necessary, additional bit line capacitance is borrowed from unselected bit line, or a source follower select transistor may be used.
    もしビット線容量が、必要な電荷を提供するのに十分でなければ、選択されていないビット線から追加のビット線容量が借用されるか、ソースフォロワ選択トランジスタが使用されてよい。 - 特許庁
  • The estimated result is used to generate a trimming data for correcting the resistance value of the resistance element and/or the capacitance value of the capacitance element that are used in an internal circuit 5, and the trimming data is stored in a data holding circuit 6.
    この結果に基づいて、内部回路5に用いられている抵抗素子の抵抗値および/または容量素子の容量値を補正するトリミングデータを生成し、データ保持回路6に格納しておく。 - 特許庁
  • To provide a compact inexpensive capacitance humidity sensor not causing histeresis in the changes of capacitance of a humidity-sensitive part accompanying a change in relative humidity and preventing the sensitivity of the humidity-sensitive part from falling, and its manufacturing method.
    相対湿度の変化に伴う感湿部の容量値変化にヒステリシスが発生せず、感湿部の感度低下のない、小型で安価な静電容量式湿度センサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The voltage variable capacitance circuit includes an NMOS 42 as a voltage variable capacitance means and a potential supplying part 41 for supplying a potential different from a source potential to the drain of the NMOS 42.
    電圧可変容量回路は、電圧可変容量手段としてのNMOS42と、NMOS42のドレインにソース電位と異なる電位を供給するための電位供給部41とから構成されている。 - 特許庁
  • A bias terminal 11 for the second variable capacitance diode is connected through a resistor R having a high resistance with the joint of the capacitor C5 and the cathode of the second variable capacitance diode VD2.
    コンデンサC5と第2可変容量ダイオードVD2のカソードとの接続点には、大きな抵抗値を有する抵抗Rを介して第2可変容量ダイオード用バイアス端子11が接続されている。 - 特許庁
  • Since an area for forming an electric capacitance is determined by dimensional accuracy of the drain electrode 112 opposing to the planar base metal layer 100, variance in the electric capacitance can be suppressed as much as possible.
    また、面状の下地金属層100に対向するドレイン電極112の寸法精度で、電気的容量形成のための面積が決まるため、電気的容量のバラツキを可及的に抑え得る。 - 特許庁
  • Furthermore, one electrode which constitutes the capacitance is used in common by the pixels arranged adjacent to each other in the longitudinal direction, and the other electrode which constitutes the capacitance is separated between the pixels arranged adjacent to each other in the vertical directions.
    さらに、前記容量を構成する一方の電極は、前記上下に隣接する画素で共有し、前記容量を構成する他方の電極は、前記上下に隣接する画素で分離されている。 - 特許庁
  • As a result, even when the overlapped area of the auxiliary capacitance electrode 4 and the pixel electrode 15 is decreased to a certain degree, the required auxiliary capacitance can be kept and the opening rate can be increased.
    この結果、補助容量電極4と画素電極15との重なり度合をある程度小さくしても、必要な補助容量値を確保することができ、ひいては開口率を大きくすることができる。 - 特許庁
  • At a receiving mode, the control circuit 206 reads out a set value corresponding to a received wave frequency from the storage circuit 207 to output the set value to the capacitance array 201 as the capacitance-selecting signal S1.
    受信モード時、制御回路206は受信電波の周波数に対応する設定値を記憶回路207から読み出し、容量選択信号S1としてコンデンサアレイ201に出力する。 - 特許庁
  • An operation mode of high charging end voltage increases the battery capacitance, while an operation mode of low charging end voltage reduces the battery capacitance, with an advantage of elongating the battery serviceable life.
    充電終止電圧が高い動作モードでは電池容量が大きくなり、充電終止電圧が低い動作モードでは電池容量が小さくなるが、電池寿命が長くなるという利点がある。 - 特許庁
  • The spacing between the substrate and S 1 may be selected to make the capacitance between S 1 and the substrate approximately equal to the capacitance between S 2 and the substrate to substantially reduce interference pickup in the high frequency region.
    基板とS1との間のスペースdをS1と基板の間の電気容量とS2と基板の間の電気容量をほぼ等しくして、高周波数領域内での干渉ピックアップをかなり低減することができる。 - 特許庁
  • Using that capacitance as at least a part of a balance capacitance constituting an oscillation circuit, a bipolar transistor having a small operating region 2 and functioning as an oscillation amplifier is fabricated in a semiconductor manufacturing process.
    この容量を、発振回路を構成するバランス容量の少なくとも一部として、半導体製造工程で、トランジスタ動作領域2の小さい、発振アンプとして機能するバイポーラトランジスタに取り込む。 - 特許庁
  • To prevent relative variations of resistance in a resistance element group and to prevent the variations of wiring capacitance (floating capacitance) due to the influence from a wiring pattern on the upper layer or the lower layer of the signal wiring.
    抵抗素子群内での抵抗値の相対的変動を防止し、信号配線の上層または下層の配線パターンからの影響による配線容量(浮遊容量)の変動を防止できること。 - 特許庁
  • To suppress the capacitance variation of an electrolytic capacitor using niobium for a raw material of the anode due to a thermal load equivalent to the solder reflow and improve the bias voltage dependence of the capacitance.
    ニオブを陽極体の素材として用いた電解コンデンサにおいて、はんだリフロー相当の熱負荷による静電容量変化を抑制すると共に、静電容量のバイアス電圧依存性を改善する。 - 特許庁
  • A serial capacitance component C2e, a high frequency line TL2e grounded by a capacitance component C5e in a high frequency manner and a PIN diode D1e are sequentially connected from a terminal RX toward the node 3.
    端子RXから節点3に向かって、直列キャパシタンス成分C2e、キャパシタンス成分C5eにより高周波的に接地された高周波線路TL2e、PINダイオードD1eを順に接続する。 - 特許庁
  • It becomes hard for a leak current iL to flow by the floating capacitance CS constituting a part of a synchronizing circuit, which can sharply eliminate the influence of the floating capacitance to high frequency Si.
    浮遊容量CSが同調回路の一部を構成することで漏れ電流i_Lが流れ難くなり、高周波信号Siに対する浮遊容量の影響を大幅に排除できるようになる。 - 特許庁
  • Still further, one terminal of a first capacitance element C1 is electrically connected to the gate of the first transistor Tn1, and one terminal of a second capacitance element C2 is electrically connected to the output terminal OUT.
    さらに、第1トランジスタのゲートには第1容量素子C1の一方の端子が電気的に接続され、出力端子OUTには第2容量素子C2の一方の端子が電気的に接続される。 - 特許庁
  • Further, when the power exceeds the upper limit, the steps should be provided to select and determine a capacitance of the variable capacitance element from the above matrix, so that this power becomes less than the upper limit.
    さらに、上記電力が上記上限値を超えている場合に、この電力が上限値未満となる上記可変容量素子の容量を、上記マトリックスから選択して決定する工程とを備える。 - 特許庁
  • The integrated ground capacitance of the plurality of insulating spacers 3, which function as distributed constants in the connection sharing part, are increased in comparison with the ground capacitance of one sheet of insulating spacer which is used in the connection sharing part of a conventional constitution.
    この接続取合い部において、分布常数的に働く複数の絶縁スペーサ3の対地静電容量は、通常の1枚の絶縁スペーサのみによる取合い形態に比べて増大する。 - 特許庁
  • To compensate for the capacitance changes, the touch sensing device includes one or more reference conductive traces decoupled from touch sensors of the device to measure non-touch capacitance in the device.
    容量変化を補償するために、タッチセンシングデバイスは、タッチセンシングデバイス内のノータッチ容量を測定するため、タッチセンシングデバイスのタッチセンサから分離した1つまたはそれ以上のレファレンス導電トレースを有する。 - 特許庁
  • Furthermore, the SiO2 films are formed thick in this region, by which a capacitance of a floating diffusion layer, a capacity of an output electrode, and a parasitic capacitance of a reset electrode are lessened.
    さらにこの部分のSiO_2膜を厚くすることで、浮遊拡散層からなる容量と出力電極、または浮遊拡散層からなる容量とリセット電極の寄生容量を低減する。 - 特許庁
  • By making a capacitance Ca of a capacitor 36 double in comparison with a capacitance Cof of respective capacitors 5 and 35, the offset voltage Vof can be completely canceled so that it is not necessary to expand the electrode area of the capacitor 36.
    キャパシタ36の容量値C_a をキャパシタ5,35の各々の容量値C_ofの2倍にすればオフセット電圧V_ofを完全にキャンセルできるので、キャパシタ36の電極面積を大きくする必要がない。 - 特許庁
  • The dropped voltages are applied to control electrodes of parallel-connected controlled variable capacitance elements MOS varactors 211-213, to determine the capacitance values of the varactors.
    この降下された各電圧が、並列接続された電圧制御可変容量素子であるMOS型バラクタ21_1 〜21_3 の制御電極に印加され、これらの各MOS型バラクタ21_1 〜21_3 の容量値が決定される。 - 特許庁
  • The driving circuit 30 is provided with: a panel capacitance detection circuit 50 for detecting capacitance values of liquid crystal capacitor LC of the liquid crystal panel 20 and storage capacitor SC; and a driving voltage adjusting circuit 60.
    その駆動回路30は、液晶パネル20の液晶容量LC及び保持容量SCの容量値を検出するパネル容量検出回路50と、駆動電位調整回路60とを備える。 - 特許庁
  • A body-source or body-drain capacitance of FET being the object for capacitance acquirement is estimated from a difference between the body-source or body-drain capacitances of first TEG and second TEG (S04).
    第1のTEGと第2のTEGのボディ—ソース間若しくはボディ—ドレイン間の容量差から、容量取得対象のFETのボディ—ソース間若しくはボディ—ドレイン間の容量を推定する。 - 特許庁
  • The capacitance operating section 14 is rotated, the magnetic flux receiving section 12 is rotated by magnetic attraction, and capacitance is adjusted by changing the intersection area between the movable electrode 7 and the fixed electrode 4.
    静電容量操作部14を回動させ、磁気吸引力により磁束受信部12を回動し、可動電極7と固定電極4との交叉面積を変化させて静電容量調整する。 - 特許庁
  • The usage sensing device of a filter for liquid treatment converts the pressure of liquid flowing in a filter 2 into a capacitance by using a diaphragm type pressure sensor 4, converts the capacitance into a frequency, and measures flow rate from the frequency.
    ダイアフラム式の圧力センサにより、フィルタに流れる液体の圧力を静電容量に変換し、静電容量を周波数に変換し、周波数から流量を測定するようにした。 - 特許庁
  • To provide a bright liquid crystal display device having high display quality by increasing an aperture ratio while securing capacitance of a storage capacitance part in the pixels in an IPS(In-Plane-Switching) system liquid crystal panel.
    IPS方式の液晶パネルにおいて、画素内の蓄積容量部の容量を確保しつつ開口率を増大することにより、明るく表示品質の高い液晶表示装置を提供する。 - 特許庁
  • The vertical division line 34 to divide the pixel 4 on a glass substrate 3 is made a projecting and recessing shaped line with a non-straight-linear portion and made to detour around the auxiliary capacitance portion 29 of an auxiliary capacitance line 28 of the pixel 4.
    ガラス基板3上の画素4を分割する垂直分割線34を直線ではない部分を有する凹凸状にして、画素4の補助容量線28の補助容量部29を迂回させる。 - 特許庁
  • The insulating layer is interposed between the scanning line 2, the auxiliary capacitor wiring 3 and the signal wire 6, by which an active matrix substrate can be lessened in signal wire capacitance to give little effect on the auxiliary capacitance.
    走査線2および補助容量配線3と信号線6との間に絶縁体層が存在することにより、補助容量値への影響を少なく、信号線容量値を低減することができる。 - 特許庁
  • To provide a variable capacitance device and a switch which are small in size and high in performance and quality, in an electric circuit integrated especially in a high-density manner, concerning the mechanical type variable capacitance device.
    本発明は機械式の可変容量素子に関し、特に高密度に集積化された電気回路内において、小型で高性能、高品質の可変容量素子やスイッチを供することを目的とする。 - 特許庁
  • As a result, the supercapacitor has higher capacitance due to the large specific surface area of the active carbon and has lower internal resistance due to the excellent electric conductivity of graphene, and therefore, the capacitance and electric conductivity are improved.
    その結果、スーパーキャパシタは、活性炭の高い比表面積によって容量が増加し、グラフェンの優れた電気伝導度によって内部抵抗が減少して、容量及び電気伝導度が向上する。 - 特許庁
  • To provide an electrochemical element such as the electric double layer capacitor which reduces the internal resistance to reduce the capacitance at the high current discharge without reducing the capacitance of a polar electrode.
    分極性電極の静電容量を低下させることなく、内部抵抗を低減させ大電流放電時の容量低下の小さい電気二重層キャパシタなど電気化学素子を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device which is equipped with a capacitance element in the same semiconductor device to make the overall device compact, the capacitance element having larger electrostatic capacity than conventionally.
    同一半導体装置内に容量素子を備えて装置全体の小型化を図るとともに、従来に比べて大きな静電容量の容量素子を備える半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • An electrostatic capacitance is formed between the common electrode 43 and the detection electrode 44 for a sensor, and touch detection is performed by using a phenomenon where the static capacitance is changed by a touch of the finger of a user.
    共通電極43とセンサ用検出電極44との間に静電容量を形成し、この静電容量が利用者の指の接触によって変化することを利用してタッチ検出を行う。 - 特許庁
  • The force acting in Y axis direction is detected from the capacitance between the 1st vibration electrode 3 to the 1st Y axis electrode 7, and the capacitance between the 2nd vibration electrode 4 to the 2nd Y axis electrode 8.
    第1振動電極3−第1Y軸電極7間の静電容量と、第2振動電極4−第2Y軸電極8間の静電容量とによって、Y軸方向に加わる力を検出する。 - 特許庁
  • In the electrostatic capacitance measuring method for arranging a plurality of channels in parallel and performing measurement, a plurality of measuring signal lines arranged in parallel for measuring electrostatic capacitance are arranged at intervals from one another.
    複数チャネルを並列して測定する静電容量測定方法において、並列して静電容量測定を行なう複数の測定信号ラインを互いに離して配置するように構成する。 - 特許庁
  • However, a node A is drawn to the GND level by a coupling effect by the parasitic capacitance 14 and charging current i1 flows to the node A since the parasitic capacitance 14 exists between bit lines BL11 and BL21.
    ところが、ビットラインBL11・BL21間に寄生容量14が存在するので、ノードAは寄生容量14のカップリング効果によりGNDレベルへ引かれ、ノードAへ充電電流i1が流れる。 - 特許庁
  • Therefore, the operation of the parasitic capacitance as a drain-gate coupling capacitor of the amorphous-silicon thin film transistor can be kept to a minimum by minimizing the gate-drain parasitic capacitance.
    従って、ゲート−ドレーン間寄生容量を最少化することによって、寄生容量が非晶質−シリコン薄膜トランジスタのドレーン−ゲート間カップリングキャパシターとして動作することを最小化させることができる。 - 特許庁
  • This capacitance sensor has the detecting electrode 1, and outputs, as a detected value, ground capacitance Cx of the detection electrode 1 varied by approach of the detecting object 2.
    静電容量センサは、検知電極1を備えて構成されており、被検知物体2の近接によって変化する検知電極1の対接地静電容量Cxを検出値として出力する。 - 特許庁
  • A space distance d between the back of this wafer testpiece 3 and the electrode plate 7 is set so as to obtain a capacitance needed for an integrating circuit structure as a capacitance with dielectric constant being 1 (a vacuum).
    この材料ウェハ3の裏面と電極プレート7との間の空間の距離dは、誘電率が1(真空)の容量として積分回路構成に必要な容量が得られるように設定される。 - 特許庁
  • Driving control of the switches changes coupling capacitance of the electrode plates to change static capacitance at corresponding positions on the touch panel 104, thereby allowing action similar to a touch operation to be obtained.
    スイッチの駆動制御によって電極板の結合容量が変化し、その変化に起因してタッチパネル104上における対応する箇所の静電容量が変化し、タッチ操作と同様の作用が得られる。 - 特許庁
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