「capacitance」を含む例文一覧(9962)

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  • Moreover, such a capacitor is used as a retention capacitance installed in the pixel of the semiconductor device.
    また、このようなコンデンサを半導体装置の画素に具備される保持容量として用いる。 - 特許庁
  • Each protection wiring is arranged between each video signal line VL and each holding capacitance C.
    各保護配線は、各映像信号線VL及び各保持容量C間に配置されている。 - 特許庁
  • The auxiliary capacitance line SCL is arranged in parallel with a gate signal line 51 in a display pixel.
    補助容量線SCLは表示画素内をゲート信号線51と平行して配設されている。 - 特許庁
  • The pixel capacitance Cs is connected between the gate of the drive transistor Trd and light emitting element EL.
    画素容量Csは、ドライブトランジスタTrdのゲートと発光素子ELの間に接続している。 - 特許庁
  • To provide a capacitance type acceleration sensor having a simple structure and an excellent detection sensitivity.
    簡単な構造で、かつ検出感度に優れる静電容量型加速度センサを提供すること。 - 特許庁
  • Then, a capacitance change rate (≈(T0-T)/T0) is obtained, thus determining the lifetime from the value.
    そして、静電容量変化率(≒(T0−T)/T0)を求め、この値から、寿命判定をする。 - 特許庁
  • To design a device structure in which variations in capacitance value are small, when compared with a fine structure.
    容量値としての変動(ばらつき)が細密構造に比べて小さいデバイス構造を設計する。 - 特許庁
  • To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of reducing electric capacitance between floating gates.
    フローティングゲート間の電気容量を抑制できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • The touch sensor part 6 consists of an FPC 10A, in which a pattern for a capacitance sensor is formed.
    タッチセンサ部6は、静電容量センサ用のパターンが形成されたFPC10Aからなる。 - 特許庁
  • To provide a capacitance type pressure sensor unit capable of preventing noises from entering a signal processing IC.
    信号処理用ICにノイズが入るのを阻止できる静電容量型圧力センサユニットを得る。 - 特許庁
  • To prevent the quality of sound from being reduced by the repetition of a sound waveform while reducing storage capacitance.
    記憶容量を削減しながら音声波形の反復に起因した音質の低下を防止する。 - 特許庁
  • Stray capacitance is produced between the coil and the conductor patterns 31a, 32a of the conductor section 30.
    コイルと導体部30の導体パターン31a,32aとの間で浮遊容量が発生する。 - 特許庁
  • To provide a rotation input device capable of detecting capacitance change with high accuracy.
    静電容量の変化を精度よく検知することが可能な回転入力装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a capacitor using a capacitance insulating film which has high relative permittivity and a superior leak breakdown voltage.
    比誘電率が高く、リーク耐圧に優れた容量絶縁膜を用いたキャパシタを提供する。 - 特許庁
  • To reduce parasitic capacitance between wirings in a peripheral circuit region of a semiconductor memory device.
    半導体記憶装置の周辺回路領域における配線間の寄生容量を低減する。 - 特許庁
  • To provide a capacitor which charges and discharges at a high rate and has a large capacitance.
    ハイレートな充放電が可能でしかも大きな静電容量を有するキャパシタを提供する。 - 特許庁
  • A pumping capacitance drive circuit comprises a first circuit and a second circuit performing push-pull actions.
    ポンピング容量駆動回路を、プッシュプル動作する第1の回路と第2の回路で構成する。 - 特許庁
  • An electrostatic capacitance sensor 1 comprises an electrode group 10 divided into three parts with respect to the X-axis direction.
    静電容量センサ1は、電極群10がX軸方向に関して3分割されている。 - 特許庁
  • To achieve increase in parasitic capacitance by a plurality of feedback resistors and wiring length of an input node.
    複数の帰還抵抗、及び、入力ノードの配線長による寄生容量を増加させ得る。 - 特許庁
  • The elastic body 300 is deformed corresponding to an external force, and resultantly the capacitance is changed.
    また、弾性体300は、外力に応じて変形し、その結果静電容量が変化する。 - 特許庁
  • Since the capacitance value is just adjusted in accordance with the control voltage, the configuration is simplified.
    制御電圧に応じて容量値を調整するだけであるから簡易な構成となっている。 - 特許庁
  • To provide a varicap diode in which the variable width of a capacitance is expanded by shifting a flat-band voltage Vfb to the positive side.
    フラットバンド電圧Vfbをプラス側にシフトさせて、容量の可変幅を広げること。 - 特許庁
  • Both the coils are almost put one over the other to form capacitance, thereby constituting an LC circuit.
    両コイルはほぼ重なり合ってキャパシタンスを形成することによりLC回路を構成する。 - 特許庁
  • To provide a variable capacitance circuit that protects capacitors against damage and keeps an AC signal undistorted.
    キャパシタが破壊されずAC信号が歪まないようにした可変容量回路を提供する。 - 特許庁
  • To keep the parasitic capacitance of a MOSFET from increasing while avoiding oxidation of a metal gate electrode.
    メタルゲート電極の酸化を抑制しつつ、MOSFETの寄生容量の増大を抑制する。 - 特許庁
  • Capacitors C1, C2, C3 and C4 are formed so as to have the same capacitance value.
    コンデンサC1、C2、C3、及びC4は、容量値を同一値として形成された複数の素子である。 - 特許庁
  • To give distorted stress to a semiconductor layer in which a transistor is formed, while reducing the parasitic capacitance.
    寄生容量を低減しつつ、トランジスタが形成される半導体層に歪応力を与える。 - 特許庁
  • As a result, the multiplier topology exhibits improved bandwidth over prior art capacitance multiplier circuits.
    この結果、乗算回路トポロジーが、従来のキャパシタンス乗算回路よりも帯域幅を改良する。 - 特許庁
  • To provide a capacitance-type sensor which is excellent in durability and can detect bending-deformation.
    耐久性に優れ、曲げ変形を検出することのできる静電容量型センサを提供する。 - 特許庁
  • Accordingly, capacitance 17 for reducing afterimage to be coupled with the floating diffusion 16 is formed.
    これにより、フローティングディフュージョン16とカップリングする残像低減用容量17が形成される。 - 特許庁
  • To enhance the reliability of a capacitor including a capacitance film formed by an atomic layer depositing method.
    原子層堆積法により成膜された容量膜を含むキャパシタの信頼性を高める。 - 特許庁
  • The photoelectric conversion element comprises a differential amplifier 1, a photodiode 2, a feedback capacitance element 3, and a switch 4.
    この発明は、差動増幅器1、フォトダイオード2、帰還容量素子3、およびスイッチ4からなる。 - 特許庁
  • To increase speed of signal processing and improve S/N ratio by reducing P-N junction capacitance.
    P−N接合容量の低減で信号処理速度の高速化とS/N比改善を図る。 - 特許庁
  • In addition, a gate electrode potential which turns ON a transistor is maintained due to the capacitance of the transistor.
    さらに、トランジスタの容量により、該トランジスタがオン状態となるゲート電極電位を維持する。 - 特許庁
  • By the insulating layer 33, crosstalk originating in capacitance is reduced and pixel aperture ratio is increased.
    この絶縁層33により静電容量性クロストークを減少し、かつピクセル開口率を増加させる。 - 特許庁
  • A voltage correction part 8 has a switch element and a capacitance element for sampling and holding the pixel signal.
    電圧補正部8は、画素信号をサンプルホールドするためのスイッチ素子と容量素子とを有する。 - 特許庁
  • To reduce gate-drain capacitance of a vertical power MOS transistor having trench gate structure.
    トレンチゲート構造を有する縦型パワーMOSトランジスタのゲート・ドレイン間容量の低減を図る。 - 特許庁
  • CAPACITANCE DETECTION METHOD AND SENSOR FOR NOZZLE, AND NOZZLE FOR LASER WORKING MACHINE
    ノズルの静電容量検出方法及びノズルの静電容量検出センサ及びレーザ加工機のノズル - 特許庁
  • For detecting capacitance, a rectangular wave (or sinusoidal wave) voltage is applied on the heavy weight 11.
    容量検出のために、矩形波(又は正弦波)電圧が重錘体11に加わっている。 - 特許庁
  • To extend a soft start time without increasing the capacitance used in a soft start circuit.
    ソフトスタート回路で用いる容量値を大きくすることなく、ソフトスタート時間を長くすること。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device that reduces a soft error rate without increasing a parasitic capacitance.
    寄生容量を増やさずにソフトエラー率を低減することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a shared-pixel-type image sensor capable of controlling capacitance of a floating diffusion region.
    フローティング拡散領域のキャパシタンスを制御できる共有ピクセル型イメージセンサを提供する。 - 特許庁
  • To facilitate measuring a capacitance type touch panel integrated into a display device.
    表示装置に組み込まれている静電容量式のタッチパネルの測定が容易に行えるようにする。 - 特許庁
  • To overcome or relax trade-off between parasitic capacitance and leakage current without sacrificing ON resistance.
    オン抵抗を犠牲にしないで寄生容量とリーク電流のトレードオフを解消または緩和する。 - 特許庁
  • To provide an electrostatic capacitance type sensor which is flexible and has a wide measuring range of a load.
    柔軟で、荷重の測定レンジが広い静電容量型センサを提供することを課題とする。 - 特許庁
  • Therefore, capacitance between the two signal terminals falls but impedance between them rises.
    従って、2つの信号端子間のキャパシタンスは低下するが、それらの間のインピーダンスは、高くなる。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device capable of high output operation at a high frequency band with a small drain capacitance.
    高周波帯域で高出力動作可能なドレイン容量の小さい半導体装置を得る。 - 特許庁
  • To provide a head rest device capable of accurately determining an abnormality of a capacitance sensor.
    静電容量センサの異常判定を正確に行うことができるヘッドレスト装置を提供する。 - 特許庁
  • After the formation of the capacitance element, a contact hole which reaches the upper electrode 116 is formed in an insulating film 117.
    次に、絶縁膜117に上部電極116まで達するコンタクト孔を形成する。 - 特許庁
  • The ability for driving the first capacitance line SCL1 is enhanced by executing the first boost.
    その後、1回目の昇圧を行い、第1の容量線SCL1を駆動する能力を高くする。 - 特許庁
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