「capacitance」を含む例文一覧(9962)
＜前へ 1 2 .... 33 34 35 36 37 38 39 40 41 .... 199 200 次へ＞- At this point an electrostatic capacitance of the dummy capacitor (143) is nearly half of the main capacitor (112).
ここで、ダミーキャパシタ（１４３）の静電容量はメインキャパシタ（１１２）のほぼ半分にしている。 - 特許庁 - To provide a large-capacitance capacitor without concentrating a voltage between specific electrodes.
特定の電極間に電圧が集中することなく大容量のコンデンサを提供。 - 特許庁 - Each wire pair forms capacitance elements 6, 6', 6".
各ワイヤの対６ａ，６ｂ；６ａ'，６ｂ'；６ａ"，６ｂ"は、静電容量要素６，６'，６"を形成する。 - 特許庁 - To suppress power consumption by reducing charge/discharge to parasitic capacitance between pixel electrodes.
画素電極間の寄生容量への充放電を小さくして、消費電力を抑える。 - 特許庁 - To provide an electrode material for electrolytic capacitor having a large capacitance and a low ESR.
静電容量が大きく、かつＥＳＲの低い電解コンデンサ用電極材を提供する。 - 特許庁 - The relay layer and the capacitance line contain metals respectively and function as a shading film.
中継層及び容量線は夫々、金属を含んでなり、遮光膜としても機能する。 - 特許庁 - An appropriate capacitance Cgd is specified from a leakage amount of the transistor and an image refreshing rate.
また、トランジスターのリーク量と画像リフレッシュレートから適切なＣｇｄを規定する。 - 特許庁 - To provide an MIM capacitor having a predetermined capacitance and a semiconductor device including it.
一定のキャパシタンスを有するＭＩＭキャパシタ及びこれを含む半導体素子を提供する。 - 特許庁 - In this case, the auxiliary capacitance line 6 overlaps with nearly a half of the pixel electrode 2.
この場合、補助容量ライン６は画素電極２のほぼ半分と重合されている。 - 特許庁 - To provide a capacitance sensor where a group of extremely fine electrodes are precisely formed.
精度よく極精細な電極群が形成された静電容量センサを提供する。 - 特許庁 - The operating section 56 calculates the capacitance from the voltage between terminals of the electrolytic capacitor 83.
演算部５６は、電解コンデンサ８３の端子間電圧から静電容量を算出する。 - 特許庁 - ELECTROSTATIC CAPACITANCE TYPE DETECTION DEVICE AND ACCELERATION AND ANGULAR VELOCITY DETECTION DEVICE USING THE SAME
静電容量型検出装置及びそれを用いた加速度・角速度検出装置 - 特許庁 - To reduce parasitic capacitance caused between video wiring and signal wiring of a display panel.
表示パネルのビデオ配線と信号配線との間に生じる寄生容量を削減する。 - 特許庁 - METHOD, APPARATUS AND SYSTEM FOR REDUCING DC COUPLING CAPACITANCE AT SWITCHING AMPLIFIER
スイッチング増幅器のＤＣカップリングキャパシタンスを減少させるための方法、装置及びシステム - 特許庁 - ELECTROSTATIC CAPACITANCE DETECTION DEVICE, ITS DRIVING METHOD, FINGERPRINT SENSOR AND BIOMETRIC AUTHENTICATION DEVICE
静電容量検出装置及びその駆動方法、指紋センサ並びにバイオメトリクス認証装置 - 特許庁 - To provide a nonaqueous electrolyte primary battery of high safety, being of large in discharge capacitance.
放電容量が大きく、安全性の高い非水電解液１次電池を提供する。 - 特許庁 - To provide an electrode for electrochemical elements having excellent capacitance and cycle characteristics.
容量特性及びサイクル特性に優れた電気化学素子用電極を提供する。 - 特許庁 - To obtain a means that suppresses dispersion in a capacitance ratio and an inductance or the like of a high frequency piezo-resonator.
高周波振動子の容量比、インダクタンス等のバラツキを抑圧する手段をうる。 - 特許庁 - A variable capacitance element 8 is connected between the ground and a drain bias application terminal 7 of a tip short-circuit stub 3 and the electric length of the tip short-circuit stub 3 is changed by adjusting the capacitance of the variable capacitance element 8 with a drain bias voltage.
先端短絡スタブ３のドレインバイアス印加端子７側と接地との間に可変容量素子８を接続し、この可変容量素子８の容量値をドレインバイアス電圧により調整することにより先端短絡スタブ３の電気長を変化させる。 - 特許庁 - To minimize the size of an IC chip 10 by reducing the capacitance of a smoothing capacitor C2.
平滑コンデンサＣ2 の容量を小さくし、ＩＣチップ１０のサイズを最小にする。 - 特許庁 - METHOD FOR EXTRACTING PARASITIC CAPACITANCE ELEMENT MODEL AND PROGRAM FOR EXTRACTING PARASITIC CAPACITYANCE ELEMENT MODEL
寄生容量素子モデル抽出方法および寄生容量素子モデル抽出プログラム - 特許庁 - All parasitic capacitance of the organic EL element 127 is defined as synthesis of parasitic capacitance Cel in the light emitting area 127b with added capacitance Csub in the light non-emitting area 127c, so that the rise of the anode potential of the organic EL element 127 is made gentle when correcting the mobility.
有機ＥＬ素子１２７の全寄生容量を、発光領域１２７ｂでの寄生容量Ｃelと非発光領域１２７ｃでの付加容量Ｃsub との合成とすることで、移動度補正時に有機ＥＬ素子１２７のアノード電位の上昇を緩やかにする。 - 特許庁 - A decoupling capacitance is formed between the N-wells 108 and the embedded P-well 104.
Ｎウェル１０８と埋込Ｐウェル１０４との間でデカップリング容量が形成される。 - 特許庁 - To prevent generation of stray capacitance by voltage fluctuation to suppress its low frequency disturbance.
電圧変動による浮遊容量の発生を防止し、その低周波外乱を抑止する。 - 特許庁 - Also, a potential of wiring capacitance C6 is made a low level, a n-MOS 206 is turned off.
また、配線容量Ｃ６の電位はローレベルとなり、ｎ−ＭＯＳ２０６はオフする。 - 特許庁 - To provide a capacitance type liquid level sensor that can be reduced in cost and size.
低コスト化及び小型化が可能な静電容量式の液面センサーを提供する。 - 特許庁 - The capacitance of the tile mirror 1 is varied corresponding to a change in the angle of the tilt mirror 1.
ティルトミラー１は角度変更に対応して自身が有する静電容量が変わる。 - 特許庁 - The 3rd capacitance layer 70 is connected to the source 33s of the TFT 30.
第３の容量電極層７０はＴＦＴ３０のソース３３ｓと接続されている。 - 特許庁 - The V_coml is applied to retention capacitance via a common electrode and a counter line.
このＶｃｏｍｌは、共通電極、及び対向線を介して保持容量に提供される。 - 特許庁 - PIEZOELECTRIC ACTUATOR, LIQUID DISCHARGER, METHOD FOR CORRECTING STRAY CAPACITANCE THEREOF, AND ELECTRONIC EQUIPMENT
圧電アクチュエータ、液体吐出装置及びその浮遊容量の補正方法、並びに電子機器 - 特許庁 - As the thickness can be reduced, the value of capacitance per unit area is increased.
厚さを減らすことができるため、単位面積当りの静電容量値が大きくなる。 - 特許庁 - For instance when all the transistors Tr1-Tr3 of the True side are turned on, the output load capacity value becomes a value obtained by combining the capacitance values of the capacitance elements C1-C4.
たとえば、Ｔｒｕｅ側のトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ３がすべてＯＮした場合、出力負荷容量値は、静電容量素子Ｃ１〜Ｃ４の静電容量値を合成したものとなる。 - 特許庁 - A film thickness of an interlayer insulation film at a part on a channel region is thicker than that of a surrounding area, and capacitance is created at this part between a capacitance electrode and a gate electrode facing each other.
チャネル領域上の層間絶縁膜が周囲よりも膜厚が薄く、その部分で容量電極がゲート電極と対向して容量を形成している半導体装置。 - 特許庁 - An operation part is provided, which determines a state of solder supplied from the solder supplying part on the basis of the capacitance value acquired by the capacitance value acquiring means.
そして、静電容量値取得手段によって取得される静電容量値に基づいて、前記ハンダ供給部から供給されたハンダの状態を判断する演算部を備えている。 - 特許庁 - The multilayer wiring board comprises a high capacitance layer 121 formed between a grand layer 141 and a power source layer 15, and a high capacitance layer 122 formed between the power source layer 15 and a ground layer 142.
グランド層１４１と電源層１５との間に形成された高容量層１２１と、電源層１５とグランド層１４２との間に形成された高容量層１２２とを有している。 - 特許庁 - To provide a capacitance calculator and a degradation detector of a main circuit capacitor which calculate a capacitance of the main circuit capacitor, and detect its degradation even when an inverter is operated.
インバータの運転中でも主回路コンデンサの容量を演算してその劣化を検出可能とした主回路コンデンサの容量演算装置及び劣化検出装置を提供する。 - 特許庁 - To ensure high speed operation by lessening a parasitic capacitance ratio with respect to intrinsic capacitance without causing an increase of a device area in a field effect transistor, and to provide a method of manufacturing the same.
電界効果型トランジスタ及びその製造方法に関し、デバイス面積の増大を招くことなく、真性容量に対する寄生容量比を低減して高速動作を可能にする。 - 特許庁 - Thus, equivalent input capacitance, formed by the mirror effect due to the parasitic capacitance, is eliminated, then the load is not imposed on the control circuit 26, and then reduction of power consumption and the miniaturization are realized.
その結果、寄生容量が原因でミラー効果により形成される等価入力容量が解消し、制御回路２６に負担がかからず低消費電力化、小型化を実現できる。 - 特許庁 - Output electrodes of the elements Mp1 and Mp2 are connected to one end and the other end of the on-chip capacitance C1, and the DC control amplifier 512 is directly responsive to a voltage across the capacitance C1.
オンチップ容量Ｃ１の一端と他端に素子Ｍp1、Ｍp2の出力電極とが接続され、直流制御増幅器５１２は容量Ｃ１の両端の電圧に直流的に応答する。 - 特許庁 - In order to solve these problems, a capacitor of high capacitance (502) is coupled to an anode as near as possible between the metal housing and an anode lead and thus stray capacitance in high frequency is short-circuited.
この問題を解決するために、高容量のコンデンサ(502)を、金属製筐体とアノードリード線との間のアノードのできるだけ近くに結合して、高周波における漂遊容量を短絡する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and its manufacturing method, wherein a capacitance element of a large capacitance is constituted in a small area by a conventional production line arrangement without complicating a production process.
半導体装置及びその製造方法に関し、製造工程を複雑化することなく、従来の製造ライン構成によって、小面積で大容量の容量素子を構成する。 - 特許庁 - Auxiliary capacitance wiring 23 is driven so as to keep a potential difference higher than a threshold value to a common signal line 26 on a counter substrate by an auxiliary capacitance driving circuit 27.
補助容量配線２３は、補助容量駆動回路２７によって、対向基板上のコモン信号線２６に対して、液晶の閾値以上の電位差を保つように駆動される。 - 特許庁 - To measure a minute capacitance element at a high speed by preventing mechanical vibration of a signal side measuring terminal (Lo), and by preventing the influence due to stray capacitance and imbalance generation of the charge of an insulator.
信号側測定端子（Ｌｏ）の機械的振動を防ぎ、浮遊容量の影響、絶縁体の電荷の不均衡発生を防止して、微小静電容量素子を高速で測定できる。 - 特許庁 - To provide a static capacitance sensor component of a simple structure, an object mounting body provided with the static capacitance sensor component, a semiconductor manufacturing device, and a liquid crystal display element manufacturing device.
構造が簡単な静電容量型センサ部品、当該静電容量型センサ部品を備えた物体搭載体、半導体製造装置および液晶表示素子製造装置を提供する。 - 特許庁 - A capacitance sensor 6 has a processing portion 23 converting the variation of capacitance detected by a detecting electrode 22 to the variation of voltage and outputting it to a controlling device 7.
静電容量センサ６は、検出電極２２で検出した静電容量の変化量を電圧の変化量に変換して制御装置７に出力する処理部２３を備えている。 - 特許庁 - Following this, when a coupling capacitance value between each remaining floating metal 7 and the signal wiring 1a is greater than a predetermined capacitance value Cc, the remaining floating metal 7 is removed.
そして、残存するフローティングメタル７と信号配線１ａとの間のカップリング容量値が予め定められた容量値Ｃｃよりも大きければ、残存するフローティングメタル７を削除する。 - 特許庁 - To securely prevent reduction of an oxygen barrier when a capacitance insulating film is crystallized in a semiconductor device having the capacitance insulating film using ferroelectric or high dielectric.
強誘電体又は高誘電体を用いた容量絶縁膜を有する半導体装置において、容量絶縁膜の結晶化時に酸素バリアが還元されることを確実に防止する。 - 特許庁 - An anisotropic conductive sheet 3 can be elastically deformed at 25°C and capacitance in such a state that 10% compression distortion is given is three times or more capacitance in an undistorted state.
異方性導電シート３は、２５℃で弾性変形可能であり、かつ１０％圧縮歪を与えた状態の静電容量が、無歪の状態の静電容量の３倍以上である。 - 特許庁 - To provide a charge pump circuit capable of reducing reference leak and interference spurious by suppressing an effect of parasitic capacitance (stray capacitance) and suppressing voltage fluctuation of a control signal.
寄生容量（浮遊容量）の影響を抑制し、制御信号の電圧変動を抑えることで、リファレンスリークや妨害スプリアスを少なくすることが可能なチャージポンプ回路を提供する。 - 特許庁 - In this case, a relation of slew rate Δt=CR holds (here, C=internal parasitic capacitance of LSI+load capacitance of a liquid crystal panel), therefore, it becomes easy to set a resistor value suitable for a load amount.
この場合、スルーレートΔｔ＝ＣＲ（ここで、Ｃ＝ＬＳＩ内部寄生容量＋液晶パネル負荷容量）の関係が成り立つため、負荷の大きさに適した抵抗値の設定が容易となる。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
