「cathode sputtering」を含む例文一覧(214)
＜前へ 1 2 3 4 5 次へ＞- The sputtering apparatus includes a sputtering cathode group comprising a plurality of sputtering cathodes installed in prescribed arrangement in a direction perpendicular to a moving direction of the large-sized substrate moving in a prescribed direction.
所定の方向に移動する大型基板の移動方向に対して垂直方向に所定の配置で設置された複数のスパッタカソードからなるスパッタカソード群を具備する。 - 特許庁 - To provide a magnetron cathode capable of uniforming erosion of a target, and to provide a sputtering system with the same.
ターゲットのエロージョンの均一化を図ったマグネトロンカソード及びそのスパッタ装置の提供。 - 特許庁 - To provide an economical cold cathode fluorescent lamp which is excellent in sputtering resistance and productivity.
耐スパッタ性と製作性に優れ、かつ経済的な冷陰極蛍光ランプを提供する。 - 特許庁 - MAGNETRON SPUTTERING DEVICE, CYLINDRICAL CATHODE, AND METHOD OF COATING THIN MULTICOMPONENT FILM ON SUBSTRATE
マグネトロンスパッタリング装置、円筒陰極、及び薄い複合膜を基板上に成膜する方法 - 特許庁 - To provide a magnetron sputtering cathode by which target life can be prolonged by uniformly sputtering a target and improving its use efficiency.
ターゲットを均等にスパッタし、その使用効率を向上することにより、ターゲットの寿命を長くしたマグネトロンスパッタカソードを提供する。 - 特許庁 - The arc control system includes a sputtering chamber that houses an anode and a sputtering target formed from a target material and serving as a cathode.
アーク制御システムは、陽極及び目標材料から形成され陰極として役立つスパッタ目標を収容するスパッタ室を含む。 - 特許庁 - MAGNETRON SPUTTERING CATHODE DESIGNED SO THAT MAGNETIC FLUX ARRANGEMENT IS EASILY SWITCHED INTO BALANCE TYPE/UNBALANCE TYPE
磁束配置をバランス型／アンバランス型に容易に切替可能に設計したマグネトロンスパッタリング陰極 - 特許庁 - To realize high luminance and long service life of a cold cathode fluorescent lamp by suppressing sputtering in the electrode.
電極でのスパッタを抑えて冷陰極蛍光ランプの高輝度化、長寿命化を図る。 - 特許庁 - BACKING PLATE MANUFACTURING METHOD, BACKING PLATE, SPUTTER CATHODE, SPUTTERING APPARATUS, BUCKING PLATE CLEANING METHOD
バッキングプレートの製造方法、バッキングプレート、スパッタカソード、スパッタリング装置、及びバッキングプレートの洗浄方法 - 特許庁 - This method can be used for both the conventional sputtering target (29) and the newly-developed hollow cathode magnetron sputtering target (10).
本発明の方法は従来のスパッタターゲット（２０）並びに新規開発した中空のカソードマグネトロンスパッタターゲット（１０）に対しても使用可能である。 - 特許庁 - MAGNET STRUCTURE FOR MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS AND CATHODE ELECTRODE UNIT, AND MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS, AND METHOD FOR USING MAGNET STRUCTURE
マグネトロンスパッタリング装置用の磁石構造体およびカソード電極ユニット並びにマグネトロンスパッタリング装置並びに磁石構造体の使用方法 - 特許庁 - To provide a method of designing a sputtering system where optimum sputtering cathode conditions are obtained, and the cracking and peeling of a target can be prevented.
最適なスパッタカソード条件を計算で求め、ターゲットの割れや剥がれを未然に防止しうるスパッタ装置を設計する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a cold cathode discharge lamp which suppresses sputtering of a lead-in wire to increase the life of the cold cathode discharge lamp.
導入線のスパッタリングを抑制して冷陰極放電ランプの長寿命化を図ることができる冷陰極放電ランプを提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma type ignition device superior in durability by suppressing wear of a cathode due to sputtering of the cathode.
プラズマ式点火装置において陰極スパッタリングによる陰極の消耗を抑制して耐久性に優れたプラズマ式点火装置を提供する。 - 特許庁 - The selective patterning method includes a DC heating evaporation method, an ion beam evaporation method, a reactive ion beam evaporation method, a two-pole sputtering method, a magnetron sputtering method, a reactive sputtering method, a three-pole sputtering method, an ion beam sputtering method, an ion plating method, a hollow cathode beam method, an ion beam injection method and a plasma CVD method and the like.
選択的パターニング方法は、直流加熱蒸着法、イオンビーム蒸着法、反応性イオンビーム蒸着法、２極スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、３極スパッタ法、イオンビームスパッタ法、イオンプレーティング法、ホローカソードビーム法、イオンビーム注入法及びプラズマＣＶＤ法などである。 - 特許庁 - Further, the magnetron sputtering cathode includes a first magnet 5 and a second magnet 6 having a polarity different from that of the first magnet 5 on the side of the non-sputtering surface 10b.
また、上記マグネトロンスパッタカソードは、非スパッタ面１０ｂ側に、第１磁石５、及び第１磁石５と極性の異なる第２磁石６を備える。 - 特許庁 - The sputtering target is used for a dual cathode sputtering apparatus, and has a chamfered portion in a side end of a face opposing a substrate to be sputtered when mounted on the sputtering apparatus.
デュアルカソードスパッタリング装置に使用するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリング装置に装着した時に、処理対象である基板と対向する面の側端部に面取り部を有するスパッタリングターゲット。 - 特許庁 - To provide a cold cathode fluorescent lamp superior in sputtering resistance and manufacturability and economical, and a manufacturing method of an electrode for the cold cathode fluorescent lamp.
耐スパッタ性と製作性に優れ、かつ経済的な、冷陰極蛍光ランプおよび冷陰極蛍光ランプ用電極の製造方法を提供する - 特許庁 - To provide a cold cathode discharge lamp exhibiting enhanced emission efficiency and long service life by a cold cathode having enhanced secondary electron emission efficiency and sputtering resistance.
２次電子放出効率と耐スパッタ性を兼ね備えた冷陰極によって、発光効率が高く、かつ長寿命の冷陰極放電灯を得る。 - 特許庁 - Further, a thin film made from a cathode material is formed on the upper surface of the organic light emitting layer 3 by deposition or sputtering to produce a cathode 4.
さらに、有機発光層３の上面に、陰極用物質からなる薄膜を蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ、陰極４を作製する。 - 特許庁 - To produce the whole in miniature with a compact structure, to realize a cathode chamber with a simple structure by utilizing a rotary type cathode mechanism having plural cathode and to prevent the contamination of a target on the cathode at the time of sputtering film formation.
コンパクトな構造で全体を小型に製作し、複数のカソードを設けた回転式カソード機構を利用してカソードチャンバを簡単な構造で実現し、カソード上のターゲットがスパッタ成膜時に汚染されるのを防止する。 - 特許庁 - By laminating the metallic film 5 by sputtering on the cathode 4 formed by vapor deposition, tensile stress is relatively produced against the cathode 4 on the side of the metallic film 5 formed by the sputtering.
蒸着によって形成された陰極４の上にスパッタリングによって金属膜５が積層されると、スパッタリングによって形成された金属膜５の側に、陰極４に対して相対的に引っ張り応力が生じている。 - 特許庁 - A conventional sputtering cathode 3c having an auxiliary material targets 1p, 1n each formed from an auxiliary material containing a component serving as an addition material is arranged between a plurality of magnetron sputtering cathodes 3m having a main material target 1i for a thin film to be deposited, and a sputtering power to be applied to the magnetron sputtering cathodes 3m and the conventional sputtering cathode 3c is independently controlled.
形成する薄膜の主材料ターゲット１ｉを有する複数のマグネトロンスパッタリングカソード３ｍの間に、添加材料となる成分を含む副材料からなる副材料ターゲット１ｐ，１ｎを有するコンベンショナルスパッタリングカソード３ｃを配置し、マグネトロンスパッタリングカソード３ｍおよびコンベンショナルスパッタリングカソード３ｃに投入するスパッタリング電力を独立に制御することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a sputtering cathode in which flexibility of adjustment of a distance between a target and a magnet unit is increased.
ターゲットと磁石ユニットとの距離の調整の自由度を高めることができるスパッタリングカソードを提供すること。 - 特許庁 - An oxide film is formed by electron beam type ion plating or sputtering in 1-20 μm thickness on a nitride film formed by cathode arc type ion plating.
カソードアーク式イオンプレーティング法で形成した窒化膜上に酸化膜を１〜２０μｍ形成した膜構造。 - 特許庁 - In a rotary magnet cathode (RMC) type sputtering system 10 of low pressure discharge, as a sputtering gas, gaseous Xe is introduced into a chamber 11, and pressure is set to about 0.08 Pa.
低圧放電の回転マグネットカソード（ＲＭＣ）式スパッタ装置１０において、スパッタガスとしてＸｅガスをチャンバ１１内に導入し、圧力を約０．０８Ｐａに設定する。 - 特許庁 - To provide an electrode for a cold-cathode fluorescent tube capable of having excellent sputtering resistance and excellent processability and reducing tube voltage, and to provide a cold-cathode fluorescent tube using the electrode.
優れた耐スパッタ性及び加工性を備え、管電圧を低くすることができる冷陰極蛍光管用電極及びそれを用いた冷陰極蛍光管を提供する。 - 特許庁 - The manufacturing method for a cathode electrode comprises a cathode electrode formation process of forming a cathode layer by forming a cathode active material on a cathode collector at a forming rate of a range of 0.4-2.0 Å/sec by using a sputtering method and forming the cathode electrode made of the cathode collector and the cathode layer.
本発明は、スパッタリング法を用いて、正極活物質を、０．４〜２．０Å／ｓｅｃの範囲内の成膜レートで、正極集電体上に成膜して正極層を形成し、上記正極集電体と上記正極層とからなる正極電極体を形成する正極電極体形成工程を有することを特徴とする正極電極体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁 - To provide alloy for a cold-cathode fluorescent tube that has high resistance to sputtering and high processability and can reduce a tube voltage, and an electrode for the cold-cathode fluorescent tube and the cold-cathode fluorescent tube that use the alloy.
優れた耐スパッタ性及び加工性を備え、管電圧を低くすることができる冷陰極蛍光管用合金、該合金を用いた冷陰極蛍光管用電極及び冷陰極蛍光管を提供する。 - 特許庁 - To provide a cold-cathode fluorescent lamp with high resistance to sputtering at low cost, a back light unit, and a display apparatus.
低コストで、かつ、高い耐スパッタ性を有する冷陰極蛍光ランプ、バックライトユニット及びディスプレイ装置を提供する。 - 特許庁 - The magnetron sputtering apparatus is provided with an auxiliary magnetic field formed closely to one side or both sides in the direction of the axis of the target of a cathode type magnetron sputtering apparatus.
ホローカソード型マグネトロンスパッタリング装置のターゲットの軸方向片側或いは両側に近接して補助的磁場を形成したことを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a dual cathode type sputtering apparatus which can be downsized and can reduce production cost, and to provide a film deposition method.
装置を小型化でき且つ生産コストを低減できるデュアルカソード型のスパッタリング装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁 - A chamber 41 and a cathode plate 47 are combined with an insulating plate 48 so as to form a sputtering treatment vessel kept in vacuum.
チャンバー４１とカソードプレート４７は絶縁板４８で結合されて、真空を維持するスパッタ処理容器を形成している。 - 特許庁 - The reverse cathode voltage inhibits subsequent arcing by positively charging insulated deposits on the sputtering target.
逆陰極電圧は、スパッタ目標上の絶縁されたデポジットを正に充電することにより引き続くアーク放電を禁止する。 - 特許庁 - In addition, the sputtering cathode includes a reciprocating mechanism for reciprocating the plurality of magnet units 7 in parallel to the rear surface of the target.
また、スパッタリングカソードは、複数の磁石ユニット７をターゲットの裏面に平行に往復移動させる往復移動機構を有する。 - 特許庁 - To secure shield and contact of a joint of an RF route, in an RF sputtering device in which a cathode is independently opened and closed.
カソードを独立して開閉するＲＦスパッタ装置において、ＲＦ経路の接続部のシールド及び接触を確保する。 - 特許庁 - A rotary cathode of the high-output ion sputtering magnetron provided with the rotary cathode internally includes conductive components made of a conductive material so as to pass an electric current to the rotary cathode from a power source.
回転式カソードを備えた高出力イオンスパッタリングマグネトロンであって、該回転式カソードは、電源から回転式カソードに電流を通じさせるように電導性材料で作られている導電性構成部材を内部に含んでいる。 - 特許庁 - To provide an electrode for a cold cathode discharge tube including a novel and inexpensive Fe-based alloy with a high sputtering resistance and a high processability and provide a cold cathode discharge tube using the electrode.
優れた耐スパッタ性及び加工性を備えた新規で安価なＦｅ基の合金でなる冷陰極放電管用電極及びそれを用いた冷陰極放電管を提供する。 - 特許庁 - The dielectric layer is deposited by means of cathode sputtering, for example, by means of the cathode sputtering which is assisted by a magnetic field and is preferably reactive in the presence of oxygen and/or nitrogen, with exposure to at least one ion beam (3) from an ion source (4).
誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および／または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源（４）からの少なくとも一つのイオンビーム（３）への曝露と、堆積される。 - 特許庁 - An Mo/Si multilayered film (a surface side multilayered film) 102 is film-deposited on the surface of the deep layer side multilayered film 101 by a low voltage discharge rotary magnet cathode sputtering method which is a kind of a magnetron sputtering method.
深層側多層膜１０１の表面には、マグネトロンスパッタ法の１種である低圧放電ロータリーマグネットカソードスパッタ法により、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜（表層側多層膜）１０２が成膜されている。 - 特許庁 - To provide a sputtering cathode which improves a utilizing efficiency of a target while improving a film forming speed and a uniformalization of a film thickness at the same time and a magnetron type sputtering device furnished with it.
成膜速度および膜厚均一性を同時に向上させながら、ターゲットの利用効率を改善することができるスパッタリングカソードおよびこれを備えたマグネトロン型スパッタリング装置を提供すること。 - 特許庁 - In a magnetron SPUTTERING device 1, a double-pole electromagnet 11 functions as both the cathode of a power supply 5 and a magnetic source 6 at the same time.
マグネトロンスパッタ装置１において、２重磁極型電磁石１１は、電力源５の陰極と磁力源６とを兼ねている。 - 特許庁 - To provide a sputtering cathode which is inexpensively and easily switched into a balance type/an unbalance type by magnetic field design.
磁場設計をして安価且つ簡単にバランス型/アンバランス型に切替え可能なスパッタリング陰極を提供、実現しようというものである。 - 特許庁 - To provide a plasma treatment device which can restrain generation of a hollow cathode discharge and also can restrain the generation of a sputtering or the like caused by plasma.
ホローカソード放電の発生を抑制し、プラズマによるスパッタ等の発生も抑制することが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - The sputtering system comprises a rotatable cathode 802, a rotatable stage 801, and a rotatable blocking plate 805.
本発明のスパッタリング装置は、回転可能なカソード８０２と、回転可能なステージ８０１と、回転可能な遮蔽板８０５とを備える。 - 特許庁 - To provide a cold-cathode discharge lamp capable of making its life longer by restraining sputtering of a lead wire.
導入線のスパッタリングを抑制して冷陰極放電ランプの長寿命化を図ることができる冷陰極放電ランプを提供する。 - 特許庁 - To provide a magnetron sputtering system free from the leakage of cooling water for cooling a cathode even if being provided with a mechanism for rotating a permanent magnet.
永久磁石を回転させる機構を備えても、カソードを冷却する冷却水漏れのないマグネトロンスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - The sputtering system comprises: a sputtering treatment chamber 40 provided with a plurality of independent cathodes 41; and a substrate stage 44 provided in the treatment chamber 40, and in a state that a treatment substrate on the substrate 44 is successively made to face a target 22 on each cathode 41, sputtering treatment is performed.
独立した複数のカソード４１を備えたスパッタリング処理室４０と、処理室４０内に設けられた基板ステージ４４とを有し、基板ステージ４４上の処理基板を各カソード４１上のターゲット２２と順次対向させてスパッタリング処理を実行する。 - 特許庁 - To suppress a malfunction of operation caused by the lowering of brightness based on sputtering caused by the discharge of a cylindrical electrode in a cold-cathode fluorescent lamp, and by glass tube damage caused by the heating of a sputtering adhesion object, and to obtain the high brightness and a prolonged life of the cold-cathode fluorescent lamp.
冷陰極蛍光ランプにおける円筒状電極の放電に起因したスパッタに基づく輝度低下及びスパッタ付着物の加熱によるガラス管破損による動作不良を抑制し、前記冷陰極蛍光ランプの高輝度化及び長寿命化を達成する。 - 特許庁 - To provide a sputtering system improved in a film thickness distribution by arranging a gas jet tube is arranged around a cathode case housing a cathode, thereby spreading a process gas uniformly near the center of a substrate.
カソードを収容するカソードケースの周囲にガス噴出管を配置し、プロセスガスを基板中央付近まで均一に行き渡るようにして膜厚分布を改善したスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁
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