「controlled process」を含む例文一覧(1033)

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  • The load lock purge system is useful, for example, in a thin film deposition process, or, other process where precisely controlled pressure and concentration affect the integrity of the process.
    ロードロック・パージシステムは、たとえば薄膜堆積、または正確に制御された圧力および濃度状態がプロセスの完全性に作用する他のプロセスに有用である。 - 特許庁
  • A process controlling function part 15 executes the process to be controlled designated by the inputted command in a prescribed time, and allows a CPU use time measuring function part 17 to measure a CPU time used by the process to be controlled.
    プロセス制御機構部15は、入力されたコマンドにより指定される制御対象プロセスを所定時間に亘って実行し、CPU使用時間測定機構部17に制御対象プロセスが使用したCPU時間を測定させる。 - 特許庁
  • To provide a fuel cell system in which the partial progress of the deterioration of a catalyst layer in a shutdown process of a fuel cell is controlled and the deterioration of the fuel cell is controlled.
    燃料電池の停止処理における触媒層の劣化の部分的な進行を抑えて、燃料電池の劣化を抑制する。 - 特許庁
  • An adapting process of beam forming is controlled according to speaker identification information and direction information on a speaker.
    話者識別情報と話者の方向情報から、ビームフォーミングの適応過程を制御する。 - 特許庁
  • To provide a heating furnace wherein temperature of a process fluid is stably controlled.
    プロセス流体の温度を安定して制御することができる加熱炉を提供することである。 - 特許庁
  • To provide a process of production in which epimerization and oxidation of tigecycline are controlled in bulk production.
    バルク製造において、チゲサイクリンのエピマー化および酸化を制御する製造プロセスを提供する。 - 特許庁
  • Further, the turbidity in an electrolyte is controlled to <30 NTU in this electrolytic manganese dioxide manufacturing process.
    また、 電解液中の濁度が30NTU未満である電解二酸化マンガンの製造方法である。 - 特許庁
  • While the CPU is in initialization process, the triac 43 is controlled by the hardware control circuit 65.
    CPU33が初期化中は、ハードウェア制御回路65によりトライアック43が制御される。 - 特許庁
  • A developing bias to be applied on the developing roller 14a is controlled in accordance with the quantity of toner left after a transfer process.
    転写残トナー量に応じて現像ローラ14aに印加する現像バイアスを制御する。 - 特許庁
  • The position of a substrate table is controlled using the correction height partially based upon a process stack layer, specially upon a process stack layer in a target area.
    基板テーブルの位置は、プロセススタックデータに、特にターゲット区域のプロセススタック層に部分的に基づく補正高さを使用して制御される。 - 特許庁
  • A condensation process and a deposition process are controlled based on the lithium ion concentration calculated from the electrical conductivity, thus manufacturing lithium salts.
    この電気伝導度から算出したリチウムイオン濃度に基づき濃縮工程および析出工程を制御してリチウム塩を製造する。 - 特許庁
  • The process of metal layer removal is controlled by selecting blast process energy so as to remove the metal layer but avoid damage to the support.
    ブラスト加工エネルギーを選択することで、金属層は除去するものの、支持体の損傷は回避するよう除去プロセスを制御する。 - 特許庁
  • In the exposure time control process, an exposure time is controlled so as to be able to optimally pick up the two dimensional static image in the imaging process.
    露光時間制御工程は、撮像工程において二次元静止画像を最適に取り込めるように露光時間を制御する。 - 特許庁
  • Thus, the pre-tilt angle of the liquid crystal molecules can be controlled, since the arrangement state of the alignment layer molecules after the drying process can be controlled.
    従って、乾燥処理後における配向膜分子の配列状態を制御することができるため液晶分子のプレチルト角を制御することができる。 - 特許庁
  • This concerns a manufacturing process of an image display device by the plasma discharge between the discharge electrodes, for example, a plasma display panel and the aging process in its manufacturing process, and in the process the temperature is controlled during the aging process.
    本発明は、放電電極間のプラズマ放電により画像を表示する画像表示装置、例えばプラズマディスプレイパネルおよびその製造工程のエージング工程に関するもので、エージング処理中の温度を制御することを特徴としている。 - 特許庁
  • In the case that a plurality of signal synchronizing process programs and an abnormality corrective action process program in the same number thereto are used, the signal synchronizing process program and the abnormality corrective action process program are controlled by a pair of tables consisting of a signal synchronizing process table (a) and an abnormality corrective action process table (b).
    複数の信号同期処理プログラムおよびこれと同数の異常対策処理プログラムを用いるにあたり、信号同期処理プログラムと異常対策処理プログラムとを、信号同期処理テーブル(a)と異常対策処理テーブル(b)とからなる一対のテーブルで管理している。 - 特許庁
  • In a process for operating copper plating being a process for manufacturing a built-up multi-layer substrate, the crystal orientation property of a copper plated film 102 is controlled.
    ビルトアップ多層基板の製造過程である銅めっきを行なう工程において、銅めっき膜102の結晶配向性を制御する。 - 特許庁
  • To provide a prediction and control unit and method for multivariable model for inputting the state quantity including control input, disturbance and controlled variable of a process to be controlled and outputting the controlled variable, and a storage medium therefor.
    制御対象プロセスの操作量、外乱及び制御量を含む状態量を入力とし制御量を出力とする多変数モデル予測制御装置、方法及びその記憶媒体を提供する。 - 特許庁
  • The image forming device is controlled so that the regulation process for maintaining the image quality in an image forming section can be performed in parallel with the execution of the post process regarding the recording medium in the post process.
    後処理部において記録媒体に関する後処理を実行するのと並行して、画像形成部において画質を維持するための調整処理を実行するように制御する。 - 特許庁
  • A relation and common knowledge information between the respective process image objects (basic process image object and user-inherent process image object) are integrally controlled thereby using a network 100.
    これにより、各プロセスイメージオブジェクト(基本プロセスイメージオブジェクトおよび利用者固有プロセスイメージオブジェクト)間の関係や共有ナレッジ情報を、ネットワーク100を用いて体系的・統合的に管理する。 - 特許庁
  • In the second supply process following to the inversion process, varnish is supplied while being controlled such that the gelation begins in the vicinity of the gelation starting position in the first supply process.
    反転工程の後の第2供給工程では、第1供給工程でゲル化が始まった位置付近でゲル化が始まるように供給量を制御してワニスを供給する。 - 特許庁
  • With this process, feeding of energy from a secondary winding 3B is controlled to stabilize an output voltage VOUT.
    これにより、二次巻線3Bからのエネルギーの送り出しを制御し、出力電圧VOUT の安定化を図る。 - 特許庁
  • Set values expressing the idle time of the target 200 to be controlled, time constant, and process gain are previously set.
    制御対象200の無駄時間、時定数及びプロセスゲインを表す設定値が予め設定される。 - 特許庁
  • To produce magnetite fine particles at a nano-order level having a uniform particle diameter through a simple process which is easily controlled.
    制御の容易な簡素なプロセスによって粒径の揃ったナノレベルのマグネタイト微粒子を製造すること。 - 特許庁
  • Thereafter, the operation of the operating Web service process is controlled by the started control part of the management system.
    その後、起動された管理システムの制御部によって、動作中のウェブ・サービス・プロセスの動作を制御する。 - 特許庁
  • Also, the manufacturing process of semiconductor wafers is controlled on the basis of the accidental defects (β mode destruction) rate.
    また、その偶発不良(βモード破壊)率により、半導体シリコンウェーハの製造工程を管理する。 - 特許庁
  • To provide a process for making lithium titanate having closely controlled particle sizes in the range of 5 to 2,000 nm.
    5nm〜2000nmの範囲に厳密に制御された粒子径を有するチタン酸リチウムの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • A nitrogen feed section 31 feeding a controlled quantity of nitrogen into a process chamber 21 is provided.
    制御された量の窒素を処理室21内に供給する窒素供給部31が設けられている。 - 特許庁
  • The interruption process with a communication error as a requirement for interrupt is preferentially executed and the communication is controlled in the prohibited state in the interruption process.
    また、通信エラーを割込要求条件とする場合の割込処理を優先的に実行し、割込処理において通信を禁止状態に制御する。 - 特許庁
  • By this one controller for process control, the processing operation of at least two or more process chambers included in the corresponding group is collectively controlled.
    この1つのプロセス制御用制御器で、対応するグループに含まれる少なくとも2つ以上の処理チャンバの処理動作を一括して制御する。 - 特許庁
  • A control processing part 11 obtains a controlled variable of the process facilities 4A to 4N based on estimate process amount at the same time as control execution time and a target value.
    制御処理部11は制御実行時刻と同一時刻の予測プロセス量と目標値によってプロセス設備4A〜4Nの制御操作量を求める。 - 特許庁
  • By the reinforcing members 60A deformation and inclination of the shielding electrode in a heating treatment process of manufacturing process of the light emitting device are controlled.
    補強部材60Aにより、発光素子の製造工程中の加熱処理工程におけるシールド電極の変形・傾斜を抑制することができる。 - 特許庁
  • At this time, even if the cleaning process is initiated (S12 and S14), the dishwasher is controlled so as not to move onto the rinsing process unless prescribed temperature increase time has elapsed.
    このとき、洗浄工程が開始されても、所定の昇温時間が経過しないと(S12,S14)、すすぎ工程に進まないように制御される。 - 特許庁
  • Phenomena in the anode side treatment process and the cathode side treatment process and a change in the property of wastewater can be organically connected and controlled.
    陽極側処理工程と陰極側処理工程における現象と、排水の性状の変化とを有機的に結合して制御することができる。 - 特許庁
  • To achieve stable control of a process to be controlled even when there are large delay of time and large disturbance in the process.
    制御対象のプロセスに大きな時間遅れや時間遅れが存在したり、大きな外乱が存在しても、そのプロセスの安定制御を実現可能にする。 - 特許庁
  • In this production control system, preparation of lots and members (reticles) and scheduling are controlled by aiming at a set of, for instance, an exposure process (anterior process) and an etching process (posterior process) within a plurality of processes and manufacturing devices of a line.
    本生産管理システムでは、ラインの複数の工程及び製造装置のうち例えば露光工程(先行工程)とエッチング工程(後行工程)の組を対象として、ロット及び部材(レチクル)の配膳及びスケジューリングを制御する。 - 特許庁
  • The second process part 26 resets the destination teaching point to be reached by the controlled object other than the reference controlled object in the calculated shortest time on the movement path.
    第2工程部26は、基準制御対象以外の制御対象が、算出した最短時間後に到達すべき移動目標教示点を移動経路上に再設定する。 - 特許庁
  • During a process of cleaving the film from the substrate, shear in the cleave region is carefully controlled to achieve controlled propagation by either KII or energy propagation control.
    基板から膜を劈開するプロセス中に、劈開領域のせん断は、KIIまたはエネルギーの伝搬制御のいずれかにより制御伝搬を実現するために慎重に制御される。 - 特許庁
  • Next, the molding 24 is carried into another chamber of the atmosphere controlled so that the difference in temperature form the temperature in this atmospheric condition is controlled to be not greater than 5°C, and the sintering process is carried out in the chamber.
    次に、この大気雰囲気の温度からの差異が5℃以下に制御された雰囲気の別の室内に成形体24を搬送し、そこで焼結工程を実行する。 - 特許庁
  • To tune a PID controller without supplying a signal for identification to a controlled system in an integral process wherein a controlled variable has cyclic variation.
    制御量が周期的な変動を呈している積分プロセスにおいて、制御対象に同定用信号を与えることなく、PID制御器のチューニングを可能とする。 - 特許庁
  • Therefore, a display in plural areas by the process units R1 to Rn can properly be controlled.
    したがって、各処理単位R1〜Rnによる複数領域にわたる表示を適切に制御することができる。 - 特許庁
  • Therefore, a display in plural areas by the process units R1 to Rn can properly be controlled.
    したがって、各処理単位R1〜Rnによる複数領域にわたる表示を適切に制御することができる。 - 特許庁
  • In this process, crystallization of the precursor source material is controlled by controlling the concentration of the produced solvent vapor.
    このとき、生成した溶媒蒸気の濃度を調整することにより前駆体原料の結晶化を制御する。 - 特許庁
  • As a result, the electrostatic discharge damage of a second interlayer dielectric 9 in the manufacturing process can be controlled.
    これにより、製造工程中における第二層間絶縁膜9の静電破壊を抑えることができる。 - 特許庁
  • In addition, since the process liquid is circulated and supplied, the liquid concentration and the liquid temperature can be easily controlled.
    また、処理液が循環供給されるので、液濃度の制御、液温度の制御を容易に行うことができる。 - 特許庁
  • In the image forming process, the contact pressure of the grinding blade is controlled to a high pressure or a low pressure in accordance with the level of the dot area ratio.
    画像形成工程では、黒字率の高/低に応じて、研磨ブレードの接圧を高/低に制御する。 - 特許庁
  • In such a case, the laser power and laser frequency during the laser beam machining process are controlled in accordance with the moving speed of the stage.
    この場合、レーザ加工処理時のレーザパワー及びレーザ周波数をステージの移動速度に応じて制御する。 - 特許庁
  • The printing process of a laser printer 2 is controlled by a printer driver consisting of a common driver and a specific driver.
    共通ドライバ及び固有ドライバから成るプリンタドライバによってレーザプリンタ2の印刷処理が制御される。 - 特許庁
  • (1) In the sputtering process, a surface resistance of a metal coating film to be formed is controlled within 0.1-1.0 Ω/sq.
    (1)前記スパッタリング工程において、形成する金属被膜の表面抵抗を、0.1〜1.0Ω/□に制御する。 - 特許庁
  • Rotating speed and rotating amount of the cam row and lateral moving speed and moving amount in each process, are controlled synchronously.
    各工程におけるカム列の回転速度・回転量と横移動速度・移動量は同期的に制御される。 - 特許庁
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