「cu.」を含む例文一覧(5425)
＜前へ 1 2 .... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 .... 108 109 次へ＞- An aluminum wiring layer 12 has an Al-Cu structure containing Cu of less than 1% for example.
アルミニウム配線層１２は、例えばＣｕを１％未満含有させているＡｌ−Ｃｕ構造としている。 - 特許庁 - The plating metal is selected from among Ni, Ni alloy, Cu, Cu alloy, Co and Co alloy.
メッキ金属としては、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＣｏおよびＣｏ合金より選択できる。 - 特許庁 - In the clathrate compound, the composition ratio (Cu×100/(Ba+Ga+Sn+Cu)) of the copper represents from more than 0 to 0.061 or less.
クラスレート化合物におけるＣｕの組成比（Ｃｕ×１００／（Ｂａ＋Ｇａ＋Ｓｎ＋Ｃｕ））は０より大きく０．０６１以下である。 - 特許庁 - To prevent a TFT from being polluted by Cu by pinching a Cu wiring by a silicon nitride film.
窒化珪素膜でＣｕ配線を挟み込むことによりＣｕによりＴＦＴが汚染されるのを防ぐ。 - 特許庁 - To form a wiring where Cu is embedded to the surface of a substrate with higher accuracy, under superior environmental conditions.
良好な環境で精度よく基板３の表面にCuが埋め込まれた状態の配線を形成する。 - 特許庁 - To provide a Cu/NbTi-based reinforced type Nb3Sn wire satisfying all characteristics such as tensile strength and rupture stress.
引張強度、破断応力の全ての特性を満足したCu/NbTi系強化型Nb3Sn線材を提供する。 - 特許庁 - As the result, during a heat treatment process after the formation of the Cu seed film 10 and the Cu plating film 11, it can be prevented that Cu is diffused anomalously from the Cu seed film 10 and the Cu plating film 11 into the interlayer insulating film 6 to change the device properties.
その結果、Ｃｕシード膜１０やＣｕめっき膜１１を形成した後の工程における熱処理中に、Ｃｕシード膜１０やＣｕめっき膜１１からＣｕが層間絶縁膜６中に異常拡散して、デバイス特性を変動させることを防止できる。 - 特許庁 - Here, as the solder in the solder tank decreases by sticking on the work, alloy containing no Cu from specific lead-free solder or alloy containing Cu components less than the specific lead-free solder is used as solder additionally supplied for the decrease.
はんだ槽中のはんだがワークに付着して減少するが、この減少分を追加供給するはんだとして、所定の鉛フリーはんだからCuを全く含まない合金、または所定の鉛フリーはんだのCu成分よりもCu含有量の少ない合金を用いる。 - 特許庁 - DIE FOR Cu HOT EXTRUSION, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Ｃｕ熱間押出用ダイスおよびその製造方法 - 特許庁 - The Al alloy sheet can comprise 0.01 to 0.20% Cu as well.
さらにＣｕ０．０１〜０．２０％を含んでも良い。 - 特許庁 - In soldering by the reflow method using Sn-Ag-Cu based Pb-free Sn solder alloy, the concentration of Ag is controlled to more than 3.8 mass% to 4.2 mass% or less and that of Cu is controlled to 0.8 to 1.2 mass% during soldering in the solder bath.
Sn-Ag-Cu系の鉛フリーSn基はんだ合金を用いてリフロー法ではんだ付けをする際に、はんだ浴のAg濃度を3.8 質量％超4.2 質量％以下、Cu濃度を0.8 〜1.2 質量％に管理しながらはんだ付けを行う。 - 特許庁 - METHOD FOR HEATING Cu-CONTAINING STEEL AT HOT ROLLING
熱間圧延時のＣｕ含有鋼材の加熱方法 - 特許庁 - The waste gas purifying material is constituted so as to provide a layer containing a compound of Cu and V, which has the molar ratio Cu/V of 0.4-12 and is carried on a heat resistance three-dimensional structure, and a layer containing an alkali metal compound.
本発明の排ガス浄化材は、耐熱性３次元構造体に担持されたモル比がCu／V=0.4〜12であるCu及びVの化合物を含有する層と、アルカリ金属の化合物を含有する層と、を備えた構成とする。 - 特許庁 - Fe-Cr-Ni-Cu ALLOY FOR SLIDING MEMBER
摺動部材用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｃｕ合金 - 特許庁 - The Cu-Mn based brazing filler metal fine wire is composed of, by mass, 20 to 45% Mn, and the balance Cu with inevitable impurities, and in which a coating film having a composition satisfying the following inequality (1) is formed on the surface: Cu%/(Cu%+Mn%)≥0.85 (1).
質量％で、Ｍｎ：２０〜４５％を含む、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなり、表面に下記式を満たす組成の被膜が形成させたことを特徴とするＣｕ−Ｍｎ系ろう材細線。 - 特許庁 - To provide a practicable cleaning method which is capable of improving filiform corrosion resistance by selectively removing Cu from an Al alloy material containing Cu and is capable of cleaning the Al alloy material to get rid of the dirt by rolling mill lubricants, etc,.
Cuを含むAl合金材の表面からCuを選択的に除去して、耐糸さび性を改善しうるとともに、圧延油などによる汚れも洗浄可能な、実用的な洗浄方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which has a high reliability of an electrical connection with a Cu plug and little leakage current in a configuration of electrically connecting between wirings by the Cu plug, and a method of manufacturing the semiconductor device.
配線間をCuプラグによって電気的に接続する構成において、Cuプラグとの電気的接続の信頼性が高く、リーク電流が少ない半導体装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - MN-CU DAMPING ALLOY AND PRODUCING METHOD THEREFOR
Ｍｎ−Ｃｕ系制振合金及びその製造方法 - 特許庁 - A semiconductor device of the present invention comprises first Cu wiring 102 and a first barrier insulating film 103 that is provided on the first Cu wiring 102 and prevents diffusion of Cu from the first Cu wiring 102.
本発明に係る半導体装置は、第１のＣｕ配線１０２と、第１のＣｕ配線１０２の上に設けられ、第１のＣｕ配線１０２からＣｕの拡散を防ぐ第１のバリア絶縁膜１０３とを備える。 - 特許庁 - Further, 0.1 to 1.0% Cu may be incorporated therein.
さらに、Ｃｕ：０．１〜１．０％を含有させても良い。 - 特許庁 - To provide the oxidation of a Cu surface, the diffusion of Cu to an adjoining oxide film, or the alteration of the Cu surface when forming a passivation portion of a semiconductor device using Cu wiring as multiple layer wiring.
多層配線としてＣｕ配線を用いる半導体装置のパッシベーション部の形成時に、Ｃｕ表面の酸化や、隣接する酸化膜に対するＣｕの拡散あるいはＣｕ表面の変質を防止すること。 - 特許庁 - DISPLAY DEVICE AND Cu ALLOY FILM FOR USE IN SAME
表示装置およびこれに用いるＣｕ合金膜 - 特許庁 - In soldering by the reflow method using Sn-Ag-Cu based Pb-free Sn solder alloy, the concentration of Ag is controlled to more than 3.8 mass% and 4.2 mass% or less and that of Cu is controlled to 0.8-1.2 mass% during soldering in the solder bath.
Sn-Ag-Cu系の鉛フリーSn基はんだ合金を用いてリフロー法ではんだ付けをする際に、はんだ浴のAg濃度を3.8 質量％超4.2 質量％以下、Cu濃度を0.8 〜1.2 質量％に管理しながらはんだ付けを行う。 - 特許庁 - DISPLAY DEVICE AND Cu ALLOY FILM USED FOR THE SAME
表示装置およびこれに用いるＣｕ合金膜 - 特許庁 - The mixed phase of these phases such as Cu liquid phase forms a region 21 at which a Cu oxide is present in a discontinuous manner inside the Cu plating film 22 at least at the interfaces between the ceramic body 9 and the Cu plating films 22.
これらＣｕ液相等の混合相は、Ｃｕめっき膜２２の内部における、少なくともセラミック素体９との界面側に、不連続状にＣｕ酸化物が存在する領域２１を形成する。 - 特許庁 - METHOD FOR EVALUATING Cu CONTAMINATION IN SEMICONDUCTOR SILICON WAFER
半導体シリコンウェーハ中のＣｕ汚染評価方法 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING W-Cu COMPOSITE MATERIAL THIN SHEET
Ｗ−Ｃｕ複合材料薄板の製造方法 - 特許庁 - Pd-Cu BASED ALLOY SUPERIOR IN HYDROGEN PERMEABILITY
水素透過性能に優れたＰｄ−Ｃｕ系合金 - 特許庁 - Cu-Ni-Si BASED COPPER ALLOY FOR ELECTRONIC MATERIAL
電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金 - 特許庁 - CABTYRE CABLE USING Cu-Sn-In ALLOY
Ｃｕ−Ｓｎ−Ｉｎ合金を使用したキャブタイヤケーブル - 特許庁 - Consequently, soldering can be made to a Cu cathode electrode composed of a dissimilar metal of Al on the Sn layer 23 or Sn alloy layer, and joint strength of the Al anode electrode and Cu cathode electrode can be enhanced.
これにより、Sn層２３又はSn合金層上でAlの異種金属からなるCu陰極電極とはんだ付けできるようになり、Al陽極電極とCu陰極電極との接合強度を向上することができる。 - 特許庁 - Cu-Ni-Si ALLOY AND ITS PRODUCTION METHOD
Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ合金およびその製造方法 - 特許庁 - METHOD OF GETTERING Cu IMPURITY IN SILICON CRYSTAL
シリコン結晶中のＣｕ不純物のゲッタリング方法 - 特許庁 - This method includes preparing a coating agent by dispersing a Cu-containing material such as a Cu powder or a Cu-Mn alloy powder into a solvent, for instance, when diffusing Cu into a Zn-Al-Sn alloy (a ZAS alloy).
例えば、Ｚｎ−Ａｌ−Ｓｎ系合金（ＺＡＳ合金）にＣｕを拡散させる場合、Ｃｕ粉末またはＣｕ−Ｍｎ合金粉末等、Ｃｕを含有する物質を溶媒に分散させて塗布剤とする。 - 特許庁 - The ordinary temperature NO_x adsorbent comprises a carrier comprising a specific oxide including an oxide of at least one element selected from Co, Fe, Cu, Ce and Mn; and at least one kind of carried metal selected from Cu, Co, Ag and Pd carried on the specific oxide.
Co、Fe、Cu、Ce及びMnから選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物を含む特定酸化物からなる担体と、特定酸化物に担持されたCu、Co、Ag及びPdから選ばれる少なくとも一種の担持金属と、からなる。 - 特許庁 - MODIFIED LEAD-FREE SOLDER COMPRISING Sn-0.7 wt.% Cu
改良Ｓｎ−０．７ｗｔ％Ｃｕ無鉛はんだ - 特許庁 - When a work is soldered by the dipping method using the solder tank, Cu is dissolved out of the work into the solder and Cu components abnormally increase.
このようにCu成分が増えたはんだは、液相線が上昇するため、はんだ付け温度も高くせざるを得ないが、はんだ付け温度が高いとワークに熱損傷を与えてしまう。 - 特許庁 - The metal material improves the overall weather resistance of Cu by adding W to Cu and evenly incorporating Mo into Cu grain boundary.
この金属材料によれば、ＣｕにＷを添加してＣｕの粒界にＭｏを均質に混入させることにより、Ｃｕ全体の耐候性を向上させることができる。 - 特許庁 - To provide a homogenizing method where Cu (a solute element) is uniformly dispersed in an Al-Cu alloy, and also, the grains of Cu to be precipitated is made finer.
Ａｌ−Ｃｕ合金内においてＣｕ（溶質元素）を均一に分散させ、かつ、析出するＣｕの粒子をより微細にするための均質化方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a substrate with a Cu pattern in which adhesiveness between a resin and a metal Cu layer is excellent, and the substrate with a Cu pattern obtained thereby.
樹脂と金属Ｃｕ層の接着性が良好であるＣｕパターン付基板の製造方法及びそれにより得られるＣｕパターン付基板を提供する。 - 特許庁 - A stainless steel sheet in which a Cu thickened layer having a Cu to (Si+Mn) mass ratio of ≥0.5 has been formed in place of the Cu-rich phase in an outermost surface layer may be used as the base material.
Ｃｕリッチ相に代え、Ｃｕ／(Ｓｉ＋Ｍｎ)の質量比が０.５以上のＣｕ濃化層を極表層に形成したステンレス鋼板を基材に使用することもできる。 - 特許庁 - To provide a method for producing a Cu-Ga alloy powder, by which a high-quality Cu-Ga alloy powder can be easily produced, a Cu-Ga alloy powder, a method for producing a Cu-Ga alloy sputtering target, and a Cu-Ga alloy sputtering target.
高品質なＣｕ−Ｇａ合金粉末を容易に製造することができるＣｕ−Ｇａ合金粉末の製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金粉末、並びにＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - A surface layer is obtained by fixing and solidifying an Sn-Cu-Mn molten alloy on a surface of an electrode formed of Cu or an alloy containing Cu as a primary element.
ＣｕまたはＣｕを主要要素とする合金からなる電極の表面に、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｍｎ溶融合金を定着・凝固させて表面層を得る。 - 特許庁 - A wiring material layer 4a is formed by depositing Cu over the whole surface (e), and the unwanted Cu layer is removed by CMP, RIE, etc., and a Cu wiring 4 is formed (f).
全面にＣｕを堆積して配線材料層４ａを形成し（ｅ）、ＣＭＰ、ＲＩＥ等により不要のＣｕ層を除去してＣｕ配線４を形成する（ｆ）。 - 特許庁 - Cu(Ga AND/OR In)Se2 THIN FILM LAYER, Cu(InGa)(S, Se)2 THIN FILM LAYER, SOLAR BATTERY AND METHOD FOR FORMING Cu(Ga AND/OR In)Se2 THIN FILM LAYER
Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ２薄膜層、Ｃｕ（ＩｎＧａ）（Ｓ、Ｓｅ）２薄膜層、太陽電池、Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ２薄膜層の形成方法 - 特許庁 - After the Cu-Mn alloy layer is formed, a step is provided for depositing the first Cu layer on the Cu-Mn alloy layer without exposure to the atmospheric air.
前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層の形成の後、大気に露出することなく、前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層上に前記第１のＣｕ層を堆積する工程を設ける。 - 特許庁 - Thus, Cu to be diffused from the Cu wiring 24 can be captured by the coating layer 31, and Cu in the coating layer 31 can be prevented from diffusing.
これにより、Ｃｕ配線２４から拡散しようとするＣｕを被覆層３１で捕獲することができ、被覆層３１中におけるＣｕの拡散を防止することができる。 - 特許庁 - A composite material is a clad material of Cu/Cu-Mo composite alloy/Cu structure composed of a core material 10 of composite alloy consisting of 30 to 70 mass% Cu and the rest consisting substantially of Mo and Cu plates which clad the upper and lower surface of the core material 10.
複合材料は、３０〜７０質量％のＣｕと残部が実質的にＭｏとからなる複合合金を芯材１０とし、前記芯材１０の上下主平面に夫々Ｃｕ板をクラッドしてＣｕ／Ｃｕ−Ｍｏ複合合金／Ｃｕの構造を形成したクラッド材である。 - 特許庁 - The metal material improves the overall weather resistance of Cu by adding Mo to Cu and evenly incorporating Mo into Cu grain boundary.
この金属材料によれば、ＣｕにＭｏを添加してＣｕの粒界にＭｏを均質に混入させることにより、Ｃｕ全体の耐候性を向上させることができる。 - 特許庁 - Quantity of Cu-material and quantity of Cr-material to be used are made to have Cr which exists in Cu of the CuW alloy become 5-50 mass % to the Cu component.
使用するＣｕ材の量とＣｒ材の量は、ＣｕＷ合金のＣｕ中に存在するＣｒ量がＣｕ成分に対して５〜５０ｍａｓｓ％となるようにする。 - 特許庁
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