「diffusion heating」を含む例文一覧(216)
＜前へ 1 2 3 4 5 次へ＞- It is thereby possible that the ink applied on the printing medium 9 is cured, an influence of a temperature difference to diffusion characteristics of the ink is suppressed by pre-heating the preceding irradiation region 921, and the generation of unevenness in the image is suppressed.
これにより、印刷媒体９上に付与されたインクを硬化させるとともに、先行照射領域９２１を予熱してインクの拡散特性に対する温度差の影響を抑制し、画像におけるムラの発生を抑制することができる。 - 特許庁 - To provide a substrate for power module with high reliability, which can promote the diffusion of heat from a heating body such as an electronic component mounted on a first metallic plate, and suppress the generation of a crack on a ceramic substrate under the load of a thermal cycle.
第一の金属板の上に搭載された電子部品等の発熱体からの熱の放散を促進することができ、かつ、熱サイクル負荷時におけるセラミックス基板の割れの発生を抑制し、信頼性の高いパワーモジュール用基板を提供する。 - 特許庁 - To contrive the prevention and removal of the diffusion of soot, generated on a cooking plate, as well as the reduction of generating sources of the soot to obtain a heating cooker, capable of retaining the cooking surface thereof in a clean condition at all times without providing a cooking area with any restriction.
調理プレート上に発生する油煙の拡散防止とその除去、および油煙の発生源の低減を図り、調理面積に制約を与えることなく調理面を常に綺麗な状態に保持することができる加熱調理器を得ること。 - 特許庁 - To prevent a temperature rise of the frame by preventing the diffusion of radiant heat through providing surface treatment such as plating for the heating member and the intermediate frame even if they are materials having the same coefficient of thermal expansion and by obtaining the stroke having a temperature difference.
本発明は、加熱部材と中間フレームに熱膨張率が同じ材料でもメッキ等の表面処理によって放射熱拡散を防ぎ、温度差をつけてストロークを得るようにし、フレームの温度上昇を防止することを目的とする。 - 特許庁 - A heating temperature is set as a temperature which is broader than plastic temperatures of the Si semiconductor wafer 1 and the compound semiconductor wafer, and in which the metal is diffusible to stick the Si semiconductor wafer 1 to the compound semiconductor wafer 2 by a solid-phase diffusion junction.
加熱温度をＳｉ半導体ウエハ１及び化合物半導体ウエハの塑性温度よりも広く且つ金属の拡散可能な温度として固相拡散接合によってＳｉ半導体ウエハ１と化合物半導体ウエハ２とを貼り合せる。 - 特許庁 - Tile units 30 wherein tiles 25 connected with a metal plate 26 which serves as a thermal diffusion plate and a backing material are arranged and paved on an upper surface of a piping burying layer composed by them to construct tile floor heating.
そしてそれらにより構成される配管埋設層１８の上面に、複数枚のタイル２５を拡熱板及び裏打材としての働きをなす金属プレート２６で連結して成るタイルユニット３０を敷き並べることによってタイル床暖房を構築する。 - 特許庁 - To obtain the important data in thermophysical properties such as thermal diffusion or the like and to eliminate the lowering of the reliability of a measuring result caused by the distribution irregularity of heating light.
熱拡散などの熱物性における重要な情報を得ることが可能であり，なおかつ加熱光の分布ムラによる測定結果の信頼性低下を解消することが可能な熱物性測定装置，熱物性測定方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a nozzle for an airframe which can reduce the heating of the fuselage which carries out a reverse jetting during flying by accelerating the diffusion and temperature drop of the jet by inducing a vertical eddy by partially deflecting the jet by means of a deflecting plate provided at the outlet of the nozzle.
飛行中に逆噴射を行う飛しょう体において、ノズル出口に設けられた偏向板が噴流を部分的に偏向して誘起する縦渦により噴流の拡散と温度低下を促進し、機体への加熱を軽減する - 特許庁 - A plurality of cooling structures connecting a plurality of heating components 102-108 having the same shape to a single thermal diffusion plate 112-114 via first thermally conductive members 109-111 are provided on the same substrate 101, and respective thermal diffusion plates of the plurality of cooling structures are connected to a single radiator 118 via second thermally conductive members 115-117.
同一形状の複数の発熱部品１０２〜１０８を第１の熱伝導部材１０９〜１１１を介して１つの熱拡散板１１２〜１１４に接続した冷却構造体を同一基板１０１上に複数備え、複数の冷却構造体の各熱拡散板を第２の熱伝導部材１１５〜１１７を介して１つの放熱体１１８に接続する。 - 特許庁 - By adding the transformation temperature lowering element to the bonding surfaces of the metal stocks, the transformation temperature in a vicinity of the bonding surfaces is locally lowered, and the heating temperature for bonding is lowered in the diffusion bonding step, the deformation during the diffusion bonding is limited to a vicinity of the surface, and excellent bonding can be performed while suppressing the deformation of a base material.
これにより、金属素材の接合表面に変態点低下元素を添加することで接合表面近傍の変態点が局部的に低下するので、拡散接合工程において接合のための加熱温度を低下させるとともに、拡散接合の際の変形を表面近傍に限定し、母材の変形を抑制しつつ良好な接合を行うことができる。 - 特許庁 - To provide a glass for a flat panel display substrate and a flat panel display substrate, where yellowing caused by the diffusion of metallic Ag colloids in the substrate glass is effectively suppressed when an electrode is formed by painting an Ag paste on the substrate glass and then heating.
基板用ガラス上にＡｇペーストを塗布し、焼成して電極を形成した場合に、金属Ａｇのコロイドが基板用ガラス中に拡散して黄変することを効果的に抑制したフラットパネルディスプレイ基板用ガラス及びフラットパネルディスプレイ基板を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing an Ni-Ti based shape memory alloy by continuously producing an Ni-Ti laminated metallic strip with a desired shape in industrially, sufficiently practicable technical ranges, i.e., at ordinary temperature and low rolling ratio and performing heating diffusion treatment.
工業的に十分実用可能な技術の範囲で、即ち、常温において低い圧延率で所望の形状をもったNi-Ti積層金属帯を連続生産し、加熱拡散処理を施してNi-Ti系の形状記憶合金を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plane electric heating unit that is made thin in total thickness and is not vitiated in mechanical strength, and enabled to suppress leakage current, and that has excellent sound insulating characteristics when used as a flooring material and is superior in thermal diffusion to the adjoining panels.
総厚みを薄くすることができ、機械的強度を損なうことなく、漏洩電流値を低く抑えることができ、床材として用いた場合に、防音性に優れ、しかも、隣接パネル間への熱拡散性に優れた電熱面発熱ユニットを提供すること。 - 特許庁 - A filter plate 36 is arranged at first in a recess 85 of a reinforcement frame 84, and the reinforcement frame 84, the filter plate 36 and the vibration plate 70 are layered to be joined by metal diffusion junction, by pressurizing those while heating at a prescribed temperature (for example 1,000°C) (junction process).
まず、補強フレーム８４の凹部８５にフィルタプレート３６を配置して、補強フレーム８４とフィルタプレート３６と振動板７０とを積層して、所定温度（例えば、１０００℃）に加熱しながら加圧し、金属拡散接合により接合する（接合工程）。 - 特許庁 - This super-high temperature incineration thermal decomposition furnace of PCB comprises the incinerator 3, a rotary fire stand 4, a diffusion type super-high temperature thermal decomposition fire blast nozzle 1, a super-high temperature after burner 2, a heating air rotation guiding injection device 20 and the like as internal structures.
該焼却炉のアフターバーナーの前面に連結した焼却炉を損なわず、焼却炉内の難燃性廃棄物を１２００℃〜１５００℃に加熱し、廃熱と熱交換して１５００℃〜１８００℃で瞬時に超高温熱分解しダイオキシンを発生させない。 - 特許庁 - This allows the time taken until power generation in heating the part 41a of the separator 2 to remain unchanged and allows faster diffusion of the reaction heat to the other part 41b, as compared with a fuel cell which uses a separator having low thermal conductivity.
これにより、熱伝導率が低いセパレータを用いた燃料電池と比較して、セパレータ２の一部の部位４１ａの加熱では、発電までにかかる時間はそのままで、反応熱を他の部位４１ｂに拡散させるときでは、早く熱を拡散させることができる。 - 特許庁 - The heating air rotation guiding injection device 20 is disposed around the after burner for burning a high-temperature combustible gas while rotating in a direction opposite to the spiral within the diffusion type fire blast nozzle of diffusion type spiral heating air mixing method.
焼却炉３、回転式火台４、拡散型超高温熱分解火墳出口１と超高温アフターバーナー２、加熱空気回転誘導噴射装置２０などを内部構造として設け、拡散型超高温熱分解火墳出口１と、超高温アフターバーナー２と、拡散型螺旋加熱空気混合方法の拡散型火墳出口で螺旋の反対方向に高温の可燃性ガスが回転しながら燃焼するアフターバーナーの周りに装置された加熱空気回転誘導噴射装置２０等を主要な特徴としている拡散型螺旋加熱空気混合方法のＰＣＢ超高温焼却熱分解炉。 - 特許庁 - According to the method for manufacturing the ink jet head, a channel substrate to which movable plates are formed is formed by a single crystal silicon substrate, and a high concentration p type diffusion layer which becomes the movable plate is formed by heating at a time of bonding an electrode substrate having counter electrodes formed and the channel substrate each other.
本発明のインクジェットヘッド製造方法によれば、可動板が形成される流路基板を単結晶シリコン基板で作製し、対向電極が形成された電極基板と流路基板との接合時の加熱によって可動板となる高濃度ｐ型拡散層を形成する。 - 特許庁 - To prevent the peeling-off of a low dielectric constant insulation film when etching gas and moisture, etc., fetched in the low dielectric constant insulation film are eliminated in a heating process in process even at realizing the structure, for which a diffusion preventing insulation film is directly formed on the low dielectric constant insulation film.
低誘電率絶縁膜上に直接に拡散防止絶縁膜を成膜した構造を実現しても、低誘電率絶縁膜中に取り込まれたエッチングガスや水分等がプロセス中の熱工程で脱離した際に低誘電率絶縁膜の剥離を防止する。 - 特許庁 - To provide a phosphorous diffusing source which essentially cannot form an impurity for silicon, can avoid deformation or the like of even a thin shape by adding a phosphorus component to a silicon nitride porous material which is stable upon heating to use as a diffusion source, can eliminate the need of a reoxidation step, and can be recycled.
本質的にシリコンに対して不純物とならず、加熱時に安定な窒化ケイ素質多孔体にリン分を添加して拡散源とすることにより、薄い形状でも変形等を生じず、再酸化工程も不要であり、さらにリサイクル使用も可能なリン拡散源を提供する。 - 特許庁 - In this producing method, a base metal steel sheet containing <4 wt.% Si is subjected to heating treatment, siliconizing treatment, diffusion soaking treatment and cooling treatment in succession in an atmosphere satisfying the following inequality, and the siliconizing treatment is carried out in a siliconizing treatment furnace in which the concentration of iron chloride is controlled to ≤10 mg/cm3 in terms of the volume of the furnace.
Si：4wt％未満の母材鋼板に対して、下式を満足する雰囲気にて加熱処理、浸珪処理、拡散均熱処理及び冷却処理を順次行い、さらに、浸珪処理する浸珪処理炉内での塩化鉄存在量が炉容積に対して10mg/cm^3以下とする製造方法である。 - 特許庁 - The heat treatment is continuously conducted in a non-oxidative atmosphere with an oxygen concentration of 50 ppm or lower capable of lowering the melting point of the soldering alloy material; the treatment is conducted in a chamber which is equipped with a preheating section, a pre-bonding section, and a diffusion section and has a preset heating program.
とくに、予加熱部、仮接合部及び拡散部を有し、加熱プログラムが設定され、しかもロウ材合金箔の融点低下を生じさせることのできる酸素濃度５０ｐｐｍ以下の非酸化性雰囲気下のチャンバー内で、連続して熱処理を行い、接合体を製造する方法である。 - 特許庁 - Since a quartz type optical waveguide device 5 is directly fixed on a heating element 12, sufficient thermal diffusion to acquire the predetermined demultiplexed wavelength characteristics is carried out, and the waveguide type optical module with which the predetermined demultiplexed wavelength characteristics are acquired is realized.
発熱体１２に石英型光導波路素子５が直接固定されているので、所定の分波波長特性を得るのに十分な熱拡散を行うことができ、所定の分波波長特性が得られる導波路型光モジュールの提供を実現することができる。 - 特許庁 - To provide an electron absorber which is adaptable to continuous vapor deposition on a film base material of a large area as well by solving a problem that electrons heat other parts than a vapor deposition material by the reflection phenomenon or diffusion phenomenon, and an electron beam heating type vapor deposition apparatus using the same.
電子が反射現象または拡散現象によって蒸着材料以外の箇所を加熱してしまう問題を解消し、大面積のフィルム基材への連続蒸着にも対応できる電子吸収体およびそれを用いた電子線加熱蒸着装置を提供する。 - 特許庁 - The device is equipped with a dropping means 20 for dropping the liquid medicine, a vaporizing means 10 which receives the liquid medicine dropped from the dropping means 20 and vaporizes it by heating, and a diffusion means 30 for diffusing the pharmacodynamically effective component of the liquid medicine vaporized by the vaporizing means 10.
薬液を滴下する滴下手段２０と、滴下手段２０から滴下された薬液を受け取り、加熱することにより気化させる気化手段１０と、気化手段１０により気化された薬液の薬効成分を空気中に拡散させる拡散手段３０とを備える。 - 特許庁 - Since a heating means 45 constituted of a PTC element is directly brought into contact with a package of a packed beverage to heat the beverage, only the necessary quantity of beverages can be efficiently and quickly heated up to the temperature suitable for drinking while suppressing the diffusion of heat as much as possible.
ＰＴＣ素子により構成された発熱手段４５と販売する容器入り飲料の容器とを直接接触して飲料を加温するものであるから、必要な本数分だけ飲み頃温度まで熱の拡散を極力抑えて効率よく短時間に加温できる。 - 特許庁 - To adequately adjust a carburized depth and a carbon amount on a surface while inhibiting the formation of cementite, in a continuous vacuum carburizing furnace for continuously carrying out the step of heating a treating material, subjecting the treating material to carburization/diffusion treatment in a reduced pressure, and then lowering the temperature of the treating material.
処理材を加熱し、この処理材に対し減圧状態で浸炭・拡散を行った後、この処理材を降温させる工程を連続して行う連続式真空浸炭炉において、セメンタイトの生成を抑制し、浸炭深さや表面炭素量を適切に調整できるようにする。 - 特許庁 - Then, an impurity diffusion step is performed to dispose a heating device 920 such as a laser annealing device, a heat gas annealing device, or a lamp annealing device on the one surface 10s side and heat the semiconductor layer 1a with the temperature on the one surface 10s side being higher than that on the other surface 10t side.
その後、不純物拡散工程において、一方面１０ｓ側にレーザーアニール装置、ヒートガスアニール装置、ランプアニール装置等の加熱装置９２０を配置し、一方面１０ｓ側を他方面１０ｔ側より温度を高くした状態で半導体層１ａを加熱する。 - 特許庁 - To provide a high speed TIG (Tungsten Inert-Gas) welding method with which heating with a welding arc only to the welding center part can be performed by preventing the diffusion of the welding arc heat and an undercut is not generated when the high speed TIG welding to a thin aluminum sheet is performed without using a backing material.
薄肉のアルミニウム板を裏当て材を用いずに高速度ＴＩＧ溶接する際、溶接アーク熱の拡散を防止して溶接中心部のみの溶接アークによる加熱を可能とし、アンダーカットを生じさせない高速のＴＩＧ溶接方法を提供する。 - 特許庁 - The diffusion sheet 25 is expanded by heating at a temperature exceeding an assembling temperature higher than an operation temperature, while it is a resin which shrinks by cooling it until it reaches a shrinkage limit temperature less than the assembling temperature after expansion, and it includes two apertures HL, HL in its plane.
拡散シート２５は、使用温度より高温な組み立て温度を超える温度での加熱によって膨張する一方、膨張後、組み立て温度未満の収縮限界温度に至るまでの冷却によって収縮する樹脂であって、面内に少なくとも２個の開孔ＨＬ・ＨＬを含む。 - 特許庁 - To provide a method and a device for continuous carburization which can be efficiently adapted to the change in the carburizing depth over an extensive carburizing temperature range and which has increased flexibility in a continuous vacuum carburizing furnace including a heating-up chamber, a carburizing chamber, a diffusion chamber, a cooling-down and holding chamber and a cooling chamber.
昇温室、浸炭室、拡散室、降温・保持室及び冷却室を含む連続真空浸炭炉において、広い範囲の浸炭温度領域にわたって浸炭深さの変化に効率的に対応しフレキシビリティを増した連続浸炭方法及び装置を提供。 - 特許庁 - The main body 1a and the cap part 1b divided in the end part 12 of the connecting rod 1 are joined and integrated by liquid phase diffusion bonding while heating and pressing the butted region 1c in the matching state so that the main body 1a and the cap part 1b are pushing each other so as to sandwich the crank pin 7.
コネクティングロッド１の大端部１２で分割された本体部１ａとキャップ部１ｂとを、クランクピン７を挟み込むようにして互いに突き合わせた状態で、突き合わせ部１ｃを加熱しつつ加圧する液相拡散接合により接合して一体化する。 - 特許庁 - To enable cost reduction by providing at the front side a heat generating part, by power supply to an electrode, of a heat generating resistor, for restraining thermal diffusion of a master to perforation heating so as to reduce the perforation diameter as well as to improve the thermal response for improving the perforation characteristics.
電極への通電に伴う発熱抵抗体の発熱部分を表面側とし、マスターの穿孔加熱までの熱拡散を抑制し、穿孔径を小さくすると共に熱応答性を向上して穿孔特性を改善した、低コスト化が可能な厚膜式サーマルヘッドを得る。 - 特許庁 - An insulating base material is formed with a via hole, and the via hole is packed with coat conductive particles having core members made of second metal having a melting point which is higher than a heating temperature at the time of connecting layers and a surface layer made of metal having a conductor pattern and first metal for generating metallic diffusion.
絶縁基材にビアホールを形成し、ビアホール内に層間接続時の加熱温度よりも高い融点を有する第２の金属からなる心材と、導体パターンを形成する金属と金属拡散を生じる第１の金属からなる表面層とを有するコート導電粒子を充填する。 - 特許庁 - When the flexible areas 2 are heated by heating means 6 consisting of impurity diffusion resistances or the like provided on the surfaces of the flexible areas 2, the flexible areas 2 flex because of a difference in thermal expansion from thin films 4 of aluminum or nickel provided on the flexible areas 2, and the movable element 5 is displaced.
可撓領域２上の表面に設けられた不純物拡散抵抗等よりなる加熱手段６により可撓領域２が加熱されると、この可撓領域２上に設けられたアルミニウム薄膜またはニッケル薄膜などからなる薄膜４との熱膨張差で可撓領域２が撓み可動エレメント５が変位する。 - 特許庁 - At the surface heating step S10, a temperature of the semiconductor substrate 12 at the depth 50 after the implantation step S8 is kept to be lower than a hydrogen ion outward-diffusion temperature, whereby the surface 12b of the semiconductor substrate 12 is heated until a temperature of the surface 12b of the semiconductor substrate 12 reaches a crystal defect disappearing temperature or higher.
表面加熱工程Ｓ１０は、注入工程Ｓ８後の前記深さ５０の半導体基板１２の温度を水素イオン外方拡散温度未満に維持しながら、半導体基板１２の表面１２ｂの温度が結晶欠陥消滅温度以上に昇温するまで半導体基板１２の表面１２ｂを加熱する。 - 特許庁 - In the method by which a base metal steel sheet containing <4 wt.% Si is subjected to heating treatment, siliconizing treatment, diffusion soaking treatment and cooling treatment in succession to produce a high silicon steel sheet, the having treatment is performed in an atmosphere satisfying the following inequality and at the temperature rising rate of ≥50°C/min at a temp of ≥500°C.
Si：4wt％未満の母材鋼板に対して、加熱処理、浸珪処理、拡散均熱処理及び冷却処理を順次行い、高けい素鋼板を製造する方法において、前記加熱処理を下式を満足する雰囲気中でかつ500℃以上での昇温速度が50℃／min以上となるように加熱する。 - 特許庁 - To provide a method and a device for bump bonding, capable of effectively controlling the progress of metal diffusion between formed bumps and electrode pads and surely preventing failures in the gold wire tear-off process after bump formation, by enabling local heating of very small spots on the semiconductor wafer.
半導体ウェハの微小部位に対し局所的に加熱できるようにして、形成済みのバンプと電極パッド間での金属拡散の進行を効果的に抑制でき、バンプ形成後の金線の引きちぎり工程において失敗の発生を確実に防止することのできるバンプボンディング方法および装置を提供する。 - 特許庁 - A material made of the base material and filler powder treated with coating for prevention of diffusion on its surface is kneaded, and the kneaded material is cured by heating.
常温で液体状態のＧａ系液体金属と、フェノール系、エポキシ系、アクリル系等の合成樹脂や非金属の混和材とを練和してこれを基材とし、この基材と表面を拡散防止用の被覆を形成した骨材粉体とを混合・練和し、この混合練和材を加温することによって硬化させることを特徴とする。 - 特許庁 - In the gaps formed when an ion conductive compound with a catalyst layer for becoming the hydrogen ion reaction part, a current collecting plate separator, a gas diffusion layer, and a gasket material are assembled, an expansion material of which the volume is increased by heating or a resin composition containing a foaming agent are arranged in advance before assembling.
水素イオン反応部分となる触媒層付きのイオン伝導性化合物、集電板セパレーター、ガス拡散層及びガスケット材を組立てたときに出来る隙間に、組立て前にあらかじめ、加熱により体積が増加する膨張材もしくは発泡剤を含有した樹脂組成物を配置しておく。 - 特許庁 - To provide an elastic member for electrophotography which has the electrostatic capacity and the electric resistance most suitably controlled by preventing diffusion of isocyanate due to an organic solvent or to heating and by centralizing an isocyanate treatment layer near a surface, and also to provide a manufacturing method thereof, and a process cartridge and an electrophotographic device provided with the elastic member.
有機溶剤や、加熱によるイソシアネートの拡散を防止し、イソシアネート処理層を表面近傍に集中させ、静電容量や電気抵抗を最適に制御した電子写真用弾性部材、その製造方法、該弾性部材を具備するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することである。 - 特許庁 - This manufacturing method of the laminated metallic plate is featured that after ion-etching of at least one side of joining surfaces of the first metallic sheet 4 and the second metallic sheet 5, the first metallic sheet 4 and the second metallic sheet 5 are pressure joined and successively, a heating diffusion treatment is applied, in a vacuum vessel.
真空槽内で、第一の金属帯４の被接合表面と第二の金属帯５の被接合表面の少なくとも一方の面側をイオンエッチングした後、前記第一の金属帯４と第二の金属帯５とを圧接し、ついで加熱拡散処理を行うことを特徴とする積層金属板の製造方法である。 - 特許庁 - A carbon nanotube 3 which is excellent in thermal conductivity is interposed between an electronic circuit element chip 1 which is a heating source and a thermal diffusion/dissipation member 2 having a capability of diffusing and dissipating heat without intervention of a resin adhesive agent, thereby assuring heat radiation performance which can be immune to microfabrication and high integration.
発熱源となる電子回路素子チップ１と熱を拡散するとともに放出する機能を有する熱拡散・放出部材２との間に樹脂接着剤を介することなく熱伝導性に優れるカーボンナノチューブ３を介在させることにより、微細化、高集積化に耐え得る放熱性を確保することができる。 - 特許庁 - The high refractive index part 10 used for performing the propagation of light after being connected to the optical fiber is formed by performing a first ion exchange process (b), and then performing infiltration and diffusion of ions in a second ion exchange process (c) comprising dipping the glass plate 1 into a molten salt 60 free from ions capable of increasing the refractive index and, heating.
光ファイバを接続して光の伝播を行う高屈折率部１０は、第１のイオン交換工程（ｂ）を行った後に、屈折率の上昇に寄与するイオンを含有しない溶融塩６０の中にガラス基板１を浸して加熱する第２のイオン交換工程（ｃ）により侵攻，拡散させて形成する。 - 特許庁 - To provide an apparatus and a method for simulating the shape of a resist pattern and a recording medium in which the shape of a resist pattern being formed on an wafer is predicted by numerical simulation without requiring any preliminary measurement or experiment for predicting diffusion phenomenon of acid in the heating process of resist following to exposure.
レジスト露光後加熱の工程における酸の拡散現象を予測するために予備的な実測実験を行なうことなく、ウェーハ上に形成されるレジストパターン形状を数値シミュレーションにより予測するレジストパターン形状のシミュレーション装置、シミュレーション方法および記録媒体を提供する。 - 特許庁 - On the liquid cooling section 9, there is provided a liquid cooling pump 14 serving as a magnetic pump for circulating a refrigerant in a flow passage 10, and heat dissipated on the heating parts such as the CPU 6 and the heater 7 is subjected to heat diffusion over the whole of the liquid cooling section 9 by heat conduction by circulating the refrigerant by the liquid cooling pump 14.
液冷部９には、流通路１０の中の冷媒を循環させる電磁ポンプである液冷用ポンプ１４が設けられており、液冷用ポンプ１４によって冷媒を循環させることにより、ＣＰＵ６や発熱体７等の発熱部品で発生した熱を熱伝達により液冷部９全体に熱拡散させる。 - 特許庁 - While the heating treatment at the temperature of 50 to 400°C after the encapsulation of a material contaminated with tritium where tritium disperses on its surface and inside and light water into a closed vessel accelerates the transfer of the tritium existing on the surface of the tritium material into steam, the heating promotes the diffusion of the tritium existing inside the tritium material onto the surface of the material and the transfer of it into steam on the surface.
トリチウムが材料の表面ならびに内部に分布しているトリチウム汚染材料と軽水とを密閉容器中に封入した後、温度５０〜４００℃で加熱処理することにより、前記トリチウム材料表面に存在するトリチウムの水蒸気中への移行を促進させると同時に、加熱により前記トリチウム材料内部に存在するトリチウムの材料表面への拡散と表面での水蒸気への移行を促進させる。 - 特許庁 - A method for forming a Cu wiring film on a TiN film for diffusion barrier, after the TiN is formed, includes an annealing step of heating a base film to a temperature of 200-500°C in a vacuum state without exposing the base film to the atmosphere after a step of forming the base film between the steps of forming the TiN film and the Cu wiring film.
このＣｕ配線膜形成方法は、拡散バリア用ＴｉＮ膜を成膜し、ＴｉＮ膜の上にＣｕ配線膜を成膜する方法であり、ＴｉＮ膜の成膜工程とＣｕ配線膜の成膜工程の間に下地膜の成膜工程後大気にさらすことなく真空一貫の状態で２００〜５００℃の温度で加熱するアニール工程を設ける。 - 特許庁 - An alloy powder production method in which rare earth metal-containing alloy powder is produced by the reduction diffusion reaction of rare earth metal oxide, the other metal and a reducing agent to be heat-generated by hydrogenation or nitriding, is provided with a step of heating the rare earth metal oxide, the other metal, and the reducing agent in a hydrogen atmosphere or a nitrogen atmosphere.
希土類金属酸化物と、他の金属と、水素化又は窒化によって発熱する還元剤との還元拡散反応によって、希土類金属を含む合金粉末を製造する合金粉末製造方法に、前記希土類金属酸化物、他の金属及び還元剤を、水素雰囲気又は窒素雰囲気中で加熱する工程を備える。 - 特許庁 - The method for carburizing and quenching a workpiece to be treated of a steel component is characterized by transferring the treated workpiece through a carburization process or a diffusion process to a temporary cooling process, a re-heating process, a quenching process, or the like, with a transferring unit which is kept under such a reduced pressure that the above workpiece is not oxidized or decarbonized.
鋼部品を被処理品とする浸炭焼入れ工程において、浸炭拡散工程、あるいは拡散工程が終了した被処理品を、前記被処理品が酸化、あるいは脱炭しない程度の減圧下に保持された搬送ユニットを介して、一時冷却工程、再加熱工程、焼入れ工程等へ移送する浸炭焼入れ方法。 - 特許庁
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