「diffusion-layer」を含む例文一覧(5831)
＜前へ 1 2 .... 40 41 42 43 44 45 46 47 48 .... 116 117 次へ＞- The diffusion region 12 covered by the salicide layer 2 is formed sufficiently deeper than a spike 16.
そして、サリサイド層２によって覆われた拡散領域１２は、スパイク１６より十分に深く形成されている。 - 特許庁 - N-type diffusion layers 117a and 117b are formed on the surface of the n-type epitaxial layer 104.
前記Ｎ型エピタキシャル層１０４の表面部分にＮ型拡散層１１７ａおよび１１７ｂを形成する。 - 特許庁 - A second impurity diffusion layer 70 is provided in the semiconductor substrate 20 to overlap with the floating gate 40.
第２の不純物拡散層７０は、半導体基板２０内に設けられ、フローティングゲート４０とオーバーラップしている。 - 特許庁 - LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING AREA OF PHOTONIC CRYSTAL LAYER AND DIFFUSION MATERIAL, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
フォトニック結晶の層および拡散材料の領域を有する発光素子、ならびにこの素子の製造方法 - 特許庁 - The gas diffusion phase communicates with the front surface through the back surface of the electrode structure in the stacking direction of the electrode layer.
ガス拡散相が電極構造体の表面から裏面まで、電極層の積層方向に連通している。 - 特許庁 - GAS DIFFUSION LAYER ELEMENT FOR SOLID POLYMER FUEL CELL, SOLID POLYMER FUEL CELL, AND ITS MANUFACTURING METHOD
固体高分子形燃料電池用ガス拡散層要素、固体高分子形燃料電池およびその製造方法 - 特許庁 - The NPN transistor forms an N-type collector region 60 through diffusion in the island region 25, to form a collector layer.
ＮＰＮトランジスタは、島領域２５にＮ型のコレクタ領域６０を拡散により形成して、コレクタ層とする。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING GAS DIFFUSION LAYER, ELECTRODE FOR SOLID POLYMER FUEL CELL, AND SOLID POLYMER FUEL CELL
ガス拡散層の製造方法、固体高分子型燃料電池用電極、及び、固体高分子型燃料電池 - 特許庁 - To provide a metal diffusion barrier layer having excellent bonding properties to metals and dielectric materials.
各種金属及び誘電体材料に対して良好な接着性を有する金属拡散バリア層を提供する。 - 特許庁 - The fuel electrode 10 is composed of a fuel electrode catalyst layer 12 and a fuel electrode diffusion electrode 11.
燃料極１０は、燃料極触媒層１２と燃料極拡散電極１１とから構成されている。 - 特許庁 - The photodiode 31 transfers the signal charge generated by the energy, which is photodetected to the floating diffusion layer 43.
フォトダイオード３１は受光されるエネルギーによって生成された信号電荷を浮遊拡散層４３に伝送する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a gas diffusion layer which is simple and of a low cost and superior in productivity.
簡易かつ安価で、生産性に優れたガス拡散層の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - A first N-type impurity diffusion layer 41 is formed in the region between adjoining P-type wells 23.
隣り合うＰ型ウエル２３の間の領域には、第１Ｎ型不純物拡散層４１が形成されている。 - 特許庁 - The disulfide compound is diffused in an interior of the sliding face 1a to form a diffusion layer 10.
二硫化化合物は摺動面１aの内部に拡散されることによって拡散層１０を形成している。 - 特許庁 - Consequently, a diffusion layer contact pattern is not required, and the active region can be reduced in size.
これにより、拡散層コンタクトパターンが不必要となるとともに、活性領域を縮小することが可能となる。 - 特許庁 - An SONOS structure cell is formed by providing a bit-line diffusion layer in shallow trenches in which a conductive film is embedded.
導電体膜が埋め込まれたシャロートレンチ溝内にビットライン拡散層を設けてＳＯＮＯＳ構造セルとする。 - 特許庁 - The element protective layer 4 is configured such that its thickness in the diffusion side corner parts 221 is larger than its thickness in the side parts 21.
素子保護層４は、拡散側角部２２１における厚みが辺部２１における厚みよりも大きい。 - 特許庁 - The exothermic resistors 12, 13, the connection conductor 16, and the thermal diffusion bodies 17, 18 are protected by a glass protective layer 19.
発熱抵抗体１２，１３、接続導体１６、熱拡散体１７，１８は、ガラス保護層１９で保護する。 - 特許庁 - To reduce the probability of occurrence of silicide short circuiting between a deletion gate and a plug which is connected to a diffusion layer.
消去ゲートと拡散層に接続されるプラグとの間のシリサイド・ショートの発生確率を低減させる。 - 特許庁 - A transfer transistor and the short transistor have a diffusion layer in common coupled to one of the storage nodes.
トランスファトランジスタおよびショートトランジスタは、記憶ノードの一方に接続された共通の拡散層を有している。 - 特許庁 - To provide a method of depositing a metal film on the surface of a substrate on which a diffusion barrier layer is deposited.
拡散バリア層を被着した基材表面に金属膜を被着するための方法を提供すること。 - 特許庁 - Conductive members 150 are arranged on surfaces of the ribs 141 on a gas diffusion layer side to cover the grooves 145.
導電性部材１５０は、溝１４５を覆うように、リブ１４１のガス拡散層側の面上に配置される。 - 特許庁 - To provide a method for forming a uniform diffusion layer in the surface of a spherical semiconductor.
球状の半導体の表面に均一な拡散層を形成するための方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - It is characterized in that the lower electrode 42 and an adhesion layer 41 contain an anti-diffusion metal (e.g. lead).
特に、下部電極(42)と密着層(41)に拡散防止性金属（鉛など）を含有させておく点に特徴がある。 - 特許庁 - To provide a technology in which generated water can be exhausted efficiently from a gas diffusion layer in a fuel cell.
燃料電池において、ガス拡散層から生成水を効率よく排出する技術を提供すること。 - 特許庁 - To prevent an increase in size of a semiconductor device by forming a resistance element on a diffusion layer with a good area efficiency.
半導体素子の拡散層に抵抗素子を面積効率よく形成し、半導体素子の大型化を防ぐ。 - 特許庁 - The concentration of impurity on the surface of the p-type diffusion layer 12 is 5×10^15 to 2×10^16 cm^-3.
Ｐ型拡散層１２の表面不純物濃度は５×１０^１５〜２×１０^１６ｃｍ^−３である。 - 特許庁 - Further, the circumference of the flank of a superlattice multiplication layer exposed by impurity diffusion is made of uniform alloy.
さらに、不純物拡散などにより露出した超格子増倍層の側面近傍を均一合金とする。 - 特許庁 - The p-type diffusion layer forming composition of the present invention includes a glass powder including an accepter element, and disperse soot.
本発明のｐ型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有する。 - 特許庁 - Each probe 2 is a protrusion formed by crystal growth using the drain (high-density diffusion layer) of the NMOSFET as a base.
各プローブ２は、ＮＭＯＳＦＥＴのドレイン（高濃度拡散層）を下地として結晶成長させた突起である。 - 特許庁 - A thickness retention material (for example, zirconia particle and glass particle) for suppressing crushing of the thickness of the gas diffusion layer is provided.
ガス拡散層の厚さの潰れを抑制する厚さ保持材（例えばジルコニア粒子、ガラス粒子）を備えている。 - 特許庁 - Gate electrodes are formed to intersect at right angles along the vicinity of the center lines of the rectangular region of the diffusion layer.
また、該拡散層の矩形領域の中心線近傍に沿ってゲート電極を直行するように形成する。 - 特許庁 - To provide a nitride semiconductor light emitting element capable of preventing diffusion of Mg doped in a barrier layer.
障壁層にドーピングされたＭｇの拡散を防ぐことができる窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁 - A contact region, i.e., a diffusion layer 13, is formed beneath an interlayer insulation film 12 formed on a substrate 11.
基板１１上の層間絶縁膜１２下層にコンタクト領域である拡散層１３が形成されている。 - 特許庁 - To prevent reduction of a performance of a hydrogen permeable membrane caused by metal diffusion in a coating layer containing Pd.
Ｐｄを含有する被覆層における金属拡散に起因した水素透過膜の性能低下を防止する。 - 特許庁 - An N-type diffusion layer (CCD transfer channel) 4 is selectively formed on the surface of an N-type semiconductor substrate 1.
ｎ型半導体基板１の表面に選択的にｎ型拡散層（ＣＣＤ転送チャンネル）４を形成する。 - 特許庁 - The heat diffusion layer 322 is formed by applying a composition containing graphite powder, a binder, and a curing agent.
上記熱拡散層３２２は黒鉛粉末、バインダー及び硬化剤を含む組成物を塗布して形成される。 - 特許庁 - The concentration of impurities in the pocket diffusion layer is set so that the threshold value of the MISFET becomes a required value.
ポケット拡散層の不純物濃度はＭＩＳＦＥＴのしきい値が所望の値になるように設定される。 - 特許庁 - Four n^+ regions (electrode diffusion regions) 3, 4, 5, 6 are formed in the n-type epitaxial layer 2.
Ｎ型エピタキシャル層２において４つのＮ^+領域（電極用拡散領域）３，４，５，６が形成されている。 - 特許庁 - The p-type cladding layer contains a p-type impurity with a diffusion coefficient lower than that of zinc, for example, beryllium.
上記ｐ型クラッド層は、亜鉛より拡散係数が低いｐ型不純物、例えば、ベリリウムを含有する。 - 特許庁 - To provide a soft X-ray multilayer film mirror which can reduce diffusion layer that causes deterioration decline in the reflectance.
反射率の低下を招く拡散層の低減を図ることが可能となる軟Ｘ線多層膜ミラーを提供する。 - 特許庁 - The adhesion layer includes an adhesive 49a and a first diffusion component 49b dispersed into the adhesive.
接着層は、接着剤４９ａと、接着剤内に分散された第１の拡散成分４９ｂと、を含む。 - 特許庁 - The gas diffusion layer substrate 2 comprising the fibers is placed and warped on a roller 10 to get fiber protrusions 6 up.
繊維を含んでなるガス拡散層基材２をローラー１０に載せて反らせ、繊維突起６を起き上がらせる。 - 特許庁 - The electrode of the fuel cell is equipped with a diffusion layer 2 and a separator 3 forming a gas passage 3b.
本発明の燃料電池の電極は、拡散層２と、ガス流路３ｂを形成するセパレータ３とを備えている。 - 特許庁 - MEMBRANE-ELECTRODE-GAS DIFFUSION LAYER-GASKET ASSEMBLY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SOLID POLYMER FUEL CELL
膜−電極−ガス拡散層−ガスケット接合体及びその製造方法、並びに固体高分子形燃料電池 - 特許庁 - The impurity diffusion region consists of a pair of regions formed at the location sandwiching the gate electrode formed on the semiconductor layer.
不純物拡散領域は、半導体層のゲート電極を挟む位置に形成された、一対の領域である。 - 特許庁 - The n-type diffusion layer forming composition contains glass powder containing a donor element, and a dispersion medium.
本発明のｎ型拡散層形成組成物は、ドナー元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有する。 - 特許庁 - To connect a catalyst, a gas diffusion layer and a separator with each position of these components on an electrolytic film positioned with high positional accuracy.
触媒やガス拡散層およびセパレータの電解質膜上の各位置を高い位置精度で接合させる。 - 特許庁 - Selection transistors having a diffusion layer in an upper portion of the semiconductor substrate are provided on the semiconductor substrate.
前記半導体基板上に、前記半導体基板上層部に拡散層を有する選択トランジスタが設けられる。 - 特許庁 - On top of the p-type diffusion layer 15, a plate electrode 5b is formed via a capacity insulation film 4b.
そして、Ｐ型拡散層１５上には、容量絶縁膜４ｂを介してプレート電極５ｂが形成されている。 - 特許庁
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