「diffusion-layer」を含む例文一覧(5831)
＜前へ 1 2 .... 43 44 45 46 47 48 49 50 51 .... 116 117 次へ＞- A cathode side electrode 4 and an electron diffusion layer 14 are provided in this order from the electrolyte/electrode assembly 12 side toward the separator 6b on one end surface of the electrolyte/electrode assembly 12, and the electrons reached to the electron diffusion layer 14 through the bosses 7b of the separator 6b are diffused throughout the whole area of the electron diffusion layer 14.
電解質・電極接合体１２の一端面には、該電解質・電極接合体１２側からセパレータ６ｂに向かってカソード側電極４、電子拡散層１４がこの順序で設けられており、セパレータ６ｂのボス部７ｂを介して電子拡散層１４に到達した電子は、この電子拡散層１４の全域に拡散する。 - 特許庁 - The produced gas exhausting part 50 is comprised of a produced gas diffusion layer 51 connected to the side edge of a fuel gas diffusion layer 44, a gas separation membrane 52 installed so as to face the produced gas diffusion layer 51, and whose surface is exposed, and a produced gas exhausting hole 53 formed so as to open on the side surface 41b of a fuel electrode side housing 41.
生成ガス排出部５０は、燃料ガス拡散層４４の側縁に接続する生成ガス拡散層５１と、生成ガス拡散層５１に対向して設けられたガス分離膜５２と、ガス分離膜５２の表面を露出させると共に燃料極側筐体４１の側面４１ｂに開口して形成された生成ガス排出孔５３から構成される。 - 特許庁 - The semiconductor device 100 has a DRAM section 102, including a transistor consisting of a first diffusion layer 108 formed in a silicon substrate 101, a gate electrode 118 formed on the silicon substrate 101, and a second diffusion layer 106 provided on the side opposite to the first diffusion layer 108, while holding the gate electrode 118 in between.
半導体装置１００は、ＤＲＡＭ部１０２を含み、ＤＲＡＭ部１０２に、シリコン基板１０１内に形成された第１拡散層１０８と、シリコン基板１０１上に形成されたゲート電極１１８と、ゲート電極１１８を挟んで第１拡散層１０８の反対側に設けられた第２拡散層１０６とから構成されるトランジスタを含む。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein a polycrystaline silicon electrode connected to the diffusion layer of a cell transistor and a metal electrode connected to the diffusion layer of a peripheral transistor are installed, and bonding leakage current of the diffusion layer is restrained in which the polycrystaline silicon electrode has been formed, so that good data holding characteristics is installed.
セルトランジスタの拡散層に接続された多結晶シリコン電極と、周辺回路トランジスタの拡散層に接続された金属電極とを備え、多結晶シリコン電極が形成された拡散層の接合リーク電流が抑制され、これによって、良好な情報保持特性を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In a second transistor 7, a control electrode and an input-side diffusion layer are connected to a diffusion layer on the output side of the first transistor 3 and the second transistor 7 is put in a continuity state under control only when the pulse wave of a clock signal generated from the first transistor 3 is entered in the control electrode and the input-side diffusion layer.
第２のトランジスタ７は、第１のトランジスタ３の出力側の拡散層に対して制御電極と入力側の拡散層とが接続され、第１のトランジスタ３から出力されてくるクロック信号のパルス波が当該制御電極および当該入力側の拡散層に入力したときにのみ導通状態に制御される。 - 特許庁 - Thus, even when forming the diffusion layer region 5 thiny, the shrinkage at both ends in the longitudinal direction of the diffusion layer region 5 is suppressed, and the increase of the contact resistance is suppressed, while securing the connection area of both ends in the longitudinal direction of the diffusion layer region 5 and a contact plug 13 embedded in a contact hole 12.
これにより、拡散層領域５を細く形成する場合でも、拡散層領域５の長手方向の両端における縮みを抑制することができ、拡散層領域５の長手方向における両端と、コンタクトホール１２に埋め込まれたコンタクトプラグ１３との接続面積を確保しながら、コンタクト抵抗の上昇を抑えることが可能である。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate, a plurality of diffusion layer patterns formed on top of the semiconductor substrate, an insulation film formed among the plurality of diffusion layer patterns formed on top of the semiconductor substrate, and a pass-through plug which is not in contact with the plurality of diffusion layer patterns and has its part surrounded by the insulation film and is formed through the insulation film and the semiconductor substrate.
半導体基板と、半導体基板上に形成された複数の拡散層パターンと、半導体基板上の複数の拡散層パターン間に形成された絶縁膜と、複数の拡散層パターンには接することなくその一部が絶縁膜に包囲されて絶縁膜および半導体基板を貫通して形成された貫通プラグとを具備する。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting element comprises a GaN buffer layer 102, a non-doped GaN layer 103, an n-type GaN contact layer 104, an n-type AlGaN lower cladding layer 105, a multiple quantum well light emitting layer 106, a p-type AlGaN upper cladding layer 107 and a p-type GaN current diffusion layer 108 sequentially laminated on a sapphire substrate 101.
サファイア基板１０１上に、ＧａＮバッファ層１０２、ノンドープＧａＮ層１０３、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０４、ｎ型ＡｌＧａＮ下クラッド層１０５、多重量子井戸発光層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ上クラッド層１０７およびｐ型ＧａＮ電流拡散層１０８が順次積層されている。 - 特許庁 - In the organic EL element in which a hole injection layer 30, a hole transporting layer 40, a luminous layer 50, an electron transporting layer 60, an electron injection layer 80, and a negative electrode 90 are laminated in order, a diffusion layer 70 made of electron injecting material is provided in the electron transporting layer 60.
陽極２０の上に、正孔注入層３０、正孔輸送層４０、発光層５０電子輸送層６０、電子注入層８０、陰極９０が順次積層されてなる有機ＥＬ素子において、電子輸送層６０内に、電子注入性材料からなる拡散層７０が設けられている。 - 特許庁 - Then, by mutually engaging a loop member equipped on the surface of the anode side catalyst layer 114a and a hook member equipped in the surface of the anode side gas diffusion layer 116a, the anode side catalyst layer 114a and the anode side gas diffusion layer 116a are joined detachably.
そして、アノード側１１４ａ触媒層１１４ａと、アノード側ガス拡散層１１６ａとは、アノード側触媒層１１４ａの表面に備えられたループ部材と、アノード側ガス拡散層１１６ａの表面に備えられたフック部材とを互いに係合することによって、着脱可能に接合されている。 - 特許庁 - Since the split capacity electrodes 24 and 25 are connected with adjacent diffusion layers 14 and 15 through a first interconnection layer directly above the capacity electrodes, charges generated in the fabrication process subsequent to the process for forming the first interconnection layer can be discharged to the diffusion layer and a capacitive oxidation layer can also be protected against breakdown.
また、２分割された容量電極２４、２５を隣接する拡散層１４、１５に、容量電極すぐ上の第１配線層で接続する構成とするので、第１配線層形成工程以降の製造工程で発生するチャージを拡散層に放電することができ、容量酸化膜の破壊を防ぐことも可能となる。 - 特許庁 - Since a diffusion layer 13 formed during film formation between the Si layer 11 and the Mo layer 12 has a property reducing a reflectivity of the multilayered film mirror 10, a film thickness distribution is provided in the in-plane direction of the diffusion layer 13 to correspond to a mirror peripheral part and a center part having each different incident angle of a soft X-ray R1.
Ｓｉ層１１とＭｏ層１２の間に成膜中に形成される拡散層１３は、多層膜ミラー１０の反射率を低下させる性質があるため、軟Ｘ線Ｒ１の入射角度が異なるミラー周辺部分と中央部に対応するように、拡散層１３の面内方向に膜厚分布を設ける。 - 特許庁 - The method for manufacturing the membrane-electrode assembly comprises a process for forming the membrane-electrode assembly; a process for forming the adhesive layer on the gas diffusion layer; and a process for joining the membrane-electrode assembly and the gas diffusion layer through the adhesive layer and forming the membrane-electrode assembly.
この膜−電極接合体の製造方法は、膜−触媒層接合体を形成する工程、ガス拡散層上に接着剤層を形成する工程、および、前記膜−電極接合体と前記ガス拡散層を接着剤層を介して接合し、膜−電極接合体を形成する工程からなる。 - 特許庁 - In the electrode structure composed of a polymer electrolyte membrane, and an anode and a cathode having a catalyst layer and a diffusion layer, the anode side diffusion layer has a CO decomposition reaction layer, and the pressure difference measured by a pressure difference measuring method is not less than 60 mmaq and not more than 120 mmaq.
高分子電解質膜、触媒層と拡散層を有するアノードおよびカソードからなる固体高分子型燃料電池用電極構造体であって、アノード側の拡散層は、一酸化炭素分解反応層を備え、かつ、差圧測定法により測定された差圧が６０ｍｍａｑ以上１２０ｍｍａｑ以下である。 - 特許庁 - The diode element comprises a P type silicon layer 3 formed at a part positioned in an underlayer of the partial separation insulating film 4 in the active region 30, and a P type diffusion layer 5 and an N type diffusion layer 6 formed to reach the buried insulating film 2 while sandwiching the partial separation insulating film 4 and the P type silicon layer 3.
ダイオード素子は、活性領域３０における部分分離絶縁膜４の下層に位置する部分に形成されるＰ型シリコン層３と、埋込み絶縁膜２に達し、部分分離絶縁膜４およびＰ型シリコン層３を挟むように形成された、Ｐ型拡散層５およびＮ型拡散層６とを有する。 - 特許庁 - The gas diffusion layer 42 of the cathode electrode 4 has a water retaining/water repellent part mixed layer 44 in which a water retaining part 442 is formed in a water repellent part 441, and a conductive gas exchange restriction layer 7 is installed in a restriction region established beforehand on the entrance side of the oxidant gas passage 6 between the oxidant gas passage 6 and the gas diffusion layer 42.
カソード電極４のガス拡散層４２は、撥水部４４１内に保水部４４２が形成された保水・撥水部混在層４４を有し、酸化ガス流路６とガス拡散層４２の間には、酸化ガス流路６の入口側に予め設定した制限領域に導電性のガス交換制限層７を設けている。 - 特許庁 - Further, the method for producing a resin-coated Ni-plated steel sheet having excellent corrosion resistance is characterized in that the oxide film is formed by forming the Ni-plated steel sheet on the surface layer of the Ni-plated steel sheet composed of the Fe-Ni diffusion layer or the Fe-Ni diffusion layer and the Ni plating layer by means of the anode electrolysis treatment.
また、Ｆｅ−Ｎｉ拡散層、またはＦｅ−Ｎｉ拡散層とＮｉメッキ層からなるＮｉメッキ鋼板の表層に、前記Ｎｉメッキ鋼板をアノード電解処理することにより酸化膜を形成し、更に樹脂を被覆することを特徴とする耐食性に優れた樹脂被覆Ｎｉメッキ鋼板の製造方法である。 - 特許庁 - In a fuel electrode 12 and an oxidant electrode 13 having a gas diffusion layer 18 for a fuel cell and a catalyst layer 17 arranged on one surface of the gas diffusion layer 18, the catalyst layer 17 is composed of a carrier and the platinum group metal fine particles having a particle size of 2 nm or less arranged on the surface of the carrier.
燃料電池用のガス拡散層１８と、このガス拡散層１８の一方の面１８ａに配された触媒層１７とを備えた燃料極１２および酸化剤極１３において、触媒層１７を、担持体およびこの担持体の表面に配された粒径が２ｎｍ以下の白金族金属微粒子から構成する。 - 特許庁 - The photodiode unit PD includes a light reception portion 11 comprising an N conductivity type diffusion layer for accumulating signal charges obtained by photoelectrically converting incident light, and an accumulation layer 12 comprising a diffusion layer region (P-layer) of low impurity concentration having, for example, a P conductivity type for suppressing a dark current.
フォトダイオード部ＰＤは、入射光を光電変換して得た信号電荷を蓄積するためのＮ導電型の拡散層からなる受光部１１と、暗電流を抑制するための、たとえばＰ導電型を有する低不純物濃度の拡散層領域（Ｐ−層）からなるアキューミュレーション層１２と、を有して構成されている。 - 特許庁 - The membrane electrode assembly of the fuel cell is formed in such a way that a cathode catalyst layer 16, a cathode primary coat 17, and a cathode diffusion layer 18 are stacked on the cathode side of an electrolyte membrane, an oxygen gas passage 24 is installed on the outside of the cathode diffusion layer 18, and each layer and the electrolyte membrane are arranged in the gravity acting direction.
燃料電池の膜電極接合体は、電解質膜のカソード側に、カソード触媒層１６、カソード下地層１７、カソード拡散層１８を積層し、カソード拡散層１８の外側に酸素ガス流路２４を設け、各々の層および電解質膜を重力の作用する方向に向けて配置するものである。 - 特許庁 - The shock diffusion layer 24 stuck on the shock absorbing layer 22 is formed of a relatively hard material, and when stress concentrating on one point is applied from outside the vacuum envelope 10, the shock diffusion layer 24 diffuses the force therefor in a surface direction to uniformly transmit it to the entire surface of the shock absorbing layer 22.
衝撃吸収層２２の上に積層された衝撃拡散層２４は、比較的硬い材料により形成されており、真空外囲器１０の外側から１点に集中する応力が加えられたとき、その力を面方向に拡散して衝撃吸収層２２の全面に均一に伝達する。 - 特許庁 - The resin-coated Ni-plated steel sheet excellent in corrosion resistance is obtained by forming an oxide film formed by forming an Ni plating layer on the surface layer of an Ni-plated steel sheet composed of an Fe-Ni diffusion layer or an Fe-Ni diffusion layer by means of an anode electrolysis treatment, and applying a resin thereon.
本発明の要旨とするところは、Ｆｅ−Ｎｉ拡散層、またはＦｅ−Ｎｉ拡散層とＮｉメッキ層からなるＮｉメッキ鋼板の表層に、前記Ｎｉメッキ鋼板をアノード電解処理することにより形成した酸化膜を有し、更に樹脂を被覆してなる耐食性に優れた樹脂被覆Ｎｉメッキ鋼板である。 - 特許庁 - The fuel cell is provided with a power generating body including an electrolyte layer and an electrode layer, a diffusion layer equipped with a flow channel for passing gas through used for power generation and supplying gas to the power generating body, a separator supplying gas to the diffusion layer, and a sealing part formed along an end face of the power generating body.
燃料電池は、電解質層と電極層とを含む発電体と、発電に用いられるガスを流通させるための流路を内部に有し、発電体にガスを供給する拡散層と、拡散層にガスを供給するセパレータと、発電体の端面に沿って形成されたシール部と、を備える。 - 特許庁 - In the plated steel sheet for the positive electrode can of the alkali manganese battery, an Fe-Ni diffusion plated layer or an Fe-Ni diffusion plated layer and an Ni plated layer are deposited on the side to be used as the inside face of the can, and the thickness of an oxidation film in the oustermost surface layer is 50 to 1,000 nm.
本発明の要旨は、アルカリマンガン電池正極缶用のメッキ鋼板であって、缶内面になる面にＦｅ−Ｎｉ拡散メッキ層、またはＦｅ−Ｎｉ拡散メッキ層とＮｉメッキ層が形成され、その最表層の酸化膜厚みが、５０〜１０００ｎｍであることを特徴とするものである。 - 特許庁 - The deodorizing apparatus 1 includes a deodorizing layer 4 containing a deodorizing and cleaning medium (M) containing microorganisms decomposing malodor substances, and a diffusion layer 3 supporting the deodorizing layer 4 thereon and diffusing the treating object gas, the diffusion layer 3 is composed of a three-dimensional gas-flowable net-like structure 2.
本発明にかかる脱臭装置１は、臭気物質を分解する微生物を含む脱臭浄化媒体（Ｍ）を含む脱臭層４と、脱臭層４を下方から支持するとともに被処理ガスを拡散可能とする拡散層３とを備え、この拡散層３は、ガス流通可能な立体網状構造体２からなる。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor device includes: forming an etching inhibition layer 107; then forming an n-type extension region (diffusion layer) 112 and a p-type extension region (diffusion layer) 115 in a silicon substrate (semiconductor substrate) 104; and then cleaning the top surface of the silicon substrate 104 in a state where the etching inhibition layer 107 is formed.
半導体装置の製造方法では、エッチング抑制層１０７を形成した後に、シリコン基板（半導体基板）１０４内にn型エクステンション領域（拡散層）１１２およびp型エクステンション領域（拡散層）１１５を形成した後、エッチング抑制層１０７を形成した状態でシリコン基板１０４の上面を洗浄する。 - 特許庁 - The gas diffusion layer is composed by forming a water repellent layer 120 on a gas diffusion substrate 110, containing carbon particles 121 coated with a water repellent material in the water repellent layer, and continuously passing carbon particles 122 subjected to hydrophilic treatment through in the thickness direction in at least one part of the water repellent layer.
ガス拡散基材上１１０に撥水層１２０が形成された構成を有し、前記撥水層は撥水剤にコーティングされてなるカーボン粒子１２１を含み、さらに前記撥水層の少なくとも一部に親水処理されたカーボン粒子１２２が連続して厚さ方向に向かって貫通したガス拡散層となっている。 - 特許庁 - In a negative limiting current oxygen sensor, a heater is arranged, while being alienated from a place on the heater surface of a diffusion layer for gas diffusion speed control at the boundary section between a portion where the lead takeout section of an electrode layer comes into contact with a solid electrolyte layer and a portion exposed to an atmosphere of the lead takeout section of a cathode layer.
陰極層のリード取り出し部と固体電解質層とが接触している部分と陰極層のリード取り出し部の雰囲気中に露出している部分との境界部のガス拡散律速用拡散層のヒータ側面における箇所から離間してヒータが配されている限界電流式酸素センサ。 - 特許庁 - A P^+ type channel stop layer under the source and drain region of a transfer transistor 103 is arranged such that it contacts a depletion region 208, which is formed around the floating diffusion region 106, i.e. an N^+ diffusion layer, only at E point.
転送トランジスタ１０３のソースドレイン領域の下のＰ＋チャネルストップ層がＮ＋拡散層であるフローティングディフュージョン領域１０６の周りに形成される空乏層２０８と概ね点Ｅのみで接触するようにする。 - 特許庁 - To provide a light diffusion layer having glare shielding property and good surface hardness and to provide a light diffusive sheet with the light diffusion layer and an optical element with the light diffusive sheet.
防眩性を有し、かつ良好な表面硬度を有する光拡散層を提供すること、さらには当該光拡散層を有する光拡散性シート、当該光拡散性シートが設けられている光学素子を提供すること。 - 特許庁 - In the first diffusion region 102, a power supply potential VSS is supplied via wiring 112 of a first wiring layer and wiring 108 provided in a second wiring layer so as to have some overlaps with the second diffusion region 104.
第１の拡散領域１０２には第１の配線層の配線１１２と、第２の拡散領域１０４と重なりを有するように第２の配線層に設けられた配線１０８とを介して、電源電位ＶＳＳが給電される。 - 特許庁 - To provide a gas diffusion layer for a fuel cell having excellent conductivity, strength, gas permeability, and an ability to control water, and to provide a method for manufacturing the gas diffusion layer for a fuel cell with ease, at low cost, and in a simple manner.
導電性、強度、ガス透過性、水管理能力の良好な燃料電池用ガス拡散層を提供し、さらに、そのような燃料電池用ガス拡散層を容易に低コストで簡便に製造する方法を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor device has a semiconductor substrate (1), a p-type impurities diffusion layer (2) formed on the semiconductor substrate, and Ni silicide (3) formed on the diffusion layer, wherein it has an alignment mark (6) for lithography on its Ni silicide.
半導体基板（１）と、前記半導体基板に形成されたｐ型不純物拡散層（２）と、前記拡散層上に形成されたＮｉシリサイド（３）と、を備え、前記Ｎｉシリサイド上にリソグラフィー用の合わせマーク（６）を有する。 - 特許庁 - An anti-fuse consisting of an NMOS transistor or an NMOS capacitor includes a first terminal connected to a gate electrode, a second terminal connected to a diffusion layer, and a gate insulation film interposed between the gate electrode and the diffusion layer.
ＮＭＯＳトランジスタあるいはＮＭＯＳキャパシタを用いたアンチヒューズは、ゲート電極に接続された第１端子と、拡散層に接続された第２端子と、ゲート電極と拡散層との間に介在するゲート絶縁膜と、を備える。 - 特許庁 - After isotropic etching a substrate 31 on which a P+ type diffusion layer 35 is formed by using a resist film 37 of a pattern corresponding to the gate, an insulation film 43 sandwiching the P+ type diffusion layer 35 is formed on the substrate 31.
Ｐ^+型拡散層３５を形成した基板３１に、ゲートに対応するパターンのレジスト膜３７を用いて等方性エッチングを施した後に、Ｐ^+型拡散層３５を挟む絶縁膜４３を基板３１上に形成する。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided with a shared contact 111 that electrically connects an n-type impurity diffusion layer 106 formed on a p well 103 with a p-type impurity diffusion layer 108 formed on an n well 104.
半導体装置は、Ｐウェル１０３上に形成されたＮ型不純物拡散層１０６とＮウェル１０４上に形成されたＰ型不純物拡散層１０８とを電気的に接続するシェアードコンタクト１１１を備えている。 - 特許庁 - The method of forming the diffusion-preventive mask includes a process of forming a mask layer 2 to serve as the diffusion-preventive mask by coating a substrate 1 with mask ink containing a silicon compound by using an ink jet method and a process of baking the substrate 1 including the mask layer 2.
インクジェット法を用いて、基板１上にシリコン化合物を含むマスクインクを塗布することにより、拡散防止マスクとなるマスク層２を形成する工程と、マスク層２を含む基板１を焼成する工程とを備えている。 - 特許庁 - An element separating region 9 is formed in an oblique direction with respect to the surface of the diffusion layer 14 in this semiconductor device whereby a connecting area between the diffusion layer 14 and a well region 8 is reduced, thereby reducing the parasitic capacity.
この半導体装置では、素子分離領域９を拡散層１４表面に対して斜め方向に形成しているので、拡散層１４とウエル領域８との間の接合面積を減少させて、寄生容量を減少させる。 - 特許庁 - Each separator has, on the surface facing the gas diffusion layer, supply-side gas passages 5a branched in parallel from a gas supply manifold 10a, having lower ends formed into dead ends 15a and used for supplying a reaction gas to the gas diffusion layer.
セパレータは、ガス拡散層に対峙する表面に、ガス供給マニホールド１０ａから並列に分岐すると共に、下流端が行き止まり１５ａとされ、ガス拡散層に反応ガスを供給する供給側ガス流路５ａを有する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory which enables easy and rapid writing even at a low diffusion layer voltage by decreasing the coupling ratio of a floating gate and a control gate to increase the coupling ratio of a diffusion layer and the floating gate.
浮遊ゲートと制御ゲートとのカップリング比を減少させることによって、拡散層と浮遊ゲートとのカップリング比を増加して低い拡散層電圧でも容易に高速な書き込みを行うことが可能な半導体メモリを提供する。 - 特許庁 - To provide a gas diffusion layer capable of enhancing power generation performance even in environments of low humidity and high humidity, and reducing cost because of relatively simple constitution; and to provide the manufacturing method of the gas diffusion layer.
高湿・低湿環境いずれの環境においても発電性能を向上することが可能であり、また比較的簡易な構成で実施できるのでコストの低減にも優れたガス拡散層およびその製造方法を提供できる。 - 特許庁 - An N-type impurity is applied through ion implantation by using the gate electrode 602 as a mask, and the entire substrate is heated so as to form an N-type second impurity diffusion layer 608 in a shallower area than the first impurity diffusion layer 605.
ゲート電極６０２をマスクとしてＮ型の不純物をイオン注入した後、熱処理を行なうことにより第１の不純物拡散層６０５よりも浅い領域にＮ型の第２の不純物拡散層６０８を形成する。 - 特許庁 - A hydrophilic polymer membrane is installed on the surface opposite to an anode side of an anode side gas diffusion layer of an MEA, and a shower plate is installed through a gap on the surface opposite to an anode side gas diffusion layer side of the hydrophilic polymer membrane.
ＭＥＡのアノード側ガス拡散層のアノード極側と反対の面に親水性高分子膜が、親水性高分子膜のアノード側ガス拡散層側と反対の面に間隙をもってシャワープレート４が設けられている。 - 特許庁 - The transistor has a first diffusion layer which is extended in the horizontal direction from a spot above the gate of the transistor provided in the trench along the substrate on the outside of the trench, and a second diffusion layer connected to the capacitor provided in the lowermost part of the trench from the lower part of the gate.
トランジスタは、トレンチ内の垂直方向のゲートの上方からトレンチ外部の基板に沿って水平方向に延びる第１の拡散層と、ゲートの下部からトレンチ低部のキャパシタに接続される第２の拡散層とを有する。 - 特許庁 - The first switch SW1 includes a first diffusion layer region 11 of a first conductive p-type formed on a substrate 15 of the first conductive p-type, and a first MOS transistor 10 formed on the first diffusion layer region 11.
第１スイッチＳＷ１は、第１導電型Ｐの基板１５上に形成された第１導電型Ｐの第１拡散層領域１１と、第１拡散層領域１１上に形成された第１ＭＯＳトランジスタ１０とを備える。 - 特許庁 - In this case, the nonvolatile semiconductor memory device is preferably provided with: a first diffusion layer (3) that is formed in the semiconductor substrate (2) inside the trench, and a second diffusion layer (4) that is formed in the semiconductor substrate outside the trench.
ここにおいて、その不揮発性半導体記憶装置は、トレンチ内の半導体基板（２）中に形成された第１拡散層（３）と、トレンチ外の半導体基板中に形成された第２拡散層（４）とを備えることが好ましい。 - 特許庁 - To provide a fuel cell stack with low cost and excellent power generating efficiency by uniforming partial pressure of fuel gas and oxidant gas in a gas diffusion layer while using the gas diffusion layer with uniform porosity and thickness as it is.
気孔率および厚さが均一なガス拡散層をそのまま用いながら、ガス拡散層中の燃料ガスおよび酸化剤ガスの分圧を均一にすることにより、低コストで優れた発電効率を有する燃料電池スタックを提供する。 - 特許庁 - To provide a fuel cell gas diffusion layer which excels in conductivity, strength, gas permeability and water management capability, and a simple method for manufacturing such a fuel cell gas diffusion layer easily at low cost.
導電性、強度、ガス透過性、水管理能力の良好な燃料電池用ガス拡散層を提供すること、および、そのような燃料電池用ガス拡散層を容易に低コストで簡便に製造する方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a gas diffusion layer for a fuel cell having excellent conductivity, strength, gas permeability, and an ability to control water, and to provide a method for manufacturing the gas diffusion layer for a fuel cell with ease, at low cost, and in a simple manner.
導電性、強度、ガス透過性、水管理能力の良好な燃料電池用ガス拡散層を提供すること、および、そのような燃料電池用ガス拡散層を容易に低コストで簡便に製造する方法を提供すること - 特許庁 - CARBONACEOUS FIBER WOVEN FABRIC, ROLLED PRODUCT THEREOF, GAS DIFFUSION LAYER MATERIAL FOR FUEL CELL OF SOLID POLYMER TYPE, METHOD FOR PRODUCING THE WOVEN FABRIC, AND METHOD FOR PRODUCING THE GAS DIFFUSION LAYER MATERIAL
炭素質繊維織布、炭素質繊維織布の捲回物、固体高分子型燃料電池用ガス拡散層材料、炭素質繊維織布の製造方法、および固体高分子型燃料電池用ガス拡散層材料の製造方法 - 特許庁
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