「diffusion-layer」を含む例文一覧(5831)
＜前へ 1 2 .... 52 53 54 55 56 57 58 59 60 .... 116 117 次へ＞- The n-type diffusion layer 6 is formed by dispersing n-type impurities in a part of the silicon film 5 whose cross section has protruded contour.
このｎ型拡散層６は断面凸状のシリコン膜５の一部にｎ型不純物を拡散させて形成したものである。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device by which a short-circuit can be prevented between a gate electrode and a diffusion layer and to provide its manufacturing method.
本発明はゲート電極と拡散層との短絡を防止する半導体装置、及び、その製造方法を提供する。 - 特許庁 - Local data lines 4(n-1), 4n, 4(n+1) and 4(n+2) composed of a diffusion layer are connected with a global data line 18 through a select transistor.
拡散層からなるローカルデータ線４（ｎ−１），４ｎ，４（ｎ＋１），４（ｎ＋２）は、選択トランジスタを介してグローバルデータ線１８に接続されている。 - 特許庁 - The n^+-diffusion layer 14 is connected to the n-type well 12 regarding the diode 17, and a current is controlled by the diode 17.
Ｎ＋拡散層１４は、ダイオード１７に係るＮ型ウェル１２と接続され、ダイオード１７によって電流が制御される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device provided with a silicide film having a small contact resistance on an N-type diffusion layer.
Ｎ型拡散層上におけるコンタクト抵抗の小さいシリサイド膜を備えた半導体装置とその製造方法とを提供する - 特許庁 - A P-type substrate contact region 115a is formed under a diffusion layer of the N-type low concentration source region 105b.
また、Ｎ型低濃度ソース領域１０５ｂの拡散層の下側にＰ型基板コンタクト領域１１５ａが形成されている。 - 特許庁 - To perform high-concentration diffusion of Zn ions on a photoelectric conversion layer and to achieve simplification in manufacturing process and facility cost, in a method for manufacturing a photoelectric conversion element.
光電変換層にＺｎイオンの高濃度拡散を行い、かつ製造工程および設備コストの簡素化を図る。 - 特許庁 - To provide a producing method of a reaction layer raw material of a remarkably high performance gas diffusion electrode increased in three phase zone boundary surface.
三相帯界面が増加した、著しく高性能のガス拡散電極の反応層原料の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Surfaces of members for forming a cylinder 15, a lower lid 33, a diffusion plate 43, and a skirt are each covered with a fluoride surface layer FS.
円柱体１５、下蓋３３、拡散板４３、スカート等の形成部材の各表面を、フッ化表面層ＦＳで被膜した。 - 特許庁 - To provide an exhaust gas sensor for an internal combustion engine and a method for manufacturing the same suitable for ensuring a gas transmission function of a gas diffusion layer.
ガス拡散層のガス透過機能を確保するに好適な内燃機関の排気センサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To restrain such a situation that an eluting matter from a resin material such as an adhesive might adhere to a gas diffusion layer or an electrolyte film.
接着剤のような樹脂材からの溶出物がガス拡散層や電解質膜に付着する等の事態を抑制する。 - 特許庁 - A space part 10 is provided between the electrode 11 on the side of the gas to be measured and the porous diffusion resistance layer 13.
上記被測定ガス側電極１１と上記多孔質拡散抵抗層１３との間には空間部１０が設けてある。 - 特許庁 - This manufacturing method makes it possible to form, in the offset region, the p-type diffusion layer used as a drain region with high accuracy of position.
この製造方法により、オフセット領域にドレイン領域として用いるＰ型の拡散層を位置精度良く形成できる。 - 特許庁 - Therefore, increase in leak between the N-diffusion layer and the P well can be prevented and good junction reverse bias characteristics can be maintained.
従って、Ｎ−拡散層とＰウェルとの間のリークの増大を防止し、良好な接合逆バイアス特性を維持できる。 - 特許庁 - The prevention layer AD prevents thermal diffusion of the Ag material of the semi-transparent film 11.
そして、上記拡散防止層ＡＤが半透過膜１１のＡｇ材料の熱拡散を防止することを特徴とするものである。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of increasing the impurity concentrations on the surface of a diffusion layer at low cost.
低コストで拡散層の表面の不純物濃度を高くすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In each memory cell, an N-type first impurity diffusion area 3 is formed in a top layer of a semiconductor substrate 2.
各メモリセルにおいて、半導体基板２の表層部には、Ｎ型の第１不純物拡散領域３が形成されている。 - 特許庁 - To provide a technology capable of structuring a gas diffusion layer thinly in a membrane electrode assembly for a fuel cell.
燃料電池用の膜電極接合体において、ガス拡散層の厚みを薄く構成することが可能な技術を提供する。 - 特許庁 - A diffusion layer depth of an N-type high concentration source region 107 is larger than that of an N-type low concentration source region 105b.
Ｎ型高濃度ソース領域１０７は、Ｎ型低濃度ソース領域１０５ｂよりも拡散層深さが深くなっている。 - 特許庁 - To provide a method and apparatus for depositing a low-dielectric- constant layer that is resistant to oxygen diffusion, and has low oxygen contents.
酸素の拡散に抵抗し、低酸素含有量を有する低誘電率の層を堆積する方法および装置を提供する。 - 特許庁 - A silicide film 112a on a diffusion layer and a dummy silicide film 112b on the gate are formed by a first time silicide process.
第１回目のシリサイド工程で、拡散層上シリサイド膜１１２ａと、ゲート上のダミーシリサイド膜１１２ｂとを形成する。 - 特許庁 - It is preferable to use a coated material of the separator 20 or the same kind of a material with the gas diffusion layer 42 as a fixing material.
固着材としては、セパレータ２０のコート材またはガス拡散層４２と同種材料のものを用いることが好ましい。 - 特許庁 - A capacitor unit 14 is mounted in an interlayer insulating film 12 on a diffusion layer 11 in a semiconductor substrate 10.
半導体基板１０における拡散層１１上の層間絶縁膜１２においてキャパシタユニット１４が設けられている。 - 特許庁 - Preferably, air permeability of the cathode diffusion layer is increased in accordance with increase in the moisture absorbing amount of the water swelling fibers.
また、水膨潤性繊維の水分の吸収量の増加に伴ってカソード拡散層の通気性が増加することが好ましい。 - 特許庁 - Further the n-type diffusion layer 6, polycrystal silicon film 7a, and silicon nitride film 8 are enclosed with a side wall film 9 comprising an insulating film.
さらにｎ型拡散層６、多結晶シリコン膜７ａ、及びシリコン窒化膜８は、絶縁膜からなる側壁膜９で囲う。 - 特許庁 - A gate electrode 8 is provided on a channel 11 formed in a diffusion layer region 3 through the intermediary of a gate insulating film 7.
拡散層領域３に形成されたチャネル１１の上には、ゲート絶縁膜７を介してゲート電極８が設けられている。 - 特許庁 - The gaseous diffusion layer is configured to form an aggregate in which carbon staple fibers having conductivity are aggregated in sheet shape as an substrate.
ガス拡散層は、導電性をもつカーボン短繊維をシート状に集積させた集積体を基材として構成されている。 - 特許庁 - This diode 10 is composed of pn bonding by means of a p-type impurity diffusion layer 11 and an n-type silicon substrate S.
このダイオード１０は、ｐ型の不純物拡散層１１とｎ型のシリコン基板Ｓとによるｐｎ接合で構成されている。 - 特許庁 - In a second formula, meshes of different sizes are intermittently distributed in a plane direction of carbon cloth in the gas diffusion layer.
第２の方式では、ガス拡散層の中のカーボンクロスにおいて、異なる大きさの網目を面方向に間欠的に分布させた。 - 特許庁 - A contact 25 for connecting the drain of the MOS transistor with the outside is formed on the second heavily doped diffusion layer 18.
ＭＯＳ型トランジスタのドレインと外部とを接続するコンタクト２５が、第２の高濃度拡散層１８上に形成されている。 - 特許庁 - To reduce thermolysis time of surfactant performed in order to develop water repellency of a gas diffusion layer.
ガス拡散層の撥水性を発現させるために実行する界面活性剤の加熱分解時間の短時間化を実現する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a gas diffusion electrode having: high gas diffusivity; and an electrode catalyst layer with smooth surface.
ガス拡散性が高く、表面の平滑な電極触媒層を有するガス拡散電極の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A diffusion layer 5 is formed by an ion implantation on the substrate 1 positioning on both sides of the electrode 3.
ゲート電極３の両側に位置する半導体基板１には、イオン注入により形成された拡散層５が形成されている。 - 特許庁 - Furthermore, by utilizing the same mask, boron ions are ion-implanted to bottoms of the grooves 21 to form a channel-stop diffusion layer 7.
更に、これらをマスクとしてボロンイオンを溝２１の底部にイオン注入することにより、チャネルストップ拡散層７を形成する。 - 特許庁 - MEMBRANE ELECTRODE ASSEMBLY FOR DIRECT METHANOL FUEL CELL, DIRECT METHANOL FUEL CELL, AND RESIN PASTE FOR GAS DIFFUSION LAYER
直接メタノール型燃料電池用膜電極接合体、直接メタノール型燃料電池およびガス拡散層用樹脂ペースト。 - 特許庁 - To provide a laminated lead frame that meets diffusion bonding conditions of a laminated lead frame having no plating layer formed.
めっき層が形成されていない積層リードフレームにおける拡散接合条件に耐え得る積層リードフレームを提供する。 - 特許庁 - Thus, the substance to be baked is baked and the volatile substance is volatilized to manufacture the diffusion layer 80 from the carbon paper 10.
このようにして焼成物質を焼成し、揮発性物質を揮発させて、カーボンペーパ１０から拡散層８０を製造する。 - 特許庁 - The cathode side gas diffusion layer 430 is composed of a nonwoven fabric formed to have nearly the same size as an inner frame of a sealing member 220.
カソード側ガス拡散層４３０は、シール部材２２０の内枠と略同一の大きさに形成された不織布である。 - 特許庁 - To easily create a mask pattern of a mask for exposure for forming a diffusion layer according to each of types of machines different from each other in minimum display pixel size.
最小表示画素サイズが異なる機種に応じて、拡散層形成用露光マスクのマスクパターンを容易に作製する。 - 特許庁 - A reflection layer 1-0 reflecting an incident light toward inside is arranged on an inner face of of the light diffusion shaping part C.
すなわち、光拡散整形部Ｃの内面に、入射光を内側に反射する反射層１−０が設けられている。 - 特許庁 - A first dope 45 forming the diffusion layer and a second dope 46 forming the support are casted to be overlapped.
拡散層を形成する第１ドープ４５と支持体を形成する第２ドープ４６とは流延ダイ５６から重ねて流延される。 - 特許庁 - To promote microfabrication of a semiconductor device in which the potential of a source diffusion layer is made equal with that of a well region (semiconductor wafer).
ソース拡散層とウェル領域（半導体基板）との電位を同電位とする半導体装置の微細化を促進させる。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING CARBONACEOUS FIBER-WOVEN FABRIC AND GAS DIFFUSION LAYER MATERIAL FOR SOLID POLYMER TYPE FUEL CELL
炭素質繊維織布の製造方法及び炭素質繊維織布並びに固体高分子型燃料電池用ガス拡散層材料 - 特許庁 - The inkjet head 13 of the present invention is provided with a substrate 14, pressure chambers 26, nozzles 18, drive elements 27, and a heat diffusion layer 17.
本発明のインクジェットヘッド１３は、基板１４、圧力室２６、ノズル１８、駆動素子２７、熱拡散層１７を具備する。 - 特許庁 - Therein, respective layers are adhered to each other and are integrally molded and, further in the optical sheet, the upper surface of the light diffusion layer 2 and the prism surface 3 are directly adjacent to each other.
また、前記光学シートにおいて、光拡散層２の上面とプリズム層３とが直接、隣接してなること。 - 特許庁 - A gate electrode 19 has trench structure where an n- type diffusion layer 15a is formed on the side face of a trench 12.
ゲート電極１９はトレンチ構造となっており、このトレンチ１２の側面にｎ^-型の拡散層１５ａが形成されている。 - 特許庁 - POROUS CONDUCTIVE SUBSTRATE HAVING PENETRATION STRUCTURE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, MEMBER FOR FUEL CELL GAS DIFFUSION LAYER, AND FUEL CELL
貫通構造を有する多孔質導電性基材、その製造方法、燃料電池ガス拡散層用部材および燃料電池 - 特許庁 - Isolation regions 303b and 303a are provided between the well contact and the diffusion layer and channel stop layers 307b and 307a are provided beneath the isolation regions 303b and 303a.
ウエルコンタクトと拡散層間に素子分離領域303b,303aを設け、素子分離領域303b,303aの下にチャネルストップ層307b，307aを設ける。 - 特許庁 - To solve a problem that carriers generated from other than a P type heavily doped layer contribute, as a photocurrent, to diffusion and thus deteriorate the response.
Ｐ型高濃度層以外からの生成キャリアが拡散により光電流として寄与してしまい、応答性が悪くなる。 - 特許庁 - Thus, emitter ballast resistance of the emitter diffusion layer 9 can be made large and short-circuit destruction resistance can be improved with such structure.
上記構成により、エミッタ拡散層９のエミッタバラスト抵抗を大きくでき、短絡破壊耐量を向上させることができる。 - 特許庁
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