「diffusion-layer」を含む例文一覧(5831)
＜前へ 1 2 .... 56 57 58 59 60 61 62 63 64 .... 116 117 次へ＞- To provide a structure that is reduced in contact resistance between bit wiring and an impurity diffusion layer on a semiconductor substrate.
本発明はビット配線と半導体基板上の不純物拡散層とのコンタクト抵抗を低減した構造の提供を目的とする。 - 特許庁 - To provide an electrode diffusion layer for a fuel cell having both excellent polar liquid transmitting performance and air transmitting performance.
優れた極性液体伝達性能と優れた気体伝達性能とを同時に有する燃料電池用電極拡散層を提供する。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal display device wherein the reduction of contrast can be prevented by suppressing a white floating phenomenon due to a light diffusion layer.
光拡散層による白うき現象を抑制して、コントランストの低下を防止することのできる液晶表示装置を提供する。 - 特許庁 - A drain of a reset transistor and a drain of an amplification transistor 30 which constitute the n-type diffusion layer 26 are connected to a power supply line 33.
ｎ型拡散層２６を構成しているリセットトランジスタのドレインと増幅トランジスタ３０のドレインは、電源線３３に接続される。 - 特許庁 - To provide a device 10 in which a diffusion layer for a fuel cell of high porosity can be manufactured with less man hour and in a short time.
高度に多孔質化した燃料電池用拡散層を少ない工程数でかつ短時間で製造できる装置１０を提供する。 - 特許庁 - The hard coat layer is made of a hard coat material and a composition containing an optical diffusion agent having a 400-700 nm number average particle size.
ハードコート層は、ハードコート材料と、数平均粒径が４００〜７００ｎｍである光拡散剤とを含む組成物により構成される。 - 特許庁 - A first contact 310 is connected to the gate electrode 210, and a second contact 320 is connected to the diffusion layer region 220.
ゲート電極２１０には第１コンタクト３１０が接続しており、拡散層領域２２０には第２コンタクト３２０が接続している。 - 特許庁 - To provide a fuel cell capable of improving the overall power generation efficiency by equalizing the moisture distribution in a GDL (gas diffusion layer).
ＧＤＬ内の水分分布を均一化して全体の発電効率を向上する燃料電池を提供することを目的とする。 - 特許庁 - An alloy coating layer 5 in which Hf or the like is diffused into (Pt, Ni) Al is formed on the base material 1 by the Al diffusion coating.
Ａｌの拡散コーティングにより基材１上に、（Ｐｔ、Ｎｉ）ＡｌにＨｆ等が拡散した合金コーティング層５が形成される。 - 特許庁 - Further, the n-type diffusion layer 6, the polycrystalline silicon film 7a, and the silicide film 11a are surrounded by a sidewall film 9 consisting of an insulating film.
さらにｎ型拡散層６、多結晶シリコン膜７ａ、及びシリサイド膜１１ａは、絶縁膜からなる側壁膜９で囲う。 - 特許庁 - The composition for forming the p-type diffusion layer contains glass powder including an acceptor element, a silicon-containing substance and a dispersion medium.
ｐ型拡散層形成組成物を、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、ケイ素含有物質と、分散媒とを含有して構成する。 - 特許庁 - To provide a technique for restraining cross leak of gas or generation of leak current in a fuel cell equipped with a gas diffusion layer.
ガス拡散層を備える燃料電池において、ガスのクロスリークまたはリーク電流の発生を抑制する技術を提供すること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and its manufacturing method which suppress width variations in a diffusion layer source connected to a trench type capacitor.
トレンチ型キャパシタと接続する拡散層ソースの幅のばらつきを抑制する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a separator capable of effectively utilizing the heat generated near an electrolyte film to thaw the water frozen in a gas diffusion layer.
ガス拡散層内の凍結した水の解凍に電解質膜付近で発生した熱を有効的に利用できるセパレータを提供する。 - 特許庁 - To provide a gas diffusion layer material for fuel cell that has smooth and thin surface using a woven or a nonwoven fabric of carbon fiber.
炭素繊維の織布または不織布を用いて、表面が平滑で厚みも薄い燃料電池用ガス拡散層材料を提供する。 - 特許庁 - To reduce diffusion of Ge and to obtain excellent device characteristics in an optical semiconductor element comprising an active layer containing GaAs.
ＧａＡｓを含む活性層を備える光半導体素子において、Ｇｅの拡散が少なく、良好なデバイス特性が得られるようにする。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for forming a shallow diffusion layer between a cell transistor and a selection gate transistor while miniaturizing an element.
素子の微細化を図りつつ、セルトランジスタと選択ゲートトランジスタとの間に浅い拡散層が形成できる製造方法を提供する。 - 特許庁 - A first impurity diffusion layer 60 is provided in the semiconductor substrate 20 separately apart from the floating gate 40 by a predetermined distance.
第１の不純物拡散層６０は、半導体基板２０内に設けられ、フローティングゲート４０から所定の距離だけ離間している。 - 特許庁 - Then, impurities are introduced into the semiconductor wafer with the thermal oxide film 12 as a mask and then are diffused, thus forming a diffusion layer 10.
その後、熱酸化膜１２をマスクとして半導体ウェハに不純物を導入し、拡散することにより拡散層１０を形成する。 - 特許庁 - Further, under a gate electrode of the selective gate transistor, a shape of the source/drain diffusion layer region of this selective gate transistor (23, 24) is made asymmetry.
そして、選択ゲートトランジスタのゲート電極下で、この選択ゲートトランジスタのソース／ドレイン拡散層領域(23,24)の形状を非対称とする。 - 特許庁 - In addition, the particles are allowed to pass through the gas phase of a diffusion source in order to form a surface layer by doping the impurity into the surface of the particles.
さらにその粒子の表面に、不純物をドープして表面層を形成するために、拡散源の気相中を通過させる。 - 特許庁 - The end of the first interior channel formation member is in contact with a surface on the first separator side of a diffusion layer on the first separator side.
第１の内部流路形成部材の端部は第１のセパレータ側の拡散層の第１のセパレータ側の表面に接触している。 - 特許庁 - An electrode, gas diffusion layers 10, 50, and a flow channel forming layer are provided respectively at an anode side and a cathode side of the fuel cell.
燃料電池のアノード側とカソード側とのそれぞれには、電極と、ガス拡散層１０、５０と、流路形成層と、が設けられる。 - 特許庁 - The contact plug 10 is formed of the same material with the gate electrode 6 and provided on the diffusion layer bit line 5 in a self-aligned manner.
コンタクトプラグ１０は、ゲート電極６と同一の材料から構成され、拡散層ビット線５上に自己整合的に形成される。 - 特許庁 - The semiconductor memory device includes a diffusion layer 11 formed around the bottom of a trench formed on the surface of a semiconductor substrate 1.
半導体記憶装置は、半導体基板１の表面に形成されたトレンチの底部の周囲に形成された拡散層１１を含む。 - 特許庁 - To provide an oxidation resistant component and method for creating an aluminum diffusion surface layer within substantially nickel- and cobalt-free components.
実質的にニッケルとコバルトを含まない部品内にアルミニウム拡散表面層を創成するための耐酸化性部品及び方法の提供。 - 特許庁 - A cathode side electrode 24 constituting the unit cell for the fuel cell 20 has a gas diffusion electrode 6b and an electrode catalyst layer 28.
燃料電池２０の単位セル２２を構成するカソード側電極２４は、ガス拡散層６ｂと電極触媒層２８とを有する。 - 特許庁 - The optical diffusion sheet 16 includes a first refraction layer 17 having a front surface 171 having a plurality of linear prisms LP formed thereon.
光拡散シート１６は、複数の線状プリズムＬＰが形成された表面１７１を有する第１屈折層１７を備える。 - 特許庁 - The lower electrode 141 and the diffusion layer 11 are connected through a via-hole connecting section 13 formed to the interlayer insulating film 12.
下部電極１４１と拡散層１１は層間絶縁膜１２に形成されたビアホール接続部１３を介して接続されている。 - 特許庁 - To provide a nitride-based semiconductor element which can be improved in crystallinity by preventing the diffusion of impurities such as Mg into an active layer.
活性層にＭｇ等の不純物が拡散することなく、結晶性を向上させる窒化物系半導体素子を提供する。 - 特許庁 - To suppress variations in cell characteristics due to widening of a diffusion layer as a bit line in a thermal process at the time of gate oxidation.
ゲート酸化時の熱工程で、ビット線としての拡散層が広がることによるセル特性のばらつきを抑制することを課題とする。 - 特許庁 - A second conductive type of first impurity diffusion region 13 is formed in a partial region of a surface of the first layer 12.
第１の層１２の表面の一部の領域に第２導電型の第１の不純物拡散領域１３が形成されている。 - 特許庁 - By forming the impurity diffusion regions 9, a depletion layer can be extended toward the base region side to increase a withstand voltage.
この不純物拡散領域９を形成することによりベース領域側に空乏層を伸ばして耐圧を向上させることができる。 - 特許庁 - Thus, the transportation efficiency of carriers passing the first conductive-type deep well diffusion layer is improved, thus realizing a reduced on-voltage.
これにより、第１導電型のディープウェル拡散層を通過するキャリアの輸送効率を向上し、オン電圧の低減を実現する。 - 特許庁 - METHOD FOR EXTRACTING EFFECTIVE CHANNEL LENGTH OF MIS TRANSISTOR, METHOD FOR EXTRACTING RESISTANCE OF DIFFUSION LAYER THEREOF, AND METHOD FOR EVALUATING FABRICATION PROCESS THEREOF
ＭＩＳトランジスタの実効的チャネル長抽出方法、その拡散層抵抗抽出方法、及びその製造プロセス評価方法 - 特許庁 - In the second conductivity type well 13, a driver transistor Q13 is formed, and the well 13 is connected to a source diffusion layer 18a of the driver transistor Q13.
第２導電型ウェル１３は、ドライバトランジスタＱ１３が形成され、ドライバトランジスタＱ１３のソース拡散層１８ａに接続される。 - 特許庁 - Many pairs of memory cells, each sharing an n+ type source diffusion layer 8, are arranged in a matrix to constitute a memory array.
ｎ＋型ソース拡散層８を共有した一対のメモリセルを単位として、これらがマトリックス状に配置され、メモリセルアレイを構成している。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device capable of coping with both of a high on-state current and a low junction leakage current in a source/drain diffusion layer.
高いオン電流とソース／ドレイン拡散層における低い接合リーク電流を両立可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The wafer taken out of the thermal diffusion furnace is treated with a hydrofluoric acid for 15-30 sec, thereby removing the glass layer and the oxide film.
そして、熱拡散炉から取り出したウェハをフッ酸で１５〜３０秒間処理することにより、ガラス層および酸化膜を除去する。 - 特許庁 - Thus, the N-type well 25 will always be at the same potential as the N-type diffusion layer 26, without having to connect metal wiring 45 to the N-type well 25.
このため、Ｎウエル２５に金属配線４５を接続しなくても、Ｎウエル２５はＮ拡散層２６と常に同電位となる。 - 特許庁 - Upper surfaces of an insulating layer 22 and the n-type diffusion region 23 are the same in height and almost flat surface without level difference.
絶縁膜２２とｎ型拡散領域２３の上面は同一の高さとなっており、段差のないほぼ平坦な面となっている。 - 特許庁 - The first conductivity type well 12 is connected to an approximately 15 V power supply voltage VDD via a first conductivity type diffusion layer 16.
第１導電型ウェル１２は、第１導電型拡散層１６を介して１５Ｖ程度の電源電圧ＶＤＤに接続される。 - 特許庁 - To provide a membrane electrode assembly which will not cause damages to a gas diffusion layer, even in a low-temperature state, and to provide a separator, as well as, a fuel cell.
低温状態であっても、ガス拡散層の破損を生じない膜電極接合体、セパレータ及び燃料電池を提供する。 - 特許庁 - To improve a MIS transistor in driving force by a method wherein the junction position of an extension high-concentration impurity diffusion layer is set shallow.
エクステンション高濃度不純物拡散層の接合位置を浅くすることにより、ＭＩＳ型トランジスタの駆動力の向上を図る。 - 特許庁 - In the gas diffusion layer 18 for the polymer electrolyte fuel cell formed by arranging a separator 15 on both surfaces of a membrane electrode assembly 14 interposing a polymer electrolyte membrane 11 between a pair of gas diffusion layers 18 through a catalyst layer 17, the gas diffusion layer 18 comprises the fibrous structure, and a water repellent portion is formed in the position facing a rib of the separator 15 in the fibrous structure.
触媒層１７を介して高分子電解質膜１１が一対のガス拡散層１８に挟まれてなる膜電極接合体１４の両面に、セパレータ１５を配してなる固体高分子型燃料電池用のガス拡散層１８において、ガス拡散層１８は、繊維状の構造体からなり、この構造体にあって、セパレータ１５のリブに対向する位置に、撥水性の部位を形成する。 - 特許庁 - The adsorbent layer 51 absorbs minute amount of fuel vapor flowing out from adsorbent 44 in a second storage chamber 42 by diffusion.
吸着剤層５１は、第二収容室４２の吸着剤４４から拡散により流出する微量の燃料蒸気を吸着する。 - 特許庁 - At this time, the p-type buried diffusion layers 43, 44, 45 are formed by diffusing them from the surface of the first p-type epitaxial layer 7.
このとき、Ｐ型の埋込拡散層４３、４４、４５は１層目のエピタキシャル層７表面から拡散して形成されている。 - 特許庁 - The resin layer 13 can prevent the diffusion of the plasticiser and the swelling of the sole 12 of the shoe, thus preventing peel-off and deformation.
この樹脂層１３で可塑剤の拡散が防止でき、靴底部１２の膨潤を防止して剥がれや変形を防止するようにしている。 - 特許庁 - Since the starting point is very long and slender, a plurality of V grooves 17 in the proper stripe shapes can be formed on the current diffusion layer 7.
起点が非常に細長いため、電流拡散層７に良好なストライプ状の複数のＶ溝１７を形成することができる。 - 特許庁 - To prevent the intake of melanosome from a melanocyte to a keratinocyte, and the diffusion of melanin to the horny layer, to thereby achieve skin-whitening effect.
メラノサイトからケラチノサイトへのメラノソームの取り込みや角質層へのメラニンの拡散を抑制することにより皮膚の美白効果を得る。 - 特許庁
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