「diffusion-layer」を含む例文一覧(5831)
＜前へ 1 2 .... 67 68 69 70 71 72 73 74 75 .... 116 117 次へ＞- An L-shaped pointer main body 80 of the light emitting pointer P is provided with the single optical fiber 80a made of a synthetic resin, a diffusing reflection layer 80b covering the optical fiber 80a, and a light slanting layer 80c covering the diffusion reflection layer 80b.
発光指針ＰのＬ字形状の指針本体８０は、単一の合成樹脂製光ファイバー８０ａと、この光ファイバー８０ａを被覆する拡散反射層８０ｂと、この拡散反射層８０ｂを被覆する斜光層８０ｃとを備えている。 - 特許庁 - The semiconductor element 10 has a P-type semiconductor substrate 11 having an N-well 13 and an N^+-diffusion layer 14 with its impurity concentration higher than that of the N-well 13, and a silicide layer 12 formed to partly cover the N^+-layer 14.
半導体素子１０は、Ｎウェル１３及びＮウェル１３よりも高い不純物濃度を有するＮ^＋拡散層１４を有するＰ型半導体基板１１と、Ｎ^＋拡散層１４上に部分的に形成されたシリサイド層１２と、を備える。 - 特許庁 - The light diffusion sheet body 2 is preferably a single layer sheet or a laminated sheet, comprising a core layer and a surface layer which contain 0.1-35 mass% light diffusing agent.
光拡散シート本体２は、光拡散剤を０．１〜３５質量％含有する単層シート又はコア層と表層との積層シートであることが好ましく、積層シートの場合は光拡散剤をコア層のみに、又はコア層と表層の双方に含有させる。 - 特許庁 - The optical film 10 which has a restriction layer 31 for restricting emission of light with a definite angle or more toward a normal line direction and a diffusion layer 33 for diffusing light passed through the restriction layer 31 is arranged in front of the liquid crystal panel 2.
液晶パネル２の前面に、法線方向に対して一定以上の角度をなす光の出射を制限する制限層３１と、この制限層３１を透過した光を拡散する拡散層３３とを有する光学フィルム１０を配置する。 - 特許庁 - This method has a step of forming the base layer F1 on a substrate P, a step of applying a solution containing metallic particles and a diffusion stabilizer on the base layer F1, and a step of thermally treating the applied solution to form a conductive layer F2.
基板Ｐ上に下地層Ｆ１を形成する工程と、金属微粒子及び分散安定剤を含む溶液を下地層Ｆ１上に塗布する工程と、塗布した溶液を加熱処理して導電層Ｆ２を形成する工程とを有する。 - 特許庁 - Since the gettering layer 12 contacting the epitaxial film 11 and formed of a carbon diffusion layer is formed, a heavy metal pollution substance in the epitaxial film 11 can be effectively gettered to the gettering layer 12 in, for instance, heat treatment in a device formation process.
エピタキシャル膜１１に接して炭素拡散層からなるゲッタリング層１２を形成するので、例えばデバイス形成工程での熱処理時、エピタキシャル膜１１内の重金属汚染物質を効果的にゲッタリング層１２にゲッタリングすることができる。 - 特許庁 - In a cathode structure which is contacted with an electrolyte membrane, and in which a catalyst layer, a diffusion layer, and an electrode support are sequentially laminated, the catalyst layer 31 is formed by carbon material, mixed with the catalyst material and a hydrophilic ion-conductive material I'.
電解質膜と接触し、触媒層、拡散層、及び電極支持体が順次に積層されるカソード電極構造において、触媒層３１は、カーボン物質に触媒物質と親水性のイオン伝導性物質Ｉ’とが混合されて形成される。 - 特許庁 - A semiconductor device is manufactured by a method where a treatment gas containing N2 or N2O is ionized and the surface of a copper wiring layer 110 is exposed to the ionized treatment gas, whereby the surface of the layer 110 is modified to turn the surface into a copper diffusion preventive layer.
Ｎ_2 又はＮ_ 2Ｏを含む処理ガスをプラズマ化し、該プラズマ化した処理ガスに銅配線層１１０の表面を曝すことにより、該銅配線層１１０の表層部を改質して銅拡散防止層にする半導体装置の製造方法による。 - 特許庁 - An active layer 5 is formed on this substrate, and then a semiconductor active layer 6 of different conductivity type is formed on the active layer 5 by a chemical vapor deposition method or a diffusion method so that a PN-joint face having a stereoscopic structure can be formed.
この基板に、活性層５を形成し、次に、化学的気相成長法あるいは拡散法により、活性層５の表面に異種伝導型の半導体活性層６を形成して、立体的構造を持つＰＮ接合面を形成する。 - 特許庁 - The method for forming the ohmic electrode comprises the steps of forming the ohmic electrode 7 in which a stable layer 8 and an Au layer 9 containing a predetermined element and suppressing the diffusion of an Au are sequentially laminated, on the ohmic contact semiconductor layer 6 doped with a dopant made of the predetermined element.
所定元素からなるドーパンドでドープされたオーミック接触半導体層６上に、前記所定元素を含むとともにＡｕの拡散を抑制する安定層８及びＡｕ層９を順次積層させたオーミック電極７を形成する。 - 特許庁 - This transmission type projection screen is provided with at least the optical diffusion layer 2 forming a projecting image, a transparent- material layer 1 and a neutral gray layer 3 whose transmitting concentration is 0.05 to 0.7 in turn toward the projection side of the projecting image from a viewer side.
視聴者側から投影像映写側に順に、少なくとも、投影像を結像させる光学的拡散層２と、透明材層１と、透過濃度０．０５ないし０．７のニュートラルグレイ層３を有することを特徴とする透過型映写スクリーン。 - 特許庁 - The p-type GaNAs diffusion preventing layer 504 prevents Se which are n-type impurities that the n-type AlGaAs emitter layer 505 is doped with from being diffused in the p-type GaAs base layer 503 during the crystal growth or processes.
ｐ型ＧａＮＡｓ拡散防止層５０４は、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層５０５にドーピングされたｎ型不純物であるＳｅが、結晶成長中またはプロセス中にｐ型ＧａＡｓベース層５０３に拡散することを防止している。 - 特許庁 - The lid material 1 is formed in a manner, where an Ni-based metal foil is pressre-welded to a core to form a laminated Ni-based metal layer, the laminated Ni-based metal layer is annealed for diffusion, and then a brazing material foil is pressure-welded on the laminated Ni-based metal layer at a draft 30 to 65%.
この蓋材１は、芯材にＮｉ基金属箔を圧接してＮｉ基金属層を積層形成し、拡散焼鈍した後、前記Ｎｉ基金属層の上にろう材箔を圧下率３０〜６５％で圧接することにより製造される。 - 特許庁 - Moreover, since the internal diffusion barrier layer 511 inhibits a material which constitutes oxygen adsorbing layer 512 from diffusing to the free layer 50, magnetostrictive constant is decreased, and proper magnetization curve (R-H curve) without kinks or vortices is assured.
また内部拡散バリア層５１１によって、酸素吸着層５１２を構成する材料の、フリー層５０への拡散が抑制されるので、磁歪定数が減少し、ねじれ（kink）や渦（vortex）のない良好な磁化曲線（Ｒ−Ｈ曲線）が確保される。 - 特許庁 - The low temperature co-fired ceramic substrate includes: a first ceramic layer formed of a material having a first dielectric constant; a second ceramic layer formed of a material having a second dielectric constant lower than the first dielectric constant; and a diffusion barrier layer interposed between the first ceramic layer and the second ceramic layer and formed of the first ceramic layer material, the second ceramic layer material, and a barium (Ba) compound.
本発明による低温同時焼成セラミック基板は、第１誘電率を有する物質からなる第１セラミック層と、上記第１誘電率より低い第２誘電率を有する物質からなる第２セラミック層と、上記第１セラミック層と第２セラミック層の間に介在し、上記第１セラミック層物質、上記第２セラミック層物質及びバリウム（Ｂａ）化合物からなる拡散防止層を含む。 - 特許庁 - In the conductive fine particle wherein the conductive layer and the low melting-point metal layer are formed in sequence on the surface of the base material fine particle, thickness of an intermetal diffusion layer between the conductive layer and the low melting-point metal layer is 20% to the total of thickness of the conductive layer and thickness of the low melting-point metal layer after heating at 150°C for 300 hours.
基材微粒子の表面に、導電層及び低融点金属層が順次形成されている導電性微粒子であって、１５０℃で３００時間加熱した後における導電層と低融点金属層との間の金属間拡散層の厚みが、導電層の厚みと低融点金属層の厚みとの合計に対して２０％以下であることを特徴とする導電性微粒子。 - 特許庁 - The electrode contact structure includes an epitaxial layer 100, a contact metal electrode 120 formed on the epitaxial layer 100, an interlayer insulating film 140 having a contact hole, a diffusion barrier layer 200 formed on the contact metal electrode 120 and having crystal orientation property matching the crystal orientation property of the contact metal electrode, and an Al wiring 160 formed on the diffusion barrier layer 200.
電極コンタクト構造は、エピタキシャル層１００と、エピタキシャル層１００上に形成されたコンタクトメタル電極１２０と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜１４０と、コンタクトメタル電極１２０上に形成され、コンタクトメタル電極の結晶配向性と整合する結晶配向性を有する拡散障壁層２００と、拡散障壁層２００上に形成されたＡｌ配線１６０を有する。 - 特許庁 - The electrode contact structure includes an epitaxial layer 100, a contact metal electrode 120 formed on the epitaxial layer 100, an interlayer insulating film 140 having a contact hole, a first Al wiring 160 formed on the contact metal electrode 120, a diffusion barrier layer 180 formed on the first Al wiring 160, and a second Al wiring 200 formed on the diffusion barrier layer 180.
電極コンタクト構造は、エピタキシャル層１００と、エピタキシャル層１００上に形成されたコンタクトメタル電極１２０と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜１４０と、コンタクトメタル電極１２０上に形成された第１のＡｌ配線１６０と、第１のＡｌ配線１６０上に形成された拡散障壁層１８０と、拡散障壁層１８０上に形成された第２のＡｌ配線２００を有する。 - 特許庁 - The semiconductor device 100 includes: a semiconductor substrate 2; a diffusion layer 4 provided in the semiconductor substrate; a gate insulation film 12 provided on the semiconductor substrate; a gate electrode 14 provided on the gate insulation film; and a Ni silicide layer 8 selectively provided on the diffusion layer, wherein a metal cap film 18 having Co as a main component is selectively provided on the Ni silicide layer 8.
半導体装置１００は、半導体基板２と、半導体基板内に設けられた拡散層４と、半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極１４と、拡散層上に選択的に設けられたＮｉシリサイド層８と、を含み、Ｎｉシリサイド層８上にはＣｏを主成分とするメタルキャップ膜１８が選択的に設けられている。 - 特許庁 - To provide a surface light emitting semiconductor laser that suppresses diffusion of Al of a DBR including an AlGaAs layer and also suppresses a decrease in light emission intensity.
ＡｌＧａＡｓ層を含むＤＢＲにおけるＡｌの拡散を抑え、発光強度の低下を抑制できる面発光型半導体レーザを提供する。 - 特許庁 - In particular, forming of embossed recess part in the state of continuous net with a compression ratio of 30 to 55 % at the lower layer 4L improves spotting absorption and diffusion.
特に下層４Ｌに、連続網状のエンボス凹部を圧縮率３０〜５５％で形成すると、スポット吸収性および拡散性が非常に良好となる。 - 特許庁 - The diffusion element is a light-transmissive member (a light-transmissive fine particle) 90 formed of resin and glass, or a fine bubble-like air layer 91.
拡散要素は、樹脂やガラスからなる光透過性部材（光透過性微粒子）９０であり、あるいは、微細な気泡状の空気層９１である。 - 特許庁 - In the first step, the dopant gas is introduced into the reactor so as to compensate for the decrease in impurity concentration on the surface layer of the silicon wafer due to out diffusion.
第１の工程においては、反応炉内にドーパントガスを導入し、外方拡散により低下するシリコンウェーハ表層の不純物濃度を補う。 - 特許庁 - Thereby a current block layer 10 does not have to be laminated above the impurity diffusion region 16, and manufacture can be easily done.
これにより、不純物拡散領域１６の上方に電流ブロック層１０を積層する必要がなくなり、容易に製造することが可能となる。 - 特許庁 - Moreover, since the MEA 12 and the gas diffusion layer 14 are jointed directly, a decrease in power performance due to jointing faults of both can be prevented.
しかも、ＭＥＡ１２とガス拡散層１４とが直接的に接合されるので、両者の接合不良による発電性能の低下を防ぐことが可能となる。 - 特許庁 - A transfer gate electrode 21 is formed on the charge accumulation region 12 to transfer charges from the charge accumulation region 12 to the charge transfer destination diffusion layer 22.
転送ゲート電極２１は、電荷蓄積領域１２上に形成され、電荷蓄積領域１２から電荷転送先拡散層２２へ電荷を転送する。 - 特許庁 - Since a diffusion region 4b of the Au of the stud bump 4 does not reach the first layer of the lead electrode 23, deterioration in the bonding strength can be prevented.
スタッドバンプ４のＡｕの拡散領域４ｂは引出電極２３側において、第一層にまで達しないため、接合強度の劣化を防げる。 - 特許庁 - The heat-assisted magnetic writing head has the near-field transducer, the magnetic lip, and the diffusion barrier layer between the near-field transducer and the magnetic lip.
近接場トランスデューサ、磁性リップ、および近接場トランスデューサと磁性リップの間に拡散障壁層を有している熱アシスト磁気書き込みヘッド。 - 特許庁 - By this manufacturing method, the diffusion layer 11 can be formed with high positional accuracy without being influenced by the shape of the LOCOS oxide film.
この製造方法により、ＬＯＣＯＳ酸化膜の形状に影響を受けることなく、拡散層１１を位置精度良く形成することができる。 - 特許庁 - To provide a solid polymer membrane type fuel cell allowing a diffusion layer and a separator to be jointed to an electrolyte membrane at the same time; and to provide its manufacturing method.
電解質膜への拡散層およびセパレータの接合を同時に可能とする固体高分子膜型燃料電池セルおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a solid electrolyte fuel cell excellently inhibiting the diffusion of a Ni component contained in a fuel electrode to the electrolyte layer side.
燃料極に含まれるＮｉ成分の電解質層側への拡散抑制効果をより高めた固体電解質形燃料電池を提供すること。 - 特許庁 - An n-type cathode area 6 and a p-type short area 8 adjacent to the n-type cathode area 6 are formed on the surface layer of the n-type diffusion area 4.
ｎ形拡散領域４の表面層にｎ形カソード領域６とこのｎ形カソード領域６と隣接してｐ形ショート領域８を形成する。 - 特許庁 - The light guide plate 10 has a 1st surface 12 and a 2nd surface 14 on both opposite sides and also has a diffusion layer 30 between the 1st surface 12 and 2nd surface 14.
光誘導板１０は反対両側に第一面１２と第二面１４を有し、第一面１２及び第二面１４の間拡散層３０を有する。 - 特許庁 - Next, impurities are injected into the upper part of the substrate region 40 to form a punch through stopper diffusion layer 30 is formed, whereby a Fin transistor is manufactured.
次に、この基板領域４０の上部に不純物注入を行い、パンチスルーストッパー拡散層３０を形成することで、Ｆｉｎトランジスタを作製する。 - 特許庁 - When a stack temperature decreases to a freezing point after a system stops, a liquid water amount at a level at which the water does not ooze out from a gas diffusion layer 5 is specified.
システム停止後に、スタック温度が氷点へと低下した際に、ガス拡散層５から液水が染み出さないレベルの排水液水量を特定する。 - 特許庁 - An oxide film 3 composed of an insulating body is arranged between the first metal layer 2 and the surface formed in the diffusion region 7 of the silicon substrate 8.
絶縁体から構成される酸化膜３が、第１のメタル層２とシリコン基板８の拡散領域７が形成された面との間に配置される。 - 特許庁 - Also, the side light type back light device which is extremely high in luminance and hardly gives rise to the luminance unevenness can be obtained by applying a diffusion layer on the polymer film.
また、高分子フィルム上に拡散層を塗布して、輝度が極めて高く輝度ムラが発生し難いサイドライト型バックライト装置を得ることが出来る。 - 特許庁 - The atomic radius of Sb and In are approximate to each other, so that the diffusion of In segregated in the upper interface is reduced in the barrier layer and the quality of the interface can be improved.
SbはInと原子半径が近いため、上側界面に偏析したInが障壁層中に拡散するのを低減し、界面の品質を改善することができる。 - 特許庁 - In the calcination step, ultrafine platinum nano-particle in the low-temperature melting layer 3A melt, thereby promoting the adhesion and diffusion preventive effect.
このとき、焼成工程においては、低温溶融層３Ａにおいて白金ナノ粒子の溶融が起こり、密着性および拡散防止効果が発揮される。 - 特許庁 - To provide a polymer electrolyte fuel cell with a smaller man-hours in comparison with the conventional one by improving the method of manufacturing a gas diffusion layer.
ガス拡散層の製造方法を改良することにより、従来よりも少ない工程数で高性能な高分子電解質型燃料電池を提供する。 - 特許庁 - Prior to the diffusion soldering process, each of the metal layers 2, 11 that is to be connected is plated with a respective solder layer 3, 12.
拡散はんだ付けプロセスの前に、後に接続される金属層２、１１がそれぞれはんだ層３、１２によってめっきされていることを特徴とする。 - 特許庁 - In the peripheral part of the assembly 100, the end part of the anode side gas diffusion layer 130 is receded further inside than a position of the end part of the electrolyte membrane 120.
接合体１００の周縁部において、アノード側ガス拡散層１３０の端部は電解質膜１２０の端部の位置よりも内側に引っ込んでいる。 - 特許庁 - The fuel cell diffusion layer is constituted to satisfy conditions expressed by (1): 22≥KΔP>14 [m^2 kPa], and (2): 0.28≤D/Dd<0.34 [-].
燃料電池用拡散層を、２２≧ＫΔＰ＞１４［ｍ^２・ｋＰａ］…（１）、および、０．２８≦Ｄ／Ｄｄ＜０．３４［−］…（２）で表される条件を満たすように構成する。 - 特許庁 - Vacuum freeze-drying in a manufacturing process of the gas diffusion electrode is carried out while the layer of the condensed bodies is covered with a water-absorbed member.
ガス拡散電極の製造工程における真空凍結乾燥を、吸水させた部材により前記凝集体の層を被覆した状態で行う。 - 特許庁 - To provide a gas diffusion layer for a solid polymer fuel cell and a manufacturing method thereof with water-repellency improved without increasing internal electrical resistance.
電気の内部抵抗を増大させることなく、撥水性を向上させた固体高分子形燃料電池用およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The protective diffusion region prevents impact ionization and resultant carrier generation in the vicinity of a corner of a gate trench and prevents damage of a gate oxide layer.
保護拡散部は衝撃イオン化及びその結果生じるゲートトレンチの角部付近におけるキャリアの発生を防ぎ、ゲート酸化物層の損傷を防ぐ。 - 特許庁 - By compositely doping the nitrogen together with the group III elements, diffusion of the group III elements to other than the n-type semiconductor layer is suppressed.
ＩＩＩ属元素と一緒に窒素を複合ドープすることにより、ｎ型半導体層以外の他の層に対するＩＩＩ属元素の拡散が抑制される。 - 特許庁 - To provide a solid electrolyte fuel cell having high reliability capable of suppressing diffusion of oxygen ions to a layer containing Ni such as a lead film.
リード膜などのＮｉを含む層への酸素イオンの拡散を抑制できる、信頼性の高い固体電解質型燃料電池を提供することを目的とする。 - 特許庁 - Boron is diffused inward on a polished wafer (14) by supplying a diborane (B_2H_6) gas onto the polished wafer (14) to form a diffusion layer (12).
ポリッシュト・ウェーハ（１４）上にジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）ガスを供給して該ポリッシュト・ウェーハ（１４）上にボロンを内方拡散させて拡散層（１２）を形成する。 - 特許庁 - The different contacts are formed on the gate electrode and diffusion layer, thereby, a side wall of the gate electrode never lessens and a leak can be prevented.
ゲート電極上と拡散層上は異なるコンタクトで形成されているため、ゲート電極のサイドウォールが減少することなく、リークを防ぐことができる。 - 特許庁
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