「diffusion-layer」を含む例文一覧(5831)
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ＬＤＭＯＳトランジスタ部では、ドレイン形成予定領域及びチャネル形成予定領域にもフィールド酸化膜２４ｄを形成しておき、そのフィールド酸化膜２４ｄをマスクとしてチャネル用拡散層３８を形成し、さらにそのフィールド酸化膜２４ｄをマスクとしてソース拡散層４０ａを形成する。 - 特許庁 - In the optical plate including a transparent substrate and a diffusion layer, the transparent substrate includes a light-emitting surface and a connecting surface which is formed on the side opposite to the light-emitting surface and is formed of a plurality of elongated depressions, and the diffusion layer is attached to the connecting surface and is filled into the plurality of elongated depressions.
透明基板と拡散層から構成される光学板において、前記透明基板は、光出射面と、前記光出射面の相対側に形成され、且つ表面に複数の長状凹部が形成されている連接面と、を含み、前記拡散層は、前記連接面に付着されて、前記複数の長状凹部を充填する。 - 特許庁 - In the optical plate including a transparent substrate and a diffusion layer, the transparent substrate includes a light-emitting surface and a connection surface which is formed on the side opposite to the light-emitting side and is formed of a plurality of spot-shaped depressions on the surface, and the diffusion layer is attached to the connecting surface and is filled into the plurality of spot-shaped depressions.
透明基板と拡散層とを含む光学板において、前記透明基板は光出射面と前記光出射面の反対側に形成され且つ表面に複数の点状凹部が形成されている連接面とを含み、前記拡散層は前記連接面に付着して前記複数の点状凹部を充填する。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises an impurity diffusion region 105 and a gate electrode 104 formed on a semiconductor substrate 101, a silicide layer 106 formed on the impurity diffusion region 105 and the gate electrode 104, and a first etching stop film 110 formed on the silicide layer 106.
半導体装置は、半導体基板１０１上に形成されたゲート電極１０４および不純物拡散領域１０５と、ゲート電極１４および不純物拡散領域１０５の上に形成されたシリサイド層１０６と、シリサイド層１０６上に形成された第１のエッチングストップ膜１１０とを備えている。 - 特許庁 - The method has a process for implanting a prescribed amount of phosphor onto a semiconductor substrate, performing heat treatment for diffusing phosphor, and forming a source-drain diffusion layer; and a process for implanting a prescribed amount of halogen element or smaller into the source-drain diffusion layer, and performing heat treatment for diffusing the halogen element in this order.
半導体基板に所定量のリンを注入し次いでリンを拡散させる熱処理を行って、ソース・ドレイン拡散層を形成する工程と、ソース・ドレイン拡散層内に、所定量以下のハロゲン元素を注入し次いでハロゲン元素を拡散させる熱処理を行う工程とをこの順に有する。 - 特許庁 - Since a plurality of through holes are formed on the diffusion layer 201 and the filling material having heat insulating and hydrophilic performance is filled in each through hole, the reaction product (mainly generated water) generated in the diffusion layer 201 is moved and discharged toward the air passage side by capillary action and wettability.
前記拡散層２０１に複数の貫通孔が形成され、該各貫通孔に、断熱性及び親水性を有する充填材が充填されるので、拡散層２０１内で生成された反応生成物（主に生成水）は、毛管現象及び濡れ性によって空気供給路側に向けて移動させられ、排出される。 - 特許庁 - This variable gain circuit is equipped with two diffusion regions 12 and 13 which are made at a specified interval within a semiconductor substrate, an insulating layer 16 which is provided in the region caught between the two diffusion regions 12 and 13 besides being on the semiconductor substrate, and a gate 17 which is provided on this insulating layer 16.
この発明は、半導体基板内に所定間隔をおいて形成させた２つの拡散領域１２、１３と、半導体基板上であってその２つの拡散領域１２、１３に挟まれた領域に設けた絶縁層１６と、この絶縁層１６上に設けたゲート１７とを少なくとも備えている。 - 特許庁 - A relation between each component of the four-terminal matrix and an area thermal diffusion time shown by a physical value of the constituting single layer material is clarified by using the recurrence formulas, and a thermal diffusion rate and an interface thermal resistance of an unknown single layer material inserted into a multilayered material whose thermophysical property value is already known are calculated simultaneously.
前述の漸化式を用いて、構成単層材料の物性値によって表した四端子行列の成分と面積熱拡散時間との関係を明らかにし、熱物性値が既知である多層材料中に挟んだ未知の単層材料の熱拡散率および界面熱抵抗を同時に算出する。 - 特許庁 - At least in one gas flow passage formation part, on a side contacting the gas diffusion layer, along a face of the gas diffusion layer, the gas flow passage of an isolated structure in which the flow passage for gas supply of which the downstream end is closed and the flow passage for gas supply of which the upstream end is closed are alternately arranged by interposing the closed part is formed.
少なくとも一方のガス流路形成部には、ガス拡散層に接する側に、ガス拡散層の面に沿って、その下流端が閉塞されたガス供給用流路およびその上流端が閉塞されたガス排出用流路が閉塞部を挟んで交互に配列された分離構造のガス流路が形成されている。 - 特許庁 - The gas diffusion layer has a structure to include microporous layers 30, 31 and macro layers 35, 36 which are obtained by forming slurry directly on the microporous layers to form a solid polymer fuel cell gas diffusion layer, and has a function to sufficiently diffuse a fuel gas 50 and an oxygen-contained gas 51 in order to uniformalize an electrode reaction.
ガス拡散層は、マイクロポーラス層３０，３１と、該マイクロポーラス層上に、直接スラリーから形成して得られるマクロ層３５，３６とを含んでなる構造の固体高分子形燃料電池ガス拡散層とし、電極反応を均質化させるために燃料ガス５０や酸素含有ガス５１を十分に拡散させる機能を有する。 - 特許庁 - When the incidence angle of X-ray is increased, in the arrow A direction in the surface of the optical element, the film thickness of the B_4C layer 13, which is the diffusion preventing layer, is allowed to have a distribution in the same direction to thereby increase the diffusion preventing effect; and consequently, decline in the reflectance depending on the incidence angle of the X-ray is suppressed.
Ｘ線の入射角度が光学素子の面内で矢印Ａの方向に増大する場合に、拡散防止層であるＢ_４Ｃ層１３の膜厚に同じ方向の分布を持たせることにより、拡散防止効果を増大させて、Ｘ線の入射角度による反射率の低下を抑制する。 - 特許庁 - The semiconductor device has silicon substrates (N-type well 8 and P-type well 9), on which a trench 2 is formed and impurity regions (N-type well contact diffusion layer region 4 and P-type well contact diffusion layer region 6) that are conductive, similar to the well and is formed so as to be more heavily concentrated across the area, from the side surface of the trench 2 to the silicon substrate surface.
半導体装置は、トレンチ２が形成されたシリコン基板（Ｎウェル８、Ｐウェル９）と、トレンチ２の側面からシリコン基板表面にかけて、ウェルと同じ導電型で、当該ウェルより高濃度で形成された不純物領域（Ｎ型ウェルコンタクト拡散層領域４、Ｐ型ウェルコンタクト拡散層領域６）と、を備える。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, a first conductivity-type well 2 provided in the semiconductor substrate 1, a second conductivity-type impurity diffusion layer 4 provided in the well 2, and a source connection electrode 5 brought into contact on the impurity diffusion layer 4 and the well 2.
本発明は、半導体基板１と、この半導体基板１中に設けられた第１導電型のウエル２と、このウエル２中に設けられた第２導電型の不純物拡散層４と、この不純物拡散層４及び前記ウエル２に接触されたソース接続電極５とを有する半導体装置である。 - 特許庁 - In the solid polymer fuel cell having the membrane electrode composite, an outside dimension of a gas diffusion layer 3a on a fuel electrode 2a side is made larger than the outside dimension of a polymer membrane 1 and the outside dimension of a gas diffusion layer 3b on an oxidant electrode 2b side, and made in almost the same shape as the outside dimension of the separator 6.
膜電極複合体４を備える固体高分子型燃料電池において、燃料極２ａ側のガス拡散層３ａの外形寸法を高分子膜１の外形寸法及び酸化剤極２ｂ側のガス拡散層３ｂの外形寸法よりも大きくし、セパレータ６の外形と概略同じ形状とする。 - 特許庁 - This cell 10 of a fuel cell includes the polymer electrolyte membrane 11, a fuel electrode 12a, an oxidizer electrode 12b, a fuel diffusion layer 13, and an oxygen diffusion layer 14, wherein a fuel passage 18 is arranged by making it pierce the center; and openings 20 for introducing oxygen are arranged on two facing side surfaces of the oxidizer electrode 12b.
燃料電池セル１０は、高分子電解質膜１１、燃料極１２ａ、酸化剤極１２ｂ、燃料拡散層１３、および酸素拡散層１４を有し、中心を貫通させて燃料流路１８を配置し、酸化剤極１２ｂの対向する二つの側面に、酸素を取り入れる開口部２０を配置している。 - 特許庁 - The optical diffusion sheet 1 is obtained by integrating a surface layer 1b composed of light transmissive resin on the upside and the downside of a core layer 1a composed of light transmissive resin in which an optical diffusion agent 1c is contained by 15 to 35 wt.%, and constituted so that minute ruggedness 1d is formed on both of its front and back surfaces.
光拡散剤１ｃが１５〜３５重量％含有された透光性樹脂よりなるコア層１ａの上下に、透光性樹脂よりなる表面層１ｂが一体化されたシートであって、その表裏両面に微細な凹凸１ｄが形成された構成の光拡散シート１とする。 - 特許庁 - A titanium film 10 is formed on an interlayer insulating film 3, where a contact hole 6 and an interconnection trench 9 are formed and on an impurity diffusion layer 2 exposed from the contact hole 2, then a titanium silicide film 11 is formed at the bottom of the contact hole 6 by causing a reaction between the titanium film 10 and the impurity diffusion layer 2.
コンタクトホール６と配線溝９とが形成された層間絶縁膜３上、及びコンタクトホール６から露出した不純物拡散層２上に、チタン膜１０を形成し、このチタン膜１０と不純物拡散層２とを反応させ、コンタクトホール６の底に、チタンシリサイド層１１を形成する。 - 特許庁 - In the fuel cell, a surface on a side of a fuel gas passage groove 34 provided on the one surface side of a fuel electrode side separator 28 facing a fuel electrode diffusion layer 18 has higher hydrophilic properties than a surface on a side of an oxidant gas passage groove 32 provided on the one surface side of an oxidant electrode side separator 26 facing an oxidant electrode diffusion layer 16.
燃料極拡散層１８に対面する燃料極側セパレータ２８の一方面側に設けられた燃料ガス流路溝３４側表面が、酸化極拡散層１６に対面する酸化極側セパレータ２６の一方面側に設けられた酸化ガス流路溝３２側表面よりも高い親水性を有する。 - 特許庁 - An N-type well diffusion layer 8 is formed by ion-implanting N-type dopants using a first resist mask to cover only an NMOS forming region Rnm, and then a P type well diffusion layer 11 is formed by ion-implanting P-type dopants using a second resist mask 9 to cover only a PMOS forming region Rpm.
ＮＭＯＳ形成領域Ｒnmのみを覆う第１のレジストマスクを用いてＮ型不純物のイオン注入を行なって、Ｎ型ウェル拡散層８を形成した後、ＰＭＯＳ形成領域Ｒpmのみを覆う第２のレジストマスク９を用いて、Ｐ型不純物のイオン注入を行なって、Ｐ型ウェル拡散層１１を形成する。 - 特許庁 - Over the entire topside of the semiconductor substrate, an amorphous silicon film containing conductive type impurities is deposited, an elevated source/drain diffusion layer is formed by solid-phase epitaxial growth of the amorphous silicon film, through succeeding to the crystal orientation of the semiconductor substrate, and a pMOS transistor and an nMOS transistor are formed by using this diffusion layer.
半導体基板の上面全体に、導電型不純物を含むアモルファスシリコン膜を堆積し、半導体基板の結晶方位を受け継ぎながらアモルファスシリコン膜を固相エピタキシャル成長させてエレベーテッド・ソース／ドレイン拡散層を形成し、この拡散層を用いてpMOSトランジスタとnMOSトランジスタを形成する。 - 特許庁 - Further, the semiconductor substrate 1 contains a conductive source region 14 which is located on an opposite side of the contacts 11, 12 with respect to the word line 4 and extends in the first direction, and an embedded diffusion layer 15 which extends in a second direction perpendicular to the first direction from the source region 14 to be connected with the source diffusion layer 13.
半導体基板１は，更に，ワード線４に対して上記コンタクト１１，１２の反対側に位置し，且つ，第１方向に延伸する導電性のソース領域１４と，ソース領域１４から第１方向と垂直な第２方向に延伸してソース拡散層１３に接続する埋め込み拡散層１５とを含む。 - 特許庁 - The isolation region 30 between the analog circuit region 10 and the digital circuit region 20 is constituted so as to comprise heavily doped P^+ type impurity regions 4 and an N type diffusion layer 2, which is formed so as to be apart from the impurity regions 4 and have portions of a P^- type substrate region 1 between the diffusion layer and the impurity regions.
アナログ回路領域１０とデジタル回路領域２０との間の分離領域３０は、高不純物濃度のＰ^+ 型の不純物領域４と、不純物領域４から離間して間にＰ^- 型基板領域１の部分を有して形成されたＮ型の拡散層２とを具備して構成されている。 - 特許庁 - Similarly, a p-type well potential power supply region 110 connected with a VSS wiring 106, for example, impurity concentration of a high concentration p-type impurity diffusion layer which constitutes the region 110 is made higher than that of a source/drain region 103 formed of the high concentration p-type impurity diffusion layer, and resistance value is made small.
同様に、ＶＳＳ配線１０６に接続されるＰ型ウエル電位給電領域１１０を、例えばそれを構成する高濃度Ｐ型不純物拡散層の不純物濃度を、高濃度Ｐ型不純物拡散層で形成されたソース・ドレイン領域１０３よりも高くし、抵抗値を小さくする。 - 特許庁 - The manufacturing method comprises the optical member which has at least one light diffusion layer that contains fine particles of an organic polymer on a transparent support consisting of a translucent resin, wherein the light diffusion layer is formed by coating the coating liquid using an organic solvent and wherein the specific gravity of the organic solvent is >0.85 and <1.
透光性樹脂からなる透明支持体上に有機ポリマー微粒子を含有する光拡散層を少なくとも１層有する光学部材であって、該光拡散層は有機溶剤を用いた塗布液を塗布して形成され、該有機溶剤の比重が０．８５を越え１未満である光学部材の製造方法。 - 特許庁 - The channel layers 2a, 2b comprise a prescribed conductivity type, and at least two gate diffusion layers 4a, 4b, which form pn junctions with each channel layer 2a, 2b under a gate electrode 7, respectively, are formed, and at least two gate diffusion layers 4a, 4b are electrically connected by a connection layer 5.
チャネル層２ａ，２ｂは、所定の導電型を有し、ゲート電極７下における各チャネル層２ａ，２ｂとｐｎ接合をそれぞれ形成する少なくとも２つのゲート拡散層４ａ，４ｂが形成され、少なくとも２つのゲート拡散層４ａ，４ｂは、接続層５により電気的に接続されている。 - 特許庁 - In the oscillator circuit in which both terminals of a piezoelectric oscillator X are connected to input and output terminals of an amplifier A and an oscillating waveform is output from the output terminal of the amplifier A, a diode-type ESD protection circuit B1 having a P-type diffusion layer and an N-type diffusion layer is connected on the input side of the amplifier A.
圧電振動子Ｘの両端子が増幅器Ａの入出力端子に接続され、増幅器Ａの出力端子から発振波形が出力される発振回路において、増幅器Ａの入力側に、Ｐ型拡散層とＮ型拡散層を有するダイオード型のＥＳＤ保護回路Ｂ１が接続されている。 - 特許庁 - To provide a wiring structure that the junction between diffusion barrier layers consisting of metal or compound thin layers in contact with an interlayer insulating film layer containing a low-dielectric constant organic matter, as its main component is strong and a peeling or a desorption is never generated at the interface between the interlayer insulating film layer and the diffusion barrier layers, and to provide the manufacturing method of the wiring structure.
誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層の相互間の結合が強く、その界面で剥離・脱離が発生することのない配線構造及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The manufacturing method of a semiconductor element includes: a step for forming a diffusion prevention film in a laminated structure including at least a first metal film 22A and a metal silicide film 22C containing nitrogen on a first conductive layer 21; and a step for forming a second conductive layer 23 on the diffusion prevention film.
本発明に係る半導体素子の製造方法は、第１導電層（２１）上に、少なくとも第１金属膜（２２Ａ）および窒素含有の金属シリサイド膜（２２Ｃ）を含む積層構造で拡散防止膜を形成するステップと、該拡散防止膜上に第２導電層（２３）を形成するステップとを含む。 - 特許庁 - An LCD driver IC 14 comprises: a transistor element 31; an STI separation layer 32 for separating the transistor element 31 and the like electrically; a diffusion region 43 formed adjacent to the STI separation layer 32; an insulation film 41 formed on the diffusion region 43; and a resistive element 34 formed on the insulation film 41.
ＬＣＤドライバＩＣ１４は、トランジスタ素子３１と、トランジスタ素子３１などを電気的に分離するためのＳＴＩ分離層３２と、ＳＴＩ分離層３２に隣接して形成された拡散領域４３と、拡散領域４３上に形成された絶縁膜４１と、絶縁膜４１上に形成された抵抗素子３４とを有する。 - 特許庁 - In the semitransmissive liquid crystal display element 1 having a light diffusion layer 21 composed of a transmissive resin and a semitransmissive metal thin film 22 as a light reflection film on the inside surface, the transmissive resin of the light diffusion layer 21 is colored with the complementary color with respect to the color of the transmitted light from the metal thin film 22.
内面に透光性樹脂からなる光拡散層２１と、光反射膜としての光半透過性金属薄膜２２とを有する半透過型液晶表示素子１において、光拡散層２１の透光性樹脂を金属薄膜２２の透過光色と補色関係にある色に着色する。 - 特許庁 - The device has a PNPN junction structure, having a diffusion layer of a second conductive type, formed in a well of a first conductive type and a diffusion layer of a first conductive type, formed in a well of a second conductive type, with an external resistor being connected to one of the wells to allow limiting a current between an anode and a cathode.
この装置は、第１導電型のウェルに第２導電型の拡散層が形成され、第２導電型のウェルに第１導電型の拡散層が形成されたＰＮＰＮ接合構造において、アノード及びカソードの間の電流を制限することができる外部抵抗をウェルに連結した構造である。 - 特許庁 - An optical functional member 402 and a light diffusion layer 401 stuck by an adhesive or a binder 403 are supported by pressing in a lamination direction by a supporting member 404 to suppress the camber due to thermal expansion in the optical sheet 40 constituted of the optical functional member 402 and the light diffusion layer 401.
接着剤もしくは粘着剤４０３により貼り合わされた光学機能部材４０２と光拡散層４０１を支持部材４０４により積層方向に押圧支持してこれら光学機能部材４０２と光拡散層４０１からなる光学シート４０の熱膨張による反りを抑制するように構成した。 - 特許庁 - The gas diffusion electrode is produced by laminating a reaction layer sheet 2 which is a member constituting the gas diffusion electrode, a gas supply layer sheet 3 and a current collector 4, laminating the metallic terminal on one part thereof and hot pressing the laminated under the conditions of a temperature above the melting point of a used fluororesin and ≤400°C and a pressing pressure of ≥5 g/cm2.
ガス拡散電極を構成する部材である反応層シートとガス供給層シートと集電体とを積層するとともに、一部に金属端子も合わせて積層し、使用したフッ素樹脂の融点以上、４００℃以下の温度、プレス圧５ｋｇ／ｃｍ^2 以上の条件下でホットプレスして製造。 - 特許庁 - A first gas diffusion layer 52 forming an anode side electrode 20 and a second gas diffusion layer 56 forming a cathode side electrode 22 are provided with a first gas passage 58 and a second gas passage 60 facing a first passage 38 and a second passage 46 provided on a first separator 14 and a second separator 16 respectively.
アノード側電極２０を構成する第１ガス拡散層５２およびカソード側電極２２を構成する第２ガス拡散層５６は、第１および第２セパレータ１４、１６に設けられている第１および第２流路３８、４６に対向して第１および第２ガス流路５８、６０を設けている。 - 特許庁 - After a process, in which a cobalt silicide film 8 which covers a source/drain diffusion layer region 7 as well as a gate electrode 4 of a polycrystal silicon is formed, there are provided process where an impurity ion is implanted in the region between the source/drain diffusion layer region and a channel region, which is thermally processed to form an SD extension 61.
多結晶シリコンのゲート電極４及びソース・ドレイン拡散層領域を７覆うコバルトシリサイド膜８を形成する工程の後に、ソース・ドレイン拡散層領域とチャネル領域との間の領域に不純物イオンを注入してこれを熱処理してＳＤエクステンション６１を形成する工程を備える。 - 特許庁 - In an n-type well potential power supply region 109 connected with a VDD wiring 105, for example, impurity concentration of a high concentration n-type impurity diffusion layer 112 which constitutes the region 109 is made higher than that of a source/drain region 104 formed of the high concentration n-type impurity diffusion layer, and resistance value is made small.
ＶＤＤ配線１０５に接続されるＮ型ウエル電位給電領域１０９を、例えばそれを構成する高濃度Ｎ型不純物拡散層１１２の不純物濃度を、高濃度Ｎ型不純物拡散層で形成されたソース・ドレイン領域１０４よりも高くし、抵抗値を小さくする。 - 特許庁 - In the method for forming the light diffusion layer, the light diffusion layer having a fine uneven structure is formed on a surface of a base material by jetting ink drops containing a light diffusivity imparting composition forming the fine uneven structure by an ink jet system while the capacity of the ink drops is controlled.
透明基材上に、インクジェット方式により微細な凹凸構造を形成する光拡散性付与組成物を含有するインク液滴を、該インク液滴の容積を制御しながら出射させて、該基材表面に微細凹凸構造を有する光拡散層を形成することを特徴とする光拡散層の形成方法。 - 特許庁 - An active layer 1, a light confinement layer and a reflection structure for initiating laser oscillation are formed on a substrate 5, the upper light confinement layer is made a ridge structure, a part of a compound semiconductor on the substrate 5 is made as a semi-insulating layer through impurity diffusion, and the region of the active layer 1 is set to be positioned directly under the ridge structure.
基板上に活性層と光閉じ込め層とレーザ発振を起こさせるための反射構造とを形成し、上部の光閉じ込め層をリッジ構造にし、基板上に有する化合物半導体の一部を不純物拡散によって半絶縁層化した層により、活性層の領域をリッジ構造の直下に設定する。 - 特許庁 - To provide a glass ceramic multi-layer wiring board with a built-in capacitor for suppressing the inter-diffusion of components in a dielectric layer configuring a capacitor part and components in an insulating layer or glass components in an electrode layer, and for preventing the deterioration of the capacity of a capacitor part formed in the glass cermaic multi-layer wiring substrate, and for suppressing the variation.
コンデンサ部を構成する誘電体層中の成分と、絶縁層中の成分あるいは電極層中のガラス成分との相互拡散を抑制し、ガラスセラミック多層配線基板内に形成したコンデンサ部の容量の低下を防ぎ、またそのバラツキを抑制することができるコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板を提供すること。 - 特許庁 - The processing time is greatly shortened as compared with processing including only a sputter step, and a uniform seed layer is formed; and complete via filling is not carried out, but conductive layer plating 10 on the seed layer is carried out, and barrier plating 12 on a surface is performed to prevent a copper plating layer from oxidizing, thereby making an inter-layer connection free of diffusion of copper in the resin.
スパッタ工程のみと比較し大幅に処理時間を短縮するとともに、均一なシード層を作成し、シード層の上に完全なビアフィリングを行わず、コンフォーマルに導電層めっき１０を施し、銅めっき層の酸化防止のため表面にバリアめっき１２を施すことにより、樹脂に銅が拡散しない層間接続が可能となる。 - 特許庁 - In the planographic printing plate which has at least one layer of silver halide emulsion layer on an aluminum supporting body subjected to roughening treatment and anodic oxidation and which employs the silver complex diffusion transfer process, a layer containing a polymer having a functional group expressed by formula (1) or (2) is formed as an upper layer on the silver halide emulsion layer.
粗面化され、陽極酸化されたアルミニウム支持体上に少なくとも１層のハロゲン化銀乳剤層を有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版に於いて、該ハロゲン化銀乳剤層の上層に、化１あるいは化２で示される官能基を有するポリマーを含有する層を設けることによって達成された。 - 特許庁 - A light emitting diode 10 comprises a light emitting part 4 formed on a GaAs substrate 1, and a medium layer 5 and a current diffusion layer 6 made of AlGaInP, where the light emitting part 4 is composed by forming a lower clad layer 41 made of AlGaInP, a light emitting layer 42 made of AlGaInP, and an upper clad layer 43 on the GaAs substrate 1 in order.
発光ダイオード１０は、ＧａＡｓ基板１上に形成された発光部４、ＡｌＧａＩｎＰからなる中間層５及び電流拡散層６を備え、発光部４は、ＡｌＧａＩｎＰからなる下部クラッド層４１、ＡｌＧａＩｎＰからなる発光層４２及び上部クラッド層４３をＧａＡｓ基板１上に順次形成して構成されている。 - 特許庁 - To provide a method for forming a fine metallic pattern of a semiconductor element, based on a damascene technique which can ensure broad width of a metallic layer for improving the operational speed of the element and can easily control steps by etching only the metal layer without etching the metallic layer, anti-diffusion layer and bonding layer at the same time.
金属膜の幅を広く確保可能として素子の動作速度を向上させることができ、従来のように金属膜，拡散防止膜及び接着膜を同時に蝕刻せずに、金属膜のみを蝕刻することにより工程を容易に制御可能である象嵌技法を利用した半導体素子の微細金属パターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - More specifically, oxidation of adjacent SOI layers is prevented by preventing diffusion of oxygen at the interface of the SOI layer and the buried silicon oxide layer using a method for forming the nitrogen containing layer by ion implantation or a method for forming an amorphous silicon layer on the side wall of the isolation trench and forming a single crystal silicon layer through solid phase epitaxial growth.
詳細には、イオン注入等の方法によって窒素含有層を形成する方法や、アモルファスシリコン層を素子分離用トレンチ側壁に積層し、これを固相エピタキシャル成長により単結晶シリコン層を形成する方法により、ＳＯＩ層と埋め込み酸化シリコン層との界面での酸素拡散を防止し、隣接したＳＯＩ層の酸化を防止する。 - 特許庁 - A surface of a hydrophilic layer 118b facing a separator 122 has a higher hydrophilicity than that of a water-repellent layer 118a facing a catalyst layer 14, and a surface of a surface layer 122a formed by putting under a hydrophilic treatment a gas flow channel 126 formed at the separator 122 facing a diffusion layer 118 has desired hydrophilicity.
セパレータ１２２と対面する親水層１１８ｂの表面が、触媒層１４と対面する撥水層１１８ａの表面よりも親水性が高く、拡散層１１８と対面するセパレータ１２２に形成されたガス流路１２６の親水化処理により形成された表面層１２２ａの表面は、所望の親水性を有する。 - 特許庁 - The solar battery comprises a translucent photodiffusion layer 1 having a total light transmittance of 70% or more and a diffusion transmittance of 60% or more and provided on the photodetecting surface 1a of the solar battery cell 1, and a fluorescent substance-containing transparent layer 8 laminated on an upper layer and/or a lower layer of the photodiffusion layer 7.
全光線透過率が７０％以上、かつ拡散透過率が６０％以上である透光性光拡散層７が太陽電池素子１の受光面１ａに備えられ、さらに上記透光性光拡散層７の上層及び／又は下層に蛍光性物質含有透明層８が積層されてなる透光性光拡散層付き太陽電池。 - 特許庁 - A lithographic printing material applying a silver complex salt diffusion transfer process is provided which has at least a silver halide emulsion layer and a physical development nucleus layer in order on a support, wherein the lithographic printing material contains a titanium oxide subjected to an inorganic surface treatment in at least one of the silver halide emulsion layer and a layer above the emulsion layer.
支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層及び物理現像核層を順に有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷材料に於て、該ハロゲン化銀乳剤層及びその上層の少なくとも一層に、無機表面処理が施された酸化チタンを含有することを特徴とする平版印刷材料 - 特許庁 - In the solid high polymer type fuel cell equipped with a film-electrode zygote 10 which electrodes are joined to both sides of a solid high polymer electrolyte film 20, at least a cathode 30 is made into a two-layer structure of a catalyst layer 34 and a diffusion layer 32, and a gaseous phase side surface of an electrolyte 40 in the catalyst layer is covered with water repellant layer 42 which has oxygen permeability.
固体高分子電解質膜２０の両面に電極が接合された膜電極接合体１０を備えた固体高分子型燃料電池において、少なくともカソード３０を触媒層３４と拡散層３２の二層構造とし、酸素透過性を有する撥水層４２で触媒層内電解質４０の気相側表面を被覆する。 - 特許庁 - The color filter base plate for organic electroluminescent element is composed of a base material, a coloring layer formed into pattern shape on the base material, a gas barrier layer formed on the coloring layer, and a gas diffusion layer as a painted film formed on the gas barrier layer.
本発明は、基材と、上記基材上にパターン状に形成された着色層と、上記着色層上に形成されたガスバリア層と、上記ガスバリア層上に形成され、塗膜であるガス拡散層とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子用カラーフィルタ基板を提供することにより、上記目的を達成するものである。 - 特許庁 - In the objective planographic printing material which has at least an undercoat layer, a silver halide emulsion layer and a physical developing nucleus layer on a substrate and to which a silver complex salt diffusion transfer process is applied, the undercoat layer or the silver halide emulsion layer contains a matting agent as a dispersion of the matting agent and a compound having ethyleneoxy and propyleneoxy groups.
支持体上に少なくとも下塗り層、ハロゲン化銀乳剤層及び物理現像核層を有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷材料に於て、前記下塗り層またはハロゲン化銀乳剤層が、マット剤をエチレンオキシ基とプロピレンオキシ基を有する化合物との分散物として含有することを特徴とする平版印刷材料。 - 特許庁
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