「diffusion」を含む例文一覧(18240)
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熱拡散性シート６，２３はグラファイトシート７と樹脂フィルム８ａ，８ｂ、場合により金属薄板２２を備える。 - 特許庁 - Further, the power output of the beam can be reduced since the diffusion of the heat on the lid is suppressed.
また、リッド上の熱の拡散が抑制されるため、ビームのパワー出力を低減することが可能となる。 - 特許庁 - To increase the parastic resistance of an impurity diffusion layer and reduce the depth thereof.
不純物拡散層の寄生抵抗の増大を抑制しつつ不純物拡散層の深さを浅くする。 - 特許庁 - In two adjoining transistors P205 and P206, there are arranged a common source diffusion region 301, a CA via 200 arranged on the common source diffusion region 301, and a source wiring 213 which is wired on the common source diffusion region 301 and is connected to the CA via 200.
隣接する２個のトランジスタＰ２０５、Ｐ２０６において、共有ソース拡散領域３０１と、この共有ソース拡散領域上３０１に配置されたＣＡビア２００と、前記共有ソース拡散領域３０１上に配線され且つ前記ＣＡビア２００に接続されたソース配線２１３とが配置される。 - 特許庁 - A fuel diffusion body 42 is provided in the undersurface side of the tip of the evaporating cylinder 39, and an air diffusion member 60 with blades 63 for diffusing the air introduced in the evaporating cylinder 39 through the blower cylinder 41 in the circumferential direction is provided in an outer peripheral side of the fuel diffusion body 42.
気化筒３９の頂部下面側には燃料拡散体４２が設けられているとともに、当該燃料拡散体４２の外周側に、送風筒４１を通じて気化筒３９内に導入された空気を周方向に拡散させるための羽根６３を備えた空気拡散部材６０が設けられている。 - 特許庁 - A furnace core tube 11 is incliningly arranged with respect to the horizontal in this lateral type diffusion furnace, and an impurity diffusion layer is formed on each silicon substrate 21 on the diffusion semiconductor boat 22 arranged in the furnace core tube 11, by introducing an impurity gas into the furnace core tube 11 from the end part on the lower side of the furnace core tube 11.
炉心管１１が水平に対して傾斜状態に配置されており、炉心管１１の下側の端部から炉心管１１内に不純物ガスが導入されて加熱されることにより、炉心管１１内に配置された拡散半導体基板ボート２２上の各シリコン基板２１に不純物拡散層が形成される。 - 特許庁 - The end face of the catalyst layer 30 of one gas diffusion electrode layer 26 is arranged so as to slip from the end face of the catalyst layer 28 of the other gas diffusion electrode layer 24, and spaces 27, 29 of at least one part are left to the end face of the catalyst layers 28, 30 in the outer circumferences of the gas diffusion electrode layers 24, 26.
一方のガス拡散電極層２６の触媒層３０の端面が、他方のガス拡散電極層２４の触媒層２８の端面に対して位置をずらして設置され、ガス拡散電極層２４，２６の外周に、前記触媒層２８，３０の端面と少なくとも一部間隔２７，２９を開けている。 - 特許庁 - After that, a second interlayer insulating film 147 is deposited on the substrate; and the metal pad 152 for relaxing the stress, a second plug 170n on the N-type diffusion layer reaching a first plug 160p on a P-type diffusion layer, and a second plug 170p on the P-type diffusion layer are formed through the second interlayer insulating film 147.
その後、基板上に第２の層間絶縁膜１４７を堆積し、第２の層間絶縁膜１４７を貫通して応力緩和用金属パッド１５２，Ｐ型拡散層上第１プラグ１６０ｐに到達するＮ型拡散層上第２プラグ１７０ｎ，Ｐ型拡散層上第２プラグ１７０ｐを形成する。 - 特許庁 - The storage node electrode is electrically connected to a diffusion region 19 of a semiconductor substrate by means of the plug section.
プラグ部によって半導体基板１の拡散領域１９との電気的接続を図っている。 - 特許庁 - The amplifying transistor generates the signal based on the signal electrical charge transferred to the floating diffusion region.
増幅トランジスタは、フローティングディフュージョン領域に転送された信号電荷に基づく信号を生成する。 - 特許庁 - The semiconductor device includes gate electrode parts G21a-G21c formed over a P type diffusion region, an N type diffusion region, and an element isolation region, and arranged on a diffusion region; and a plurality of gate polysilicon films G20a-G20c having gate wiring parts G22a-G22c arranged on the element isolation region.
半導体装置は、Ｐ型拡散領域，Ｎ型拡散領域及び素子分離領域に跨って形成され、拡散領域上に位置するゲート電極部Ｇ２１ａ〜Ｇ２１ｃと、素子分離領域上に位置するゲート配線部Ｇ２２ａ〜Ｇ２２ｃとを有する複数のゲートポリシリコン膜Ｇ２０ａ〜Ｇ２０ｃを備えている。 - 特許庁 - The surface of the n-type silicon well region 11 wherein the impurity diffusion regions 12, 13 are formed is covered with a layer insulation film 15, and a metallic wiring layer 21 extended to a boundary line of the n-type impurity diffusion region 13 is formed thereon and is electrically connected to the p-type impurity diffusion region 12.
不純物拡散領域１２，１３が形成されたＮ型シリコンウエル領域１１の表面を層間絶縁膜１５で覆い、この上にＮ型不純物拡散領域１３の境界線まで広げたメタル配線層２１を形成し、これをＰ型不純物拡散領域１２に電気的に接続する。 - 特許庁 - A manifold structure 62 is formed by joining three sheets of manifold plates 26, 27 and 28 through diffusion joining.
３枚のマニホールドプレート２６、２７、２８を拡散接合で接合してマニホールド構造体６２を形成する。 - 特許庁 - The shapes wrapping around the overhanging part 21 are imparted to the gas diffusion layers 14, 15 by forming a double-layered structure in which a separator side gas diffusion layer 25 provided with an opening 27 to house the overhanging part 21 therein is overlapped to an ion-exchange membrane side gas diffusion layer 26, or by forming a concavity 28 to house the overhanging part 21.
張出し部２１を包み込む形状は、張出し部２１が収められる開口部２７を設けたセパレータ側ガス拡散層２５をイオン交換膜側ガス拡散層２６に重ね合わせる二層構成、或いは張出し部２１を収容する陥没部２８を形成することにより、ガス拡散層１４，１５に付与される。 - 特許庁 - The diffusion area 31 and the total reflection area 32 can be provided on the second internal reflection face 3B.
散乱エリア３１と全反射エリア３２とを、第２の内部反射面３Ｂに設けるようにしても良い。 - 特許庁 - Moreover, the second P-well area 55b is connected to GND, and the N-type diffusion areas 53 are connected to the connection node 90.
第2Pウェル領域55bがGNDに接続され、N型拡散領域53が接続ノード90に接続されている。 - 特許庁 - The field isolation layers 2, 4 are provided to both parts adjacent to the region of the diffusion layer 3.
拡散層３領域の両隣にフィールド分離層２及びフィールド分離層４が設けられている。 - 特許庁 - The system is provided with a temperature changing unit 10, a first conduit 16 and an open cell diffusion unit 12.
システムは、温度変更ユニット１０、第１の導管１６および連続気泡拡散ユニット１２を備える。 - 特許庁 - To provide a range finder by a spectrum diffusion method, which enables to extend a measurable distance, while maintaining measurement resolution.
スペクトル拡散方式の測距装置において、測定分解能を保ったまま測定可能距離を延ばす。 - 特許庁 - To provide a means for finding a location using diffusion of location information which can be used more generally.
より一般的に適用される、位置情報の拡散を利用した位置発見手段を提供する。 - 特許庁 - In a gas diffusion layer used for a gas diffusion electrode having at least catalyst layers 2A, 2B, and gas diffusion layers 11A, 11B, embedded parts 15A, 15B where the peripheral part Q2 of the catalyst layer is deeply intruded compared with the central part Q1 of the catalyst layer when the catalyst layer is formed are installed.
触媒層２Ａ、２Ｂとガス拡散層１１Ａ、１１Ｂとを少なくとも有するガス拡散電極に用いられるガス拡散層において、触媒層を設けたときに触媒層の周辺部Ｑ２が触媒層の中央部Ｑ１に比べてより深く侵入するように形成される埋没部１５Ａ、１５Ｂを設ける。 - 特許庁 - The diffusion plate 1 includes a plurality of fine projections 20, 20, etc., regularly arrayed at intervals P.
拡散板１は、周期Ｐで規則的に配列された複数の微小凸部２０，２０，…を備えている。 - 特許庁 - First and second diffusion layers 54 and 52 of first conductivity-type are formed in the source region Sc.
ソース領域Ｓｃに、第１導電型の第１及び第２の拡散層５４、５２とが形成される。 - 特許庁 - A decorative plate 60 of a transflective reflection type is arranged on the front side of the second diffusion film 302.
第２拡散フィルム３０２の正面側には、半透過反射型の化粧板６０が配設されている。 - 特許庁 - PORTABLE LIQUID CONTAMINATION MEASURING DEVICE, PORTABLE IN-LIQUID DIFFUSION CONCENTRATION MEASURING DEVICE, AND METHOD USING THE SAME
携帯型液体汚れ測定器、携帯型液体中分散物濃度測定器及びその使用方法 - 特許庁 - DIFFUSION SYSTEM AND PREVENTIVE METHOD OF INVOLVEMENT OF OXYGEN GAS THEREIN, AND FORK SYSTEM
拡散装置における酸素ガス巻き込み防止方法、これに用いて好適な拡散装置及びフォーク装置 - 特許庁 - Use of this imaging device results in higher quality images by reducing optical diffusion and image blur.
この撮像装置を用いれば、拡散及びボケが減少し、従ってより良い品質の画像が得られる。 - 特許庁 - A channel region 35 is formed between the first and second N-type impurity diffusion layers 41, 42.
第１および第２Ｎ型不純物拡散層４１，４２の間にチャネル領域３５が形成されている。 - 特許庁 - To provide a code division multiple parallel radio communication system, etc., using a cyclic expansion diffusion code.
巡回拡張拡散符号を用いた符号分割多重並列無線通信システム等を提供する。 - 特許庁 - In the manufacture method of unidirectional diffusion plate, the unidirectional diffusion plate is manufactured by utilizing a speckle pattern formed when the surface relief type diffusion plate having groove depth of ≥2 μm and ≤20 μm on the surface is irradiated with the light of linear coherence.
表面の溝の深さが２μｍ以上２０μｍ以下であるような、表面レリーフ型の拡散板で、直線状の可干渉性のある光を拡散板に照射して、そのときに生じるスペックルパターンを用いて作成することを特徴とする一方向性拡散板の作成方法および表面レリーフ型拡散板である。 - 特許庁 - To improve deterioration in quality of converted data encountered at the end of image data in error diffusion processing.
誤差拡散処理において、画像データの端部に生じる変換データの品質の低下を改善する。 - 特許庁 - Zn is diffused through the diffusion mask to a window layer 20 to simultaneously form a light reception part and a guard ring.
拡散マスクを経てＺｎを窓層２０に拡散し、受光部とガードリングとを同時に形成する。 - 特許庁 - To obtain a three-dimensional structural body, wherein diffusion of substances and a reaction interface are sufficiently secured on the surface.
表面において、物質拡散・反応界面の確保が十分できた三次元構造体を得る。 - 特許庁 - To improve countermeasure performance for EMI by suppressing diffusion of radiation noise from a gap produced at the corner of a shell.
シェルの角に生じた隙間からの放射ノイズの拡散を抑制してＥＭＩ対策性能を高める。 - 特許庁 - Instead of the p-type diffusion layer 2, a trench gate structure may be disposed as the leakage restraining structure.
Ｐ型拡散層２の代わりに、トレンチゲート構造部をリーク抑制構造部として配置してもよい。 - 特許庁 - A liquid crystal display panel 12 is adhered and fixed to the diffusion sheet 10 through a double coated tape 16.
液晶表示パネル１２は、両面テープ１６を介して拡散シート１０に接着されて固定される。 - 特許庁 - To prevent the accident of explosion in a refrigerator by precluding the diffusion of combustible refrigerant leaked into the refrigerator.
漏れた可燃性冷媒が庫内へ拡散されるのを阻止し、庫内での爆発事故を未然に防止する。 - 特許庁 - To actualize efficient heat diffusion by avoiding the danger of the heat generated by a small-sized light emission device.
小型化の発光装置が発生する熱の危険性を回避し、効率の良い熱拡散を実現する。 - 特許庁 - The substance X is either removed from the surface (i.e. M^1X) or by means of diffusion extracted from the care material.
物質Xは、表面(即ち、M^1X)から除去されるか、又は拡散によりケア材料から抽出される。 - 特許庁 - Diffusion plates 13 and 15 are provided on the incident side and the transmission side of the transmission light quantity control member 14.
透過光量制限部材１４の入射側と透過側には、拡散板１３，１５を備える。 - 特許庁 - A local small diffusion is performed by each of plural nonlinear conversion modules 2 arranged in parallel in each step, and then a large diffusion is performed over a block width by a diffusion module 3, and the local small diffusions are performed by the nonlinear conversion modules 2 again, and this operation is repeated in a prescribed number of steps.
各段において複数並列に並んだ非線形変換モジュール２の各々により局所的な小拡散を行い、次いで拡散モジュール３によりブロック幅に渡る大拡散を行い、また非線形変換モジュール２により局所的な小拡散を行い、ということを所定段数繰り返す。 - 特許庁 - An exothermic module 10 is integrally provided with a cooler 11, a thermal diffusion member 12 disposed on the cooler 11 and including at least one layer of a thermal diffusion plate 30 formed using a carbon-based material, and an exothermic body 13 disposed on one surface 12a opposite to the cooler 11 of the thermal diffusion member 12.
発熱体モジュール１０は、冷却器１１と、炭素系材料を用いて形成された熱拡散板３０を少なくとも１層有し、冷却器１１上に配置された熱拡散部材１２と、熱拡散部材１２の冷却器１１と反対の一面１２ａ上に配置された発熱体１３と、一体的に備える。 - 特許庁 - An uncured binder 10a incorporated with a light diffusion agent 10b is applied onto a first releasing film 37.
第１離型フィルム３７に光拡散剤１０ｂを混入した未硬化のバインダ１０ａを塗布する。 - 特許庁 - In this gas diffusion tower, a diffusion pipe is formed into a double pipe structure consisting of a fixed inner cylinder pipe and an outer cylinder pipe provided on the outside of the inner cylinder pipe so as to be longitudinally liftable, so that the diffusion pipe is expanded and contracted by sliding the outer cylinder pipe upward and downward relative to the inner cylinder pipe.
放散管を、固定された内筒管と該内筒管の外側に長手方向昇降自在に設けられた外筒管とからなる二重管構造とし、前記外筒管が前記内筒管に対してスライド昇降することにより放散管が伸縮する構成としたことを特徴とするガス放散塔である。 - 特許庁 - The film carrier 38 is installed on a diffusion box 40, and feeds the photographic film where an image is recorded.
フィルムキャリア３８は、拡散ボックス４０の上に設置され、画像が記録された写真フィルムを搬送する。 - 特許庁 - At the contacting part of the alloy grains 6 and the glass tube 1, Si diffusion layer 8 of the glass tube 1 is formed on the alloy grains 6 and zinc - mercury diffusion layer 9 is formed on the glass tube 1, and the glass tube 1 and the alloy grains 6 are mutually adhered firmly by these diffusion layers 8, 9.
合金粒６とガラス管１との接触部分においては、合金粒６にガラス管１のＳｉ拡散層８が形成され、ガラス管１に合金粒６の亜鉛−水銀拡散層９が形成されており、これら拡散層８，９によってガラス管１と合金粒６とが互いに強固に固着されている。 - 特許庁 - The two diffusion layers 42 include high drainage performance on each side, and can be thinned with rigidity increased.
２枚の拡散層４２は、各々片面が高排水性を有し、剛性が増して薄層化可能である。 - 特許庁 - This semiconductor device having high dielectric strength comprises a semiconductor region 2, a diffusion region 6 for contact, a isolation diffusion region 4, a field insulation film 16, a metal electrode 25 electrically connected to the diffusion region 6 for contact and a plurality of plate electrodes 18a, 19a formed under the floating condition.
半導体領域２と、コンタクト用拡散領域６と、分離拡散領域４と、フィールド絶縁膜１６と、コンタクト用拡散領域６と電気的に接続された金属電極２５と、フローティング状態で形成された複数のプレート電極１８ａ、１９ａとを備えた高耐圧半導体装置である。 - 特許庁 - SILICONE FINE PARTICLE WHICH IS EXCELLENT IN BRIGHTNESS AND LIGHT RESISTANCE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND LIGHT DIFFUSION PLATE USING THE SAME
輝度及び耐光性に優れたシリコン微粒子、その製造方法並びにこれを用いた光拡散板 - 特許庁 - P-TYPE DIFFUSION LAYER FORMATION COMPOSITION, MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD FOR SOLAR BATTERY ELEMENT
ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 - 特許庁
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