N-TYPE DIFFUSION LAYER FORMATION COMPOSITION, MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD FOR SOLAR BATTERY ELEMENT n型拡散層形成組成物、n型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 - 特許庁
The second diffusion layer 16 is formed by implanting an impurity having a relatively small mass number. また、第2拡散層16は、質量数の比較的小さい不純物の注入により形成される。 - 特許庁
The suppression of the oxygen diffusion causes suppressing the generation of a leak current, thereby improving the characteristics. 酸素拡散が抑制されることによりリーク電流の発生が抑制され、特性が向上される。 - 特許庁
To provide a high-brightness light-emitting diode by optically correcting a diffusion optical flux at light-emitting. 発光ダイオードの発光時の拡散光束を光学補正し、より高輝度な発光ダイオードを具現化する。 - 特許庁
Accordingly, the diffusion control of an electrode is reduced, and a heavy current is let flow. 従ってこの液流れによって、電極の拡散支配が軽減され、大きな電流を流すことができる。 - 特許庁
That is, the surface of the diffusion film 8 is coated with an orange coating material which transmits light. 即ち、拡散フィルム8は、拡散フィルム8の表面に光を透過するオレンジ塗料をコーティングした。 - 特許庁
The mask layer 102 is removed, and an n^+ diffusion layer 108 is formed on the surface of the silicon substrate 101. エッチングマスク層102を除去し、シリコン基板101の表面にN+拡散層108を形成する。 - 特許庁
An N type impurity diffusion layer 41 is formed in a region between adjacent P type wells 23. 隣り合うP型ウエル23の間の領域には、N型不純物拡散層41が形成されている。 - 特許庁
In the apparatus for analyzing a very small amount of gas including at least a diffusion scrubber 11 for collecting a gas component in the atmosphere and a sampling pipe 10 for introducing the atmosphere into the diffusion scrubber 11, a washing means 2 for washing the diffusion scrubber 11 and the sampling pipe 10 using a washing liquid 22 is provided. 大気中のガス成分を捕集する拡散スクラバ11と、この拡散スクラバ11に前記大気を導入するサンプリング管10とを少なくとも含む極微量ガス分析装置において、前記拡散スクラバ11とサンプリング管10とを洗浄液22を用いて洗浄する洗浄手段2を設けたことを特徴とする。 - 特許庁
To provide a development cartridge, a process cartridge and an image formation apparatus for suppressing the diffusion of developer. 現像剤の拡散が抑制され得る現像カートリッジ、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁
In the gas diffusion layer consisting of a conductive porous body and a hydrophobic material, a hydrophobicity of at least a part of an area on the surface of the gas diffusion layer is to be higher than that at least a part of an area inside the gas diffusion layer existing in adjacency to the former area. 導電性多孔質体と疎水性材料とからなるガス拡散層において、前記ガス拡散層の表面の少なくとも一部の領域の疎水性が前記領域に隣接して存在する前記ガス拡散層の内部の少なくとも一部の領域の疎水性よりも高いことを特徴とするガス拡散層。 - 特許庁
An n-type channel diffusion layer 24, a p-type high density diffusion layer 26 for a source, an n-type high density diffusion layer 28, a gate oxide film 30, and a gate electrode 32 which constitute a p-channel DMOS transistor are formed in an area different from the CMOS formation area of the p-type low density epitaxial growth layer 4. P型低濃度エピタキシャル成長層4のCMOS形成領域とは異なる領域に、PchDMOSトランジスタを構成する、N型チャネル拡散層24、ソース用のP型高濃度拡散層26、N型高濃度拡散層28、ゲート酸化膜30及びゲート電極32が形成されている。 - 特許庁
A diffusion film may be applied on the louver film and/or the polarizing film of the optical laminated body. この光学積層体のルーバーフィルム上及び/又は偏光フィルム上には拡散フィルムを設けてもよい。 - 特許庁
A production method comprises processes of a mixing step S01, an illuminating step S02, a diffusion step S03 and a liquid crystal removal step S04. 混合ステップS01、照光ステップS02、拡散ステップS03、液晶除去ステップS04の工程を備える製造方法。 - 特許庁
Logical calculation for generating a connecting diffusion layer is performed for resizing. さらに、接続用拡散層の生成のための論理演算を行なった後、接続用拡散層のリサイズを行なう。 - 特許庁
An He gas is diffused into the diffusion space 16 via holes 14 to cool the sample 20. この拡散空間16に孔14を介してHeガスを拡散させて試料20を冷却する。 - 特許庁
Thus when a p-type impurity is diffusion-doped in the semiconductor layer 104 via the contact layer 105, the element isolation regions 106 at a diffusion depth Xj2 reaching the substrate 102 and light emitting parts 110 at a diffusion depth Xj1 which does not reach the substrate 102 are formed at the same time, in the semiconductor layer 104. したがって,コンタクト層105を介して半導体層104にp型不純物を拡散ドープすると,半導体層104には,高抵抗基板102に達する拡散深さXj2の素子分離領域106と高抵抗基板102に達しない拡散深さXj1の発光部110とが同時形成される。 - 特許庁
To provide the inhibiting diffusion spectrum frequency modulation method and its connection for maximum noise amplitude. 最大ノイズ振幅を抑制する拡散スペクトラム周波数変調のための方法と回路を提供する - 特許庁
An external base region 19 is formed from the base taking-out electrode 21 by solid-phase diffusion. そして、ベース取り出し電極21から固相拡散により外部ベース領域19を形成する。 - 特許庁
To obtain a diffusion tensor tractographic image which permits an area to be diagnosed to be examined in detail. 診断対象の領域を詳細に検査することが可能な拡散テンソルトラクトグラフィ画像を得る。 - 特許庁
A lower diffusion preventive insulating layer 112 of silicon nitride is formed on an Si substrate 111. Si基板111上にシリコン窒化膜からなる下部拡散防止絶縁層112が形成されている。 - 特許庁
The other region may be formed by epitaxial growth, or may be formed by the diffusion of surface emptiness. 他方の領域は、エピタキシャル成長により形成しても、表面空の拡散により形成しても良い。 - 特許庁
The thermal diffusion plate is thermally connected with the heat sink and opposed to the radiation hole in the casing. 熱拡散板は、ヒートシンクに熱的に接続されるとともに、筐体内で放熱孔と対向している。 - 特許庁
A P type diffusion layer 5 used as a back gate region is formed on the epitaxial layer 2. エピタキシャル層2には、バックゲート領域として用いられるP型の拡散層5が形成されている。 - 特許庁
POROUS BODY FOR GAS DIFFUSION LAYER, ITS MANUFACTURING METHOD, MEMBRANE-ELECTRODE ASSEMBLY FOR FUEL CELL, AND FUEL CELL ガス拡散層用多孔体とその製造方法、燃料電池用膜・電極接合体、燃料電池 - 特許庁
To provide a method of measuring an anisotropic surface diffusion tensor or surface energy anisotropies. 異方性表面の拡散テンソルまたは表面エネルギーの異方性を測定する方法を提供する。 - 特許庁
To prevent the diffusion of a metal to an interlayer insulating film from a metal gate electrode when or after being formed. 形成時または形成後のメタルゲート電極からの層間絶縁膜への金属の拡散を防止する。 - 特許庁
To provide a method for controlled removal of a portion of a diffusion coating from the outer surface of a nickel-containing superalloy article. ニッケル含有超合金物品の外面から拡散皮膜の一部を制御下に除去する方法。 - 特許庁
A prescribed gate electrode 15 is patterned on the gate oxide film 14, forming a source/drain diffusion layer 16. ゲート酸化膜14上に所定のゲート電極15のパターニング、ソース/ドレイン拡散層16を形成する。 - 特許庁
The M element infiltrated into a grain boundary by the diffusion exists as a (Nd, M) O_2 group compound. 拡散によって結晶粒界に浸透したM元素が(Nd,M)O_2系化合物として存在する。 - 特許庁
After that, the storage node electrode and the diffusion layer of a cell are connected by a first and second conductive layers 21, 22. その後、第1及び第2導電層21,22でストレージノード電極とセルの拡散層とを接続する。 - 特許庁
To provide the device and method which can solve a diffusion equation with high precision by a Fourier expanding method. フーリエ展開法で高精度に拡散方程式を解法可能とする装置及び方法の提供。 - 特許庁
The optical sheet includes a diffusion layer 420, a brightness enhancement layer 410 and a reflecting pattern layers 430, 440, 450. 光学シートは、拡散層420、集光層410、及び反射パターン層430,440,450を含む。 - 特許庁
Moreover, the copper diffusion preventing films 6, 9 are formed on the insulating films between low dielectric constant layers 4, 7, 22, 33. また、銅拡散防止膜6,9は、低誘電率層間絶縁膜4,7,22,33上に形成される。 - 特許庁
The projection screen includes a reflective layer, a light absorption structure, a plurality of diffusion layers, and a lens structure layer. 本発明の投影スクリーンは、反射層、吸光構造、複数の拡散層及びレンズ構造層を含む。 - 特許庁
To provide a light diffusion sheet which can suppress the generation of a chromaticity change under viewing conditions. 観視条件において色度変化の発生を抑えることができる光拡散シートを提供する。 - 特許庁
An insulating diffusion barrier film 49 coating the insulating film and a surface of the Cu wiring pattern is formed. 絶縁膜上と銅配線パターンの表面を覆う絶縁性拡散障壁膜49を形成する。 - 特許庁
The porous silicon layer is selectively etchedly removed, and the remainder silicon porous layer is made to serve as the gas diffusion filter. 更にポーラスシリコン層を選択的にエッチング除去し、残されたポーラスシリコン層をガス拡散フィルタとする。 - 特許庁
This air diffuser (9) is applicable to the dipping type membrane separator (5) with a plurality of air diffusion pipe lines A and B. 複数の散気管系列A,B を有する浸漬型膜分離装置(5) に適用される散気装置(9) に関する。 - 特許庁
To obtain a gas diffusion electrode for a fuel cell that has excellent proton conductivity and at the same time better gas diffusivity. プロトン伝導性に優れ、かつガス拡散性に優れた燃料電池用ガス拡散電極を得る。 - 特許庁
A plurality of ribs 15 are integrally formed on the lower surface of the diffusion plate made of a translucent resin. そして、透光性の樹脂から成る拡散板の下面に複数個のリブ15を一体的に形成する。 - 特許庁
To obtain a light source device by which light reflected by a reflector is led to the inside of a diffusion box without leaking. リフレクターで反射された光が漏れなく拡散ボックス内へ導くことができる光源装置を得る。 - 特許庁
To enhance appearance of an image by executing multilevel error diffusion using semi-vector quantization. セミベクトル量子化を用いて多重レベル誤差拡散を実行することにより画像の外観を向上させる。 - 特許庁
HEAT RESISTANT STAINLESS STEEL FOIL FOR METAL CARRIER FOR WASTE GAS PURIFICATION HAVING SATISFACTORY DIFFUSION JOINABILITY, AND METAL CARRIER 拡散接合性の良好な排気ガス浄化用メタル担体用耐熱ステンレス鋼箔およびメタル担体 - 特許庁
An impurity diffusion region 15 is formed in high accuracy by using the correct injection mask 11a. 正確な注入マスク11aを用いて、高い精度で不純物拡散領域15を形成する。 - 特許庁
Thereafter, an anti-diffusion layer 14 is formed without affecting an element characteristic of the semiconductor integrated circuit. その後、半導体集積回路の素子特性に影響がないように拡散防止層14を形成する。 - 特許庁
METHOD AND STRUCTURE FOR REDUCING LEAK CURRENT OF ACTIVE REGION DIODE AND SOURCE/DRAIN DIFFUSION REGION 活性領域ダイオード及びソース/ドレイン拡散領域のリーク電流を低減するための方法及び構造 - 特許庁
To provide a gas diffusion electrode for a fuel cell having high conductivity, and to provide its manufacturing method. 高導電性を有する燃料電池用ガス拡散電極およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
INDUCTION HEATING COIL FOR DIFFUSION WELDING OF RAILROAD RAIL, AND DIFFUSSION WELDING METHOD OF RAILROAD RAIL USING THE METHOD 鉄道レール拡散接合用誘導加熱コイル、およびそれを用いた鉄道レールの拡散接合方法 - 特許庁
The P-type embedded region 2 is formed by a high-energy boron ion implantation method or a heat diffusion method. P型埋込領域2は、高エネルギーボロンイオン注入法または熱拡散法によって形成される。 - 特許庁