「diffusion」を含む例文一覧(18240)
＜前へ 1 2 .... 150 151 152 153 154 155 156 157 158 .... 364 365 次へ＞- The N+ channel stop layer 7 is so provided in frame as to be continuous to the N+ channel stop layer 6 outside the array of the P+ diffusion layer 5.
Ｎ^+チャンネルストップ層７はＰ^+拡散層５の配列の外側にＮ^+チャンネルストップ層６と連続して枠状に設けられている。 - 特許庁 - To provide a device 10 in which a diffusion layer for a fuel cell of high porosity can be manufactured with less man hour and in a short time.
高度に多孔質化した燃料電池用拡散層を少ない工程数でかつ短時間で製造できる装置１０を提供する。 - 特許庁 - Thereby, produced gas diffusion electrode has the less number of terminal groups per weight and consequently less deteriorates due to an oxidizing agent.
これにより重量あたりの末端基数が減り、酸化剤などによる劣化の少ないガス拡散電極を提供することができる。 - 特許庁 - The hard coat layer is made of a hard coat material and a composition containing an optical diffusion agent having a 400-700 nm number average particle size.
ハードコート層は、ハードコート材料と、数平均粒径が４００〜７００ｎｍである光拡散剤とを含む組成物により構成される。 - 特許庁 - A first contact 310 is connected to the gate electrode 210, and a second contact 320 is connected to the diffusion layer region 220.
ゲート電極２１０には第１コンタクト３１０が接続しており、拡散層領域２２０には第２コンタクト３２０が接続している。 - 特許庁 - To provide a fuel cell capable of improving the overall power generation efficiency by equalizing the moisture distribution in a GDL (gas diffusion layer).
ＧＤＬ内の水分分布を均一化して全体の発電効率を向上する燃料電池を提供することを目的とする。 - 特許庁 - An alloy coating layer 5 in which Hf or the like is diffused into (Pt, Ni) Al is formed on the base material 1 by the Al diffusion coating.
Ａｌの拡散コーティングにより基材１上に、（Ｐｔ、Ｎｉ）ＡｌにＨｆ等が拡散した合金コーティング層５が形成される。 - 特許庁 - Further, the n-type diffusion layer 6, the polycrystalline silicon film 7a, and the silicide film 11a are surrounded by a sidewall film 9 consisting of an insulating film.
さらにｎ型拡散層６、多結晶シリコン膜７ａ、及びシリサイド膜１１ａは、絶縁膜からなる側壁膜９で囲う。 - 特許庁 - To provide a semitransmissive liquid crystal display device eliminating the lowering of contrast due to a rear side diffusion in a reflective display mode.
反射型の表示モード時において後方散乱によるコントラストの低下をなくした半透過型液晶表示装置を提供する - 特許庁 - To provide a method for forming a capacitor of a semiconductor element, wherein an oxygen diffusion preventing characteristics is improved to prevent a leakage current from increasing.
酸素拡散防止特性を向上させ、漏洩電流の増加を防止できる、半導体素子のキャパシター形成方法を提供する - 特許庁 - To excellently embed Cu into a fine pattern of a semiconductor device, and to suppress diffusion of the Cu into an interlayer insulating film.
半導体装置において、微細パターンへのＣｕの埋め込みを良好にし、且つＣｕの層間絶縁膜中への拡散を抑制する。 - 特許庁 - The composition for forming the p-type diffusion layer contains glass powder including an acceptor element, a silicon-containing substance and a dispersion medium.
ｐ型拡散層形成組成物を、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、ケイ素含有物質と、分散媒とを含有して構成する。 - 特許庁 - Further, the gas diffusion sheet, the membrane-electrode assembly, and the solid polymer fuel cell have the moisture control sheet.
また、本発明のガス拡散シート、膜−電極接合体、及び固体高分子形燃料電池は前記水分管理シートを備えている。 - 特許庁 - The cooling water 17 can substantially wet the whole cooling mat 1 by repeating such a process composed of dropping and diffusion.
冷却水１７は、こうした落下と拡散とからなる過程を繰り返すことで、クーリングマット１の実質的に全体を濡らすことができる。 - 特許庁 - To provide a technique for restraining cross leak of gas or generation of leak current in a fuel cell equipped with a gas diffusion layer.
ガス拡散層を備える燃料電池において、ガスのクロスリークまたはリーク電流の発生を抑制する技術を提供すること。 - 特許庁 - To provide a jig for laminating semiconductor wafers which is effective for improving the productivity of a diffusion wafer and a method for producing the semiconductor wafer.
拡散ウェハの生産性向上に有効な半導体ウェハの積層治具および半導体ウェハの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To prevent a deterioration in electrical characteristics of a semiconductor chip due to the mixture of impurities, which are associated with diffusion of impurities having opposite conductivity types.
反対導電形の不純物拡散に伴う不純物の混合による半導体チップの電気的特性劣化を防止する。 - 特許庁 - In this backlight device 100, a reflecting sheet 142 and a diffusion sheet 144 of a surface emitter 140 are disposed face to face through an air gap.
バックライト装置１００では、面発光体１４０の反射シート１４２と拡散シート１４４とが空隙を介して対向配置される。 - 特許庁 - To provide a thermoplastic resin sheet which reduces drawdown on heating in vacuum molding, excels in vacuum moldability, and has a good diffusion reflectance.
真空成形の加熱時のドローダウンが小さく真空成形性に優れ、拡散反射率が良好な熱可塑性樹脂シートを提供する。 - 特許庁 - In the vertical MOS semiconductor device 1, a source region is formed of double diffusion structures 5 and 6 of different impurity concentrations.
本発明の縦型ＭＯＳ半導体装置１では、ソース領域を不純物濃度の異なる二重拡散構造５、６により形成する。 - 特許庁 - A plurality of riblike impact diffusion pieces 15 extending in parallel with the underside of the ball tray 5 are provided in the underside at appropriate intervals.
球受皿５の下面に該下面に対して平行方向に延びる複数本のリブ状衝撃拡散片１５を適宜間隔で設ける。 - 特許庁 - Then, diffusion plates 7 for emitting the reflected light are arranged opposed to each other through the reflection means 4 and a hollow region 6.
そして、その反射手段４と中空領域６を介して、反射された光を出光する拡散板７が対向配置される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor apparatus that prevents diffusion of materials of a magnetic film during a process for manufacturing the semiconductor apparatus, and the method of manufacturing the same.
製造プロセス中に磁性体膜の材料の拡散を防止し得る半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Prism sheets 6 each having a function condensing light to improve a plane luminance are overlapped and are disposed on the light diffusion sheet 5.
光を集光させ、面輝度を向上させる機能を有するプリズムシート６が光拡散シート５の上に重ねて配設されている。 - 特許庁 - SiO2 17 in the resin binder phase 14 is substantially spherical, and the size of the particles is arranged to form a single diffusion system.
樹脂結合相中１４中のＳｉＯ_2１７は略球状とし、その粒子の大きさを揃えて単分散系を形成した。 - 特許庁 - A cavity 113 is provided between the stacked diffusion layers 110a as a part of the source/drain regions 110 and the gate electrode 111, respectively.
ソース、ドレイン領域１１０の一部である積み上げ拡散層１１０ａと、ゲート電極１１１との間に空洞１１３を形成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and its manufacturing method which suppress width variations in a diffusion layer source connected to a trench type capacitor.
トレンチ型キャパシタと接続する拡散層ソースの幅のばらつきを抑制する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The condenser lens 1c has an optical structure such that incident light rays are condensed onto the lens surface of the diffusion lens 1a.
集光レンズ１ｃは、入射した光線が拡散レンズ１ａのレンズ表面へ集光するような光学的構造を持っている。 - 特許庁 - To provide a separator capable of effectively utilizing the heat generated near an electrolyte film to thaw the water frozen in a gas diffusion layer.
ガス拡散層内の凍結した水の解凍に電解質膜付近で発生した熱を有効的に利用できるセパレータを提供する。 - 特許庁 - To provide a gas diffusion layer material for fuel cell that has smooth and thin surface using a woven or a nonwoven fabric of carbon fiber.
炭素繊維の織布または不織布を用いて、表面が平滑で厚みも薄い燃料電池用ガス拡散層材料を提供する。 - 特許庁 - To reduce diffusion of Ge and to obtain excellent device characteristics in an optical semiconductor element comprising an active layer containing GaAs.
ＧａＡｓを含む活性層を備える光半導体素子において、Ｇｅの拡散が少なく、良好なデバイス特性が得られるようにする。 - 特許庁 - Multipliers 108-1-1 to 108-n-k perform diffusion processing by multiplying the symbol data of chip units by an orthogonal code.
乗算器１０８−１−１〜１０８−ｎ−ｋは、チップ単位のシンボルデータに対して直交符号を乗算して拡散処理を行う。 - 特許庁 - A second CPU makes this error determined pixel into a multi-value pixel using the error diffusion method in parallel with the processing by the first CPU.
第２のＣＰＵはこの誤差確定画素について、第１のＣＰＵによる処理と並行して誤差拡散法による多値化を行う。 - 特許庁 - To increase gas sealing performance at a seal portion when the seal portion is formed integrally with a member having an electrolyte layer and a gas diffusion layer.
電解質層およびガス拡散層を備える部材と一体でシール部を形成する際に、シール部におけるガスシール性を高める。 - 特許庁 - Two kinds of lights emitted from the light sources 125a, 125b are equally mixed as the diffusion and reflection part 123 diffuses and reflects them.
２種類の光源１２５ａ，１２５ｂが放射した光は、拡散反射部１２３が拡散反射することにより、均等に混ざり合う。 - 特許庁 - Therefore, when a P-type base region 3 is formed, the diffusion of B caused by the holes of carbon sites can be prevented.
このため、ｐ型ベース領域３を形成する際に、炭素サイトの空孔に起因して発生するＢの拡散を防止することができる。 - 特許庁 - A diffusion preventing layer 4 which is composed of a compound semiconductor containing C (carbon) is arranged in a position separate at a prescribed interval from a guide layer 6.
Ｃ（炭素）を含有する化合物半導体からなる拡散防止層４を、ガイド層６から所定間隔離れた位置に配置する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for forming a shallow diffusion layer between a cell transistor and a selection gate transistor while miniaturizing an element.
素子の微細化を図りつつ、セルトランジスタと選択ゲートトランジスタとの間に浅い拡散層が形成できる製造方法を提供する。 - 特許庁 - A cathode-side p-type diffusion region 14 is formed in a guard ring-facing region 15 in the cathode facing the guard ring 6.
カソードにおける、ガードリング６と対向するガードリング対向領域１５に、カソード側ｐ型拡散領域１４が形成されている。 - 特許庁 - A storage element including at least a magnetization recording layer, a non-magnetic layer, and a magnetization reference layer is provided on the second diffusion layer.
前記第２の拡散層上には、少なくとも磁化記憶層、非磁性層、および磁化参照層を有する記憶素子が設けられる。 - 特許庁 - The thin film temperature sensor 35 is obtained by sequentially laminating an adhesion layer 35a, a diffusion preventing layer 35b, and a resistance layer 35c from lower layer.
薄膜温度センサ３５は、密着層３５ａ、拡散防止層３５ｂ、抵抗層３５ｃを下層から順に積層したものである。 - 特許庁 - A first impurity diffusion layer 60 is provided in the semiconductor substrate 20 separately apart from the floating gate 40 by a predetermined distance.
第１の不純物拡散層６０は、半導体基板２０内に設けられ、フローティングゲート４０から所定の距離だけ離間している。 - 特許庁 - A ring-like n^+ diffusion region 1 is formed in the peripheral area of the surface region of a semiconductor substrate to surround a transistor cell.
半導体基板の表面領域の外周領域にトランジスタセルを取り囲むようにリング状のｎ^+拡散領域１が形成される。 - 特許庁 - To provide a compound type superconducting wire having a low melting point metal diffusion preventing material with excellent workability and rupture resistant property.
優れた加工性および耐破断性を有する低融点金属拡散防止材を備えた化合物系超電導線を提供すること。 - 特許庁 - Then, impurities are introduced into the semiconductor wafer with the thermal oxide film 12 as a mask and then are diffused, thus forming a diffusion layer 10.
その後、熱酸化膜１２をマスクとして半導体ウェハに不純物を導入し、拡散することにより拡散層１０を形成する。 - 特許庁 - Since the first oxide grains 1 beforehand subjected to sintering serves as diffusion barriers, the grain growth of the second oxide grains 2 can be suppressed.
予めシンタリングされた第１酸化物粒子１が拡散障壁となるので、第２酸化物粒子２の粒成長が抑制される。 - 特許庁 - Further, under a gate electrode of the selective gate transistor, a shape of the source/drain diffusion layer region of this selective gate transistor (23, 24) is made asymmetry.
そして、選択ゲートトランジスタのゲート電極下で、この選択ゲートトランジスタのソース／ドレイン拡散層領域(23,24)の形状を非対称とする。 - 特許庁 - Further, the alloy for liquid-phase diffusion bonding contains at least one of 0.1-20% Cr and 0.1-10% V.
さらに、Ｃｒ：０．１〜２０％以下、Ｖ：０．１〜１０％以下の少なくとも１種を含有する液相拡散接合用合金である。 - 特許庁 - To easily prepare mineral water capable of certainly suppressing the diffusion of the black pigment of a bamboo charcoal powder.
竹炭粉末の黒色色素の拡散を確実に抑止することができるミネラルウオーターを容易に製造することができるようにする。 - 特許庁 - To cope with obstruction to gas diffusion caused by creep which gradually develops on a mid to long term time scale during continuous fuel cell operation.
燃料電池の継続運転において中長期的なタイムスケールで徐々に起きるクリープによるガス拡散阻害への対処を図る。 - 特許庁
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