「diffusion」を含む例文一覧(18240)
＜前へ 1 2 .... 154 155 156 157 158 159 160 161 162 .... 364 365 次へ＞- The piezoelectric substrate 1 is provided with an IDT (interdigital transducer) electrode 4 having the mutual diffusion preventing layer 2 and the electrode layer 3 containing an Al as a main component.
圧電基板１は、相互拡散防止層２と、Ａｌを主成分とする電極層３とを有するＩＤＴ電極４を備える。 - 特許庁 - A plurality of hollow fiber membrane bundles 60 are supported by a water collecting pipe (trunk pipe 11, etc.), a gas diffusion pipe (air supply pipe 31, etc.), and auxiliary plates 81a-84b.
複数の中空糸膜束60は、集水管（幹管11等）、散気管（空気供給管31等）、補助板81a〜84bにより、支持されている。 - 特許庁 - To provide a rear projection type screen whose wavelength dependency of diffusion characteristics is reduced by using only the resin material having universal characteristics.
一般的な特性の樹脂材料のみを用いて拡散特性の波長依存性が小さい背面投射型スクリーンを提供する。 - 特許庁 - The bearing steel subjected to the carbonitriding treatment is subjected to diffusion treatment at a temperature of 780-900°C in an atmosphere not containing nitrogen.
浸炭窒化処理された軸受鋼が窒素を含まない雰囲気下にて７８０℃以上９００℃以下の温度で加熱拡散処理される。 - 特許庁 - To improve electrical characteristics furthermore when an impurity diffusion layer is formed in a semiconductor substrate used in a solar cell or the like.
太陽電池などに用いられる半導体基板中に不純物拡散層を形成したときに電気特性のさらなる向上を図る。 - 特許庁 - The transference into water and the reaction with water of the benzyl cation are carried out on an interface 16 between the toluene layer 14 and the water layer 15, by molecular diffusion.
又、水への移行および水との反応は、トルエン層１４と水層１５間の界面１６で、分子拡散により行われる。 - 特許庁 - To provide a high pressure gas storage facility securely capable of preventing the diffusion of high pressure gas leaking from a tank at a low cost.
タンクから漏洩した高圧気体の拡散を、低コストで確実に防止することができる高圧気体貯蔵施設を提供する。 - 特許庁 - The superposed surfaces of the reaction plates 2, the separation plate 3 and the cover plates 5 and 6 are joined by diffusion joining or soldering.
反応プレート２、分離プレート３及びカバープレート５，６における重ね合わせ面が拡散接合またはろう付けによって接合されている。 - 特許庁 - The UV absorbing layer (12) is 10 to 100 μm thick, and the multilayered light diffusion plate (10) is 1 mm to 3 mm thick.
なお紫外線吸収層(12)の厚みは１０〜１００μｍ、本発明の多層光拡散板(10)の厚み１ｍｍ〜３ｍｍである。 - 特許庁 - Each diffusion layer 40 is formed only under the bottom surface of each trench 50, or is formed only under the surface of the substrate present in each RI interposed between the trenches.
拡散層４０は、トレンチ５０の底面の下だけに、あるいは、トレンチ間ＲＩの基板表面の下だけに形成される。 - 特許庁 - A deep n+ diffusion layer 14 is formed, so that is extends form the n+ source layer 4 along the peripheral face of the trench 9 around the recess 13.
凹部１３の周囲でトレンチ９の周面に沿ってｎ+ ソース層４から延在するように、深いｎ^+ 拡散層１４が形成される。 - 特許庁 - Source/drain diffusion layers S, D are formed within the supporting board so as to sandwich a channel region under the first part of the gate electrode.
ソース／ドレイン拡散層Ｓ、Ｄは、ゲート電極の第１部分の下方のチャネル領域を挟むように支持基板内に形成される。 - 特許庁 - The holding capacitor is composed of a common electrode 11 comprising a diffusion layer formed on a semiconductor substrate and the capacitor electrode 10.
保持容量は半導体基板上に形成された拡散層からなる共通電極１１と容量電極１０とで構成される。 - 特許庁 - To improve gradation correction precision in an image forming apparatus for forming a toner image of which gradations are represented by error diffusion techniques.
誤差拡散法で階調表現されたトナー画像を形成する画像形成装置における階調補正の精度を向上する。 - 特許庁 - The surface of the gate diffusion layer 24 and a metal layer as the gate electrode 25 in a high electron mobility transistor are made into an alloy.
高電子移動度トランジスタにおけるゲート拡散層２４の表面とゲート電極２５としての金属層とが合金化している。 - 特許庁 - A silicide layer 23 is formed on the gate electrodes 17, 18, the n-type diffusion regions 20a, 20b and the strap units 22, 26.
ゲート電極１７，１８、ｎ型拡散領域２０ａ，２０ｂ及びストラップ部２２，２６の上面にシリサイド層２３が形成されている。 - 特許庁 - This semiconductor device has the N+ additional embedded layer 45 of the NPN transistor 31, formed of phosphorus (P) having a rapid diffusion rate.
この半導体装置では、ＮＰＮトランジスタ３１におけるＮ^+型付加埋め込み層４５は、拡散速度の速いリン（Ｐ）で形成される。 - 特許庁 - The composition for forming the n-type diffusion layer contains glass powder including a donor element, a silicon-containing substance and a dispersion medium.
ｎ型拡散層形成組成物を、ドナー元素を含むガラス粉末と、ケイ素含有物質と、分散媒とを含有して構成する。 - 特許庁 - To prevent excessive air from being fed into a nitrification tank and to attain nearly perfect nitrification with an air diffusion quantity irreducibly minimum.
硝化槽内への過剰なエアの供給を防ぎ、必要最小限のエア散気量で略完全な硝化を達成することができる。 - 特許庁 - Then, a diffusion plate 9 for diffusing the specimen liquid in a flow channel is arranged between the suction port 7 of the suction head 4 and the pipette 3.
そして、吸引ヘッド４の吸引口７とピペット３の間に、試料液の流路を拡散する拡散プレート９を配設する。 - 特許庁 - To provide a contamination control method which can purify contaminants in the ground without leaving, and can prevent the diffusion of the contaminants.
地中の汚染物質を残すことなく浄化し、汚染物質の拡散を防止することができる汚染対策方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an ammonia detoxifying apparatus capable of preventing the diffusion of removed ammonia and capable of eliminating trouble generated when a gas line is evacuated.
除去したアンモニアの拡散がなくまたガスラインが減圧されときの不具合を解消できるアンモニア除害装置を提供する。 - 特許庁 - To secure long-term frequency stability by preventing intermetallic diffusion between a weight material Ag and a base metal Au.
重り材料のＡｇと下地金属のＡｕとの金属間拡散を防止することにより、周波数の長期安定性を確保すること。 - 特許庁 - In the introduction of the electromagnetic absorber section 40, a semiconductor micro fabrication technique such as ion implantation or thermal diffusion can be used.
電磁波吸収体部40の導入において、イオン注入または熱拡散などの半導体微細加工技術を用いることができる。 - 特許庁 - To provide a gas diffusion electrode with a catalyst layer for manufacturing a fuel cell having high performance.
本発明は、優れた性能を備えた燃料電池を製造するための触媒層付きガス拡散電極を提供することを課題とする。 - 特許庁 - A trench groove 22 is formed in a diffusion layer formation region A2 and an epitaxial film 4 is formed to fill in the trench groove 22.
次いで、拡散層形成領域Ａ２にトレンチ溝２２を形成し、このトレンチ溝２２を埋め込むかたちでエピタキシャル膜４を成膜する。 - 特許庁 - The gate dielectric 13 is constituted of an oxide film (SiO_2) and a diffusion prevention film (BN) containing at least a boron atom and a nitrogen atom.
ゲート絶縁膜１３は、酸化膜（ＳｉＯ_２）と、少なくともボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜（ＢＮ）とから構成される。 - 特許庁 - To secure enough illuminance required of a diffusion area, with the use of light irradiated from an LED light source upward aslant.
ＬＥＤ光源から斜め上方へ出射する光を用いて拡散領域に要求される照度を十分に確保することができる。 - 特許庁 - The TaNx layer 6 serves for a barrier metal for preventing the diffusion of atoms between the Au layer 7 and a substrate 100.
ＴａＮｘ層６は、Ａｕ層７と基板１００との間で原子が拡散することを防止するための、バリアメタルとして機能する。 - 特許庁 - A hot press process is omitted by attaching a gaseous diffusion layer in a state of wetting after forming a carbon interlayer on the catalyst layer.
触媒層上にカーボン中間層を形成した後、湿潤状態でガス拡散層を取り付けることでホットプレスを省略する。 - 特許庁 - To prevent a debonding of an electrode from an anti-diffusion layer, or a generation of cracks in a piezoelectric layer when a piezoelectric actuator is manufactured.
圧電アクチュエータを製造する際に、電極が拡散防止層から剥離したり、圧電層に亀裂が生じたりするのを防止する。 - 特許庁 - This semiconductor optical element includes a p-type semiconductor substrate, a mesa structure part, a semi-insulating semiconductor embedded layer, and a diffusion prevention layer.
半導体光素子は、ｐ型半導体基板、メサ構造部、半絶縁性半導体埋込層、及び、拡散防止層を備えている。 - 特許庁 - On a fuel cell, at least one of the electrolyte membrane, catalyst layer, and diffusion layer contains a compound having phosphoric acid group.
燃料電池については、電解質膜、触媒層及び拡散層の少なくとも一つは、リン酸基を有する化合物を含有する。 - 特許庁 - To enhance durability of a hydrogen permeable membrane by suppressing the generation of diffusion between metal layers having hydrogen permeability without reducing the performance of the whole of the hydrogen permeable membrane.
水素透過膜全体の性能低下を伴うことなく、水素透過性を有する金属層間で拡散が生じるのを抑える。 - 特許庁 - PREFORM HAVING BARRIER LAYER CAPABLE OF PREVENTING DIFFUSION OF HYDROGEN INTO OPTICAL FIBER PRODUCED FROM THE PREFORM AND PRODUCTION OF THE PREFORM
プリフォームから製造される光ファイバに水素が拡散するのを防ぐ障壁層を含むプリフォームと、そのようなプリフォームの調製方法 - 特許庁 - The diffusion-promoting film 16 absorbs excess Pb in the ferroelectric film 14(PZT) via the upper electrode member layer 15s.
拡散促進膜１６は、強誘電体膜１４（ＰＺＴ）中の過剰Ｐｂを、上部電極部材層１５ｓを介して吸収する。 - 特許庁 - Next, a material layer 116 for avoiding the diffusion of a capacitor composing material is formed on the capacitor as if wrapping the capacitor.
そして、キャパシタを包むようにその上に、キャパシタを構成する物質が拡散されることを防止する物質層１１６が形成される。 - 特許庁 - A reconstitution part 13 forms a diffusion weighted images (DWI) based on a magnetic resonance signal radiated from a subject P.
再構成部１３は、被検体Ｐから放射される磁気共鳴信号に基づいて拡散強調（ＤＷＩ）画像を生成する。 - 特許庁 - A p-type diffusion region 3 is formed as an anode 2 of a diode on one-side main surface side of an n-type semiconductor substrate 1.
ｎ型の半導体基板１の一方の主表面の側には、ダイオードのアノード２として、ｐ型拡散領域３が形成されている。 - 特許庁 - At least one of fluorine (F) and carbon (C) is subjected to ion implantation onto an Si substrate 1 to form a diffusion preventive layer 21.
Ｓｉ基板１に、フッ素（Ｆ）および炭素（Ｃ）のうち、少なくともいずれか一方をイオン注入して拡散抑止層２１を形成する。 - 特許庁 - A diffusion coefficient of at least one of oxygen and carbon in the non-ferrous metal is smaller than that in iron.
非鉄金属における、酸素および炭素の少なくともいずれか一方の拡散係数は、鉄におけるその拡散係数よりも小さい。 - 特許庁 - The substrate 1 is heated at a temperature lower than the phosphorus diffusion temperature and the phosphorus is diffused in the semiconductor substrate 1.
次にリン拡散温度よりも低い温度で加熱し、しかる後、これよりも高い温度で加熱してリンを半導体基板１に拡散する。 - 特許庁 - To provide a spectrum diffusion clock generator (SSCG) capable of reducing disorder of clock duty ratio caused in a variable delay circuit.
可変遅延回路で生じるクロックのデューティ比の崩れを低減することができるスペクトラム拡散クロックジェネレータ（ＳＳＣＧ）を提供する。 - 特許庁 - To provide a forming method and a forming device for a silicon oxynitride film, which can lift up nitrogen while suppressing outward diffusion of the nitrogen.
窒素の外方拡散を抑制しつつ、窒素のリフトアップが可能なシリコン酸窒化膜の形成方法および形成装置を提供する。 - 特許庁 - Diffusion layers as source or drain regions are formed in the semiconductor substrates 11 positioned on both sides of the floating gate FG.
浮遊ゲートＦＧの両側に位置する半導体基板１１内にソース又はドレイン領域としての拡散層が形成されている。 - 特許庁 - This MEA 1 has an electrolyte film 2 and a gas diffusion electrode 3 bonded to both sides of the electrolyte film 2 in its thickness direction.
ＭＥＡ１は、電解質膜２と電解質膜２にこれの厚み方向の両側に接合されたガス拡散電極３とを有する。 - 特許庁 - A hologram is fixed to the second side of the Fresnel lens 110 in order to manage the diffusion of the light energy emerging from the second side of the Fresnel lens 110.
ホログラムは、フレネルレンズの第２の側から出る光エネルギーの拡散を管理するためにフレネルレンズの第２の側に固定される。 - 特許庁 - By the trench grooves, diffusion of the signal charge in an adjacent pixel direction, and leakage of incident light in the adjacent pixel direction are suppressed.
トレンチ溝によって、信号電荷の隣接画素方向への拡散や入射光の隣接画素方向への漏れ込みが抑制される。 - 特許庁 - The word line functions as the gate electrode 104 on a channel region provided between the source/drain diffusion regions 107a and 107b.
ワード線は、ソース／ドレイン拡散領域１０７ａ，１０７ｂの間のチャネル領域上において、ゲート電極１０４として機能する。 - 特許庁 - To provide a gas diffusion layer for a fuel cell electrode having the optimum opening ratio and low specific resistance, and its manufacturing method.
最適な開口率を有し、かつ固有抵抗の小さい燃料電池電極用ガス拡散層、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
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