「diode array」を含む例文一覧(353)

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  • To provide a gallium nitride light emitting diode for flip-chip bonding that secures sufficient area for bonding while optimizing the electrode array of a light emitting diode, and improves luminance and reliability, and also to provide its manufacturing method.
    本発明は発光ダイオードにおける電極配列を最適化しながらボンディングのための充分な面積を確保でき、輝度及び信頼性を向上させることのできるフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオード及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁
  • The solar battery array includes a first solar battery having an integrated bypass diode, a neighboring second solar battery, and two individual metal interconnection members that connect the anode of the bypass diode of the first solar battery and the anode of the second solar battery.
    一体型バイパスダイオードを有する第1の太陽電池と、隣接する第2の太陽電池と、第1の太陽電池のバイパスダイオードのアノードを第2の太陽電池のアノードに接続する2つの別々の金属内部接続部材と、を含む太陽電池アレイが、提供される。 - 特許庁
  • To provide an LED head and a method of manufacturing the same wherein an SLA(SELFOC lens array) provided to a side of an emission face of an LED(light emitting diode) array can be attached to the LED head such that the SLA is not deformed and the focal position is not shifted.
    LED(発光ダイオード)アレイの発光面側に設けられるSLA(セルフォックレンズアレイ)が変形せず、SLAに焦点位置ずれが生じないように、高精度にSLAを取り付けることができるLEDヘッド及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • A diaphragm part 1 in which a detecting element (a p-n junction diode) D_j,_i is arranged is supported in an array isolation region 3 in a hollow state by a first support leg 2a and a second support leg 2b.
    検出素子(pn接合ダイオード)D_j,iを配置しているダイアフラム部1が、第1支持脚2aと第2支持脚2bにより中空状態でアレイ分離領域3に支持されている。 - 特許庁
  • To adjust shift of image data in the subscanning direction accurately when a plurality of light emitting diode array units are arranged in the main scanning direction while being shifted in the subscanning direction.
    複数の発光ダイオードアレイユニットを主走査方向に配列するとともに副走査方向にずらして配置する場合に、画像データの副走査方向のずれ量を正確に調整する。 - 特許庁
  • The laser diode array having light emitting elements which are more than twice the necessary number of laser beams decided by the specifications of the apparatus, and light emitting elements to be used are arbitrarily decided.
    レーザダイオードアレイは、装置仕様より決定される必要レーザビーム本数の2倍以上の発光素子を備えて、使用する発光素子を任意に選択することが可能なことを特徴とする。 - 特許庁
  • The optical flow velocity measurement device can be downsized by integrating an optical array containing the fluid lens through the use of diode laser light as a laser light source.
    レーザ光の光源としてダイオードレーザ光を使用して流体レンズを包含する光学アレイを一体化することによって、光学流速測定装置を小型化することができる。 - 特許庁
  • To provide a light emitting diode array having a substrate, an adhesive layer formed on the substrate, and a plurality of epitaxial light emitting stack layers electrically connected with each other provided on the adhesive layer.
    発光ダイオードアレイは、基板と、基板上に形成された密着層と、密着層上に設けられた、複数の電気的に接続されたエピタキシャル発光スタック層とを有する。 - 特許庁
  • That is, the upper electrode 212e of the PIN diode 212 is formed in the same layer as a common electrode formed on the insulation film 47 on a TFT array substrate 10.
    即ち、PINダイオード212の上電極212eは、TFTアレイ基板10上において、絶縁膜47上に形成された共通電極と同層に形成されている。 - 特許庁
  • The light emitting diode array includes a metal base layer, a dielectric layer arranged on the metal base layer, and a plurality of electric conductor trays arranged on the dielectric layer.
    本発明にかかる発光ダイオードアレイは、金属基層と、該金属基層の上に配置した誘電体層と、該誘電体層の上に配置した複数の電気伝導性トレースとを含む。 - 特許庁
  • Only light components in the vertical direction out of laser beams emitted from a plurality of light emitting regions 3 provided at an array- like disposition in a laser diode 2 are condensed by a micro-lens 7.
    レーザーダイオード2におけるアレイ状の配置で設けられた複数の発光領域3から出射するレーザー光のうちの垂直方向の光成分のみをマイクロレンズ7で集光する。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of a light emitting diode array by which necessary chip dimensional accuracy is obtained even in the case of using a standard dicing method and breaking off and cracking of a chip are suppressed.
    標準的なダイシング方法を使用しても必要なチップ寸法精度が得られ、且つチップの欠け、クラックを抑えることが可能な発光ダイオードアレイの製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor laser device for making emitted laser beams of a stack array LD laser diode enter into an optical fiber and for making the laser beams to be able to be guided with low loss.
    本発明の目的は,スタックアレイLDの出射レーザビームを光ファイバに入射させて損失を少なく導波可能とするための半導体レーザ装置を提供することにある。 - 特許庁
  • This optical sterilization apparatus by the scintillation pulses emits the scintillation pulses to a sterilization object to sterilize it and is provided with a blue light emitting diode array 3 opposed to the sterilization object at a prescribed distance apart and a drive circuit 5 driving the blue light emitting diode array 3 by pulse signals at prescribed interval.
    本発明に係る閃光パルスによる光殺菌装置は、閃光パルスを殺菌対象物に照射して殺菌対象物を殺菌する閃光パルスによる光殺菌装置において、殺菌対象物に所定の距離を話して対峙させた青色発光ダイオードアレイ3と、この青色発光ダイオードアレイ3を所定間隔のパルス信号で駆動する駆動回路5とを備えたものである。 - 特許庁
  • For a laser source comprising a reproduction amplifier, a mono- optical path amplifier, and a multi-optical path amplifier, a smooth laser diode pumping spot can be obtained from one or more laser diode arrays 1 by imaging the unit emitters 9a of the array so as not to focus them nearly on the same spot of a laser medium.
    再生増幅器その他単光路多光路増幅器を含むレーザ源のために、平滑なレーザダイオードポンプスポットが単一または複数のレーザダイオードアレイ1から、アレイの各単一エミッタ9aをレーザ媒体のほぼ同一のスポットに収束しないで結像することによって得られる。 - 特許庁
  • A pixel structure for a flat panel detector is constructed in which the diode silicon and the FET silicon are simultaneously etched to form isolated structures (array photodiodes, I/O elements, and so on) in which the edges or perimeters of the diode silicon structures are self-aligned to the underlying FET Si structures.
    フラット・パネル検出器のピクセル構造の構築において、ダイオード・シリコン及びFETシリコンを同時に蝕刻して、分離した構造(アレイ・フォトダイオード及び入出力素子等)を形成し、このときダイオード・シリコン構造の端辺又は外周が直下のFETSi構造に自動整列される。 - 特許庁
  • A gate array cell and a clamp diode Dn are formed in a logical section, and the n^+ semiconductor area 13nd of the clamp diode Dn and all or a part of a gate electrode 10B of a n-channel MISFET in the logical section are connected by using a conductive film BLD on the same layer as a bit line BL.
    論理部にゲートアレイセルとクランプダイオードDnとを形成し、クランプダイオードDnのn^+半導体領域13ndと論理部のnチャネルMISFETのゲート電極10Bの全てまたは一部とをビット線BLと同一層の導体膜BLDにより接続する。 - 特許庁
  • To solve the problem of decrease in image density occurring at the time of writing by a laser diode array (LDA) with a large Droop caused by temperature, in an image forming apparatus wherein a laser diode (LD) light irradiated from LDA is moved for the purpose of scanning by a polygon scanner and an image is formed by electrifying a photoreceptor body.
    レーザダイオードアレイから照射されるLD光をポリゴンスキャナで走査し、感光体を耐電させることにより画像形成を行う画像形成装置において、温度によるDroopの大きいLDAで書き込みを行う際に生じる画像濃度の低下の問題を解決する。 - 特許庁
  • The diode (226) of the photodiode (226) array does not contact the first metalized layer (214) or the second metalized layer (218) directly but can contact the first metalized layer (214) and/or the second metalized layer (218) via a third metalized layer (222) added to the thin film transistor array.
    フォトダイオード(226)・アレイのダイオード(226)は、第一の金属化層(214)又は第二の金属化層(218)に直接接触せずに薄膜トランジスタ・アレイに加えられた第三の金属化層(222)を介して第一の金属化層(214)及び/又は第二の金属化層(218)に接触することができる。 - 特許庁
  • To conduct control for reducing downtime if a failure occurs at a LED (light emitting diode), in an image reading device with a LED array system having a plurality of LEDs in one dimensional arrangement.
    LEDを1次元方向に複数個配したLEDアレイ照明系を有する画像読み取り装置において、LEDが故障した場合の装置のダウンタイムを軽減する制御を行う。 - 特許庁
  • An array 54 composed of optical diode sensors, which are each electrically connected to the inside of a board 40 and conduct charges at a rate proportional to the intensity of light received by them, is provided on the board 40.
    基板(40)上に基板と電気的に内部接続され、光ダイオード・センサによって受けた光の強度に比例するレートで電荷を伝導する該光ダイオード・センサから成るアレイ(54)設ける。 - 特許庁
  • To improve a device and method for drive control of a light emitting diode array so as to considerably reduce the cost relating to the drive control by reducing the electric energy loss due to conversion and to allow simple maintenance management at the same time.
    変換による電気的なエネルギーロスを低減させ、発光ダイオードアレイの駆動制御に係わる大幅なコスト削減と同時に簡単な保守管理も可能となるように改善を行うことである。 - 特許庁
  • The transistors 21 for amplifying optical current generated by each photo diode of light receiving array group A 311 and group B 312 for M series are separated from the light receiving part 401 and mounted on the printed substrate 3.
    M系列用の受光セルアレイA群311、B群312の各フォトダイオードで発生する光電流を増幅するトランジスタ21を受光部401から分離してプリント基板3に実装する。 - 特許庁
  • To provide an imaging apparatus in which deterioration of image quality resulting from the shift of scanning timing of laser beams from a plurality of laser light emitting elements built in a laser diode array, or the like, can be prevented.
    レーザダイオードアレイ等に組み込まれた複数のレーザ発光素子からのレーザビームの走査タイミングのずれから生じる画像品質の劣化を防止する事ができる画像形成装置を提供する。 - 特許庁
  • When an image signal is input to each of the left and the right, each light source of the laser diode array 43 is turned on or off in accordance with the signal and the galvanometer 44 is driven in synchronization with the signal.
    左右それぞれに画像信号が入力されると、この信号にもとづいてレーザーダイオードアレイ43の各光源のon,offが行われ、それに同期してガルバノメータ44が駆動される。 - 特許庁
  • Furthermore, since the noninverting input potential of the differential amplifier becomes equal to the output potential of the ideal diode, the output distribution of a detector array provided with a plurality of detectors 500 can be made smaller.
    さらに、差動増幅器の非反転入力電位と、理想ダイオードの出力電位とが等しくなるので、検出器500を複数備える検出器アレイの出力分布を小さくすることができる。 - 特許庁
  • To provide an array laser diode, being not affected by the number of channels, in which deviation in a rotational direction at mounting is reduced while characteristics such as stress relaxation, high heat release efficiency and high junction property are not damaged.
    実装時の回転方向への位置ズレを低減し、応力緩和、高放熱効率、高接合性の特性を損なわず、チャネル数による影響を受けないアレイ型レーザダイオードを提供する。 - 特許庁
  • The image is formed on the plate by using the array 10 of n laser diodes which forms the image on n image forming points 110 so that one laser diode 12 is arranged at each i-th point (i=1-n).
    1つのレーザダイオード12が各i番目(i=1〜n)の点に配置されるように、n個の画像形成点110上に画像形成を行うn個のレーザダイオードのアレイ10を用いて版に画像形成を行う。 - 特許庁
  • An imaging apparatus reads and amplifies a surplus signal corresponding to surplus charge overflowing from a photo diode to a floating diffusion while a transfer transistor is turned off, for each pixel of a pixel array.
    撮像装置は、画素配列の各画素において転送トランジスタがオフした状態でフォトダイオードからフローティングディフュージョンにあふれ出た余剰電荷に応じた余剰信号を読み出して増幅する。 - 特許庁
  • Then, 1st and 2nd fly's eye lenses 102 and 103 are constituted by aggregating a plurality of rectangular element lenses in an array state, and the number of the element lenses coincides with the number of the light emitting diode element arrays.
    第一および第二フライアイレンズ102および103は矩形形状の複数の要素レンズがアレイ状に集合して構成され、要素レンズの数量は、発光ダイオード素子アレイの数量と一致する。 - 特許庁
  • The micro lens and the photo diode are repeatedly formed together with a color filter and a CMOS circuit element on a semiconductor chip as an array form constituted of such elements, and provides the image sensor.
    マイクロレンズ及びフォトダイオードは半導体チップ上のカラーフィルタ及びCMOS回路要素と共にこのような要素からなるアレイの形態で反復形成しイメージセンサーを提供することが可能である。 - 特許庁
  • A plurality of semiconductor laser chips (laser diode LD) 1 are combined and connected in series into a semiconductor laser chip unit 2, and the semiconductor laser chip units 2 are connected in parallel into the semiconductor laser array.
    複数の半導体レーザチップ(レーザダイオードLD)1を組み合わせて直列接続することにより1つのユニットを構成し、このユニットを複数個、並列接続して半導体レーザアレイを構成する。 - 特許庁
  • A light emitting diode array EDA 101 is provided with a P- electrode layer 111 having the shape corresponding to the zonal difference of the quantity of the light emitted from a p-type impurity diffused layer 107.
    発光ダイオードアレイEDA101は,P型不純物拡散層107から射出される光量の領域格差に対応した形状を有するP電極層111を備えている。 - 特許庁
  • In this non-volatile semiconductor memory, a constant current circuit C0 is arranged in parallel to a NMOS diode N5 converting the detected current of an array cell side into voltage, and a constant current circuit C1 is arranged in parallel to a NMOS diode N6 converting the detected current of a reference cell side into voltage.
    本発明の不揮発性半導体記憶装置では、アレイセル側の検出電流を電圧に変換するNMOSダイオードN5と並列に定電流回路C0を配置し、リファレンスセル側の検出電流を電圧に変換するNMOSダイオードN6と並列に定電流回路C1を配置する。 - 特許庁
  • The intensity distribution of a beam for gap detection on a PD (photo diode) array 17 is different in interference fringe between cases where a SIL (solid immersion lens) 10 is several wave lengths distant from a master disk 30 and where they are in a proximal field domain.
    ギャップ検出用ビームのPDアレイ17上での強度分布は、SIL10と原盤30の間が数波長程度離れている場合と近接場領域にある場合とで干渉縞が異なる。 - 特許庁
  • To provide a laser diode array assembly, having an integral means for recording operational events, and at the same time, to hold the recorded information together with the assembly through the service period of the assembly and a method for operating the assembly.
    動作事象を記録するとともに、アセンブリのサービス期間を通してこの情報をアセンブリと一緒にして保持しておくための一体型の手段を有するレーザダイオードアレイアセンブリおよびその動作方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide an apparatus for measuring distribution of particle sizes, which can accurately carry out a measurement while using an inexpensive photo diode array to detect scattered light with a relatively small scattering angle.
    比較的小さい散乱角の散乱光を検出するためのフォトダイオードアレイ検出器を安価なもので構成しながらも精度よく測定を行うことができる粒子径分布測定装置を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a multibeam light source unit which can direct an array of light emission points of a multibeam laser diode in the horizontal scanning direction of a scanning optical system to a scheduled designed reference straight line.
    走査光学系の主走査方向に対するマルチビームレーザダイオードの発光点の配列方向を設計的に予定された設計基準直線方向に揃えることのできるマルチビーム光源ユニットを提供する。 - 特許庁
  • A refractive index of an adhesive for forming the adhesive layer has a value slightly smaller than those of a reflection-preventive film provided in a photo-receiving surface of the photo-diode array 3 and the scintillators 1.
    そして、前記接着層を形成する接着剤の屈折率がフォトダイオードアレイ3の受光部表面に設けられた反射防止膜およびシンチレータ1の屈折率よりも若干小さい値のものを用いる。 - 特許庁
  • To reduce a drop of voltage at the time when voltage generated in a photovoltaic diode array is applied between a gate and a source of a MOSFET, and to reduce a leak current among output terminals at the time of turning off of the MOSFET.
    光起電ダイオードアレーに発生した電圧がMOSFETのゲート・ソース間に印加されるときの電圧降下を少なくし、また、MOSFETのオフ時の出力端子間のリーク電流を減少させる。 - 特許庁
  • To provide a light source device suppressing the thermal deformation of a base member caused by thermal expansion, thereby preventing the positional deviation between a laser diode and an optical member and the array irregularity of a beam spot, and also to provide an optical scanner equipped with the light source device.
    熱膨張によるベース部材の熱変形を抑制してレーザダイオードと光学部材との位置ずれやビームスポットの配列ずれを防止する光源装置及びそれを備えた光学走査装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a light-emitting diode array drive circuit which, using a drive method adapted to change the linkage of LED circuits according to an input voltage, ensures that LED arrays classified by group will be turned off exactly in the order that they are turned on.
    入力電圧に応じてLED回路の連結を変化させる駆動方式を採用し、グループ別LEDアレイが点灯した順序とおりに消灯するようにする発光ダイオードアレイ駆動回路を提供する。 - 特許庁
  • The power supply auxiliary annular line 6 is electrically connected to one of two electrodes (for example, cathode electrode KE) for impressing electric field to the organic light-emitting diode OLED and is arranged in ring shape surrounding the pixel array 2.
    電源補助環状線6は、有機発光ダイオードOLEDに電界を印加する2つの電極の一方(例えばカソード電極KE)に電気的に接続され画素アレイ2を囲んでリング状に配置されている。 - 特許庁
  • A method for manufacturing a diode array for use in a display includes the deposition of a conductive layer adjacent to a substrate, the deposition of a doped semiconductor layer adjacent to the substrate, and the deposition of an undoped semiconductor layer adjacent to the substrate.
    表示装置に用いられるダイオードアレイの製造方法は、基板に隣接した導電層の成膜と、基板に隣接したドープド半導体層の成膜と、基板に隣接したアンドープド半導体層の成膜とを含む。 - 特許庁
  • Through a constant voltage circuit 12 comprising a resistance and a shunt regulator composed of a diode array formed by connecting a plurality of diodes in series, a voltage is maintained which is stable against load fluctuation in the display panel 200.
    さらに抵抗と複数のダイオードを直列に接続したダイオードアレイで構成されるシャントレギュレータからなる定電圧回路12を通して、表示パネル200内での負荷変動に対して安定した電圧を維持する。 - 特許庁
  • The scanning line driving circuit 104 and the protection circuit 105 are respectively electrically connected to both ends of the scanning line 3a, passing through a pixel array region 10b and at the scanning line 3a, a first resistor 43 is inserted between diode elements 41, 42 of the pixel array region 10b and the protection circuit 105.
    画素配列領域10bを通る走査線3aの両端に走査線駆動回路104および保護回路105が各々電気的に接続し、かつ、走査線3aにおいて、画素配列領域10bと保護回路105のダイオード素子41、42との間には第1の抵抗43が介挿されている。 - 特許庁
  • As a method for manufacturing it, after forming the photo diode and the transistor, etc. in the pixel array 10 and the peripheral circuit 11, the region of the transistor of the pixel array is so covered with a silicon nitride etc. that no silicide is formed therein, and the silicide layer 140 is formed in the region of the transistor constituting the peripheral circuit 11.
    その製法としては、画素アレイ部10および周辺回路部11にフォトダイオードやトランジスタを形成した後、画素アレイ部のトランジスタの領域にはシリサイドが形成されないように窒化シリコンなどで覆って、周辺回路部11を構成するトランジスタの領域にシリサイド層140を形成する。 - 特許庁
  • To obtain an electrophotographic image forming apparatus using an LED (light emitting diode) head consisting of an LED array and a rod lens array as an exposure light source, and providing high image quality after stable printer characteristic is realized by widening the latitude of the LED head to the deviation of an image forming position and reducing image ram or density fluctuation.
    LEDアレイとロッドレンズアレイからなるLEDヘッドを露光光源として用いた電子写真方式の画像形成装置において、LEDヘッドの結像位置ずれに対するラチチュドを広げ、画像ラムや濃度変動を少なくし安定したプリンタ特性を実現した上での高画質を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • To decrease resistance between mutual electrodes without degrading reverse breakdown voltage of each LED(light-emitting diode), in an LED array in which a plurality of regions of a second conductivity type is arranged on the main surface of a semiconductor wafer of a first conductivity type.
    第1導電型の半導体ウエハの主面に複数の第2導電型の領域を配列したLED(発光ダイオード)アレイにおいて、各LEDの逆耐圧を低下させることなく、電極相互間の抵抗を小さくする。 - 特許庁
  • The imaging array (500) of photodiodes (16, 18 and 504) is provided on a chip cut from a semiconductor wafer (27), which includes a guard diode (14) for reducing leakage current from cut edges (12), when the imager is being used.
    半導体ウェーハ(27)から切断したチップ上にフォトダイオード(16、18、504)の撮像アレイ(500)を設け、該アレイには、イメージャの使用中に切断縁(12)からの漏洩電流を低減するためのガード・ダイオード(14)を設ける。 - 特許庁
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