「dislocation density」を含む例文一覧(362)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 次へ＞- In the method for manufacturing the compound semiconductor single crystal by a liquid encapsulating Czochralski method, a seed crystal having a low dislocation density, e.g. a seed crystal having an average dislocation density of <200/cm^2 or a seed crystal having the maximum dislocation density of <3,000/cm^2 is used as a seed crystal 6 used for pulling the crystal 8.
液体封止チョクラルスキ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、結晶８の引き上げを行うための種結晶６として、低転位密度の種結晶、具体的には平均転位密度が２００個／ｃｍ^2未満の種結晶、あるいは最大転位密度が３０００個／ｃｍ^2未満の種結晶を用いるようにしたものである。 - 特許庁 - To provide a novel manufacturing method, with which dislocation density of semiconductor crystals in a semiconductor element can be reduced, and a semiconductor element including a semiconductor single-crystal layer, having a low dislocation density layer formed by this method.
半導体素子中における半導体単結晶の転位密度を低減することが可能な新規な製造方法を提供し、これによって低転位密度の領域を有する半導体単結晶層を具えた半導体素子を得る。 - 特許庁 - To provide a process of producing a GaN substrate which has a low threading dislocation density and in the surface of which no dislocation bundle exists and in which no disturbance of the cleavage face is caused.
貫通転位密度が小さく、かつ基板表面においても転位の束が存在せず、劈開面の乱れを起こさないＧａＮ基板の製造方法およびＧａＮ基板を提供する。 - 特許庁 - To prevent the deterioration of the performance of a device by reducing dislocation density even if a phosphor is arranged in the element.
素子内部に蛍光体を配したものであっても、転位密度を小さくして素子の性能の悪化を抑制する。 - 特許庁 - To provide a method for growing a group III nitride crystal having a low dislocation density with a non-polar plane as a main plane.
非極性面を主面とする転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for growing a crystal by which a crystal having low dislocation density can be grown with good productivity.
転位密度の小さな結晶を生産性よく成長させることができる結晶成長方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for growing a group III nitride crystal which reduces the dislocation density of the whole of the crystal to be grown.
成長させる結晶全体の転位密度が低減するＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁 - Consequently, the dislocation density caused by the difference of lattice constant between a GaN compound semiconductor layer and the substrate is reduced.
それによって、ＧａＮ化合物半導体層と基板との格子定数の差に起因する転位密度が減少する。 - 特許庁 - A difference between the dislocation density in the first surface and that in the second surface is ≤1×10^2/cm^2.
第１面における転位密度と第２面における転位密度との差が１×１０^２個／ｃｍ^２以下である。 - 特許庁 - To provide a compressor with small vibration and small noise capable of improving torque density and preventing center dislocation and whirling.
トルク密度を向上しつつ、芯ずれや振れまわりを防止できる振動や騒音の小さい圧縮機を提供する。 - 特許庁 - To provide a material and a structure for reducing the dislocation density at the time of growing III nitride compound semiconductor.
III族窒化物化合物半導体の成長時の転位密度を減少させるための材料および構造の提供。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element having a superior element characteristic which contains a semiconductor layer where dislocation density is reduced sufficiently.
十分に転位密度が低減された半導体層を含む良好な素子特性を有する半導体素子を提供する。 - 特許庁 - Since the dopant is phosphorus, an increase in dislocation density by the formation of B-O complex is not observed.
しかも、ドーパントがリンであることから、Ｂ−Ｏ複合体が形成されることによる転位密度の増加も生じない。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a group III nitride crystal whose dislocation density is low even if the crystal is grown thickly.
結晶を厚く成長させても、転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a self-supporting substrate of nitride III-V group compound semiconductor crystal having a small dislocation density and little warpage.
転位密度が小さく反りの少ない窒化物系３−５族化合物半導体単結晶の自立基板を提供する。 - 特許庁 - To provide a method where a nitride semiconductor single crystal having a small dislocation density can be manufactured by a simple and easy way.
転位密度が小さい窒化物半導体単結晶を簡便な方法で製造する方法を提供すること。 - 特許庁 - To enable a high-purity semiconductor crystal uniformly reduced in dislocation density to be more easily manufactured than ever.
均一に転位密度を減少させた高純度の半導体の結晶を、従来より容易に製造できるようにする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a compound semiconductor single crystal having low dislocation density and the compound semiconductor single crystal.
低転位密度の化合物半導体単結晶の製造方法及び化合物半導体単結晶を提供する。 - 特許庁 - Accordingly, the dislocation density in an active layer (1108) is reduced, and resulting to the improvement of the property of the optical device.
従って、活性層（１１０８）中の転位密度を下げることができ、光デバイスの特性改善を図ることができる。 - 特許庁 - To restrain a threading dislocation density from occurring in a growth layer even in a case in which a board and the growth layer are different from each other in characteristics (lattice constant, thermal expansion coefficient) or a case in which a board such as a sapphire board intrinsically high in dislocation density must be used.
基板と成長層との特性（格子定数、熱膨張係数）が異なるケースやサファイア基板のように転位密度が元々高い基板を使用しなければならないケースであっても、成長層での貫通転位密度の発生を抑制する。 - 特許庁 - To provide a nitride semiconductor light emitting diode which has a sufficient light emitting area and is excellent in quantum efficiency and linearity though the diode uses a substrate in which low-dislocation density areas and high-dislocation density areas alternately exist like the ELOG-grown substrate.
ＥＬＯＧ成長基板のように低転位密度領域と高転位密度領域が交互に存在する基板を用いながら、十分な発光面積を有し、かつ、量子効率やリニアリティに優れた窒化物半導体発光ダイオードを提供すること。 - 特許庁 - In some embodiments, the mean dislocation density of the p type layer of the active region is smaller than about 5×10^8 cm^-2.
いくつかの実施形態では、活性領域のｐ型層の平均転位密度は、約５×１０^８ｃｍ^−２よりも小さい。 - 特許庁 - To provide a process for producing a large-size Group III nitride crystal in which the dislocation density of at least the surface thereof is wholly low.
少なくとも表面の転位密度が全面的に低い大型のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for growing a silicon single crystal having reduced dislocation density and a crystal axis orientation of [110] by a CZ method.
転位密度を低減した、ＣＺ法による結晶軸方位が［１１０］のシリコン単結晶を育成する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a nitride semiconductor wafer having both of a low dislocation density and a wide wafer area; and a method for producing the same.
低い転位密度と広いウエハ面積を両立可能な窒化物半導体ウエハ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for growing high quality seed quartz for artificial quartz, which has a low dislocation density.
本発明の目的は、転移密度の低い、高品質の人工水晶の種水晶の育成方法を提供することである。 - 特許庁 - In some embodiments, the average dislocation density of the p-type layer in the active region is lower than approximately 5×10^8 cm^-2.
いくつかの実施形態では、活性領域のｐ型層の平均転位密度は、約５×１０^8ｃｍ^-2よりも小さい。 - 特許庁 - To obtain a III nitride semiconductor thin film having a small through hole dislocation density and suitable as a light-emitting element, and a method of manufacturing the same.
貫通転位密度の小さく、発光素子に適したIII 族窒化物半導体薄膜およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element that is improved in crystal quality by the reducing dislocation density and to provide an epitaxial substrate used for the element.
転位密度を低減させて結晶品質に優れた半導体素子、及びこれに使用するエピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁 - Moreover, a group III nitride crystal substrate has a dislocation density obtained by the manufacturing method of 1×10^7/cm^2 or less.
また、上記製造方法により得られた転位密度が１×１０^7個／ｃｍ^2以下のＩＩＩ族窒化物結晶基板。 - 特許庁 - The material composing the first part 11 has dislocation density of 1×10^3 or more but smaller than 1×10^7 cm^-2.
第１の部分１１を構成する材料は、１×１０^3ｃｍ^-2以上１×１０^7ｃｍ^-2未満の転位密度を有する。 - 特許庁 - To produce a group III nitride single crystal substrate which has low dislocation density and a large area for each crystal face.
いずれの結晶面についても低転位密度であり大面積であるＩＩＩ族窒化物単結晶基板を製造する。 - 特許庁 - The substrate layer is formed on the buffer layer, has a dislocation density of 5×10^8 cm^-2 or less, and contains a nitride semiconductor.
下地層は、バッファ層の上に形成され、転位密度が５×１０^８ｃｍ^−２以下であり、窒化物半導体を含む。 - 特許庁 - To provide gallium-arsenic single crystals which have small dislocation density, a gallium-arsenic wafer, and a method for producing the gallium-arsenic single crystals.
転位密度が小さいガリウム砒素単結晶及びガリウム砒素ウェハ並びにガリウム砒素単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a base, where an AlGaN crystal layer having reduced dislocation density is grown, even while an LEPS method is being used.
ＬＥＰＳ法を用いながらも、転位密度が低減されたＡｌＧａＮ結晶層が成長した基材を提供すること。 - 特許庁 - Therefore, the obtained group III nitride crystal layer 3 has a good surface-flatness, and most of the surface vicinity thereof become low-dislocation regions RE2 having a dislocation density of about 1×10^7/cm^2.
得られるIII族窒化物結晶層３は良好な表面平坦性を有し、かつ、表面近傍の大部分は転移密度が１×１０^7／ｃｍ^2程度の低転位領域ＲＥ２となる。 - 特許庁 - Therefore, carrier compensation of Be by dislocation can be suppressed, and a p-GaN layer 23 with good p-type characteristics is obtained, by using a substrate 5 having a dislocation density of 5×10^8cm^-2 or less.
したがって、転位密度５×１０^８ｃｍ^−２以下の基板５を用いることにより、転位によるＢｅのキャリア補償を抑制でき、良好なｐ型特性を持つｐ−ＧａＮ層２３が得られる。 - 特許庁 - The threading dislocation densities D_11, D_13 of a first area 15a and a third area 15c in a first conductive nitride gallium semiconductor layer 15 are smaller than the threading dislocation density D_1.
第１導電型窒化ガリウム系半導体層１５の第１及び第３の領域１５ａ、１５ｃはそれぞれ貫通転位密度Ｄ_１より小さい貫通転位密度Ｄ_１１、Ｄ_１３を有する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a germanium single crystal, capable of preventing germanium oxide from depositing on the surface of a growing crystal and growing the germanium single crystal with a low dislocation density or free of dislocation.
成長結晶表面に酸化ゲルマニウムが付着するのを防ぎ、低転位密度または無転位でゲルマニウムの単結晶を成長させることができるゲルマニウム単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing group III nitride crystal and a group III nitride crystal substrate, where the surface dislocation density of a ground substrate is reduced and group III nitride crystal having a low dislocation density and high crystallinity is grown on the ground substrate.
下地基板の表面の転位密度を低減させて、その下地基板上に転位密度が低く結晶性の高いＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法およびＩＩＩ族窒化物結晶基板を提供する。 - 特許庁 - The hardness distribution is obtained based on a dislocation density, by determining a lattice distortion from the rotational tensor group obtained from the crystal orientation distribution of a cubic crystal metal measured at 15 nm to 1 μm intervals and by obtaining the dislocation density based on the lattice distortion gradient from the lattice distortion.
１５ｎｍ〜１μｍ間隔で測定された立方晶金属の結晶方位分布より得た回転テンソル群より格子歪を決定し、前記格子歪より格子歪勾配に基づいて転位密度を求め、前記転位密度に基づいて硬さ分布を求める。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a group III nitride crystal, by which the group III nitride crystal having low dislocation density and high crystallinity can be grown on a ground substrate by reducing the dislocation density in the surface of the ground substrate; and to provide a group III nitride crystal substrate.
下地基板の表面の転位密度を低減させて、その下地基板上に転位密度が低く結晶性の高いＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法およびＩＩＩ族窒化物結晶基板を提供する。 - 特許庁 - A method for measuring a dislocation density of a fluoride crystal comprises a step to generate a defect aggregate 03 in a dislocation line 02 in the fluoride crystal 01, a step to measure the dislocation density by optically detecting the defect aggregate 03 and a step to erase the defect aggregate 03.
フッ化物結晶の転位密度を測定する方法であって、フッ化物結晶０１中の転位線０２に欠陥集合体０３を発生させる工程と、前記欠陥集合体０３を光学的に検出して転位線密度を測定する工程と、前記欠陥集合体０３を消去する工程とを有するフッ化物結晶の転位密度測定方法。 - 特許庁 - When the dislocation density is not more than 1×10^8 cm^-2 on a main surface 11a of the gallium nitride substrate 11, the density of electron traps in the gallium nitride epitaxial film 13 is reduced.
窒化ガリウム基板１１の主面１１ａにおいて、転位密度が１×１０^８ｃｍ^−２以下であるとき、窒化ガリウムエピタキシャル膜１３中の電子トラップの密度が低減される。 - 特許庁 - To produce a compound raw material which produces a compound single crystal having a stabilized composition with a low dislocation density and a method for producing the same.
転位密度の低い安定した組成の化合物単結晶を製造できる化合物原料と製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a crystal growth method by which a crystal thin film having low dislocation density can be produced, and to provide a crystal growth apparatus.
転位密度の小さな結晶薄膜を製造することのできる結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。 - 特許庁 - To obtain a distorted silicon wafer with an SiGe layer where a through-dislocation density is reduced and a distortion is relaxed, and a manufacturing method for the distorted silicon wafer.
貫通転位密度が低減され、かつ歪み緩和されたＳｉＧｅ層を有する歪みシリコンウェーハおよびその製造方法を得る。 - 特許庁 - To provide a method for producing a GaN crystal by an Na flux method, in which dislocation density of a GaN crystal can be decreased.
ＧａＮ結晶の転位密度を減少させることが可能な、Ｎａフラックス法によるＧａＮ結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The active layer 17 is composed of a GaN group semiconductor containing In, and the dislocation density of the substrate 13 is 1×10^7 cm^-2 or less.
活性層１７はＩｎを含むＧａＮ系半導体からなり、基板１３の転位密度は１×１０^７ｃｍ^−２以下である。 - 特許庁 - Accordingly, both the compression distortion SiGe layer and the tensile distortion Si layer can be provided, without enhancing the dislocation density.
従って、転位密度が高くなることなく、圧縮歪ＳｉＧｅ層と引っ張り歪Ｓｉ層との両方を提供することができる。 - 特許庁
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