「dislocation density」を含む例文一覧(362)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 次へ＞- The semiconductor layer 20 is grown on the basis of the species crystal part 11a and has the lateral growing area of low dislocation density.
半導体層２０は種結晶部１１ａを基礎として成長し、転位密度が低い横方向成長領域を有している。 - 特許庁 - In a plane view of a semiconductor device 2, a switching structure is formed in a range wherein the low dislocation density region 19 exists.
半導体装置２では、平面視したときに、低転位密度領域１９が存在する範囲にスイッチング構造体が形成されている。 - 特許庁 - To provide a method for producing a fluoride crystal where the dislocation density of the fluoride crystal can be measured nondestructively and accurately.
フッ化物結晶の転位密度を非破壊に精度良く測定することができるフッ化物結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Consequently, the penetration dislocation density of the strained Si layer 14 epitaxially grown on the substrate 11 is reduced significantly.
その結果、シリコン・ゲルマニウム基板１１上にエピタキシャル成長させる歪みＳｉ層１４の貫通転位密度は、大幅に低減される。 - 特許庁 - To provide a structure for reducing the dislocation density of an SIMOX which is a silicon insulator SOI substrate produced by ion implantation.
イオン注入により作られるシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）基板である、ＳＩＭＯＸの転位密度を減少させる構造を提供する。 - 特許庁 - To improve reliability of a semiconductor element comprising a hetero junction structure by decreasing penetrating dislocation density penetrating in the growth direction.
ヘテロ接合構造を有する半導体素子において、成長方向に貫通する貫通転位密度を減少し、信頼性を高める。 - 特許庁 - The method for manufacturing a group III nitride crystal substrate 20 includes a preparation step, a growth step and a removal step, wherein the dislocation density on a surface 20a in the removed side is lower than the dislocation density on a surface 20b opposite from the surface 20a in the removed side.
ＩＩＩ族窒化物結晶基板２０の製造方法は、準備工程と、成長工程と、除去工程とを備え、除去された側の面２０ａの転位密度が除去された側の面２０ａと反対側の面２０ｂの転位密度よりも低いことを特徴としている。 - 特許庁 - The density of the Basal Plane dislocation in the semiconductor substrate 101 is set to 10^4cm^-2 or more, and the density of Basal Plane dislocation in the section faced to the gate electrode 113 on the surface of the semiconductor layer 102 is set to 10^3cm^-2 or less.
半導体基板１０１におけるＢａｓａｌ Ｐｌａｎｅ転位の密度は１０^４ｃｍ^−２以上であり、半導体層１０２の表面のうちゲート電極１１３に対向する部分におけるＢａｓａｌ Ｐｌａｎｅ転位の密度は１０^３ｃｍ^−２以下である。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting device includes on a substrate 10 a group III-V nitride semiconductor layer 30 composed of a low defect region 30A made of a crystal having first average dislocation density and of a high defect region 30B made of a crystal having a higher second average dislocation density than the first one.
基板１０上に、第１平均転位密度を有する結晶からなる低欠陥領域３０Ａと、第１平均転位密度より高い第２平均転位密度を有する結晶からなる高欠陥領域３０Ｂとを有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層３０を備える。 - 特許庁 - To drastically reduce the defect density of a structure defect in a semiconductor layer, especially the dislocation density of through dislocation, without requiring complex processes, when forming a thin film such as GaN and a thick-film semiconductor layer on a substrate or the like made of each kind of material.
各種の材料からなる基板上などにＧａＮなどの薄膜や厚膜の半導体層を形成する場合において、煩雑な工程を必要とすることなしに、当該半導体層中の構造欠陥の欠陥密度、特に、貫通転位の転位密度を大幅に低減させる。 - 特許庁 - In this case, an area having a low a dislocation density is formed in the upper part of the projection where facet plane is formed, and the prepared film has high quality.
この場合、ファセット面が形成された凸部上部には低転位領域が形成され、作製した膜の高品質化が図れている。 - 特許庁 - The p-type GaAs single crystal has an average dislocation density of ≤100/cm^-2 and contains Si, Zn, B and In as dopants.
本発明のp型GaAs単結晶は、平均転位密度100cm^-2以下のp型GaAs単結晶であって、ドーパントとして、Si，Zn，B，及びInを含有することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a new semiconductor light emitting element which can be used suitably as a white LED, regardless of the magnitude of dislocation density.
転位密度の大小に関係なく、白色ＬＥＤとして好適に使用することが可能な新規な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor light emitting element including a semiconductor layer with a low dislocation density and a high crystal quality, and having excellent light emitting efficiency.
転位密度が小さくて結晶品質が高い半導体層を備え、しかも発光効率の優れる半導体発光素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a group III nitride crystal having a low dislocation density on the crystal growth plane after the crystal is grown and to provide a growing method of the crystal.
結晶成長後の結晶成長面の転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶およびその成長方法を提供する。 - 特許庁 - To produce a semiconductor device with high efficiency, which is formed of semiconductor crystal that is free from cracks, low in dislocation density, and high in quality and superior in characteristics.
クラックが無く、転位の密度が低い高品質の半導体結晶から成る、特性の良好な半導体素子を効率よく生産する。 - 特許庁 - To provide a method for growing Al_xGa_1-xN crystals by which large crystals having low dislocation density can be prepared, and to provide Al_xGa_1-xN crystal substrates.
大型で転位密度の低い結晶が得られるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法およびＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板を提供する。 - 特許庁 - To provide a method which can manufacture a distortion SOI substrate wherein an SiGe layer having Ge composition of high enough is contained and dislocation density is low.
十分に高いＧｅ組成を有するＳｉＧｅ層を含み、転位密度の低いひずみＳＯＩ基板を製造できる方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a group III nitride crystal in which the through-dislocation density is reduced by a crystal growth method using an alkali metal as a flux.
アルカリ金属をフラックスとして用いた結晶成長方法によって貫通転位を低減したＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。 - 特許庁 - The compound semiconductor wafer consists of a compound semiconductor and contains impurities to reduce dislocation density with higher concentration in an outer edge portion 2 than in the interior region 3.
化合物半導体からなり、転位密度を低減する不純物を内側領域３よりも外縁部２に高濃度で含有している。 - 特許庁 - To reduce a threading dislocation density and the surface roughness in a process for producing a semiconductor substrate and a process for fabricating a field effect transistor.
半導体基板と電界効果型トランジスタおよび製造方法において、貫通転位密度を低くかつ表面ラフネスも小さくすること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate having low-density dislocation on which a lattice-relaxed SiGe layer of a high Ge composition is formed.
転位密度の低い、かつ格子緩和した高Ｇｅ組成のＳｉＧｅ層が形成された半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a group III nitride crystal substrate having a low dislocation density, a producing method therefor and a semiconductor device having a large luminous intensity.
転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶基板およびその製造方法、ならびに発光強度の大きい半導体デバイスを提供する。 - 特許庁 - The substrate 2 is made of silicon carbide, has a dislocation density of 5×10^3 cm^-2 or less, and is of a first conductivity type (n-type).
基板２は炭化珪素からなり、転位密度が５×１０^３ｃｍ^−２以下であって、導電型は第１導電型（ｎ型）である。 - 特許庁 - Consequently, misfit dislocation occurs at a predetermined density in the crystal(upper layer part of the quantum well layer) of the semiconductor light-emitting element 1, and the misfit dislocation acts to ease the distortion energy stored in the crystal.
これにより、半導体発光素子１の結晶内部（量子井戸層よりも上層部分）に所定の密度でミスフィット転位が発生し、このミスフィット転位が結晶内部に蓄積された歪みエネルギーを緩和するように作用する。 - 特許庁 - The I-V characteristic of a sample D whose electron mobility is by three times larger than that of the sample C, and whose dislocation density is at 1/3 or less is not different from that of the sample C.
試料Ｃよりも電子移動度が３倍大きく、転位密度が１／３以下の試料ＤのＩ−Ｖ特性は試料Ｃと変わらない。 - 特許庁 - To provide a process for producing a nitride semiconductor wafer in which dislocation density is reduced furthermore, and also to provide a process for fabricating a light emitting device using that wafer.
転位密度のさらなる低減が可能な窒化物半導体のウェハの製造方法およびそのウェハを用いた発光デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁 - At least one of the first crystal 11 and the second crystal 12 has a dislocation density of ≥1×10^3 cm^-2 and <1×10^7 cm^-2.
第１および第２の結晶１１、１２の少なくとも一方は、１×１０^3ｃｍ^-2以上１×１０^7ｃｍ^-2未満の転位密度を有している。 - 特許庁 - As no disturbance of the flux is caused upon changing over rotations, the boundary of crystal grains can be increased and the crystal dislocation density can be decreased.
また、回転を切り換えるときに、フラックスの乱流が発生しないため、結晶粒界が大きくなり、結晶転位密度を低減させることができる。 - 特許庁 - To obtain a high quality SiGe layer with low threading dislocation density in a semiconductor substrate, a field effect transistor, and their manufacturing method.
半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法において、貫通転位密度が低く良質なＳｉＧｅ層を得ること。 - 特許庁 - The temperature of shape memorization heat treatment is controlled to 570°C, thus an NiTiCu shape memory alloy wire whose dislocation density is regulated to the order of 10^12 pieces/cm^2 is produced.
形状記憶熱処理温度５７０℃とすることで、転位密度を１０^12個／ｃｍ^2オーダーとしたＮｉＴｉＣｕ形状記憶合金ワイヤを生成する。 - 特許庁 - To provide a substrate for epitaxial growth, which can obtain such a structure that a GaN-based semiconductor crystal with low dislocation defect density is grown on a PSS.
転位欠陥密度の低いＧａＮ系半導体結晶がＰＳＳ上に成長た構造が得られるエピタキシャル成長用基板を提供すること。 - 特許庁 - To provide an InP single crystal which is reduced in twin defects in an area with low carrier concentration while reducing dislocation density therein.
キャリア濃度が低い領域において、転位密度を低減しつつ双晶欠陥の発生を抑制したＩｎＰ単結晶およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a GaN crystal by an Na flux method, in which the dislocation density is reduced without causing an inclusion in the GaN crystal.
Ｎａフラックス法によるＧａＮ結晶の製造方法において、ＧａＮ結晶にインクルージョンが発生せず、かつ転位密度を減少させること。 - 特許庁 - Nitrogen as an element having an action of hardening impurities and a dopant other than nitrogen are jointly doped, so that the GaAs single crystals having small dislocation density can be obtained.
不純物硬化作用元素としての窒素と、窒素以外のドーパントとを共にドープすることにより転位密度が小さいＧａＡｓ単結晶が得られる。 - 特許庁 - To provide a nitride semiconductor manufacturing method which is capable of manufacturing a nitride semiconductor that has a flat surface and is lower in dislocation density than one manufactured through a conventional two-stage growth method.
従来の２段階成長法よりも転位密度が低く、且つ表面が平坦な窒化物半導体を製造することを可能にする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor laser, a semiconductor device and a production method therefor, with which a dislocation density is reduced and the characteristics of the device can be improved.
転位密度を低減し、素子の特性を向上させることができる半導体レーザおよび半導体素子並びにそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁 - That is to say, when the electron mobility is at 100 cm2/Vs or more, the Schottky contact can be formed on the n-GaN wafers irrespective of the dislocation density.
すなわち、電子移動度１００ｃｍ^２／Ｖｓ以上であれば、転位密度に関係なく、ｎ−ＧａＮ上に良好なショットキー接触が形成できる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a group III nitride crystal substrate by which dislocation density can be decreased and to provide a group III nitride crystal substrate and a semiconductor device.
転位密度を低減できるＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板、および半導体デバイスを提供する。 - 特許庁 - A foundation layer 13 for composing a semiconductor light- emitting device 20 contains Al, and-consists of a nitride semiconductor having a dislocation density of 10^11/cm^2 or less.
半導体発光素子２０を構成する下地層１３はＡｌを含み、転位密度が１０^11／ｃｍ^２以下の窒化物半導体から構成する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a semiconductor thin film crystal having a low dislocation density in an epitaxial growth on a substrate having largely different lattice constant.
格子定数の大きく異なる基板上へのエピタキシャル成長において、低転位密度の半導体薄膜結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Further, the dislocation density can be measured by counting etch pits through an optical microscope etc., and then the quality of the crystal can be evaluated.
また、エッチピットの個数を光学顕微鏡などを用いて数えることで、転位密度を測定することができ、結晶の品質を評価することができる。 - 特許庁 - In the crystal 50, it is preferable that the average dislocation density is not more than 5x10^3 cm^-2 and the diameter is at least 8 inches.
半導体結晶５０においては、平均転位密度が５×１０^3ｃｍ^-2以下であることが好ましく、また、直径が８インチ以上であることが好ましい。 - 特許庁 - To provide a diode having a structure capable of reducing the effect of the layout of a core section having a high threading dislocation density and increasing an element area.
高い貫通転位密度を有するコア部の配置の影響を低減することができ素子面積を大きくできる構造のダイオードを提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a group III nitride substrate having a low dislocation density and a semiconductor device manufactured by the method.
転位密度が小さいIII族窒化物基板を製造することが可能な製造方法およびそれを用いて製造される半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor crystal is a semiconductor crystal 50 comprising a compound, which has a diameter of at least 6 inches and an average dislocation density of not more than 1x10^4 cm^-2.
化合物からなる半導体結晶５０であって、直径が６インチ以上であり、平均転位密度が１×１０^4ｃｍ^-2以下である。 - 特許庁 - A underlayer 12 constituting the semiconductor light-detector 20 is made of a nitride semiconductor including Al with a dislocation density 10^11/cm^2 or below.
半導体発光素子２０を構成する下地層１２はＡｌを含み、転位密度が１０^１１／ｃｍ^２以下の窒化物半導体から構成する。 - 特許庁 - To provide a crystal growth method of group-III nitride for producing a high-quality group III nitride crystal with low dislocation density.
転位密度の低い高品質なＩＩＩ族窒化物結晶を作製することの可能なＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a GaN-based compound semiconductor substrate wherein dislocation density reaching to a surface layer is simply and effectively reduced and a method for producing the same.
表層に到達する転位の密度を、簡便かつ効果的に低減することができるＧａＮ系化合物半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The dislocation density of the first part 15c of the semiconductor region 15 is larger than that of the second part 15d of the gallium nitride base semiconductor region 15.
半導体領域１５の第１の部分１５ｃの転位密度は、窒化ガリウム系半導体領域１５の第２の部分１５ｄの転位密度より大きい。 - 特許庁
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