「dislocation」を含む例文一覧(2158)
＜前へ 1 2 .... 15 16 17 18 19 20 21 22 23 .... 43 44 次へ＞- To provide a method for growing a silicon single crystal, by which fracture and rupture of a silicon single crystal can be prevented even if dislocation generation occur in the growth process of a straight body part.
直胴部の育成過程で有転位化が生じても、シリコン単結晶の破断や破裂を防止できるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁 - The temperature of shape memorization heat treatment is controlled to 570°C, thus an NiTiCu shape memory alloy wire whose dislocation density is regulated to the order of 10^12 pieces/cm^2 is produced.
形状記憶熱処理温度５７０℃とすることで、転位密度を１０^12個／ｃｍ^2オーダーとしたＮｉＴｉＣｕ形状記憶合金ワイヤを生成する。 - 特許庁 - Alternatively, dislocation caused by displacement is prevented at the respective top ends of each of the articulated bamboo-form sidewall members 2 and each sidewall member 2 of a standard section.
または、竹割型とした各側壁部材２と標準部の各側壁部材２の天端部において、変位によってズレが生じてしまうことを防止する。 - 特許庁 - A plurality of reading picture elements of a CIS 20 are read repetitively, and thereby the transverse dislocation amount and skew amount of each sheet transported to a feed path are sensed.
ＣＩＳ２０４の複数の読取画素を繰り返し読み出すことにより、給送パスに搬送される用紙の横ズレ量および斜行量を検知する。 - 特許庁 - To provide an industrial vehicle capable of performing the knob dislocation correcting operation smoothly and accurately at all times even if the vehicle is of a large-scale type equipped with a large-sized working device.
大型の作業装置を備えた大型機種においてもノブずれ補正作動を常に円滑かつ正確に行える産業用車両を提供する。 - 特許庁 - To provide an image forming device and a paper feeding control method of the image forming device, capable of preventing dislocation of a forming position of an image formed on recording paper.
記録紙に形成される画像の形成位置のずれを防止できる画像形成装置及び画像記録装置の給紙制御方法を提供する。 - 特許庁 - The application of pressurizing force to the body 2 to be worked for a prescribed time by a lower die 5 and an upper die 9 is performed by the dislocation of a spring 17.
被加工体２への下型５と上型９による所定時間の間の一定の加圧力の印加を、ばね１７の変位によって行なう。 - 特許庁 - This constitution can grasp an tendency and a property of a positional dislocation quantity of the reference mark quantitatively analyzed with the lapse of time.
この構成によって、経時的かつ数量的に分析された当該基準マークの位置ずれ量の傾向及び性質を把握できるようになる。 - 特許庁 - To minimize dislocation introduced into an Si layer when mobility of carrier is improved by introducing strain into an Si layer constituting an SOI structure.
ＳＯＩ構造を構成するＳｉ層中に歪みを導入し、キャリアの移動度を向上させる際に、Ｓｉ層中に導入される転位を最小化する。 - 特許庁 - To provide a floor material fixing structure having high efficiency in machining a floor material, reducing a material cost of a connecting implement and preventing the longitudinal dislocation of the floor material.
床材の加工能率がよく、連結具の材料費を低減でき、さらに床材の長手方向のずれを防止し得る床材の固定構造を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a mask ROM capable of preventing the problem which is caused by dislocation of a coding hole from a prescribed coding region.
コーディングホールが所定のコーディング領域からずれることにより起こる問題を防ぐことのできるマスクＲＯＭの製作方法を提供すること。 - 特許庁 - Further, the interval is set so that the ends of color filters 6a, 6b, and 6c do not overlap each other while considering dislocation caused by alignment precision.
また、アライメント精度による位置ずれを考慮して、カラーフィルター６ａ、６ｂおよび６ｃの端部が互いに重ならないような間隔に設定する。 - 特許庁 - To provide retainer for rolling bearing not requiring welding in assembling and capable of precluding a drop in the assembling accuracy resulting from dislocation of a positioning ring.
組立時に溶接を必要とせず、かつ位置決めリングの位置ずれによる組立精度の低下を防止することにできる転がり軸受用保持器を提供する。 - 特許庁 - To lessen a through-dislocation which greatly affects the characteristics of a group III nitride semiconductor device and to restrain pits from being formed in a GaN layer which is laminated on a sapphire substrate.
III族窒化物半導体素子の特性を左右する貫通転位を低減せしめ、サファイア基板に積層されるＧａＮ層に生じるピットを抑制する。 - 特許庁 - To provide a method of detecting a defect, in more detail, a dislocation emerged in an element having at least one crystalline germanium based surface layer.
欠陥を、さらに詳細には、少なくとも1つのゲルマニウム系の結晶表面層を有するエレメントに発生した転位を、検出する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a single crystal ingot that has no propagation of thermal dislocation and no crack and that is safe for handling, and to provide a method for manufacturing the ingot.
熱的な転位の伝播が無いことに加え、クラックがなく取り扱い上も安全となる単結晶インゴットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a floorboard fixing device capable of surely preventing positional dislocation of floorboards; and a railroad crossing formed of the floorboard fixing device.
床板の位置ずれを確実に防止可能な床板固定装置、並びに、当該床板固定装置をもって形成される踏切の提供を目的とする。 - 特許庁 - To provide an ophthalmologic laser apparatus capable of inhibiting dislocation of a laser irradiation position caused by variation of the pupil diameter, and precisely performing laser irradiation.
瞳孔径の変化によるレーザ照射位置ずれを抑えることができ、精度の高いレーザ照射を行うことができる眼科用レーザ装置を提供すること。 - 特許庁 - To obtain a high quality SiGe layer with low threading dislocation density in a semiconductor substrate, a field effect transistor, and their manufacturing method.
半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法において、貫通転位密度が低く良質なＳｉＧｅ層を得ること。 - 特許庁 - To provide a heterojunction bipolar transistor for characteristic evaluation which can prevent the generation of distortion or dislocation of a semiconductor layer when it is brought into contact with a probe.
プローブを接触させた際の半導体層の歪みや転位の発生を防止できる新規な特性評価用ヘテロ接合バイポーラトランジスタの提供。 - 特許庁 - In the crystal 50, it is preferable that the average dislocation density is not more than 5x10^3 cm^-2 and the diameter is at least 8 inches.
半導体結晶５０においては、平均転位密度が５×１０^3ｃｍ^-2以下であることが好ましく、また、直径が８インチ以上であることが好ましい。 - 特許庁 - To provide a nitride semiconductor manufacturing method which is capable of manufacturing a nitride semiconductor that has a flat surface and is lower in dislocation density than one manufactured through a conventional two-stage growth method.
従来の２段階成長法よりも転位密度が低く、且つ表面が平坦な窒化物半導体を製造することを可能にする。 - 特許庁 - To provide a light emitting diode that can reduce the concentration of helical dislocation generated in an epitaxial layer structure, as well as a manufacturing method thereof.
エピタキシャル層状構造に発生するらせん転位の密度を一層下げることができる発光ダイオードとその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a joining tool usable even if axial dislocation is caused a little, and capable of reducing manufacturing cost of a precast concrete member.
多少芯ずれが生じても用いることができるとともに、プレキャストコンクリート部材の製作コストを低減することができる接合具を提供する。 - 特許庁 - To provide a headrest device and a vehicle seat capable of enhancing the supporting performance by suppressing dislocation of the occupant head to the left or right when the vehicle goes in collision.
車両の衝突時に乗員の頭部の左右のずれを抑制して支持性能を向上させたヘッドレスト装置及び座席シートを提供する。 - 特許庁 - The substrate information such as the substrate size, mounting direction, inclination, and dislocation is detected by an arithmetic process from the end section positions of the detected glass substrate.
また、検出したガラス基板１５の端部位置から演算処理によって基板サイズ、載置方向、傾き、位置ズレ等の基板情報を検出する。 - 特許庁 - The skin film or sheet is adhered surely to the cavity surface to prevent positional dislocation and the generation of wrinkles caused by contraction/deformation during foaming.
それにより、表皮フィルムまたはシートはキャビティ面に確実に密着し、発泡成形時に、収縮変形して位置ズレやしわが生じるのが回避される。 - 特許庁 - To improve the fracture dislocation when being subjected to a bending load in an automobile energy absorbing member composed of an Al-Zn-Mg-based aluminum alloy extruded material.
Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｇ系アルミニウム合金押出材からなる自動車のエネルギー吸収部材において、曲げ荷重を受けたときの破断変位を改善する。 - 特許庁 - An azimuth angle, a dislocation degree from an aim and an object range can be determined from the second signal, the third signal or a combination of these signals.
方位角度、照準からのずれの程度、及び物体の範囲は、第２信号、第３信号又はそれらの組合せから決定することができる。 - 特許庁 - To provide a method of forming a SiGe bipolar transistor substantially excluding dislocation defects present between an emitter and collector region.
エミッタ領域とコレクタ領域の間に存在する転位欠陥を実質上含まないＳｉＧｅバイポーラ・トランジスタを形成する方法を提供すること。 - 特許庁 - In another embodiment, the formation position of each semiconductor element in the wafer surface is determined based on the information so that dislocation and lamination defects are avoided.
別の態様では、当該情報に基づいて、ウェハ面内における各半導体素子の形成位置を、転位、積層欠陥を避けるように決定する。 - 特許庁 - Further, the dislocation density can be measured by counting etch pits through an optical microscope etc., and then the quality of the crystal can be evaluated.
また、エッチピットの個数を光学顕微鏡などを用いて数えることで、転位密度を測定することができ、結晶の品質を評価することができる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a group III nitride crystal substrate by which dislocation density can be decreased and to provide a group III nitride crystal substrate and a semiconductor device.
転位密度を低減できるＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板、および半導体デバイスを提供する。 - 特許庁 - A foundation layer 13 for composing a semiconductor light- emitting device 20 contains Al, and-consists of a nitride semiconductor having a dislocation density of 10^11/cm^2 or less.
半導体発光素子２０を構成する下地層１３はＡｌを含み、転位密度が１０^11／ｃｍ^２以下の窒化物半導体から構成する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a semiconductor thin film crystal having a low dislocation density in an epitaxial growth on a substrate having largely different lattice constant.
格子定数の大きく異なる基板上へのエピタキシャル成長において、低転位密度の半導体薄膜結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a diode having a structure capable of reducing the effect of the layout of a core section having a high threading dislocation density and increasing an element area.
高い貫通転位密度を有するコア部の配置の影響を低減することができ素子面積を大きくできる構造のダイオードを提供する。 - 特許庁 - The silicon single crystal grown by a CZ method has a crystal axis orientation [110] and a dislocation in the crystal length direction at the center part of the crystal.
ＣＺ法により育成されたシリコン単結晶の結晶軸方位が［１１０］であり、結晶長さ方向に、かつ結晶の中心部に転位が存在する。 - 特許庁 - To provide a nitride semiconductor epitaxial wafer which reduces a through dislocation and a leakage current and is suitable for manufacture of a high frequency nitride semiconductor transistor.
貫通転位及びリーク電流が低減され、高周波用の窒化物半導体トランジスタの製造に適した窒化物半導体エピタキシャルウエハを提供する。 - 特許庁 - To provide a silicon seed crystal, by which a non-dislocation silicon single crystal in a wide range of impurity concentration is manufactured without using a necking step.
広い不純物濃度範囲の無転位シリコン単結晶をネッキング工程を用いずに製造することを可能にするシリコン種子結晶を提供する。 - 特許庁 - To provide a cathode-ray tube device correcting asymmetric focus deterioration caused by center dislocation of an electron gun even after the electron gun is incorporated.
電子銃が組み込まれた後でも、電子銃の中心ずれに起因する非対称フォーカス劣化を補正し得る陰極線管装置を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor crystal is a semiconductor crystal 50 comprising a compound, which has a diameter of at least 6 inches and an average dislocation density of not more than 1x10^4 cm^-2.
化合物からなる半導体結晶５０であって、直径が６インチ以上であり、平均転位密度が１×１０^4ｃｍ^-2以下である。 - 特許庁 - To provide a method of thermally treating a gallium arsenide single crystal, which is capable of obtaining a low-dislocation semi-insulating gallium arsenide single crystal wafer with few micro pits.
微小ピットの少ない低転位半絶縁性砒化ガリウム単結晶ウェハを得ることのできる砒化ガリウム単結晶の熱処理方法を提供すること。 - 特許庁 - A underlayer 12 constituting the semiconductor light-detector 20 is made of a nitride semiconductor including Al with a dislocation density 10^11/cm^2 or below.
半導体発光素子２０を構成する下地層１２はＡｌを含み、転位密度が１０^１１／ｃｍ^２以下の窒化物半導体から構成する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a group III nitride substrate having a low dislocation density and a semiconductor device manufactured by the method.
転位密度が小さいIII族窒化物基板を製造することが可能な製造方法およびそれを用いて製造される半導体装置を提供する。 - 特許庁 - Both split molds are connected integrally to both parting surfaces, and the joint by a taper pin 19 and a step 21 is provided for preventing the dislocation of the parting line.
その両方のパーティング面に両分割型を一体的に連結して、パーティングラインのずれを阻止するテーパーピン１９と受金２１とによるジョイントを設ける。 - 特許庁 - To provide a multilayer pressure resistant hose superior in shape retaining property by preventing positional dislocation when winding reinforcing yarn while substantially smoothing a hose surface.
ホース表面を略平滑にしながら補強糸の巻き付け時における位置ズレを防止可能でしかも保形性に優れた多層耐圧ホースを提供する。 - 特許庁 - To avoid the risk of inclination of an inlay and the dislocation of a knee joint due thereto without causing additional wear or cold flow in the inlay.
インレーにおける付加的な摩滅またはコールドフローを生じさせることなく、インレーの傾倒の危険並びにそれによる膝関節の脱臼を回避する。 - 特許庁 - The dislocation of the dot formed when a carriage moves forward and the dot formed when the carriage moves rearward is adjusted using the test pattern by a regular dither matrix.
キャリッジの往運動時に形成されるドットと復運動時に形成されるドットのずれを、正規ディザマトリックスによるテストパターンを用いて調節する。 - 特許庁 - To provide a method for heat treatment of a silicon wafer capable of inhibiting generation of dislocation and aggravation in wafer surface roughness during a semiconductor device process.
半導体デバイスプロセスにおける転位の発生およびウェーハ表面の粗さの悪化を抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁 - Consequently, strained stress caused in the interface between the buried silicon oxide film 12 and the bulk layer 14 can be reduced, thus suppressing the occurrence of dislocation.
その結果、埋め込みシリコン酸化膜１２とバルク層１４との界面に生じる歪み応力が低減し、転位の発生を抑制することができる。 - 特許庁
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